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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括： 第一晶体管，其具有第一输入端口、第一输出端口和第一控制端口，
B
其中所述第一控制端口处的电压决定从所述第一输入端口通过所述第一晶体管去往所述第一输出端口的第一电流，从所述第一输出端口连接至公共电势的参考负载
C
第二晶体管，其具有第二输入端口和第二输出端口且具有连接至所述第一控制端口和所述第二输入端口的第二控制端口，
D
其中所述第一控制端口处的所述电压决定从所述第二输入端口通过所述第二晶体管去往所述第二输出端口的第二电流，所述第一和第二控制端口连接至受偏器件
E
提供所述第一电流的第一电流源
F
提供比所述第一电流大的所述第二电流的第二电流源。
权利要求 2
G
其特征在于，第一晶体管尺寸与第二晶体管尺寸相同。
权利要求 3
H
其特征在于，所述第一电流源包括具有第三输入端口、第三输出端口和连接至所述第三输出端口的第三控制端口的第三晶体管，且其中所述第二电流源包括具有第四输入端口、第四输出端口和连接至所述第三控制端口的第四控制端口的第四晶体管。
权利要求 4
I
其特征在于，第四晶体管尺寸比第三晶体管尺寸大。
权利要求 5
J
其特征在于，所述第四晶体管尺寸至少为所述第三晶体管尺寸的两倍。
权利要求 6
K
其特征在于，所述第四晶体管尺寸至少为所述第三晶体管尺寸的四倍。
权利要求 7
L
其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管是场效应晶体管(FET)，且所述第一和第二输入端口是漏极、所述第一和第二输出端口是源极以及所述第一和第二控制端口是栅极。
权利要求 8
M
其特征在于，所述第二电流至少为所述第一电流的两倍。
权利要求 9
N
其特征在于，所述第二电流至少比所述第一电流大四倍。