非显而易见杯

专利无效挑战赛

目标专利:145无削减信号包络地提升放大器增益

专利公开号:CN107852138B

专利权人:高通股份有限公司

无效请求书提交日期:2026年


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非显而易见性评估仅供参考,不构成法律建议。



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序号 权利要求内容

1

一种电路,包括: 差分级,包括第一晶体管,所述第一晶体管具有电连接到第一差分输入的控制端子和电连接到第一差分输出的输出端子,所述差分级进一步包括第二晶体管,所述第二晶体管具有电连接到第二差分输入的控制端子和电连接到第二差分输出的输出端子; 第一偏置晶体管,具有电连接到所述第一晶体管的所述控制端子的输出端子; 第二偏置晶体管,具有电连接到所述第二晶体管的所述控制端子的输出端子; 第一反馈网络,电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与所述第一偏置晶体管的所述输出端子之间;以及 第二反馈网络,电连接在所述第二偏置晶体管的控制端子与所述第二偏置晶体管的所述输出端子之间, 其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络每个包括电容性反馈电路。

2

根据权利要求1所述的电路,其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络改变所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的相应跨导。

3

根据权利要求2所述的电路,其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络减小所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的所述相应跨导。

4

根据权利要求1所述的电路,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是N型晶体管器件,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述输出端子是所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极端子。

5

根据权利要求4所述的电路,其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络的所述电容性反馈电路每个包括可变电容器。

6

根据权利要求1所述的电路,其中所述第一反馈网络包括所述第一偏置晶体管的寄生电容,其中所述第二反馈网络包括所述第二偏置晶体管的寄生电容。

7

根据权利要求1所述的电路,其中所述第一反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的所述控制端子与输出端子之间的电容器,其中所述第一晶体管的跨导以因子 被增大,其中C是所述电容器的电容并且C par是所述第一晶体管的寄生电容。

8

根据权利要求1所述的电路,其中所述电路进一步包括:电连接到所述第一差分输入和所述第二差分输入的混频器电路、以及电连接到所述第一差分输出和所述第二差分输出的功率放大器。

9

根据权利要求1所述的电路,进一步包括:被配置为设置所述第一晶体管的DC操作点的第一电流源和被配置为设置所述第二晶体管的DC操作点的第二电流源。

10

一种电路中的方法,包括: 在差分级的第一晶体管和第二晶体管的相应控制端子处接收第一输入信号和第二输入信号; 在所述第一晶体管和所述第二晶体管的相应输出端子处提供第一输出信号和第二输出信号; 使用第一偏置晶体管偏置所述第一晶体管; 使用第二偏置晶体管偏置所述第二晶体管; 使用电容性反馈网络在所述第一偏置晶体管的输出端子与所述第一偏置晶体管的控制端子之间提供反馈信号;以及 基于所述反馈信号,减小所述第一偏置晶体管的跨导和所述第二偏置晶体管的跨导以增大所述差分级的增益特性。

11

根据权利要求10所述的方法,所述电容性反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与输出端子之间的电容器,其中所述第一晶体管的跨导以因子 被增大,其中C是所述电容器的电容并且C par是所述第一晶体管的寄生电容。

12

根据权利要求11所述的方法,其中所述电容器是可变电容器。

13

根据权利要求10所述的方法,进一步包括:从混频器电路接收所述第一输入信号和所述第二输入信号,并且向功率放大器提供所述第一输出信号和所述第二输出信号。

14

一种电路,包括: 用于在差分级的第一晶体管和第二晶体管的相应控制端子处接收第一输入信号和第二输入信号的部件; 用于在所述第一晶体管和所述第二晶体管的相应输出端子处提供第一输出信号和第二输出信号的部件; 用于使用第一偏置晶体管偏置所述第一晶体管的部件; 用于使用第二偏置晶体管偏置所述第二晶体管的部件;以及 用于减小所述第一偏置晶体管的跨导的部件和用于减小所述第二偏置晶体管的跨导的部件,用以增大所述差分级的增益特性, 其中用于减小所述第一偏置晶体管的跨导的所述部件包括电容性反馈网络。

15

根据权利要求14所述的电路,其中用于减小所述第一偏置晶体管的跨导的所述部件包括在所述第一偏置晶体管的输出端子与所述第一偏置晶体管的控制端子之间的反馈信号。

16

根据权利要求14所述的电路,其中用于减小所述第一偏置晶体管的跨导的所述部件包括反馈网络,所述反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与输出端子之间的电容器,其中所述第一晶体管的跨导以因子 被增大,其中C是所述电容器的电容并且C par是所述第一晶体管的寄生电容。

17

根据权利要求16所述的电路,其中所述电容器是可变电容器。

18

根据权利要求14所述的电路,进一步包括: 混频器电路,电连接到用于接收第一输入信号和第二输入信号的所述部件;以及 功率放大器,电连接到用于提供第一输出信号和第二输出信号的所述部件。


对比文件列表

编号 名称
0 2013-03-05_发明授权_US08390378B2 Method and apparatus for broadband input matching with noise and non-linearity cancellation in power amplifiers_+++A_B_C_D_E_F_J_O+++.docx
0 2010-03-17_发明专利_JP4431615B2 Flat display device.docx
0 2010-04-02_发明专利_JP2010074501A Amplifier circuit and receiving apparatus_+++E+++.docx
0 2010-04-13_发明授权_US07696822B2 Amplifying circuit and associated linearity improving method_+++A_B_C_D_F_J_e+++.docx
0 2010-09-08_发明专利_JP4541908B2 Verification server and program.docx
0 2011-05-03_发明授权_US07936217B2 High-linearity complementary amplifier_+++A_B_C_D_E_F_J_h_i_l_n_o+++.docx
0 2011-10-20_发明专利_JP2011207264A Reinforcing structure of collision energy absorbing member of automobile.docx
0 2012-09-06_发明专利_JP2012169950A Low noise amplifier_+++A_B_J_o+++.docx
0 2012-09-11_发明授权_US08264282B1 Amplifier_+++A_B_J+++.docx
0 2009-12-08_发明授权_US07629835B2 Bias circuit_+++A_B_J_c_d_o+++.docx
0 2013-05-08_发明公开_CN103095234A 一种全差分运算跨导放大器_+++A_B_J_O+++.docx
0 2014-01-02_发明申请_US20140002194A1 Variable Gain Amplifier for Low Voltage Applications.docx
0 2014-02-13_发明专利_JP2014028475A Clamping device.docx
0 2014-03-06_发明申请_US20140059876A1 DRYER CIRCUIT FOR A PNEUMATIC REGULATING DEVICE OF A VEHICLE.docx
0 2014-06-04_发明公开_CN103843248A 射频集成电路_+++A_B_J_n+++.docx
0 2014-06-25_发明专利_JP5533128B2 Reinforcing structure of a vehicle collision energy absorption member.docx
0 2015-05-27_发明专利_JP5722839B2 型締装置.docx
0 2015-11-25_发明授权_CN103095234B 一种全差分运算跨导放大器_+++A_B_J_O+++.docx
0 2003-05-09_发明公开_KR1020030035322A 다중 프로토콜 연동을 위한 선택 게이트웨이.docx
0 1985-12-24_发明授权_US4560921A Comparator circuit with built in reference_+++A_B_C_D_O+++.docx
0 1987-05-30_发明专利_JPS62118621A Differential amplifier circuit_+++A_B_C_D_E_F_G_h_i_j+++.docx
0 1987-07-28_实用新型_JPS62118621U JPS62118621U -.docx
0 1997-09-16_发明授权_US5668468A Common mode stabilizing circuit and method_+++J_c_d_o+++.docx
0 2001-07-12_发明公开_KR1020010067342A 저전압 광대역 연산 증폭기_+++A_B_J_o+++.docx
0 2001-08-24_发明专利_JP2001230637A Low-voltage type wide band operational amplifier_+++A_B_J_O_c_d+++.docx
0 2003-01-02_发明申请_US20030001674A1 Low-voltage, broadband operational amplifier_+++A_B_J+++.docx
0 2003-02-13_发明专利_JP2003039725A Optical printer head.docx
0 1921-01-04_发明授权_US1364650A Filling-machine.docx
0 2003-07-25_发明专利_JP2003209446A Semiconductor integrated circuit incorporating bias circuit for emitter grounded differential amplifier_+++A_B_C_D_O+++.docx
0 2005-03-17_发明专利_JP2005069510A Filter frame, and filter for air conditioner.docx
0 2005-07-27_发明公开_CN1645741A 低噪声差动偏置电路以及差动信号处理装置.docx
0 2005-11-16_发明公开_CN1697314A 抽样信号放大器_+++A_B_J_c_d_o+++.docx
0 2006-08-03_发明专利_JP2006203529A Verification server and program.docx
0 2007-07-24_发明授权_US07248116B2 Differential amplifiers_+++J_O+++.docx
0 2008-01-24_发明授权_KR100798190B1 다중 프로토콜 연동을 위한 선택 게이트웨이.docx
0 2009-01-29_发明专利_JPWO2007007391A1 平面表示装置.docx

权利要求1

一种电路,包括: 差分级,包括第一晶体管,所述第一晶体管具有电连接到第一差分输入的控制端子和电连接到第一差分输出的输出端子,所述差分级进一步包括第二晶体管,所述第二晶体管具有电连接到第二差分输入的控制端子和电连接到第二差分输出的输出端子; 第一偏置晶体管,具有电连接到所述第一晶体管的所述控制端子的输出端子; 第二偏置晶体管,具有电连接到所述第二晶体管的所述控制端子的输出端子; 第一反馈网络,电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与所述第一偏置晶体管的所述输出端子之间;以及 第二反馈网络,电连接在所述第二偏置晶体管的控制端子与所述第二偏置晶体管的所述输出端子之间, 其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络每个包括电容性反馈电路。


未提交复审委

无效理由:专利法第二条

蒋 晓勇
@jxy

你好!作为一名专业的专利代理师,我将为你对目标专利的权利要求1(特别是技术特征G)与对比文件D1(公开号:JPS62118621A)进行深入的比对分析。

一、 结合目标专利说明书对技术特征G的解释

在进行新颖性和创造性分析之前,我们需要先“站位”于目标专利的说明书,准确理解技术特征G的工程意义。

技术特征G:“其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络每个包括电容性反馈电路。”

结合目标专利说明书,该特征的真正技术贡献在于无削减信号包络地提升放大器增益。

  • 现有技术的痛点:传统设计中(如说明书图2所示),为了提升差分放大器的增益,通常通过提供泄放电流(bleed current)来减小偏置晶体管的跨导。但这会改变偏置晶体管的DC(直流)操作点,导致具有变化包络的输入信号在放大时发生削波和非线性失真。

  • 技术特征G的解决手段与效果:目标专利在偏置晶体管(M1、M2)的控制端子(栅极)与输出端子(源极)之间引入了电容性反馈电路(如说明书图3中的寄生电容 $C_{par}$ 或图4中的可变反馈电容器 $C_{var}$)。这种结构设计可以在不改变DC偏置电流(即不改变DC操作点)的前提下,有效减小偏置晶体管的跨导(增大阻抗),从而在提升差分级增益的同时,避免了信号削波和失真效应。

二、 对比文件D1(JPS62118621A)的原文分析

对比文件D1旨在解决传统差分放大器为了改善高频特性而必须外接接地电容(导致无法高度集成化)的问题。

  • D1的背景描述:D1指出,传统电路上“通常コンデンサ11がトランジスタQ2のベースと接地間に接続される”(通常电容器11连接在晶体管Q2的基极和地之间)以降低交流阻抗,但这不利于半导体集成电路化。

  • D1的解决方案:D1利用电流镜电路(カレントミラー回路 6、7)和电阻(R1、R2)的精准匹配,消除偏移电压,并明确指出了其技术效果是“従来付加されていたコンデンサを除去することが可能となり”(使得去除传统上附加的电容器成为可能)。

三、 特征比对表格

以下是权利要求1与D1(JPS62118621A)的技术特征详细比对表:

权利要求1的技术特征 对比文件D1 (JPS62118621A) 的对应公开情况 是否公开
A: 差分级,包括第一晶体管,所述第一晶体管具有电连接到第一差分输入的控制端子和电连接到第一差分输出的输出端子 公开。D1说明书及附图1公开了差分对晶体管Q1(相当于第一晶体管),其基极连接输入端子1,集电极作为输出。 是
B: 所述差分级进一步包括第二晶体管,所述第二晶体管具有电连接到第二差分输入的控制端子和电连接到第二差分输出的输出端子 公开。D1公开了差分对晶体管Q2(相当于第二晶体管),与Q1形成差分级。 是
C: 第一偏置晶体管,具有电连接到所述第一晶体管的所述控制端子的输出端子 未公开。D1中Q1的基极通过电阻R1连接到电流镜电路6(由Q3-Q5组成),而非采用直接输出到控制端子的独立偏置晶体管结构。 否
D: 第二偏置晶体管,具有电连接到所述第二晶体管的所述控制端子的输出端子 未公开。D1中Q2的基极连接到偏置电压源5,同样没有采用目标专利所述的偏置晶体管结构。 否
E: 第一反馈网络,电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与所述第一偏置晶体管的所述输出端子之间 未公开。D1不存在第一偏置晶体管,更不存在跨接在该偏置晶体管控制端与输出端之间的反馈网络。 否
F: 第二反馈网络,电连接在所述第二偏置晶体管的控制端子与所述第二偏置晶体管的所述输出端子之间 未公开。理由同上,D1中不存在相应的反馈路径。 否
G: 其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络每个包括电容性反馈电路。 未公开且具有相反教导。D1不仅没有上述反馈网络,且其核心发明目的就是消除电路中的电容器(“従来付加されていたコンデンサを除去する”),以利于IC集成。 否

四、 关于技术特征G的结论

对比文件D1没有单独或组合毫无疑义地公开,也没有实质公开技术特征G。

分析结论:

  1. 结构上缺失:D1完全没有公开在偏置晶体管的控制端与输出端之间设置反馈网络的电路拓扑结构。D1采用的是利用电流镜电路来平衡电流,其解决问题的思路与目标专利完全不同。

  2. 存在相反的技术教导(Teaching Away):目标专利是主动引入电容(电容性反馈电路)来解决跨导和增益问题;而D1的核心发明点恰恰在于去除电容(用以减少IC封装的引脚数量)。本领域技术人员在面对D1时,不仅不会想到添加电容性网络,反而会被教导去避免使用电容器。

综上所述,技术特征G不仅未被D1公开,且D1的整体教导方向使得将特征G与D1结合变得缺乏技术启示。

目前的分析显示目标专利相对于D1具有很强的稳定性。需要我为你进一步检索其他包含“跨导反馈调节”机制的对比文件,还是直接基于此起草答复审查意见的抗辩逻辑?

 


权利要求2

根据权利要求1所述的电路,其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络改变所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的相应跨导。


权利要求3

根据权利要求2所述的电路,其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络减小所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的所述相应跨导。


权利要求4

根据权利要求1所述的电路,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是N型晶体管器件,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述输出端子是所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极端子。


权利要求5

根据权利要求4所述的电路,其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络的所述电容性反馈电路每个包括可变电容器。


权利要求6

根据权利要求1所述的电路,其中所述第一反馈网络包括所述第一偏置晶体管的寄生电容,其中所述第二反馈网络包括所述第二偏置晶体管的寄生电容。


权利要求7

根据权利要求1所述的电路,其中所述第一反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的所述控制端子与输出端子之间的电容器,其中所述第一晶体管的跨导以因子 被增大,其中C是所述电容器的电容并且C par是所述第一晶体管的寄生电容。


权利要求8

根据权利要求1所述的电路,其中所述电路进一步包括:电连接到所述第一差分输入和所述第二差分输入的混频器电路、以及电连接到所述第一差分输出和所述第二差分输出的功率放大器。


权利要求9

根据权利要求1所述的电路,进一步包括:被配置为设置所述第一晶体管的DC操作点的第一电流源和被配置为设置所述第二晶体管的DC操作点的第二电流源。


权利要求10

一种电路中的方法,包括: 在差分级的第一晶体管和第二晶体管的相应控制端子处接收第一输入信号和第二输入信号; 在所述第一晶体管和所述第二晶体管的相应输出端子处提供第一输出信号和第二输出信号; 使用第一偏置晶体管偏置所述第一晶体管; 使用第二偏置晶体管偏置所述第二晶体管; 使用电容性反馈网络在所述第一偏置晶体管的输出端子与所述第一偏置晶体管的控制端子之间提供反馈信号;以及 基于所述反馈信号,减小所述第一偏置晶体管的跨导和所述第二偏置晶体管的跨导以增大所述差分级的增益特性。


权利要求11

根据权利要求10所述的方法,所述电容性反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与输出端子之间的电容器,其中所述第一晶体管的跨导以因子 被增大,其中C是所述电容器的电容并且C par是所述第一晶体管的寄生电容。


权利要求12

根据权利要求11所述的方法,其中所述电容器是可变电容器。


权利要求13

根据权利要求10所述的方法,进一步包括:从混频器电路接收所述第一输入信号和所述第二输入信号,并且向功率放大器提供所述第一输出信号和所述第二输出信号。


权利要求14

一种电路,包括: 用于在差分级的第一晶体管和第二晶体管的相应控制端子处接收第一输入信号和第二输入信号的部件; 用于在所述第一晶体管和所述第二晶体管的相应输出端子处提供第一输出信号和第二输出信号的部件; 用于使用第一偏置晶体管偏置所述第一晶体管的部件; 用于使用第二偏置晶体管偏置所述第二晶体管的部件;以及 用于减小所述第一偏置晶体管的跨导的部件和用于减小所述第二偏置晶体管的跨导的部件,用以增大所述差分级的增益特性, 其中用于减小所述第一偏置晶体管的跨导的所述部件包括电容性反馈网络。


权利要求15

根据权利要求14所述的电路,其中用于减小所述第一偏置晶体管的跨导的所述部件包括在所述第一偏置晶体管的输出端子与所述第一偏置晶体管的控制端子之间的反馈信号。


权利要求16

根据权利要求14所述的电路,其中用于减小所述第一偏置晶体管的跨导的所述部件包括反馈网络,所述反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与输出端子之间的电容器,其中所述第一晶体管的跨导以因子 被增大,其中C是所述电容器的电容并且C par是所述第一晶体管的寄生电容。


权利要求17

根据权利要求16所述的电路,其中所述电容器是可变电容器。


权利要求18

根据权利要求14所述的电路,进一步包括: 混频器电路,电连接到用于接收第一输入信号和第二输入信号的所述部件;以及 功率放大器,电连接到用于提供第一输出信号和第二输出信号的所述部件。


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