非显而易见杯

专利无效挑战赛

目标专利:794纳米结构柔性电极和使用该柔性电极的能量存储器

专利公开号:CN102449715B

专利权人:诺基亚技术有限公司

无效请求书提交日期:2026年


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非显而易见性评估仅供参考,不构成法律建议。



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序号 权利要求内容

1

一种电子器件,包括: 第一导电片,; 第二导电片,与所述第一导电片平行,以及; 物质片,放置于所述第一导电片与所述第二导电片之间; 其中所述第一导电片和所述第二导电片中的至少一个导电片包括由悬浮于分散剂的水溶液中的碳纳米粒子的悬浮液形成的膜,;所述碳纳米粒子包括高纵横比碳纳米粒子和低纵横比碳纳米粒子,;所述膜被通过经过过滤器过滤所述悬浮液并且随后溶解所述过滤器而制备,;其中所述膜包括所述高纵横比碳纳米粒子和低纵横比碳纳米粒子的缠绕网络,;所述膜被布置成与所述物质片相邻,;其中所述物质片包括吸入离子溶液的多孔绝缘膜片,;并且其中所述第一导电片、所述第二导电片和所述物质片至少部分透明。

2

根据权利要求1所述的电子器件,其中所述第一导电片、所述物质片和所述第二导电片形成多层堆叠,并且所述器件还包括分别设置于所述多层堆叠的外表面上的第一绝缘片和第二绝缘片。

3

根据权利要求2所述的电子器件,其中所述器件为电能存储单元,并且所述第一和第二导电片被布置成可与外部电能源或者电能耗的相应端子连接。

4

根据权利要求1所述的电子器件,其中所述膜设置于透明衬底上。

5

根据权利要求4所述的电子器件,其中所述透明衬底为柔性透明衬底。

6

根据权利要求5所述的电子器件,其中所述柔性透明衬底由聚对苯二甲酸乙二酯或者聚酰亚胺制成。

7

根据权利要求4所述的电子器件,其中通过包括以下的过程来制备所述膜:经过过滤器过滤所述碳纳米粒子的悬浮液以在所述过滤器的表面上形成碳纳米粒子层,在升高的温度在所述碳纳米粒子层上设置所述衬底,并且溶解所述过滤器。

8

根据权利要求1所述的电子器件,其中所述膜包括从所述碳纳米粒子的悬浮液中的滤出物,所述滤出物包括所述高纵横比碳纳米粒子和低纵横比碳纳米粒子的缠绕网络。

9

根据权利要求1所述的电子器件,其中所述高纵横比碳纳米粒子包括碳纳米管、碳纳米纤维或者碳纳米管和碳纳米纤维的混合物。

10

根据权利要求9所述的电子器件,其中所述碳纳米管包括单壁碳纳米管。

11

根据权利要求7所述的电子器件,其中所述过程还包括:在所述层中设置所述高纵横比碳纳米粒子;以及 在所述高纵横比碳纳米粒子层上设置所述低纵横比碳纳米粒子。

12

根据权利要求1所述的电子器件,其中所述高纵横比碳纳米粒子包括碳纳米管、碳纳米纤维或者碳纳米管和碳纳米纤维的混合物,而所述低纵横比碳纳米粒子包括碳纳米角、碳纳米洋葱或者碳纳米角和纳米洋葱的混合物。


对比文件列表

编号 名称

权利要求1

一种电子器件,包括: 第一导电片,; 第二导电片,与所述第一导电片平行,以及; 物质片,放置于所述第一导电片与所述第二导电片之间; 其中所述第一导电片和所述第二导电片中的至少一个导电片包括由悬浮于分散剂的水溶液中的碳纳米粒子的悬浮液形成的膜,;所述碳纳米粒子包括高纵横比碳纳米粒子和低纵横比碳纳米粒子,;所述膜被通过经过过滤器过滤所述悬浮液并且随后溶解所述过滤器而制备,;其中所述膜包括所述高纵横比碳纳米粒子和低纵横比碳纳米粒子的缠绕网络,;所述膜被布置成与所述物质片相邻,;其中所述物质片包括吸入离子溶液的多孔绝缘膜片,;并且其中所述第一导电片、所述第二导电片和所述物质片至少部分透明。


权利要求2

根据权利要求1所述的电子器件,其中所述第一导电片、所述物质片和所述第二导电片形成多层堆叠,并且所述器件还包括分别设置于所述多层堆叠的外表面上的第一绝缘片和第二绝缘片。


权利要求3

根据权利要求2所述的电子器件,其中所述器件为电能存储单元,并且所述第一和第二导电片被布置成可与外部电能源或者电能耗的相应端子连接。


权利要求4

根据权利要求1所述的电子器件,其中所述膜设置于透明衬底上。


权利要求5

根据权利要求4所述的电子器件,其中所述透明衬底为柔性透明衬底。


权利要求6

根据权利要求5所述的电子器件,其中所述柔性透明衬底由聚对苯二甲酸乙二酯或者聚酰亚胺制成。


权利要求7

根据权利要求4所述的电子器件,其中通过包括以下的过程来制备所述膜:经过过滤器过滤所述碳纳米粒子的悬浮液以在所述过滤器的表面上形成碳纳米粒子层,在升高的温度在所述碳纳米粒子层上设置所述衬底,并且溶解所述过滤器。


权利要求8

根据权利要求1所述的电子器件,其中所述膜包括从所述碳纳米粒子的悬浮液中的滤出物,所述滤出物包括所述高纵横比碳纳米粒子和低纵横比碳纳米粒子的缠绕网络。


权利要求9

根据权利要求1所述的电子器件,其中所述高纵横比碳纳米粒子包括碳纳米管、碳纳米纤维或者碳纳米管和碳纳米纤维的混合物。


权利要求10

根据权利要求9所述的电子器件,其中所述碳纳米管包括单壁碳纳米管。


权利要求11

根据权利要求7所述的电子器件,其中所述过程还包括:在所述层中设置所述高纵横比碳纳米粒子;以及 在所述高纵横比碳纳米粒子层上设置所述低纵横比碳纳米粒子。


权利要求12

根据权利要求1所述的电子器件,其中所述高纵横比碳纳米粒子包括碳纳米管、碳纳米纤维或者碳纳米管和碳纳米纤维的混合物,而所述低纵横比碳纳米粒子包括碳纳米角、碳纳米洋葱或者碳纳米角和纳米洋葱的混合物。


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