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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|
权利要求1
一种用于信号均衡或滤波的装置，包括： 第一场效应晶体管FET，包括第一栅极、第一漏极和第一源极，其中所述第一栅极被配置用于接收输入信号； 第二FET，包括第二栅极、第二漏极和第二源极，其中所述第二栅极被配置用于接收恒定参考电压；以及多个可选电阻路径，其中每个可选电阻路径包括在所述第一源极和所述第二源极之间的串联耦合的电阻器和选择FET，其中所述选择FET被配置用于基于选择信号耦合在所述第一源极和所述第二源极之间的对应可选电阻路径，以及其中所述选择FET包括直接耦合至所述第二源极的源极。
权利要求2
根据权利要求1所述的装置，还包括： 第三FET，包括第三栅极、第三漏极和第三源极； 第一负载电阻器，在第一电压轨和第二电压轨之间与所述第一FET和所述第三FET串联耦合； 第四FET，包括第四栅极、第四漏极和第四源极，其中所述第四FET的所述第四栅极和所述第三FET的所述第三栅极被耦合在一起并且被配置用于接收用于设置通过所述第三FET和所述第四FET的漏极-源极电流的偏置电压； 第二负载电阻器，在所述第一电压轨和所述第二电压轨之间与所述第二FET和所述第四FET串联耦合，其中在位于所述第一FET和所述第一负载电阻器之间的第一节点以及位于所述第二FET和所述第二负载电阻器之间的第二节点产生输出信号。
权利要求3
根据权利要求1所述的装置，其中所述第一FET和所述第二FET分别包括第一PMOS器件和第二PMOS器件。
权利要求4
根据权利要求3所述的装置，其中所述选择FET包括选择PMOS FET，所述选择PMOS FET包括耦合到对应的可选电阻路径的所述电阻器的漏极、以及被配置用于接收所述选择信号的栅极。
权利要求5
根据权利要求1所述的装置，其中所述第一FET和所述第二FET分别包括第一NMOS器件和第二NMOS器件。
权利要求6
根据权利要求5所述的装置，其中所述选择FET包括选择NMOS FET，所述选择NMOS FET包括耦合到对应的可选电阻路径的所述电阻器的漏极、以及被配置用于接收所述选择信号的栅极。
权利要求7
根据权利要求1所述的装置，还包括可变电容元件，所述可变电容元件耦合在所述第一源极和所述第二源极之间。
权利要求8
根据权利要求1所述的装置，还包括多个可选电容路径，其中每个可选电容路径包括电容器，所述电容器与另一选择器件串联耦合，并且其中所述另一选择器件被配置用于基于另一选择信号来耦合所述第一源极和所述第二源极之间的对应的可选电容路径。
权利要求9
根据权利要求1所述的装置，其中所述第一FET和所述第二FET分别耦合在第一电压轨和第二电压轨之间，其中所述第一电压轨被配置用于接收第一轨电压，其中所述第二电压轨被配置用于接收第二轨电压，以及其中所述恒定参考电压基本上在所述第一轨电压和所述第二轨电压之间的中间。
权利要求10
根据权利要求1所述的装置，其中所述每个可选电阻路径仅包括所述电阻器和所述选择FET。
权利要求11
一种基于输入信号生成输出信号的方法，包括： 生成电流； 引导所述电流的至少一部分通过第一场效应晶体管FET和第二FET的相应的第一源极和第二源极之间的均衡电路，其中响应于所述输入信号的第一逻辑电压，所述电流的至少一部分从所述第一源极到所述第二源极被引导通过所述均衡电路，其中响应于所述输入信号的第二逻辑电压，所述电流的至少一部分从所述第二源极到所述第一源极被引导通过所述均衡电路，其中所述均衡电路包括多个可选电阻路径，其中每个可选电阻路径包括在所述第一源极和所述第二源极之间的串联耦合的电阻器和选择FET，其中所述选择FET被配置用于基于选择信号来耦合所述第一源极和所述第二源极之间的对应的可选电阻路径，其中所述选择FET包括直接耦合到所述第二源极的源极，以及其中从所述第一源极向所述第二源极引导所述电流的至少一部分通过所述均衡电路包括：施加所述第一逻辑电压至所述第一FET的第一栅极；以及 施加恒定参考电压至所述第二FET的第二栅极，其中所述恒定参考电压在所述第一逻辑电压和所述第二逻辑电压之间；以及提供所述电流的至少一部分通过电阻器件以生成所述输出信号。
权利要求12
根据权利要求11所述的方法，其中所述第一FET和所述第二FET分别包括第一PMOS器件和第二PMOS器件，以及其中引导所述电流的至少一部分从所述第一源极到所述第二源极通过所述均衡电路包括：施加所述第一逻辑电压到所述第一PMOS器件的第一栅极；以及 施加所述恒定参考电压到所述第二PMOS器件的第二栅极，其中所述第一逻辑电压大于所述参考电压。
权利要求13
根据权利要求11所述的方法，其中所述第一FET和所述第二FET分别包括第一PMOS器件和第二PMOS器件，以及其中引导所述电流从所述第二源极到所述第一源极通过所述均衡电路包括：施加所述第二逻辑电压到所述第一PMOS器件的第一栅极；以及 施加所述恒定参考电压到所述第二PMOS器件的第二栅极，其中所述第二逻辑电压小于所述参考电压。
权利要求14
根据权利要求13所述的方法，其中所述选择FET包括第三PMOS器件。
权利要求15
根据权利要求11所述的方法，其中所述第一FET和所述第二FET分别包括第一NMOS器件和第二NMOS器件，以及其中引导所述电流从所述第一源极到所述第二源极通过所述均衡电路包括：施加所述第一逻辑电压到所述第一NMOS器件的第一栅极；以及 施加所述恒定参考电压到所述第二NMOS器件的第二栅极，其中所述第一逻辑电压大于所述参考电压。
权利要求16
根据权利要求15所述的方法，其中所述选择FET包括第三NMOS器件。
权利要求17
根据权利要求11所述的方法，其中所述恒定参考电压基本上在所述第一逻辑电压和所述第二逻辑电压之间的中间。
权利要求18
根据权利要求11所述的方法，其中所述每个可选电阻路径仅包括所述电阻器和所述选择FET。
权利要求19
一种用于基于输入信号生成输出信号的装置，包括： 用于生成电流的部件； 用于引导所述电流的至少一部分通过第一场效应晶体管FET和第二FET的相应的第一源极和第二源极之间的均衡电路的部件，其中响应于所述输入信号的第一逻辑电压，所述电流的至少一部分从所述第一源极到所述第二源极被引导通过所述均衡电路，其中响应于所述输入信号的第二逻辑电压，所述电流的至少一部分从所述第二源极到所述第一源极被引导通过所述均衡电路，其中所述均衡电路包括多个可选电阻路径，其中每个可选电阻路径包括在所述第一源极和所述第二源极之间的串联耦合的电阻器和选择FET，其中所述选择FET被配置用于基于选择信号来耦合所述第一源极和所述第二源极之间的对应的可选电阻路径，其中所述选择FET包括直接耦合到所述第二源极的源极，以及其中用于引导所述电流的至少一部分从所述第一源极到所述第二源极通过所述均衡电路的部件包括：用于施加所述第一逻辑电压至第一FET的第一栅极的部件；以及 用于施加恒定参考电压至所述第二FET的第二栅极的部件，其中所述恒定参考电压在所述第一逻辑电压和所述第二逻辑电压之间；以及用于提供所述电流的至少一部分通过电阻器件以生成所述输出信号的部件。
权利要求20
根据权利要求19所述的装置，其中所述第一FET和所述第二FET分别包括第一PMOS器件和第二PMOS器件，以及其中用于引导所述电流的部件包括：用于施加所述第一逻辑电压或所述第二逻辑电压到所述第一PMOS器件的第一栅极的部件；以及用于施加所述恒定参考电压到所述第二PMOS器件的第二栅极的部件，其中所述第一逻辑电压大于所述参考电压，或者所述第二逻辑电压小于所述参考电压。
权利要求21
根据权利要求20所述的装置，其中所述选择FET包括第三PMOS器件。
权利要求22
根据权利要求19所述的装置，其中所述第一FET和所述第二FET分别包括第一NMOS器件和第二NMOS器件，以及其中用于引导所述电流的部件包括：用于施加所述第一逻辑电压或所述第二逻辑电压到所述第一NMOS器件的第一栅极的部件；以及用于施加所述恒定参考电压到所述第二NMOS器件的第二栅极的部件，其中所述第一逻辑电压大于所述参考电压，或者所述第二逻辑电压小于所述参考电压。
权利要求23
根据权利要求22所述的装置，其中所述选择FET包括第三NMOS器件。
权利要求24
根据权利要求19所述的装置，其中所述恒定参考电压基本上在所述第一逻辑电压和所述第二逻辑电压之间的中间。
权利要求25
根据权利要求19所述的装置，其中所述每个可选电阻路径仅包括所述电阻器和所述选择FET。