非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 1982-09-18_实用新型_JPS57149119U JPS57149119U -.docx |
| 0 | 1982-09-27_发明专利_JPS57156325A Recovery of thiocyanate salt.docx |
| 0 | 1986-01-27_发明专利_JPS612613B2 JPS612613B2 -.docx |
| 0 | 1986-08-18_实用新型_JPS6127705Y2 JPS6127705Y2 -.docx |
| 0 | 1997-11-04_发明专利_JPH09289251A Layout structure of semiconductor integrated circuit and its verification method_+++A_L+++.docx |
| 0 | 1997-12-23_发明授权_US5700706A Self-aligned isolated polysilicon plugged contacts_+++C_D_E_L_M_N_b_p+++.docx |
| 0 | 1999-01-26_发明授权_US5864156A Isolated plugged contacts_+++C_D_E_L_N_a_b_i_m+++.docx |
| 0 | 2001-03-27_发明授权_US06207564B1 Method of forming self-aligned isolated plugged contacts_+++C_D_E_L_M_n+++.docx |
| 0 | 2001-04-11_发明专利_TW429580B 形成接觸開孔之半導體加工方法、形成電氣連接及互連之方法、及積體電路_+++a_l+++.docx |
| 0 | 2001-10-11_发明申请_WO01074762A2 GENERATION OF COMBINATORIAL SYNTHETIC LIBRARIES AND SCREENING FOR PROADHESINS AND NONADHESINS.docx |
| 0 | 2001-11-20_发明授权_US06320234B1 Semiconductor memory device and method for manufacturing the same_+++L_a_i_m_p+++.docx |
| 0 | 2002-07-04_发明申请_US20020083537A1 Ball collector for cleaning systems used for fluid conducting tubing.docx |
| 0 | 2002-07-26_发明专利_JP2002208643A Structure of semiconductor device and manufacturing method thereof_+++A_B_C_D_E_I_L_M+++.docx |
| 0 | 2002-11-05_发明授权_US06476490B1 Contact openings, electrical connections and interconnections for integrated circuitry_+++c_e_p+++.docx |
| 0 | 2002-11-07_发明申请_WO2002089156A1 SURFACE MOUNTABLE ELECTRONIC COMPONENT.docx |
| 0 | 2003-07-24_发明申请_US20030135987A1 Method of making a narrow pole tip by ion beam deposition.docx |
| 0 | 2004-02-11_发明授权_KR100417891B1 반도체 공정에서 접점 구멍 형성과 전기 연결 및 상호연결형성 방법 및 그 집적 회로_+++C_L_b_e_i_m+++.docx |
| 0 | 2004-02-19_发明专利_JP2004055684A Semiconductor device and its manufacturing method.docx |
| 0 | 2004-09-09_发明申请_US20040173912A1 Damascene processes for forming conductive structures.docx |
| 0 | 2005-10-05_发明专利_JP3703081B2 Semiconductor processing method, a method of forming an opening for a contact, and integrated circuits_+++c_e_i+++.docx |
| 0 | 2005-11-22_发明授权_US06967866B2 Semiconductor memory and semiconductor integrated circuit_+++A_B_I_L_M_c_e+++.docx |
| 0 | 2006-03-23_发明申请_US20060064317A1 Extended work program.docx |
| 0 | 2006-04-13_发明申请_US20060076689A1 Damascene processes for forming conductive structures_+++d_e_f+++.docx |
| 0 | 2006-05-11_发明专利_JP2006120722A Semiconductor device and manufacturing method therefor_+++L_c_d_e_m_n+++.docx |
| 0 | 2006-06-20_发明授权_US07064222B2 Processes for the preparation of 2-methylfuran and 2-methyltetrahydrofuran.docx |
| 0 | 2006-09-14_发明申请_US20060206528A1 Database instance decommissioning system and method.docx |
| 0 | 2006-10-26_发明申请_WO2006113609A2 MASKLESS MULTIPLE SHEET POLYSILICON RESISTOR_+++L_M+++.docx |
| 0 | 2006-10-26_发明申请_WO2006113609A3 MASKLESS MULTIPLE SHEET POLYSILICON RESISTOR.docx |
| 0 | 2007-06-28_发明申请_US20070145519A1 Butted contact structure_+++A_L_b_c_e_i_m+++.docx |
| 0 | 2007-11-08_发明专利_JP2007291953A Engine for work machine.docx |
| 0 | 2009-04-28_发明授权_US07525173B2 Layout structure of MOS transistors on an active region_+++A_B_I_L_M_c_e+++.docx |
| 0 | 2009-07-01_发明专利_JP4286497B2 A method of manufacturing a semiconductor device.docx |
| 0 | 2011-07-13_发明专利_JP4720601B2 Working machine engine.docx |
| 0 | 2011-12-01_发明申请_US20110294292A1 METHOD OF FORMING A SHARED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE_+++L_M+++.docx |
| 0 | 2012-01-12_发明申请_US20120007209A1 SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES INCLUDING DAMASCENE TRENCHES WITH CONDUCTIVE STRUCTURES AND RELATED METHOD_+++C_D_E_F_L_b_i_j_m_n+++.docx |
| 0 | 2012-04-26_发明申请_US20120098073A1 Semiconductor Device_+++A_H_L_M+++.docx |
| 0 | 2012-08-23_发明申请_US20120211837A1 SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS_+++L_M_p+++.docx |
| 0 | 2013-01-17_发明专利_DE102011004323A1 Halbleiterbauelement mit selbstjustierten Kontaktelementen_+++B_C_E_I_L_M_g+++.docx |
| 0 | 2013-04-18_发明申请_US20130093020A1 MOSFET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME_+++A_C_L_M_b_e_i+++.docx |
| 0 | 2013-05-16_发明申请_US20130119474A1 TRENCH SILICIDE AND GATE OPEN WITH LOCAL INTERCONNECT WITH REPLACEMENT GATE PROCESS_+++D_E_L_M_N_i_p+++.docx |
| 0 | 2013-06-06_发明申请_WO2013081767A1 METHOD OF FORMING SELF -ALIGNED CONTACTS AND LOCAL INTERCONNECTS_+++C_D_E_L_M_N_P_a_b_f_h_i_o+++.docx |
| 0 | 2013-07-23_发明授权_US08493042B2 Switching regulator.docx |
| 0 | 2013-09-26_发明申请_US20130248990A1 SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_C_D_E_i_l_m+++.docx |
| 0 | 2013-10-01_发明公开_KR1020130106917A 반도체 소자 및 이의 제조 방법_+++B_C_D_I_L_M_e+++.docx |
| 0 | 2013-10-31_发明申请_US20130285157A1 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME.docx |
| 0 | 2013-12-10_发明授权_US08604531B2 Method and apparatus for improving capacitor capacitance and compatibility_+++L_M_p+++.docx |
| 0 | 2014-02-06_发明申请_US20140035048A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME_+++B_E_I_M_N_P_a_c_d_l+++.docx |
| 0 | 2014-02-11_发明公开_KR1020140017294A 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법_+++C_D_P_a_b_e_g_i_l_m_n+++.docx |
| 0 | 2014-07-17_发明公开_KR1020140090680A 자기 정렬 접점 및 국부 상호접속부를 형성하는 방법_+++B_C_D_E_H_I_L_M_N_a_b_f_g_j_k_o_p+++.docx |
| 0 | 2014-07-17_发明申请_US20140197494A1 TRENCH SILICIDE AND GATE OPEN WITH LOCAL INTERCONNECT WITH REPLACEMENT GATE PROCESS_+++L_M+++.docx |
| 0 | 2014-07-23_发明公开_CN103946971A 用于形成自对准触点和局部互连的方法_+++B_C_E_a_d_f_p+++.docx |
| 0 | 2014-08-29_发明授权_KR101436262B1 샴푸 전동의자.docx |
| 0 | 2014-09-16_发明授权_US08835245B2 Semiconductor device comprising self-aligned contact elements_+++A_B_C_D_E_I_L_M_N_O_f_g_j+++.docx |
| 0 | 2014-09-24_发明公开_EP2780937A1 METHOD OF FORMING SELF -ALIGNED CONTACTS AND LOCAL INTERCONNECTS_+++B_C_D_E_I_L_M_N_a_f_g_h_j_k_o_p+++.docx |
| 0 | 2015-01-19_发明专利_JP2015502039A 自己整合コンタクト及びローカル相互接続を形成する方法_+++B_C_D_E_H_I_L_M_N_a_f_g_j_k_p+++.docx |
| 0 | 2015-01-19_发明专利_JP2015502039A5 JP2015502039A5 -.docx |
| 0 | 2015-05-21_发明专利_JP2015515094A 固体電解質電池.docx |
| 0 | 2017-04-27_发明专利_JP2017511738A 首運動のための首運動支持体を備えた椅子.docx |
| 0 | 1982-09-18_实用新型_JPS57149119U JPS57149119U -.docx |
| 0 | 1982-09-27_发明专利_JPS57156325A Recovery of thiocyanate salt.docx |
| 0 | 1986-01-27_发明专利_JPS612613B2 JPS612613B2 -.docx |
| 0 | 1986-08-18_实用新型_JPS6127705Y2 JPS6127705Y2 -.docx |
| 0 | 1997-11-04_发明专利_JPH09289251A Layout structure of semiconductor integrated circuit and its verification method.docx |
| 0 | 1997-12-23_发明授权_US5700706A Self-aligned isolated polysilicon plugged contacts_+++A_a+++.docx |
| 0 | 1999-01-26_发明授权_US5864156A Isolated plugged contacts.docx |
| 0 | 2001-03-27_发明授权_US06207564B1 Method of forming self-aligned isolated plugged contacts.docx |
| 0 | 2001-04-11_发明专利_TW429580B 形成接觸開孔之半導體加工方法、形成電氣連接及互連之方法、及積體電路.docx |
| 0 | 2001-10-11_发明申请_WO01074762A2 GENERATION OF COMBINATORIAL SYNTHETIC LIBRARIES AND SCREENING FOR PROADHESINS AND NONADHESINS.docx |
| 0 | 2001-11-20_发明授权_US06320234B1 Semiconductor memory device and method for manufacturing the same.docx |
| 0 | 2002-07-04_发明申请_US20020083537A1 Ball collector for cleaning systems used for fluid conducting tubing.docx |
| 0 | 2002-07-26_发明专利_JP2002208643A Structure of semiconductor device and manufacturing method thereof.docx |
| 0 | 2002-11-05_发明授权_US06476490B1 Contact openings, electrical connections and interconnections for integrated circuitry.docx |
| 0 | 2002-11-07_发明申请_WO2002089156A1 SURFACE MOUNTABLE ELECTRONIC COMPONENT.docx |
| 0 | 2003-07-24_发明申请_US20030135987A1 Method of making a narrow pole tip by ion beam deposition.docx |
| 0 | 2004-02-11_发明授权_KR100417891B1 반도체 공정에서 접점 구멍 형성과 전기 연결 및 상호연결형성 방법 및 그 집적 회로.docx |
| 0 | 2004-02-19_发明专利_JP2004055684A Semiconductor device and its manufacturing method.docx |
| 0 | 2004-09-09_发明申请_US20040173912A1 Damascene processes for forming conductive structures.docx |
| 0 | 2005-10-05_发明专利_JP3703081B2 Semiconductor processing method, a method of forming an opening for a contact, and integrated circuits.docx |
| 0 | 2005-11-22_发明授权_US06967866B2 Semiconductor memory and semiconductor integrated circuit.docx |
| 0 | 2006-03-23_发明申请_US20060064317A1 Extended work program.docx |
| 0 | 2006-04-13_发明申请_US20060076689A1 Damascene processes for forming conductive structures.docx |
| 0 | 2006-05-11_发明专利_JP2006120722A Semiconductor device and manufacturing method therefor.docx |
| 0 | 2006-06-20_发明授权_US07064222B2 Processes for the preparation of 2-methylfuran and 2-methyltetrahydrofuran_+++A+++.docx |
| 0 | 2006-09-14_发明申请_US20060206528A1 Database instance decommissioning system and method.docx |
| 0 | 2006-10-26_发明申请_WO2006113609A2 MASKLESS MULTIPLE SHEET POLYSILICON RESISTOR.docx |
| 0 | 2006-10-26_发明申请_WO2006113609A3 MASKLESS MULTIPLE SHEET POLYSILICON RESISTOR.docx |
| 0 | 2007-06-28_发明申请_US20070145519A1 Butted contact structure.docx |
| 0 | 2007-11-08_发明专利_JP2007291953A Engine for work machine.docx |
| 0 | 2009-04-28_发明授权_US07525173B2 Layout structure of MOS transistors on an active region.docx |
| 0 | 2009-07-01_发明专利_JP4286497B2 A method of manufacturing a semiconductor device.docx |
| 0 | 2011-07-13_发明专利_JP4720601B2 Working machine engine_+++A_b_d_i_l+++.docx |
| 0 | 2011-12-01_发明申请_US20110294292A1 METHOD OF FORMING A SHARED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE.docx |
| 0 | 2012-01-12_发明申请_US20120007209A1 SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES INCLUDING DAMASCENE TRENCHES WITH CONDUCTIVE STRUCTURES AND RELATED METHOD.docx |
| 0 | 2012-04-26_发明申请_US20120098073A1 Semiconductor Device.docx |
| 0 | 2012-08-23_发明申请_US20120211837A1 SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS.docx |
| 0 | 2013-01-17_发明专利_DE102011004323A1 Halbleiterbauelement mit selbstjustierten Kontaktelementen.docx |
| 0 | 2013-04-18_发明申请_US20130093020A1 MOSFET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME.docx |
| 0 | 2013-05-16_发明申请_US20130119474A1 TRENCH SILICIDE AND GATE OPEN WITH LOCAL INTERCONNECT WITH REPLACEMENT GATE PROCESS.docx |
| 0 | 2013-06-06_发明申请_WO2013081767A1 METHOD OF FORMING SELF -ALIGNED CONTACTS AND LOCAL INTERCONNECTS.docx |
| 0 | 2013-07-23_发明授权_US08493042B2 Switching regulator.docx |
| 0 | 2013-09-26_发明申请_US20130248990A1 SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME.docx |
| 0 | 2013-10-01_发明公开_KR1020130106917A 반도체 소자 및 이의 제조 방법.docx |
| 0 | 2013-10-24_发明申请_US20130277721A1 METHODS FOR DESIGNING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES AND RELATED SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING DAMASCENE STRUCTURES.docx |
| 0 | 2013-10-31_发明申请_US20130285157A1 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME.docx |
| 0 | 2013-12-10_发明授权_US08604531B2 Method and apparatus for improving capacitor capacitance and compatibility.docx |
| 0 | 2014-02-06_发明申请_US20140035048A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME.docx |
| 0 | 2014-02-11_发明公开_KR1020140017294A 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법.docx |
| 0 | 2014-07-17_发明公开_KR1020140090680A 자기 정렬 접점 및 국부 상호접속부를 형성하는 방법.docx |
| 0 | 2014-07-17_发明申请_US20140197494A1 TRENCH SILICIDE AND GATE OPEN WITH LOCAL INTERCONNECT WITH REPLACEMENT GATE PROCESS_+++A_L_a_l+++.docx |
| 0 | 2014-07-23_发明公开_CN103946971A 用于形成自对准触点和局部互连的方法.docx |
| 0 | 2014-08-29_发明授权_KR101436262B1 샴푸 전동의자.docx |
| 0 | 2014-09-16_发明授权_US08835245B2 Semiconductor device comprising self-aligned contact elements.docx |
| 0 | 2014-09-24_发明公开_EP2780937A1 METHOD OF FORMING SELF -ALIGNED CONTACTS AND LOCAL INTERCONNECTS.docx |
| 0 | 2015-01-19_发明专利_JP2015502039A 自己整合コンタクト及びローカル相互接続を形成する方法.docx |
| 0 | 2015-01-19_发明专利_JP2015502039A5 JP2015502039A5 -.docx |
| 0 | 2015-05-21_发明专利_JP2015515094A 固体電解質電池.docx |
| 0 | 2017-04-27_发明专利_JP2017511738A 首運動のための首運動支持体を備えた椅子.docx |
权利要求1
一种半导体器件，包括： 半导体器件有源区中的虚栅极； 毗邻于所述虚栅极的第一有源触点； 所述虚栅极和所述第一有源触点上的电介质层，所述电介质层上形成有开口； 沉积于所述开口的侧壁上的第一隔离层； 形成于所述开口中的第一堆叠式触点，所述第一堆叠式触点被电耦合至所述第一有源触点； 沉积于所述第一堆叠式触点的表面上与所述第一有源触点相对的盖层，侧壁上的所述第一隔离层将所述第一堆叠式触点与所述虚栅极电隔离；以及穿过所述电介质层的第一通孔，所述第一通孔落在所述虚栅极上并通过所述盖层的一部分直接落在所述第一堆叠式触点的所述表面上以将所述第一堆叠式触点和所述第一有源触点电耦合至所述虚栅极以使所述虚栅极接地。
你好！作为一名经验丰富的专利代理师，我已经仔细阅读了你提供的权利要求文件（目标专利：CN105981157B）以及四篇对比文件。
在正式分析之前，需要指出一个关键点：对比文件D1 (KR1020140090680A)、对比文件D3 (EP2780937A1) 和 对比文件D4 (JP2015502039A) 属于同族专利，它们的附图、说明书段落结构以及技术方案实质上是完全相同的（分别为韩国、欧洲和日本的公开文本）。为了行文简洁且便于核对原文，下文的分析将主要以包含英文原文的 D3 (EP2780937A1) 以及独立的 D2 (US08835245B2) 作为代表进行比对。
以下是对技术特征F和技术特征G是否被单独或组合公开的详细分析及比对表格：
一、 关于技术特征 F 的分析
结论：对比文件 D1/D3/D4 实质上公开了技术特征 F。
分析过程：
技术特征F主要限定了“盖层”（位于第一堆叠式触点表面）以及“侧壁上的第一隔离层”（用于将堆叠式触点与虚栅极电隔离）。
在 D3 (EP2780937A1) 中：
-
第一堆叠式触点对应于 D3 中的沟槽触点（Trench contact 132）。D3 在
[0067]段公开了通过导电材料130填充沟槽128并平坦化后形成沟槽触点132。 -
盖层对应于 D3 中的绝缘层（Insulating layer 134）。D3 在
[0070]段明确公开了在平坦化工艺后，将绝缘层134沉积在平坦表面上（覆盖了沟槽触点132），起到封装底层的作用（"Insulating layer 134 may be a thin insulating layer that encapsulates the underlying layers."）。 -
侧壁上的第一隔离层对应于 D3 中的心轴间隔物（Mandrel spacers 124）。D3 在
[0068]段明确指出了该间隔物的隔离作用，即心轴间隔物124的倾斜轮廓阻止了沟槽触点132中的导电材料130与栅极104接触（短路），从而实现了电隔离（"The sloping profile of mandrel spacers 124... inhibits conductive material 130 in the trench contacts 132 from contacting (shorting) to gates 104."）。
技术特征 F 比对表格
| 目标专利权利要求1 技术特征 F | 对比文件 D3 (EP2780937A1) 的对应公开内容 | 出处段落 | 结论 |
| 沉积于所述第一堆叠式触点的表面上与所述第一有源触点相对的盖层， | 在平坦化工艺之后，将绝缘层134沉积在晶体管100的平面表面上（覆盖了沟槽触点132）。绝缘层134可以是封装下方的层的一层薄绝缘层。 | [0070] |
实质公开 |
| 侧壁上的所述第一隔离层将所述第一堆叠式触点与所述虚栅极电隔离 | 心轴间隔物124和沟槽触点132的倾斜轮廓，抑制了沟槽触点132中的导电材料130接触（短路）栅极104。 | [0068] |
实质公开 |
二、 关于技术特征 G 的分析
结论：对比文件 D1/D3/D4 以及 D2 无论是单独还是组合，均【没有公开】也【没有实质公开】技术特征 G。
分析过程：
技术特征G具有极强的结构限制和功能限制。要破坏其新颖性或创造性，对比文件必须同时满足：(1) 结构限制： 存在一个“第一通孔”（单一的通孔结构），该通孔跨越并同时直接落在虚栅极和堆叠式触点上（穿过部分盖层）；(2) 功能限制： 该结构的目的是将有源触点与虚栅极电耦合，以使所述虚栅极接地（grounding）。
-
结构上的本质区别（无单一跨越式通孔）：
-
目标专利的技术特征G限定的是一个“通孔”（单一孔洞结构），它直接向下搭接在“虚栅极”和“堆叠式触点”两者之上。
-
D3 (EP2780937A1) 在
[0074]-[0077]段公开的是一种“局部互连（Local interconnect）”方案。它是通过分别形成通向触点的沟槽138、通向栅极的栅极开口沟槽142，然后用导电材料填充这些独立的沟槽形成局部互连线（144A, 144B, 144C）来连接的，并非是一个单一的、直接跨接落在这两者表面的“通孔”。即使在 D3 的替代实施例[0093]-[0095]中提到的合并沟槽（206和208），它也是被定义为在金属互连层（局部互连212B）的布线，而不是穿过盖层并直接作为一个整体通孔落在两者的原始表面上。 -
D2 (US08835245B2) 在
[0068]-[0073]段（结合图2w-2y）公开的是在“零”金属层（metal level "zero"）通过水平的互连部分（interconnect portions 226A, 226B）来连接独立的自对准触点225和栅极260D。这同样是金属布线层的水平走线连接，而不是权利要求中界定的垂直“第一通孔”结构。
-
-
功能上的本质区别（无“使虚栅极接地”的教导）：
-
目标专利明确指出连接的目的是“以使所述虚栅极接地”（防止浮动偏置电压激活器件）。
-
纵观 D1-D4 的全文，没有任何一处提及“将隔离栅极/虚栅极接地（grounding）”的概念。D3 仅在
[0074]段提到连接到“隔离栅极（isolated gate 104'）”以提供布线灵活性；D2 仅提及互连结构可以连接到栅极电极结构。它们均没有教导将有源区触点与虚栅极短接以实现接地的电学目的。
-
技术特征 G 比对表格
| 目标专利权利要求1 技术特征 G | 对比文件 D1-D4 的对应情况分析 | 结论 |
| 穿过所述电介质层的第一通孔，所述第一通孔落在所述虚栅极上并通过所述盖层的一部分直接落在所述第一堆叠式触点的所述表面上 | 未公开。 D2和D3均采用水平的局部互连线（如D3的144A-C或D2的226A-B）来连接独立的触点孔和栅极孔，而不是采用一个单一的、跨接在两者上方的通孔结构直接落在其表面。 | 未公开 |
| 以将所述第一堆叠式触点和所述第一有源触点电耦合至所述虚栅极以使所述虚栅极接地。 | 未公开。 D1-D4全文均未公开或暗示连接隔离栅极/虚栅极的目的是为了“接地（grounding）”以消除浮空电位。缺乏该关键的电学功能导向。 | 未公开 |
总结
综合来看，虽然对比文件（尤其是D1/D3/D4）能够教导类似于特征F的自对准接触以及绝缘隔离结构，但特征G中关于“使用单一通孔跨接”的特定三维结构，以及“使虚栅极接地”的具体电气功能，在D1-D4中单独或结合均未给出任何明确的启示或教导。因此，目标专利的权利要求1基于特征G具备较强的抗无效前景。
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权利要求2
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：直接耦合在所述虚栅极和所述第一通孔之间的栅极触点，所述栅极触点在侧壁上具有第二隔离层，所述栅极触点被自对齐到所述第一有源触点以及和所述第一堆叠式触点自对齐。
权利要求3
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：毗邻于所述虚栅极的第二有源触点；以及 相邻的堆叠式触点，所述相邻的堆叠式触点电耦合至所述第二有源触点并和所述第二有源触点对齐，且和所述第一通孔自对齐，以将所述相邻的堆叠式触点与所述第一通孔电隔离。
权利要求4
如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一通孔和所述栅极触点自对齐，并且所述第一堆叠式触点的所述侧壁上的所述第一隔离层被安排成至少部分地与所述第一有源触点交叠，所述第一隔离层的交叠部分将所述第一堆叠式触点的一部分与所述第一通孔的一部分电隔离。
权利要求5
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：有源栅极； 毗邻于所述有源栅极的第二有源触点； 第二堆叠式触点，所述第二堆叠式触点被电耦合至所述第二有源触点且在侧壁上包括将所述第二堆叠式触点与所述有源栅极电隔离的第二隔离层；以及电耦合至所述有源栅极且和所述第二堆叠式触点自对齐的第二通孔。
权利要求6
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。
权利要求7
一种半导体器件，包括： 半导体器件有源区中的虚栅极； 在所述虚栅极的每一侧并毗邻于所述虚栅极的第一和第二有源触点；以及所述虚栅极和所述第一和第二有源触点上的电介质层，所述电介质层上形成有第一开口和第二开口； 沉积于所述第一开口和第二开口的侧壁上的第一隔离层； 穿过所述电介质层形成于所述第一开口中并直接电耦合至所述虚栅极的栅极触点和所述第一有源触点的扩展堆叠式触点，所述扩展堆叠式触点被安排成通过与所述虚栅极和所述第一有源触点两者至少部分地交叠来将所述虚栅极接地；以及穿过所述电介质层形成于所述第二开口中并直接电耦合至第二有源触点的相邻的堆叠式触点，其中所述扩展堆叠式触点与所述相邻的堆叠式触点电隔离。
权利要求8
如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：有源栅极； 毗邻于所述有源栅极的第三有源触点； 穿过所述电介质层并电耦合至所述第三有源触点的第一堆叠式触点，所述第一堆叠式触点在侧壁上包括将所述第一堆叠式触点与所述有源栅极电隔离的隔离层；以及穿过所述电介质层，电耦合至所述有源栅极且通过所述隔离层和所述第一堆叠式触点电隔离的通孔。
权利要求9
如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。
权利要求10
一种用于在半导体器件有源区中将虚栅极电接地的方法，包括：形成毗邻于所述半导体器件有源区中的所述虚栅极的第一有源触点； 在所述虚栅极和所述第一有源触点上形成电介质层； 在所述电介质层上形成开口； 在所述开口的侧壁上沉积第一隔离层； 在所述开口中形成第一堆叠式触点，所述第一堆叠式触点电耦合至所述第一有源触点； 在所述第一堆叠式触点的表面上沉积盖层；以及 形成穿过所述电介质层的第一通孔，所述第一通孔落在所述虚栅极上并且通过所述盖层的一部分直接落在所述第一堆叠式触点的所述表面上以将所述第一堆叠式触点和所述第一有源触点电耦合至所述虚栅极以将所述虚栅极接地。
权利要求11
如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一隔离层的一部分被安排成将所述第一堆叠式触点与所述虚栅极电隔离。
权利要求12
如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括：在所述虚栅极上形成栅极触点；以及 在所述栅极触点的侧壁上沉积所述第一隔离层，所述栅极触点自对齐到所述第一有源触点且和所述第一堆叠式触点自对齐，其中所述第一堆叠式触点通过所述第一隔离层与所述栅极触点电隔离，并且其中所述第一通孔落在所述栅极触点上。
权利要求13
如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一堆叠式触点的一部分被电耦合至所述虚栅极的一部分，所述第一堆叠式触点和相邻的堆叠式触点自对齐以将所述相邻的堆叠式触点与所述第一堆叠式触点电隔离。
权利要求14
如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包括：在所述虚栅极上形成栅极触点；以及 在所述栅极触点的侧壁上沉积所述第一隔离层，所述栅极触点自对齐至所述第一有源触点。
权利要求15
如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。