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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 2011-02-24_US2011042758A_发明申请_US20110042758A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF_+++A_C_D_E_F_G_H_I_K_L_O_n+++.docx |
| 0 | US2011183480A1_Description_20260309_2227_+++A_B_G_M_c_e_f_p_q_r+++.docx |
| 0 | JP2006230310A_Description_20260309_2227.docx |
| 0 | JP2005051140A_Description_20260309_2227.docx |
| 0 | JP2001201856A_Description_20260309_2227.docx |
| 0 | JP2000012838A_Description_20260309_2227_+++G_a_b_c_e_f_h_i_m_p+++.docx |
| 0 | 2013-09-05_JP2013534477A_发明专利_JP2013534477A Equipment and methods to synchronize the closed-type mixer.docx |
| 0 | 2013-04-11_US2013087833A_发明申请_US20130087833A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME_+++A_C_E_F_G_L_O_b_d_h_i_j_k_m_n_p_q_r+++.docx |
| 0 | 2013-02-26_US8384167B_发明授权_US08384167B2 Semiconductor device with field effect transistor and manufacturing method thereof_+++A_B_C_E_F_G_H_I_L_N_O_P_Q_R_d_j_k+++.docx |
| 0 | 2012-10-11_US2012257459A_发明申请_US20120257459A1 MEMORY BUFFER FOR BUFFER-ON-BOARD APPLICATIONS.docx |
| 0 | 2012-09-20_JP2012182335A_发明专利_JP2012182335A Quantum optical semiconductor device.docx |
| 0 | 2012-07-05_US2012168860A_发明申请_US20120168860A1 TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME_+++A_B_G_H_I_L_M_N_c_e_f_j_p_q_r+++.docx |
| 0 | 2012-04-05_US2012080720A_发明申请_US20120080720A1 METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE_+++C_E_F_G_H_I_L_M_O_P_a_b_d_j_k+++.docx |
| 0 | 2011-09-22_US2011227170A_发明申请_US20110227170A1 MOSFET STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME_+++A_B_G_c_e_f_h_i_l_o_p_q_r+++.docx |
| 0 | 2011-03-03_JP2011044659A_发明专利_JP2011044659A Semiconductor device, and manufacturing method thereof_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_K_L_O_j_p_q_r+++.docx |
| 0 | 2002-03-28_US2002037619A_发明申请_US20020037619A1 Semiconductor device and method of producing the same_+++A_B_C_D_E_F_G_I_L_M_O_P_Q_R_h_j_k_n+++.docx |
| 0 | 2010-12-02_JP2010270519A_发明专利_JP2010270519A Handrail bracket.docx |
| 0 | 2010-10-25_KR1020100114351A_发明公开_KR1020100114351A 회전식 책상 부착 의자.docx |
| 0 | 2009-10-01_US2009242995A_发明申请_US20090242995A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_C_E_F_G_I_L_b_h_m_o_p_q_r+++.docx |
| 0 | 2009-06-18_US2009152634A_发明申请_US20090152634A1 METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE_+++A_C_D_E_F_G_H_I_K_L_M_O_P_b_j_q_r+++.docx |
| 0 | 2009-06-04_JP2009123997A_发明专利_JP2009123997A Semiconductor device and method of manufacturing the same_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_L_M_O_j_k_p_q_r+++.docx |
| 0 | 2009-04-01_KR1020090032843A_发明公开_KR1020090032843A 변형된 채널 에피층을 갖는 ＭＯＳ 트랜지스터, ＣＭＯＳ트랜지스터 및 상기 트랜지스터들의 제조방법들_+++A_B_C_G_L_N_d_e_f_h_i_m_o_p_q_r+++.docx |
| 0 | 2009-03-24_US7509647B_发明授权_US07509647B2 Method and apparatus for modeling dataflow systems and realization to hardware.docx |
| 0 | 2008-04-24_JP2008098640A_发明专利_JP2008098640A Manufacturing method for semiconductor device_+++E_F_H_I_L_M_O_c_d_g+++.docx |
| 0 | 2007-10-18_WO2007115585A_发明申请_WO2007115585A1 METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE_+++A_D_H_I_K_L_M_O_b_c_e_f_g_j_p_q_r+++.docx |
| 0 | 2006-09-07_JP2006230310A_发明专利_JP2006230310A Method for fixing bryophyte plant supporting body.docx |
| 0 | 2006-03-02_US2006046399A_发明申请_US20060046399A1 Forming abrupt source drain metal gate transistors_+++A_B_C_E_F_G_H_I_L_O_j_p_q_r+++.docx |
| 0 | 2004-10-28_JP2004298685A_发明专利_JP2004298685A Method for manufacturing carbon monoxide converting catalyst.docx |
| 0 | 2003-07-17_WO2003058865A_发明申请_WO2003058865A1 DECOUPLING ERROR CORRECTION FROM PRIVACY AMPLIFICATION IN QUANTUM KEY DISTRIBUTION.docx |
| 0 | 2003-03-28_JP2003092399A_发明专利_JP2003092399A Semiconductor device and method for manufacturing the same_+++A_B_G_c_p_q_r+++.docx |
权利要求1
一种半导体器件，包括： 源极区和漏极区之间的高迁移率沟道，其中所述高迁移率沟道基本上延伸栅极的长度；以及从所述源极区或所述漏极区朝所述高迁移率沟道延伸的掺杂区，其中基板的一部分位于所述掺杂区和所述高迁移率沟道之间，使得所述掺杂区不与所述高迁移率沟道接触。
权利要求2
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂区从所述源极区朝所述高迁移率沟道延伸。
权利要求3
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂区从所述漏极区朝所述高迁移率沟道延伸。
权利要求4
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括栅极，其中所述高迁移率沟道耦合到所述栅极。
权利要求5
如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括耦合到所述栅极的分隔件，其中所述掺杂区与所述分隔件接触。
权利要求6
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂区与所述源极区或所述漏极区接触，并且其中所述掺杂区与所述基板和分隔件接触。
权利要求7
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体器件处于导通状态时，所述掺杂区与所述源极区或所述漏极区之间的结启用从所述源极区到所述漏极区的高迁移率载流子路径。
权利要求8
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体器件处于截止状态时，所述掺杂区与所述高迁移率沟道之间的结提供用于抑制电流泄漏的阻挡层。
权利要求9
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基板的所述部分与一分隔件接触，并且其中所述基板包括硅。
权利要求10
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂区不在所述栅极下延伸。
权利要求11
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述高迁移率沟道不在分隔件下延伸。
权利要求12
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基板的所述部分与所述掺杂区之间的结位于分隔件之下。
权利要求13
如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述高迁移率沟道和所述掺杂区被集成在至少一个半导体管芯中。
权利要求14
如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述高迁移率沟道和所述掺杂区被集成到移动电话、蜂窝电话、便携式计算机、无线电装置、卫星无线电装置、通信设备、便携式音乐播放器、便携式数字视频播放器、导航设备、个人数字助理(PDA)、移动位置数据单元、或其组合中。
权利要求15
如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述高迁移率沟道和所述掺杂区被集成到机顶盒、娱乐单元、固定位置数据单元、台式计算机、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、音乐播放器、数字音乐播放器、视频播放器、数字视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、或其组合中。
权利要求16
一种用于半导体器件的方法，包括： 形成与半导体器件的源极区或漏极区相关联的掺杂区；以及 在所述半导体器件内形成高迁移率沟道，其中所述掺杂区在形成所述高迁移率沟道之前被退火，其中所述掺杂区从所述源极区或所述漏极区朝所述高迁移率沟道延伸，并且其中所述半导体器件的基板的一部分位于所述掺杂区和所述高迁移率沟道之间，使得所述掺杂区不与所述高迁移率沟道接触。
权利要求17
如权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括沉积与所述源极区相关联的源极注入物以及沉积与所述漏极区相关联的漏极注入物。
权利要求18
如权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括在形成所述掺杂区之后使所述半导体器件退火，其中所述退火包括快速热退火、激光退火、或其组合。
权利要求19
如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述高迁移率沟道包括锗(Ge)、III-V材料、II-V材料、石墨、其他高迁移率材料、或其组合。
权利要求20
如权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括形成栅极，其中所述栅极耦合到所述高迁移率沟道。
权利要求21
如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述栅极包括高K材料和金属。
权利要求22
如权利要求16所述的方法，其特征在于，形成所述掺杂区和形成所述高迁移率沟道是由集成到电子设备中的处理器发起的。
权利要求23
如权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括：在所述半导体器件的所述基板上形成虚栅极； 在所述虚栅极上形成分隔件；以及 移除所述虚栅极以创建腔。
权利要求24
如权利要求23所述的方法，其特征在于，进一步包括：使所述腔延伸入所述基板的一部分中，其中所述基板的所述部分与所述半导体器件的沟道区相关联，并且其中所述腔被延伸具有第一值的特定深度；以及用高迁移率材料填充所述基板的所述部分以形成所述高迁移率沟道，其中所述高迁移率沟道具有为第二值的特定厚度。
权利要求25
如权利要求24所述的方法，其特征在于，所述第一值和所述第二值是相同值。
权利要求26
如权利要求24所述的方法，其特征在于，所述第一值和所述第二值是不同值。
权利要求27
一种包括处理器可执行指令的非瞬态计算机可读介质，所述指令在由处理器执行时使所述处理器：发起半导体器件的形成，所述半导体器件通过以下操作来形成：形成与半导体器件的源极区或漏极区相关联的掺杂区；以及 在所述半导体器件内形成高迁移率沟道，其中所述掺杂区在形成所述高迁移率沟道之前被退火，其中所述掺杂区从所述源极区或所述漏极区朝所述高迁移率沟道延伸，并且其中所述半导体器件的基板的一部分位于所述掺杂区和所述高迁移率沟道之间，使得所述掺杂区不与所述高迁移率沟道接触。
权利要求28
如权利要求27所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，所述源极区和所述漏极区包括硅锗(SiGe)、嵌入式硅(e-Si)或嵌入式硅碳(e-Si:C)。
权利要求29
如权利要求27所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，所述掺杂区包括n型掺杂物或p型掺杂物。
权利要求30
如权利要求27所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，所述高迁移率沟道是使用外延生长来形成的。
权利要求31
一种用于半导体器件的装备，包括： 用于在半导体器件处于导通状态时启用源极区和漏极区之间的高迁移率载流子路径的沟道装置，其中所述用于启用高迁移率载流子路径的沟道装置基本上延伸所述半导体器件的栅极的长度；以及用于启用所述用于启用高迁移率载流子路径的沟道装置与关联于所述源极区或所述漏极区之一的掺杂区之间的电流的装置，其中所述用于启用电流的装置位于所述掺杂区与所述用于启用高迁移率载流子路径的沟道装置之间，使得所述掺杂区不与所述用于启用高迁移率载流子路径的沟道装置接触。
权利要求32
如权利要求31所述的装备，其特征在于，所述沟道装置包括高迁移率沟道。
权利要求33
如权利要求32所述的装备，其特征在于，所述高迁移率沟道包括锗(Ge)、III-V材料、II-V材料、石墨、其他高迁移率材料、或其组合。
权利要求34
如权利要求31所述的装备，其特征在于，所述用于启用电流的装置包括基板材料。
权利要求35
如权利要求31所述的装备，其特征在于，所述用于启用电流的装置被配置成在所述半导体器件处于截止状态时提供用于抑制电流泄漏的阻挡层。
权利要求36
如权利要求31所述的装备，其特征在于，所述用于启用高迁移率载流子路径的沟道装置和所述用于启用电流的装置被集成到移动电话、蜂窝电话、便携式计算机、无线电装置、卫星无线电装置、通信设备、便携式音乐播放器、便携式数字视频播放器、导航设备、个人数字助理(PDA)、移动位置数据单元、或其组合中。
权利要求37
如权利要求31所述的装备，其特征在于，所述用于启用高迁移率载流子路径的沟道装置和所述用于启用电流的装置被集成到机顶盒、娱乐单元、固定位置数据单元、台式计算机、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、音乐播放器、数字音乐播放器、视频播放器、数字视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、或其组合中。
权利要求38
一种用于半导体器件的方法，包括： 用于形成与半导体器件的源极区或漏极区相关联的掺杂区的第一步骤；以及用于在所述半导体器件内形成高迁移率沟道的第二步骤，其中所述掺杂区在形成所述高迁移率沟道之前被退火，其中所述掺杂区从所述源极区或所述漏极区朝所述高迁移率沟道延伸，并且其中所述半导体器件的基板的一部分位于所述掺杂区和所述高迁移率沟道之间，使得所述掺杂区不与所述高迁移率沟道接触。
权利要求39
如权利要求38所述的方法，其特征在于，所述第一步骤和所述第二步骤是由集成到电子设备中的处理器控制的。
权利要求40
一种用于半导体器件的方法，包括： 接收表示半导体器件的至少一种物理性质的设计信息，所述半导体器件包括：源极区和漏极区之间的高迁移率沟道，其中所述高迁移率沟道基本上延伸栅极的长度；以及从所述源极区或所述漏极区朝所述高迁移率沟道延伸的掺杂区，其中基板的一部分位于所述掺杂区和所述高迁移率沟道之间，使得所述掺杂区不与所述高迁移率沟道接触； 转换所述设计信息以遵循文件格式；以及 生成包括经转换的设计信息的数据文件。
权利要求41
如权利要求40所述的方法，其特征在于，所述数据文件包括GDSII格式。
权利要求42
如权利要求40所述的方法，其特征在于，所述数据文件包括GERBER格式。
权利要求43
一种用于半导体器件的方法，包括： 接收数据文件，所述数据文件包括对应于半导体器件的设计信息；以及根据所述设计信息来制造所述半导体器件，其中所述半导体器件包括：源极区和漏极区之间的高迁移率沟道，其中所述高迁移率沟道基本上延伸栅极的长度；以及从所述源极区或所述漏极区朝所述高迁移率沟道延伸的掺杂区，其中基板的一部分位于所述掺杂区和所述高迁移率沟道之间，使得所述掺杂区不与所述高迁移率沟道接触。
权利要求44
如权利要求43所述的方法，其特征在于，所述数据文件包括GDSII格式。
权利要求45
一种用于半导体器件的方法，包括： 在计算机处接收设计信息，所述设计信息包括经封装半导体器件在电路板上的物理定位信息，所述经封装半导体器件包括半导体结构，所述半导体结构包括：源极区和漏极区之间的高迁移率沟道，其中所述高迁移率沟道基本上延伸栅极的长度；以及从所述源极区或所述漏极区朝所述高迁移率沟道延伸的掺杂区，其中基板的一部分位于所述掺杂区和所述高迁移率沟道之间，使得所述掺杂区不与所述高迁移率沟道接触；以及转换所述设计信息以生成数据文件。
权利要求46
如权利要求45所述的方法，其特征在于，所述数据文件包括GERBER格式。
权利要求47
一种用于半导体器件的方法，包括： 接收数据文件，所述数据文件包括包含经封装半导体器件在电路板上的物理定位信息的设计信息；以及制造所述电路板，所述电路板被配置成根据所述设计信息接纳所述经封装半导体器件，其中所述经封装半导体器件包括：源极区和漏极区之间的高迁移率沟道，其中所述高迁移率沟道基本上延伸栅极的长度；以及从所述源极区或所述漏极区朝所述高迁移率沟道延伸的掺杂区，其中基板的一部分位于所述掺杂区和所述高迁移率沟道之间，使得所述掺杂区不与所述高迁移率沟道接触。
权利要求48
如权利要求47所述的方法，其特征在于，所述数据文件包括GERBER格式。
权利要求49
如权利要求47所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述电路板集成到包括以下各项的设备中：移动电话、蜂窝电话、便携式计算机、无线电装置、卫星无线电装置、通信设备、便携式音乐播放器、便携式数字视频播放器、导航设备、个人数字助理(PDA)、移动位置数据单元、或其组合。
权利要求50
如权利要求47所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述电路板集成到包括以下各项的设备中：机顶盒、娱乐单元、固定位置数据单元、台式计算机、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、音乐播放器、数字音乐播放器、视频播放器、数字视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、或其组合。