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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 2012-07-03_US8210354B_发明授权_US08210354B2 Packs of plastic bags and racks for supporting packs of plastic bags.docx |
| 0 | 2013-11-27_JP5355043B_发明专利_JP5355043B2 Exposure apparatus and device manufacturing method_+++A_a+++.docx |
| 0 | 2013-11-07_US2013292777A_发明申请_US20130292777A1 Structure for FinFETs_+++C_E_J_N_d+++.docx |
| 0 | 2013-10-03_US2013256809A_发明申请_US20130256809A1 ELECTRICAL-FREE DUMMY GATE.docx |
| 0 | 2013-05-16_WO2013068334A_发明申请_WO2013068334A1 AQUEOUS SUSPENSIONS OF CALCIUM CARBONATE-COMPRISING MATERIALS WITH LOW DEPOSIT BUILT UP.docx |
| 0 | 2013-04-17_JP5186377B_发明专利_JP5186377B2 Sealed container of one piece for insulin infusion pump.docx |
| 0 | 2013-01-24_JP2013015575A_发明专利_JP2013015575A Image forming apparatus and method of controlling the same.docx |
| 0 | 2013-01-16_JP5120052B_发明专利_JP5120052B2 Method of manufacturing an electro-contact.docx |
| 0 | 2012-11-21_JP5080280B_发明专利_JP5080280B2 Method for optimizing transistor performance of the integrated circuit_+++C_J_a_b+++.docx |
| 0 | 2012-09-05_JP5017084B_发明专利_JP5017084B2 Battery control method and system.docx |
| 0 | 2014-05-08_US2014124868A_发明申请_US20140124868A1 SHARED-DIFFUSION STANDARD CELL ARCHITECTURE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_K_L_M_N_j+++.docx |
| 0 | 2012-01-10_US8095642B_发明授权_US08095642B1 Method and apparatus for dynamically adjusting frequency of background-downloads.docx |
| 0 | 2011-12-08_JP2011249046A_发明专利_JP2011249046A Method of manufacturing lithium ion secondary battery.docx |
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| 0 | 2011-04-21_US2011089534A_发明申请_US20110089534A1 Semiconductor Integrated Circuit Devices Having Conductive Patterns that are Electrically Connected to Junction Regions.docx |
| 0 | 2011-04-05_US7919792B_发明授权_US07919792B2 Standard cell architecture and methods with variable design rules_+++C_J+++.docx |
| 0 | 2018-08-09_JP2018125542A_发明专利_JP2018125542A 共用拡散標準セルの構造_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_L_M_N_j_k+++.docx |
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| 0 | JPH04372168A_Description_20260309_1930_+++A_B_C_D_E_F_I_J_N_k+++.docx |
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| 0 | 2019-12-19_None_发明专利_JPWO2018229988A1 列車統合管理システム、中央指令装置、画面情報伝送システムおよび画面情報伝送方法.docx |
| 0 | 2019-08-09_CN104769718B_发明授权_CN104769718B 共享扩散标准单元架构_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_L_M_N+++.docx |
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| 0 | 2018-08-16_JP2018127258A_发明专利_JP2018127258A 多層容器および多層体.docx |
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| 0 | 2015-11-10_JP5806527B_发明专利_JP5806527B2 画像形成装置、およびその制御方法.docx |
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| 0 | 2014-09-16_US8836040B_发明授权_US08836040B2 Shared-diffusion standard cell architecture_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_N_m+++.docx |
| 0 | 2006-05-31_CN1779986A_发明公开_CN1779986A 半导体器件.docx |
| 0 | 2007-12-27_JP2007335512A_发明专利_JP2007335512A Semiconductor device and method for manufacturing same_+++C+++.docx |
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| 0 | 2007-11-28_EP1859373A_发明公开_EP1859373A2 METHOD FOR OPTIMIZING TRANSISTOR PERFORMANCE IN INTEGRATED CIRCUITS BY DIFFUSION SHARING ACROSS CELL BOUNDARIES_+++C_J_a_b+++.docx |
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| 0 | 2006-08-31_US2006195666A_发明申请_US20060195666A1 Switching method of data replication mode.docx |
| 0 | 2006-08-31_JP3124778U_实用新型_JP3124778U TobiraHirakijogu.docx |
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| 0 | 2006-01-05_JP2006005103A_发明专利_JP2006005103A Standard cell, standard cell library, and integrated circuit_+++C_D_E_J_N_a_b+++.docx |
| 0 | 2005-12-22_US2005280031A_发明申请_US20050280031A1 Standard cell, standard cell library, and semiconductor integrated circuit_+++C_E_N+++.docx |
| 0 | 2005-12-21_CN1710711A_发明公开_CN1710711A 标准单元、标准单元库和半导体集成电路_+++C_F_J_e_n+++.docx |
| 0 | 2005-06-02_US2005116268A_发明申请_US20050116268A1 Semiconductor device.docx |
| 0 | 1999-07-30_None_发明专利_JPH11204767A Semiconductor device_+++c_j+++.docx |
| 0 | 1997-11-04_None_发明专利_JPH09289251A Layout structure of semiconductor integrated circuit and its verification method_+++C_D_E_J_N+++.docx |
| 0 | 1994-09-20_None_发明专利_JPH06262753A Printing plate-fitting device.docx |
| 0 | 1993-05-07_None_发明专利_JPH05114649A Manufacture of mask programmable gate array_+++C_j+++.docx |
| 0 | 2009-10-15_US2009256180A_发明申请_US20090256180A1 Standard cell having compensation capacitance_+++C_D_J_K_a_b_e_n+++.docx |
| 0 | 2010-09-15_JP4543061B_发明专利_JP4543061B2 Semiconductor integrated circuit_+++C_E_J_N_k+++.docx |
| 0 | 2010-06-24_None_发明专利_JPWO2008114341A1 半導体装置およびその製造方法_+++C_J+++.docx |
| 0 | 2010-06-03_US2010133625A_发明申请_US20100133625A1 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT_+++A_B_C_E_N_d_f_j+++.docx |
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| 0 | 2010-03-18_US2010067831A_发明申请_US20100067831A1 Packs of plastic bags and racks for supporting packs of plastic bags.docx |
| 0 | 2010-03-16_US7679048B_发明授权_US07679048B1 Systems and methods for selecting microbolometers within microbolometer focal plane arrays.docx |
| 0 | 2009-11-12_JP2009266757A_发明专利_JP2009266757A Method for manufacturing electrical contact.docx |
| 0 | 1986-02-11_US4570176A_发明授权_US4570176A CMOS Cell array with transistor isolation_+++A_B_C_D_E_N_f_j+++.docx |
| 0 | 2009-07-14_US7562326B_发明授权_US07562326B2 Method of generating a standard cell layout and transferring the standard cell layout to a substrate_+++C_D_j_k+++.docx |
| 0 | 2009-03-05_JP2009508638A_发明专利_JP2009508638A Sealed container of one piece for insulin infusion pump_+++A_a+++.docx |
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| 0 | 2008-11-20_US2008283871A_发明申请_US20080283871A1 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT_+++C_D_E_F_J_N_a_b_k+++.docx |
| 0 | 2008-10-23_JP2008256673A_发明专利_JP2008256673A Battery control method and system.docx |
| 0 | 2008-08-14_JP2008532275A_发明专利_JP2008532275A Method for optimizing transistor performance of the integrated circuit_+++A_B_C_J+++.docx |
| 0 | 2008-07-08_US7398364B_发明授权_US07398364B2 Switching method of data replication mode.docx |
| 0 | 2008-05-22_JP2008118004A_发明专利_JP2008118004A Semiconductor integrated circuit_+++A_B_C_F_J_K_L_M_d_e_g_h_n+++.docx |
权利要求1
一种半导体标准单元，包括： 跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的N型扩散区域； 跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的P型扩散区域； 在每个扩散区域之上的至少一个导电栅极，以创建半导体器件； 虚设栅极对，每个虚设栅极布置在所述N型扩散区域和所述P型扩散区域之上以至少创建虚设器件对，该对虚设栅极布置在所述单元的相对的边缘处；以及至少一个第一导线，所述至少一个第一导线被配置成将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到供电源以禁用所述至少一个虚设器件，其中所述供电源在所述单元的一侧上，其中耦合到所述至少一个第一导线的所述至少一个虚设器件布置在所述单元的仅一个边缘上，并且在所述单元的所述边缘的相对边缘上的至少一个虚设器件不耦合至在所述单元的所述一侧上的所述供电源。
权利要求2
如权利要求1所述的单元，其特征在于，所述至少一个第一导线与所述至少一个虚设器件的虚设栅极以及限定在所述至少一个导电栅极与所述至少一个虚设器件的虚设栅极之间的扩散区域部分接触。
权利要求3
如权利要求1所述的单元，其特征在于，所述至少一个导电栅极包括在每个扩散区域之上的多个导电栅极；并且所述单元进一步包括布置在所述多个导电栅极之间的输出接头。
权利要求4
如权利要求1所述的单元，其特征在于，每个虚设栅极包括经切割的虚设栅极对，每个经切割的虚设栅极或是与所述P型扩散区域相关联或是与所述N型扩散区域相关联。
权利要求5
如权利要求4所述的单元，其特征在于，每个经切割的虚设栅极形成P型虚设器件或N型虚设器件的一部分。
权利要求6
如权利要求1所述的单元，其特征在于，进一步包括至少一个第二导线，所述至少一个第二导线被配置将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到接地，以禁用所述至少一个虚设器件。
权利要求7
一种半导体单元制造方法，包括： 制造跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的N型扩散区域； 制造跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的P型扩散区域； 制造在每个扩散区域之上的至少一个导电栅极，以创建半导体器件； 制造虚设栅极对，每个虚设栅极布置在所述N型扩散区域和所述P型扩散区域之上以至少创建虚设器件对，该对虚设栅极布置在所述单元的相对的边缘处；以及制造至少一个第一导线，所述至少一个第一导线被配置成将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到供电源以禁用所述至少一个虚设器件，其中所述供电源在所述单元的一侧上，其中制造所述至少一个第一导线包括将所述至少一个虚设器件耦合到所述至少一个第一导线，从而使所述至少一个虚设器件布置在所述单元的仅一个边缘上，并且在所述单元的所述边缘的相对边缘上的至少一个虚设器件不耦合至在所述单元的所述一侧上的所述供电源。
权利要求8
如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述至少一个第一导线与所述至少一个虚设器件的虚设栅极以及限定在所述至少一个导电栅极与所述至少一个虚设器件的虚设栅极之间的扩散区域部分接触。
权利要求9
如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述至少一个导电栅极包括在每个扩散区域之上的多个导电栅极；并且所述方法进一步包括制造布置在所述多个导电栅极之间的输出接头。
权利要求10
如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括切割所述虚设栅极以制造经切割的虚设栅极对，每个经切割的虚设栅极或是与所述P型扩散区域相关联或是与所述N型扩散区域相关联。
权利要求11
如权利要求10所述的方法，其特征在于，每个经切割的虚设栅极形成P型虚设器件或N型虚设器件的一部分。
权利要求12
如权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：制造至少一个第二导线；以及经由所述至少一个第二导线把所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到接地以禁用所述至少一个虚设器件。
权利要求13
一种半导体标准单元，包括： 跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的N型扩散区域； 跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的P型扩散区域； 在每个扩散区域之上的至少一个导电栅极，以创建半导体器件； 虚设栅极对，每个虚设栅极布置在所述N型扩散区域和所述P型扩散区域之上以至少创建虚设器件对，该对虚设器件布置在所述单元的相对的边缘处；以及至少一个导电装置，所述至少一个导电装置用于将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到供电源以禁用所述至少一个虚设器件，其中所述供电源在所述单元的一侧上，其中耦合到所述至少一个第一导电装置的所述至少一个虚设器件布置在所述单元的仅一个边缘上，并且在所述单元的所述边缘的相对边缘上的至少一个虚设器件不耦合至在所述单元的所述一侧上的所述供电源。
权利要求14
如权利要求13所述的单元，其特征在于，所述至少一个第一导电装置与所述至少一个虚设器件的虚设栅极以及限定在所述至少一个导电栅极与所述至少一个虚设器件的虚设栅极之间的扩散区域部分接触。
权利要求15
如权利要求13所述的单元，其特征在于，所述至少一个导电栅极包括在每个扩散区域之上的多个导电栅极；并且所述单元进一步包括用于输出信号的输出装置，所述输出装置布置在所述多个导电栅极之间。
权利要求16
如权利要求13所述的单元，其特征在于，每个虚设栅极包括经切割的虚设栅极对，每个经切割的虚设栅极或是与所述N型扩散区域相关联或是与所述P型扩散区域相关联。
权利要求17
如权利要求16所述的单元，其特征在于，每个经切割的虚设栅极形成N型虚设器件或P型虚设器件的一部分。