非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
权利要求列表点击可跳转
对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|
权利要求1
一种多电平单元MLC，其包括： 一或多个可编程元件，其耦合到共同存取晶体管， 其中所述一或多个可编程元件中的每一者是三端子装置且具有分别对应于两个二进制状态的一对唯一切换电阻，其中所述切换电阻由一或多个混合巨自旋霍尔效应GSHE-自旋转移力矩STT磁阻随机存取存储器MRAM元件提供，其中混合GSHE-STT MRAM元件包括形成于GSHE条带上的至少一个磁性隧道结MTJ，其中所述一或多个可编程元件中的至少一个可编程元件包括两个或更多个并联连接以形成复合MTJ，以使得所述复合MTJ的第一端子由所述两个或更多个MTJ的耦合在一起的第一写入端子形成，所述复合MTJ的第二端子由所述两个或更多个MTJ的耦合在一起的第二写入端子形成，且所述复合MTJ的第三端子由所述两个或更多个MTJ的耦合在一起的读取端子形成。
权利要求2
根据权利要求1所述的MLC，其中所述一或多个可编程元件中的每一者经配置以基于通过所述共同存取晶体管的对应唯一切换电流而在所述两个二进制状态之间切换。
权利要求3
根据权利要求1所述的MLC，其中所述MLC的第一写入端子和所述MLC的第二写入端子通过所述一或多个可编程元件的串联连接而耦合。
权利要求4
根据权利要求1所述的MLC，其进一步包括用以启用所述MLC的存取启用端子，所述存取启用端子耦合到所述存取晶体管的栅极端子。
权利要求5
根据权利要求1所述的MLC，其中所述一或多个可编程元件基于读取操作而经编程以确定所述一或多个可编程元件的初始状态，随后是写入操作，所述写入操作包括对应切换电流以适当地切换所述一或多个可编程元件的二进制状态以便转变到对应于所需写入值的状态。
权利要求6
根据权利要求1所述的MLC，其中所述一或多个可编程元件基于通过在执行写入操作之前传递对应最大或最小切换电流将所述可编程元件中的每一者的所述状态初始化为二进制最大值或二进制最小值而经编程。
权利要求7
根据权利要求1所述的MLC，其中所述MTJ的所述并联连接包括共享所述第一端子和所述第二端子的堆叠结构以及共同GSHE条带。
权利要求8
一种形成多电平单元MLC的方法，所述方法包括： 以分别对应于两个二进制状态的一对唯一切换电阻形成一或多个可编程元件作为三端子装置，其中所述切换电阻由混合巨自旋霍尔效应GSHE-自旋转移力矩STT磁阻随机存取存储器MRAM元件提供，其中混合GSHE-STT MRAM元件包括形成于GSHE条带上的至少一个磁性隧道结MTJ，其中所述一或多个可编程元件中的至少一个可编程元件包括两个或更多个并联连接以形成复合MTJ，以使得所述复合MTJ的第一端子由所述两个或更多个MTJ的耦合在一起的第一写入端子形成，所述复合MTJ的第二端子由所述两个或更多个MTJ的耦合在一起的第二写入端子形成，且所述复合MTJ的第三端子由所述两个或更多个MTJ的耦合在一起的读取端子形成；以及将所述一或多个可编程元件耦合到共同存取晶体管。
权利要求9
根据权利要求8所述的方法，其包括使唯一切换电流通过所述共同存取晶体管以致使所述一或多个可编程元件中的对应一者在所述两个二进制状态之间切换。
权利要求10
根据权利要求8所述的方法，其包括在所述一或多个可编程元件的串联连接中耦合所述MLC的第一写入端子和所述MLC的第二写入端子。
权利要求11
根据权利要求8所述的方法，其进一步包括将存取启用端子耦合到所述共同存取晶体管的栅极端子，所述存取启用端子用于启用所述MLC。
权利要求12
根据权利要求8所述的方法，其包括： 基于读取操作对所述一或多个可编程元件进行编程以确定所述一或多个可编程元件的初始状态；以及执行包括传递对应切换电流的写入操作以适当地切换所述一或多个可编程元件的二进制状态以便转变到所述可编程元件的状态到所需写入值。
权利要求13
根据权利要求8所述的方法，其包括基于通过在执行写入操作之前传递对应最大或最小切换电流将所述可编程元件中的每一者的二进制状态初始化为二进制最大值或二进制最小值而对所述一或多个可编程元件进行编程。
权利要求14
根据权利要求9所述的方法，其包括以所述MTJ的共享所述第一端子和所述第二端子的堆叠结构以及共同GSHE条带来形成所述复合MTJ。
权利要求15
一种用于形成多电平单元MLC的设备，其包括用于执行根据权利要求8到14中任一权利要求所述的方法的装置。