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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|
权利要求1
一种可调谐电容器，包括： 基板； 由所述基板支撑的沟槽栅极，所述沟槽栅极具有第一深度且在第一方向上延伸； 第一极性的第一阱，所述第一阱在所述第一方向上与所述沟槽栅极平行地延伸； 与所述第一阱相邻且在所述第一方向上延伸的所述第一极性的第一阱拾取区；以及散布于所述第一极性的所述第一阱中在所述沟槽栅极与所述第一阱拾取区之间的第二极性的第一多个耗尽控制柱，所述第二极性与所述第一极性不同，所述第一多个耗尽控制柱各自被配置为基于施加到所述第一多个耗尽控制柱中相应一个耗尽控制柱的可变电压在所述第一阱中创建相应大小的耗尽区以控制所述沟槽栅极和所述第一阱拾取区之间电容的变化。
权利要求2
如权利要求1所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一极性是负N且所述第二极性是正P。
权利要求3
如权利要求1所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一阱是负N阱；以及 所述第一阱拾取区是负N阱拾取区。
权利要求4
如权利要求3所述的可调谐电容器，其特征在于，所述沟槽栅极是N+区， 所述第一多个耗尽控制柱是P+柱；以及 所述第一阱拾取区是N+区。
权利要求5
如权利要求1所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一多个耗尽控制柱延伸到比所述沟槽栅极的所述第一深度小的深度。
权利要求6
如权利要求1所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一多个耗尽控制柱中的单独耗尽控制柱具有比所述单独耗尽控制柱在所述第一方向上的宽度更大的深度。
权利要求7
如权利要求6所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一多个耗尽控制柱被电连接同时在所述第一方向上彼此间隔至少与单独耗尽控制柱在所述第一方向上的所述宽度一样宽的距离。
权利要求8
如权利要求1所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一多个耗尽控制柱散布于所述第一阱中在所述沟槽栅极与所述第一阱拾取区之间的中途或大约中途处。
权利要求9
如权利要求1所述的可调谐电容器，其特征在于，还包括：耦合到所述沟槽栅极的电容器栅极端； 耦合到所述第一多个耗尽控制柱中的至少一个耗尽控制柱的耗尽控制端； 耦合到所述第一极性的所述第一阱拾取区的阱拾取端；以及所述第一多个耗尽控制柱各自被配置为基于施加到相应耗尽控制端的可变电压在所述第一阱中创建相应大小的耗尽区，以向所述第一多个耗尽控制柱中相应一个耗尽控制柱施加所述可变电压来控制所述沟槽栅极和所述第一阱拾取区之间所述电容的变化。
权利要求10
如权利要求9所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一多个耗尽控制柱中的每个耗尽控制柱彼此间隔开，从而形成在所述第一方向上延伸的所述第一多个耗尽控制柱的行。
权利要求11
如权利要求10所述的可调谐电容器，其特征在于，还包括：在所述第一方向上延伸且将所述第一阱与所述沟槽栅极隔开的第一内衬氧化层。
权利要求12
如权利要求10所述的可调谐电容器，其特征在于，还包括：在所述第一方向上与所述沟槽栅极平行地延伸的所述第一极性的第二阱； 与所述第二阱相邻的且在所述第一方向上延伸的第二阱拾取区；以及散布于所述第二阱中在所述沟槽栅极与所述第二阱拾取区之间的所述第二极性的第二多个耗尽控制柱，所述第二多个耗尽控制柱各自被配置为基于施加到所述第二多个耗尽控制柱中相应一个耗尽控制柱的第二可变电压在所述第二阱中创建相应大小的第二耗尽区以控制所述沟槽栅极和所述第二阱拾取区之间第二电容的变化。
权利要求13
如权利要求12所述的可调谐电容器，其特征在于，所述沟槽栅极的在所述第一方向上延伸的两侧由将所述沟槽栅极与所述第一阱和所述第二阱分隔开的内衬氧化物来内衬。
权利要求14
如权利要求9所述的可调谐电容器，其特征在于，所述基板是SOI基板； 所述沟槽栅极是POCl3 掺杂N+区； 所述第一多个耗尽控制柱是P+掺杂区；以及所述第一阱拾取区是N+掺杂区。
权利要求15
如权利要求14所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一阱拾取区具有第二深度，所述第一深度大于所述第二深度，所述沟槽栅极延伸到所述基板的氧化层中。
权利要求16
如权利要求9所述的可调谐电容器，其特征在于，所述基板是SOI基板； 所述沟槽栅极是POCl3 掺杂N+区； 所述第一多个耗尽控制柱是P区；以及 所述第一阱拾取区是N下沉区。
权利要求17
如权利要求9所述的可调谐电容器，其特征在于，所述基板是硅基板； 所述沟槽栅极是POCl3 掺杂N+区； 所述第一多个耗尽控制柱是P区；以及 所述第一阱拾取区是N下沉区。
权利要求18
一种控制设备的方法，所述方法包括：确定设备操作模式； 将与所确定的设备操作模式相对应的可变控制电压施加到可调谐电容器的多个耗尽控制柱以基于所述可变控制电压控制阱中的耗尽区大小，从而控制所述可调谐电容器的沟槽栅极端与所述可调谐电容器的阱拾取端之间电容的变化，所述可调谐电容器包括：基板； 由所述基板支撑的沟槽栅极，所述沟槽栅极具有第一深度且在第一方向上延伸； 第一极性的阱，所述阱在所述第一方向上与所述沟槽栅极平行地延伸； 阱拾取区，所述阱拾取区是所述第一极性的且与所述阱相邻并在所述第一方向上延伸； 所述多个耗尽控制柱，所述多个耗尽控制柱是第二极性的且散布于所述阱中在所述沟槽栅极与所述阱拾取区之间，所述第二极性与所述第一极性不同；以及所述沟槽栅极端，所述沟槽栅极端与所述沟槽栅极接触。
权利要求19
如权利要求18所述的方法，其特征在于，进一步包括：将所述设备操作模式从第一操作模式改变成第二操作模式，所述改变包括将施加到所述可调谐电容器的多个耗尽控制柱的所述可变控制电压从对应于所述第一操作模式的第一电压改变成对应于所述第二操作模式的第二电压，所述第一电压和所述第二电压是不同的。
权利要求20
如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述设备是通信设备； 所述第一操作模式是其中通信被实现在第一频带中的第一通信模式；以及所述第二操作模式是其中通信被实现在第二频带中的第二通信操作模式，所述第一频带和所述第二频带是不同的。