一种通孔过渡，包括两个端部分(L1，L5)；高阻抗部分(L2，L3，L4)；以及低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)；其中所述高阻抗部分(L2，L3，L4)和所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)被交替布置在两个端部分(L1，L5)之间；并且所述通孔过渡形成在基底中；其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层

作为一名经验丰富的专利代理师，在进行专利无效或稳定性分析时，我们首先需要将目标权利要求的技术特征进行科学拆解，然后将其与对比文件（Prior Art）的显性公开（明文记载）或隐性公开（实质公开）进行逐一比对，并从所属技术领域、解决的技术问题及技术效果三个维度来确立最接近的现有技术。

以下是针对本案目标权利要求1以及对比文件D1、D2的深度无效可行性分析：

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## 一、 权利要求1的技术特征分解与说明书内涵阐释

根据目标专利【CN105453332B】的说明书，该专利旨在解决**传统多层集成电路中垂直通孔过渡（via transition）在高频/毫米波频段由于电学不连续性导致的辐射损耗大、带宽受限**的问题。它通过在多层基底的**垂直通孔过渡**中引入“阶梯式阻抗低通滤波结构”来拓宽带宽（如说明书\[0009\]、\[0022\]所述）。

我们将权利要求1拆解为以下6个核心技术特征：

* **主题名称**：一种通孔过渡（指三维多层基底中用于连接不同层传输线的垂直过渡导电结构）。

* **特征A**：包括两个端部分(L1，L5)

* **特征B**：高阻抗部分(L2，L3，L4)

* **特征C**：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)

* **特征D**：高阻抗部分和低阻抗部分被交替布置在两个端部分之间

* **特征E**：所述通孔过渡形成在基底中

* **特征F**：每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层（对应垂直层叠构型）

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## 二、 对比文件特征比对表格及出处分析

### 1. 对比文件基本信息

* **D1**：`AU2003204881A1` (*HIGH EFFICIENCY STEPPED IMPEDANCE FILTER*) —— 涉及射频电路的阶梯阻抗滤波器。

* **D2**：`JP4740270B2` (*Storage case of the recording medium for the disk*) —— 涉及光盘或记录媒体的机械收纳盒。

### 2. 技术特征比对表

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## 三、 最接近的现有技术（Closest Prior Art）选择与创造性评述

### 1. 哪个对比文件适合做最接近的对比文件？

在本案中，**只有 D1 (`AU2003204881A1`) 适合作为最接近的对比文件。**

* **技术领域维度**：目标专利属于多层集成电路中的微波/射频三维互连技术领域；D1属于微带线/带状线射频电路及滤波器领域，二者均属于**射频/微波电子电路**领域，技术领域高度相关。而D2属于**日用生活容器（光盘盒）**领域，与目标专利相去甚远。

* **技术问题与效果维度**：D1旨在解决“如何通过优化基底介电特性来减小阶梯阻抗滤波器的物理尺寸并改善其射频响应（插入损耗和回波损耗）”的问题（参见D1图6A/6B说明）。目标专利则利用类似的阶梯阻抗低通滤波构想，来解决垂直通孔在毫米波段的电学不连续性及辐射损耗问题。两者的物理架构原理（利用阶梯阻抗产生等效高低阻抗变化）和射频优化目标非常接近。

* **结论**：D1构成了本案创造性评述的最基础起点。而D2在创造性评述中**完全不适用**，无法提供任何技术启示。

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## 四、 未被最接近对比文件公开的特征分析

通过上述比对，**没有被最接近对比文件D1公开的特征**包括：

1. **主题构型**：“一种通孔过渡”（D1是平面传输线构成的滤波器组件）。

2. **特征F**：“其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层”（D1的阻抗段是横向展开的，而本专利是纵向延伸贯穿介电层的通孔段）。

**这些未公开的特征是否被其他对比文件（D2）公开？**

* **答案是：完全没有。** D2是纯机械结构文件，根本没有公开“通孔过渡”或“延伸通过电路基底介电层的阻抗段”等任何电学和射频特征。

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## 五、 对请求方（无效宣告申请人）来说最薄弱的技术特征

如果我们要对目标专利发起无效请求，站在请求方的立场，**最薄弱（即最难攻克、最不容易被成功无效掉）的技术特征是：**

> **特征F：其中每个部分（即各个高、低阻抗部分）延伸通过所述基底的一个或更多个介电层。**

### 为什么这个特征是无效突破的“最薄弱环节”（对请求方最不利）？

1. **独特的空间拓扑结构（三维垂直构型）**：

通常在射频电路设计中，阶梯阻抗（Stepped Impedance）低通滤波器是一个**二维平面拓扑**（如D1所示，通过微带线的走线“变宽”或“变窄”来实现电容和电感效应）。然而，目标专利创造性地将这种平面滤波器的构想**翻转了90度**，移植到了**三维纵向的通孔（Via）结构**中——它通过改变通孔垂直穿过各介电层时的横截面积或长度（如说明书\[0031\]-\[0033\]所述，利用圆柱体直径粗细变化），在“垂直互连通道”内部实现了交替的高低阻抗。

2. **技术领域的实质性障碍（D1无法直接给出启示）**：

D1虽然提到了多层陶瓷制造工艺（Green Tape）中可以在层上打孔（vias），但D1中的Via仅仅是作为常规的层间连接件或者接地填充，**并没有将Via本身做成“粗细交替变化以形成阶梯阻抗滤波器”的启示**。

3. **显著的预料不到的技术效果**：

目标专利说明书第\[0038\]段明确指出，这种垂直层叠的通孔滤波过渡结构，在保证S11和S21参数达标的前提下，将传统通孔过渡的带宽提升了**约12倍**，成功达到了**毫米波频段**。这种在垂直过渡方向上利用介电层数控制阻抗段长度的结构，具有非常强的结构新颖性和显著的进步。

### 请求方的应对策略建议

仅凭目前的D1和D2，由于**特征F**这一核心架构特征未能被覆盖，直接提起无效的**成功率极低**。若要加大无效力度，请求方必须在后续的检索中，全力寻找一篇**公开了“多层电路板中，垂直互连通孔自身通过分段改变直径/截面来实现阻抗匹配或滤波”**的微波三维集成（如LTCC、3D-IC领域）的行业背景高价值对比文件（D3），配合D1进行结合，方有胜算。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将为您对目标专利（CN105453332B）的权利要求1进行深度解析，并紧密结合四份对比文件（D1~D4，这四份文件实际上构成了同族专利的不同语种/国家申请案）的原文进行特征比对与创造性、无效可行性分析。

首先，明确四份对比文件的基本公开信息（由于四者具有相同的技术发明背景，本案中将其分别标注并结合其文本比对）：

* **D1**: EP1328038A2

* **D2**: KR1020030060792A

* **D3**: JP2003204203A

* **D4**: US20030184407A1

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## 一、 目标专利权利要求1与说明书释义

目标专利主要解决传统多层集成电路中通孔过渡由于辐射损耗、反射以及串扰导致的**带宽有限（通常操作在0至2.579GHz以内）**以及现有宽带通孔过渡制造复杂、成本高的问题。说明书指出，本公开通过在基底中交替布置高阻抗部分和低阻抗部分，形成了**“阶梯式阻抗低通滤波结构”**，从而有效减小通孔过渡的辐射损耗和串扰，显著增大带宽（可达毫米波频段，例如0至30GHz）。

### 权利要求1技术特征拆解：

* **特征A**：一种通孔过渡，包括两个端部分(L1，L5)；

* **特征B**：高阻抗部分(L2，L3，L4)；

* **特征C**：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)；

* **特征D**：其中所述高阻抗部分(L2，L3，L4)和所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)被交替布置在两个端部分(L1，L5)之间；

* **特征E**：所述通孔过渡形成在基底中；

* **特征F**：其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层。

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## 二、 各对比文件原文详细出处及公开特征分析

对比文件D1~D4的核心发明是“带有方向性结合器的滤波器及通信装置”。为了说明其背景技术或在实施例中构造基础滤波器结构，各对比文件均详细公开了一种**阶梯阻抗结构的低通滤波器**。

### 1. 对比文件D1 (EP1328038A2)

* **实质公开/毫无异议公开特征**：A、B、C、D、E。

* **原文详细出处**：

* `[0007]` & `Fig.19`: "The low-pass filter shown in Fig. 19 comprises an inner conductor 103 arranged in an outer conductor 104. The inner conductor 103 comprises **high impedance portions 101 and low impedance portions 102 alternately connected to each other**."

* `[0008]` & `Fig.20`: "The low-pass filter shown in Fig. 20 contains a line electrode 107 formed on the front surface of a dielectric substrate 108... The line electrode 107 comprises **high impedance portions 105 and low impedance portions 106 which are alternately arranged**."

* **特征F分析**：未明确公开特征F中“每个部分**延伸通过**所述基底的一个或更多个介电层”（即垂直通孔三维多层分段延伸的立体过渡结构），D1中Fig.20为平面的微带线结构。

### 2. 对比文件D2 (KR1020030060792A)

* **实质公开/毫无异议公开特征**：A、B、C、D、E。

* **原文详细出处**：

* `[70]` & `도 19`: "고임피던스부(101)와... 저임피던스부(102)를 교대로 접속한 듯한 형상의 내부도체(103)를 외부도체(104) 내에 배치한 것이다."

* `[71]` & `도 20`: "유전체 기판(108) 표면에... 고임피던스부(105)와... 저임피던스부(106)를 교대로 가지는 선로전극(107)을 형성하고..."

* **特征F分析**：未公开三维立体多层基底通孔过渡特征。

### 3. 对比文件D3 (JP2003204203A)

* **实质公开/毫无异议公开特征**：A、B、C、D、E。

* **原文详细出处**：

* `【０００６】` & `図１９`: "高インピーダンス部１０１と、径が大きく、軸長が短い低インピーダンス部１０２とを交互に接続したような形状の内導体１０３を外導体１０４内に配置したものである。"

* `【０００７】` & `図２０`: "誘電体基板１０８表面に、信号伝搬方向に対し幅が狭く、長さが長い高インピーダンス部１０５と、幅が広く、長さが短い低インピーダンス部１０６とを交互にもつ線路電極１０７を形成し..."

* **特征F分析**：同样未公开通孔逐层延伸结构。

### 4. 对比文件D4 (US20030184407A1)

* **实质公开/毫无异议公开特征**：A、B、C、D、E。

* **原文详细出处**：

* `[0009]` & `FIG. 2`: "The inner conductor 103 comprises high impedance portions 101 and low impedance portions 102 alternately connected to each other."

* `[0010]` & `FIG. 3`: "The line electrode 107 comprises high impedance portions 105 and low impedance portions 106 which are alternately arranged [on dielectric substrate 108]."

* **特征F分析**：未公开通孔在多层介电层中的延伸布局。

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## 三、 技术特征比对表格

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## 四、 最接近现有技术（最接近对比文件）的选择与分析

在创造性分析中，**D4 (US20030184407A1)** 或 **D1 (EP1328038A)** 最适合作为**最接近的对比文件**。

### 分析原因如下：

1. **技术领域与整体解决的技术问题相似度**：目标专利旨在解决**多层集成电路中通孔过渡产生的电学不连续性、辐射损耗和串扰**，通过利用阶梯阻抗低通滤波结构来增大带宽。而对比文件D4（及D1）在背景技术中为了消除高频谐波和传输损耗，同样采用了**阶梯阻抗LC梯形低通滤波器**（Multi-stage LC ladder circuit，见D4的`[0011]`）。两者均利用高阻抗作为电感、低阻抗作为电容的交替低通滤波原理来改善高频传输特性。

2. **技术效果的关联性**：D4的`[0011]`指出利用交替安排的结构实现了电感与电容的协同工作（LC多段梯形电路），这与目标专利说明书`[0009]`中提及的“由于通过交替布置的高阻抗部分和低阻抗部分形成的阶梯式阻抗低通滤波结构，可以有效地减小通孔过渡的辐射损耗和串扰”在结构原理和阻抗匹配效果上高度重合。

由于D1~D4是同族专利，其公开的阶梯阻抗滤波器结构完全一致，选择英语文本的 **D4** 作为第一最接近对比文件，在后续审查意见答辩或无效口审中更易于向审查员进行精确表述。

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## 五、 区别技术特征及公知常识/其他对比文件结合分析

根据特征比对，目标专利权利要求1相对于最接近对比文件D4的区别技术特征为：

> **区别特征1**：该阻抗交替布置的低通滤波结构应用于**“通孔过渡”**（而不是平面微带线或同轴线线缆）。

> **区别特征2（即特征F）**：所述通孔过渡的**每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层**（即在垂直方向上通过调整不同介电层中的通孔截面积/长度来实现立体三维低通滤波器结构）。

### 其他对比文件是否公开：

由于D1、D2、D3与D4为同族专利，它们同样**没有公开**上述区别特征1和2。

### 无效请求方最薄弱的技术特征（即对请求方而言最难攻克/对专利权人最稳固的特征）：

对于无效宣告请求方而言，**最薄弱的技术特征是“特征F”结合“通孔过渡”的空间立体三维构型。**

* **薄弱点原因分析**：现有技术（D4等）中公开的低通滤波器均是基于**平面微带线布局（沿基底表面水平延伸）**或**轴向同轴线线缆（通过机加工不同直径的金属杆）**实现的。而目标专利极具创造性地将这种阶梯阻抗滤波器的概念**“垂直化”**引入到了多层集成电路的基底通孔过渡中——即通过调整通孔延伸通过一个或多个介电层时的“横截面积”和“高度高度”（如说明书`[0032]`-`[0033]`所释：通孔变细变长为高阻抗，通孔变粗变短为低阻抗），在垂直穿过多层介电层时直接就地形成了LC滤波器。

* **对抗策略**：无效请求方仅凭D1~D4很难证明将“水平平面滤波器”改造为“垂直多层通孔结构”属于本领域的公知常识或存在明确的技术启示。请求方必须进一步补充检索关于**“多层LTCC/PCB基底中，通过改变垂直通孔自身直径或逐层截面来实现阻抗匹配”**的微波三维集成架构芯片类对比文件（例如目标专利说明书参考文献中提及的宽带准同轴过渡技术），否则仅凭现有的D1~D4，目标专利权利要求1的创造性将非常稳固。

作为一名经验丰富的专利代理师，我针对目标专利权利要求1以及说明书的内容进行深度解析，并与您提供的四份对比文件（D1~D4）进行逐项特征比对与创造性分析。

### 一、 权利要求解释与技术特征拆解

目标专利（CN105453332B）涉及多层集成电路中的通孔过渡结构。紧密结合其说明书具体实施方式（如段落\[0008\]-\[0010\]、\[0021\]-\[0022\]及图3-5），权利要求1所要保护的是一种**基于基底内部垂直互连结构（通孔）自身几何/材料变化所形成的“阶梯式阻抗低通滤波器”结构**。

* **高/低阻抗部分的物理本质**：说明书第\[0031\]-\[0033\]段明确指出，通过同轴对齐的圆柱体，调整其横截面面积（或直径、长度），低阻抗部分具有较小或较大的横截面积，在垂直堆叠时，高阻抗部分等效于串联电感，低阻抗部分等效于并联电容（图5），从而在不依赖外部补助元件（如屏蔽腔、外围准同轴接地孔）的情况下，在基底内部构筑了滤波结构。

权利要求1的特征拆解如下：

* **前序部分**：一种通孔过渡（形成在基底中）。

* **特征A**：包括两个端部分（L1，L5）。

* **特征B**：高阻抗部分（L2，L3，L4）。

* **特征C**：低阻抗部分（C1，C2，C3，C4）。

* **特征D**：所述高阻抗部分和所述低阻抗部分被交替布置在两个端部分之间。

* **特征E**：所述通孔过渡形成在基底中。

* **特征F**：其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层。

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### 二、 对比文件特征比对表格

以下表格详细比对各对比文件是否公开权利要求1的技术特征，并给出原文详细出处。

*注：D1、D2、D4为同一发明人的同族专利（或高度关联申请），其关于阶梯阻抗滤波器的核心公开内容完全一致，仅公开文本格式或权利要求范围略有不同。*

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### 三、 最接近对比文件（D1/D2/D4 与 D3）的选取与创造性分析

在创造性评述中，判断谁适合作为“最接近的对比文件（原型）”，应从**技术领域、所解决的技术问题、技术效果以及核心电路拓扑**四个维度进行综合考量：

#### 1. D1 / D2 / D4 的技术问题与效果分析

* **解决的技术问题**：解决传统平面阶梯阻抗滤波器中，由于只能调节线条宽度导致的高/低阻抗范围受限、体积过大的问题。

* **技术效果**：通过引入人工元材料（Meta-materials）或在多层基底（如LTCC）的特定局部区域局部改变介电常数（$\varepsilon_r$）和磁导率（$\mu_r$），实现在大幅度缩小滤波器物理尺寸的同时提高滤波响应（Q值）。

* **电路拓扑**：**完全公开了“阶梯阻抗低通滤波器”的核心电学架构**（即高低阻抗交替布置，特征B、C、D）。

#### 2. D3 的技术问题与效果分析

* **解决的技术问题**：解决高速信号通过PCB垂直通孔（Via）时由于结构不连续性引起的信号衰减、畸变和反射（信号完整性问题）。

* **技术效果**：通过将通孔划分成不同垂直片段，调整焊盘（Pad）/反焊盘（Anti-pad）直径来补偿介电层厚度变化。

* **电路拓扑**：其优化的核心目标是**使通孔各分段的特性阻抗尽量保持一致/相等（阻抗匹配，避免不连续性）**，或者使整体反射系数最小化。

#### 3. 谁适合作为最接近的对比文件？

本案存在**两条截然不同的创造性评述路径**（最接近对比文件可以有两个）：

* **路径一：以 D3 作为最接近对比文件（从“物理架构/技术领域”出发）**

* *理由*：目标专利的构型是“通孔过渡（Via transition）”，属于垂直互连通道。D3同样立足于PCB/背板的垂直通孔结构（Via structure），且同样通过将通孔沿垂直方向（延伸通过多个介电层）划分为多个片段来调整各段阻抗。

* *未公开特征*：D3没有公开特征D（交替布置高低阻抗以形成低通滤波器）。

* **路径二：以 D1（或D2、D4）作为最接近对比文件（从“核心电学功能/技术构思”出发）**

* *理由*：目标专利的核心发明点在于“借用通孔做成阶梯阻抗滤波器，减小辐射损耗并增大带宽”。D1/D2/D4构成了完美的阶梯阻抗滤波器模型，完整公开了交替布置（特征D）来实现低通滤波的技术方案。

* *未公开特征*：D1/D2/D4未能公开前序部分及特征F的组合——即该阶梯阻抗低通滤波器**不是以垂直通孔过渡的形态存在**，而是以水平微带线或带状线形态存在。

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### 四、 未被最接近对比文件公开特征的相互结合性

若审查员或无效请求方采用上述任一路径，未被公开的特征均能在另一方中找到对应体现：

1. **若以D3为D1，结合D1（平面滤波器）**：

* D3虽然公开了通孔分段改变阻抗，但其目的是为了**“阻抗均一化（消除不连续性）”**。而本案是主动利用不连续性交替布置高低阻抗做成滤波器。如果无效请求方想将D1的平面交替构想移栽到D3的垂直通孔上，需要证明“将平面阶梯阻抗滤波拓扑立体化引入垂直通孔中”对本领域技术人员而言是显而易见的。

2. **若以D1为D1，结合D3（通孔优化）**：

* D1本身已经公开了在LTCC等多层基底（生瓷片叠层烧结）中制造滤波器，且通过图2-4可以看出其具有利用多层结构（不同区域材料性质不同）的属性。D3则给出了将信号通道垂直化为通孔（Via）并分段调整结构以控制阻抗的普遍技术手段。

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### 五、 无效请求方最薄弱的技术特征（专利权人的核心防线）

如果无效请求方试图请求该专利全部无效，其**最薄弱（最难攻克）的技术特征**在于：

**特征D与前序/特征F的有机结合——即“将垂直通孔过渡结构自身，直接构筑为交替布置的高/低阻抗阶梯式低通滤波物理实体”。**

#### 为什么这是最薄弱的攻击点？

1. **技术偏见与反向教导**：

在高速电路设计领域（如D3所代表的普遍认知），本领域技术人员对通孔（Via）的常规处理方式是**极力避免电学不连续性**，通过各种手段让通孔整体阻抗逼近50欧姆（均一化）。而目标专利反其道而行之，**主动利用并放大通孔段的横截面积差异**，将其做成大感量和大容量的交替滤波结构。D3的教导（使阻抗尽可能相等，见段落\[0012\]）实际上对本案构成了**反向教导**。

2. **D1/D2/D4的横向拓扑局限**：

D1等对比文件虽然公开了阶梯阻抗，但其依赖的是水平面上的“线条变宽（低阻）/变窄（高阻）”，或者依赖“局部填充元材料/挖空”。它们没有给出任何暗示——可以脱离平面线条，直接利用**垂直通孔延伸通过多个介电层时的纵向截面变化**来达成这一交替结构。

**结论**：无效请求方在特征比对层面上虽然可以通过“拼凑”方式（D1的拓扑 + D3的通孔）对权利要求1进行形式上的覆盖，但在结合启示（Motivation）的论证上非常薄弱。专利权人可以紧紧抓住“利用垂直通孔纵向分段主动构造交替低通滤波器的技术构思，解决了通孔辐射损耗同时显著增大带宽，具有预料不到的技术效果”这一核心辩点进行顽强抗辩。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将紧密结合目标专利说明书的公开内容，对权利要求1的各项技术特征进行法律和技术层面的精确剖析，并与您提供的四份对比文件（D1~D4）的原文及详细出处进行逐项比对，最后为您评估创造性最接近的对比文件以及无效请求中最薄弱的技术特征。

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## 一、 目标专利权利要求1的技术特征拆解与说明书释义

根据目标专利（CN105453332B）的说明书及附图，权利要求1的核心在于通过在基底中交替布置高、低阻抗部分，构建一种**阶梯式阻抗低通滤波结构（Stepped-impedance low-pass filter structure）**，以解决传统通孔过渡由于电学不连续导致的带宽受限、辐射损耗和串扰问题，且无需引入额外的补助元件。

具体特征技术释义如下：

* **技术特征A、B、C、D（阻抗部分交替布置）：** 说明书 $[0030]$ 和图4明确指出，通孔过渡通过将高阻抗部分（$L_2, L_3, L_4$，等效于串联电感）和低阻抗部分（$C_1, C_2, C_3, C_4$，等效于并联电容）交替垂直排列在端部分 $L_1$ 和 $L_5$ 之间，形成了射频微波领域的“阶梯阻抗低通滤波器”结构。$[0031]$ 指出可以通过调整横截面积（直径）或长度来控制阻抗，例如低阻抗部分直径大（横截面积大），高阻抗部分直径小（横截面积小）。

* **技术特征E、F（基底及多层延伸）：** 说明书 $[0025]$ 和 $[0026]$ 明确指出，其中形成通孔过渡的基底可以是LTCC、HTCC、LCP或PCB等多层基底。为了便于制造，每个阻抗部分延伸通过基底的单层或多层介电层（例如图4中各部分分别延伸通过1~3层），最终通过多层堆叠、层压和共烧形成垂直通孔过渡。

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## 二、 对比文件技术特征比对表格

为了清晰展示各对比文件对权利要求1技术特征的公开情况，以下列出详细的特征比对表，各对比文件的公开号指定如下：

* **D1：** US20050046522A1

* **D2：** US20050191785A1

* **D3：** US20060158280A1

* **D4：** DE60307732T2

### 权利要求1技术特征比对表

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## 三、 对比文件原文详细出处与公开性分析

### 1. D1 (US20050046522A1) —— 毫无异议公开特征 [B, C, D]

* **技术领域与结构分析：** D1公开的是一种利用流体介质改变介电常数的流体可变射频滤波器。它采用平面拓扑（微带线、埋入式微带线或带状线）。

* **原文详细出处：**

* 针对**特征B、C、D**：说明书第 $[0017]$ 段公开：`“...the filter topology can be any filter topology, for example, a stepped impedance filter... elements can be designed to have a specific characteristic impedance (Z0) ... vary from one element to the next.”`；并在第 $[0032]$ 段明确指出了由交替的 `“low impedance filter elements 405”` 和 `“high impedance filter elements 410”` 组成的阶梯阻抗滤波器拓扑（如图4所示）。

* **结论：** D1在**平面电路**中毫无异议地公开了阶梯阻抗低通滤波器的基本原理（高低阻抗交替布置），但其**未公开**该滤波器结构可以应用于垂直“通孔过渡”中。

### 2. D2 (US20050191785A1) —— 毫无异议/实质公开特征 [前序, A, E, F]

* **技术领域与结构分析：** D2公开了一种用于高频半导体芯片封装基底的通孔过渡结构，其核心目的是通过在多层基底的各个层平面上制作片状/环形延伸部（焊盘）来增大通孔间电容，从而匹配阻抗（降至50欧姆），减少高频信号反射。

* **原文详细出处：**

* 针对**前序、特征E**：第 $[0008]$ 段公开：`“...a planar insulating substrate having a plurality of parallel, planar metal layers embedded in the insulator. The substrate further has at least one pair of parallel, metal-filled vias traversing the substrate...”`（实质公开了形成在基底中的垂直通孔过渡）。

* 针对**特征A**：第 $[0011]$ 段公开输入/输出端口：`“...input/output ports on the first and second substrate surface...”`。

* 针对**特征F**：第 $[0008]$ 段公开：`“The metal in each via has a sheet-like extension in each of selected planes of said metal layers, resulting in an increased via-to-via capacitance...”`，并结合图8（Step 802-805）的工艺描述，阐述了通过在每层介电层上加工不同的金属环/叉形结构，最后堆叠、打孔并填充金属，使通孔连接这些逐层分布的金属扩展部。这与本目标专利中“阻抗过渡各部分延伸并通过一个或多个介电层”在**制造工艺和垂直层分布空间结构上完全一致**。

* **结论：** D2公开了三维基底内的垂直通孔过渡结构及逐层制造方法，但其调整阻抗的手段是靠增加全段通孔的对地/对称通孔电容，**未公开**沿垂直方向“高阻抗部分与低阻抗部分交替布置”的阶梯滤波拓扑。

### 3. D3 (US20060158280A1) —— 毫无异议/实质公开特征 [前序, A, E]

* **技术领域与结构分析：** D3公开了一种多层PCB或LTCC基底中的高频宽带阻抗匹配通孔，其阻抗控制是通过调节外围包围的“地通孔”与中心“信号通孔”之间的物理距离 $D$ 来实现的。

* **原文详细出处：**

* 针对**前序、特征E**：第 $[0020]$ 段公开：`“The structure of the multi-layer printed circuit board is a combination of insulation layers and circuit layers... connected to another one by vertical signal vias, and vertical ground vias are sited appropriately...”`。

* 针对**特征A**：第 $[0021]$ 段公开：`“A first signal transmission trace 111 is sited on the bottom... second signal transmission trace 112 is sited on the top...”`（公开了两个垂直通孔端部分连接的上下水平传输线）。

* **结论：** D3同样属于垂直通孔阻抗匹配领域，但它是通过外围准同轴/共面微波拓扑（地通孔距离）来实现全段通孔阻抗的统一控制，属于目标专利背景技术 $[0005]$ 中提到的“使用补助通孔元件”的常规宽带通孔，**未公开**特征B、C、D、F。

### 4. D4 (DE60307732T2) —— 毫无异议公开特征 [A, B, C, D]

* **技术领域与结构分析：** D4公开了一种高效的阶梯阻抗滤波器。它详细阐述了利用超材料（Metamaterials）或改变局部基底介电常数/磁导率的方式，来优化阶梯阻抗滤波器各段的物理尺寸和阻抗特性。

* **原文详细出处：**

* 针对**特征B、C、D**：说明书【PRECISE DESCRIPTION THE PREFERRED EMBODIMENTS】第1段公开：`“stepped impedance filters typically have an input port, a Output terminal and a plurality of alternating transmission line sections high impedance and low impedance.”`；第4段公开：`“Transmission line sections 110 high impedance are with the first range 102 coupled, and transmission line sections 112 low impedance are with the second areas 104 coupled.”`（明确公开了高、低阻抗段的交替布置）。

* **结论：** D4从电路原理上完美公开了权利要求1的阶梯阻抗低通滤波的核心结构，但与D1类似，其最终落脚点依然是平面电路拓扑（微带、带状线），**未公开**将此结构垂直应用在基底内部的通孔过渡（Via transition）中。

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## 四、 最接近现有技术（最接近对比文件）分析

在创造性审查或无效宣告过程中，选择**最接近的现有技术**通常基于以下原则：领域最相近、技术问题最相似、公开技术特征最多。本案中存在两个非常适合做“最接近现有技术”的对比文件，可从两个不同视角切入：

### 视角一：以 D2 (US20050191785A1) 作为最接近的对比文件（首选）

* **技术领域与核心构思极其一致：** D2与目标专利完全属于相同的技术领域（**多层半导体封装基底中的高频通孔过渡**），并且面临完全相同的技术问题——**如何消除高频垂直通孔由于电学不连续产生的信号反射（阻抗不匹配），以增大应用带宽**。

* **技术效果与特征覆盖：** D2公开了特征[前序、A、E、F]。目标专利说明书在 $[0010]$ 和 $[0033]$ 中提到的多层介电层堆叠、打孔填充以控制各段横截面积的制造方法，在D2的工艺流程（图8）中已实质公开。

* **创造性评述逻辑：** 区别特征仅在于目标专利将D2中全段均一的阻抗匹配通孔，改造为垂直方向上“高阻抗部分与低阻抗部分交替布置的阶梯阻抗结构”。

### 视角二：以 D4 (DE60307732T2) 或 D1 作为最接近的对比文件（备选）

* **技术问题与拓扑结构极其一致：** D4与目标专利面临共同的高频结构设计问题。目标专利为了省去补助元件，直接诉诸于微波电路中经典的“阶梯阻抗低通滤波器”拓扑。而D4完整公开了这种高低阻抗交替布置以优化滤波器性能的结构（特征[A, B, C, D]）。

* **创造性评述逻辑：** 区别特征在于D4是平面的微带/带状线滤波器，而目标专利将其应用在了垂直通孔（基底中延伸通过多层介电层）中。

> **代理师审案结论：** 综合来看，**D2最适合作为第一最接近现有技术**。因为在审查实践中，“垂直通孔过渡”这一三维空间三维结构的领域限定极强。从垂直封装通孔结构（D2）出发，引入射频经典阶梯滤波拓扑（D4或D1），对本领域技术人员来说具有极高的改动合理性。

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## 五、 对请求方（无效提出方）来说最薄弱的技术特征

若您代表请求方提出无效宣告请求，本案中**最薄弱的技术特征**（即请求方最难攻克、目标专利所有人防守最稳固的特征）是：

**【特征F结合特征D的垂直空间交替形态】：其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层，且所述高阻抗部分和低阻抗部分在垂直方向上被交替布置。**

### 薄弱原因分析（即防守方的强抗辩点）：

1. **空间维度的技术偏见与转换障碍：**

虽然D1和D4在**平面（水平）**电路板表面完美公开了高低阻抗段的交替布置，但本目标专利将其成功嫁接到了垂直穿过多层介电层的**垂直通孔过渡（三维纵向拓扑）**中。正如目标专利说明书 $[0024]$ 中抗辩的类似逻辑：传统的滤波器均是经由机械部件或水平表面传输线构成的，当本领域技术人员面对“**如何消除在基底内部形成的垂直通孔本身的电学不连续**”这一特定技术问题时，由于垂直空间的尺寸限制和加工工艺完全不同，技术人员很难自然地想到直接将平面低通滤波器横过来、“垂直堆叠”在基底的各个介电层内。

2. **工艺与结构的深度融合：**

特征F并非简单的结构描述，它暗示了一种特定的**纵向阶梯式阻抗制造工艺**（如目标专利说明书 $[0010]$ 所述：通过让不同阻抗段延伸通过不同的层，并在各层改变圆柱体横截面积，再进行堆叠共烧）。D2虽然公开了在不同金属层上做图形并堆叠通孔，但其目的是为了增加通孔间电容，并没有产生“高阻抗电感段与低阻抗电容段垂直交替”的结构和阶梯阻抗滤波的技术效果。

### 请求方的突围策略建议：

无效请求方必须牢牢抓住 **D2 + D4（或D1）的组合**。以D2作为主案提供垂直通孔及多层介电层加工的结构基础，以D4（超材料多层基底滤波器）或D1证明“在多层基底的内部/各层中，利用阶梯阻抗改变介电常数或几何形状来调整射频阻抗”属于公知常识或常规设计手段。强调将平面阶梯阻抗低通滤波器的原理垂直应用到通孔过渡上，只是本领域微波工程师面对阻抗连续性问题时，将平面经典拓扑向垂直三维空间进行的一种**显而易见的维度外推**，并不具备意料不到的技术效果。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将为您对目标专利【CN105453332B 通孔过渡及其制作方法】的权利要求1进行深入的法律与技术解析，并紧密结合您提供的三份对比文件原文进行特征比对与创造性（无效可行性）评估。

以下是针对该专利权利要求1的全面无效宣告分析报告：

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## 一、 权利要求1的技术特征拆解与说明书释义

根据目标专利说明书的整体构思和具体实施方式，权利要求1所保护的**“通孔过渡”**（Via Transition）是一种高频/毫米波多层微波立体电路结构，而非普通的机械或大功率射频同轴元器件。其核心在于利用基底内的电学几何形变构成“阶梯式阻抗低通滤波结构”，以消除电学不连续性并扩大带宽。

各技术特征在说明书中的实质释义如下：

* **特征A [两个端部分(L1，L5)]**：对应说明书中的输入/输出阻抗匹配端（等效于电阻器），用于耦接上/下传输线（如微带线或带状线）。

* **特征B、C、D [高/低阻抗部分交替布置]**：对应说明书图5的等效电路。高阻抗部分（L2-L4）由于横截面积较小（直径小），等效为**串联电感**；低阻抗部分（C1-C4）由于横截面积较大（直径大），等效为**并联电容**。两者交替构成切比雪夫等形式的低通滤波器。

* **特征E、F [形成在基底中且延伸通过介电层]**：明确限制了该结构的物理载体为**多层基底电路**（如LTCC、HTCC、PCB等），各阻抗段由不同层数的介电层打孔/填金属柱或环构成立体垂直过渡。

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## 二、 对比文件技术特征比对与公开性分析

我们将对以下三份对比文件进行逐一穿透分析：

* **D1：CN101056094A**（同轴型大功率低通滤波－阻抗变换器）

* **D2：JP2008029026A**（Channel estimator / 实际关联为金属化基底射频滤波器）

* **D3：US2008121422A1**（多层印刷电路板及其层间连接方法）

### 1. 逐案公开性判定

* **D1 (CN101056094A) 的公开情况：**

* **实质公开了特征A、B、C、D。** D1图1和图2明确公开了外导体M1和内导体T0~T9构成的传输线。其中TL1, 3, 5, 7为高阻抗线（等效串联电感），TL2, 4, 6, 8为低阻抗线（等效并联电容），且“交替布置”在输入端TL0和输出端TL9之间（表一公开了L1-L4, C1-C4的交替参数）。

* **未能公开特征E、F。** D1属于**机械加工同轴器件**（机械零件、铜管、机械螺纹连接），用于“广播电视发射设备”，体积大，并非“形成在多层基底中且延伸通过一个或更多个介电层”的微电子通孔过渡。

* **D2 (JP2008029026A) 的公开情况：**

* **毫无异议公开了全部拓扑结构与工艺特征（特征A、B、C、D、E、F）。** * D2说明书第[2]段明确指出“ステップインピーダンスフィルタ（阶梯阻抗滤波器）”使用“高インピーダンス及び低インピーダンス交互の伝送線路部分（高阻抗和低阻抗交替的传输线部分）”，且输入输出有“入力ポート、出力ポート（输入/输出端口）”。

* 同时，D2第[2]段指出其可以采用“ストリップライン（带状线）……伝送線路部分が、２つの電気的に導電性の（接地）プレート間の基板内に挟まれている（夹在基板内的两块地层之间）”。

* 关于介电层和制作工艺，D2在后半部分明确公开了使用“複数層の誘電体基板材料（多层介电基板材料）/ グリーンテープ（生瓷带）”，并通过“ビア（via通孔）、ボイド（void）、ホール（孔）”在各个层中实现，且“各伝送線路部分の長さ及び幅は、所望のインピーダンスを与えるように調整される”。

* **D3 (US2008121422A1) 的公开情况：**

* **仅实质公开了特征A、E、F。** D3公开的是一种多层PCB板通过**叠孔（Stacked Vias）**实现层间垂直连接的架构（图2、图3）。它具有端部通孔（Va, Vi）和中间通孔（Ve），且形成在多层基底的各个介电层中（10a-10i）。

* **未能公开特征B、C、D。** D3调整中间通孔Ve的直径纯粹是为了解热应力和机械应力集中问题（[0005]-[0006]），其全段没有提及任何射频阻抗控制、高低阻抗交替配置、或者等效电容/电感的滤波构思，其性质是**纯导电/结构性通孔**，而非阻抗过渡部分。

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### 2. 技术特征比对表

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## 三、 最接近现有技术（最接近对比文件）的选择与创造性分析

### 1. 哪个对比文件最适合做“最接近的对比文件”？

在无效宣告程序中，**D2 (JP2008029026A)** 最适合单独作为最接近的对比文件（D1虽然有相似的电路拓扑，但目标专利背景技术[0024]专门对D1这类机械同轴滤波器进行了转弯隔离，强调其无法用于解决基底内通孔过渡的连续性问题）。

* **技术领域与技术问题匹配度**：D2属于射频微波基板滤波器领域。它聚焦于通过优化多层基底的内部区域特性，解决微带线/带状线在高频阶梯阻抗滤波器设计中由于物理尺寸调整带来的空间限制和不连续性问题（说明书第[2]段），这与目标专利解决“基底内通孔过渡在毫米波频段的辐射、反射不连续性，增大应用带宽”的技术问题完全对同。

* **技术特征覆盖度**：如比对表所示，D2从电路拓扑（输入/输出端、高低阻抗交替）到物理载体（多层基底、介电层、利用通孔Via或埋入式多层结构实现），已经**全盘披露**了权利要求1的组合架构。

### 2. 未被最接近对比文件公开的特征是否被其他文件公开？

由于**D2已经独立公开了权利要求1的全部技术特征**，严格意义上权利要求1在D2面前已经丧失了新颖性（或仅存在极微弱的微调，直面丧失创造性）。

如果要筑牢无效证据链：

* 若专利权人辩称D2主要描述的是平面微带/带状线阶梯滤波器，则可以**结合D3**。D3在多层基底（[0023]）中展示了垂直堆叠通孔（Stacked Vias通过各介电层）的具体构造。将D2的高低阻抗级联滤波原理应用于D3这种多层多介电层的垂直通孔过渡中，属于射频工程师在D2技术启示下的**常规设计变更**。

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## 四、 请求方诉讼中“最薄弱的技术特征”

如果在无效宣告程序中，请求方以组装证据链的方式（如 D2 + D3 或 D1 + D3）来发起无效请求，对请求方而言**最薄弱（即最容易被专利权人反驳成功）的技术特征是：**

> **特征F：其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层。**

### 弱点原因分析：

1. **物理形变的对应争议**：目标专利说明书（图3、图4）对特征F做出了极具针对性的限定——即高阻抗和低阻抗的变化是通过**改变通孔在每一层或多层介电层内部的横截面积（直径）**来实现的（例如：低阻抗部分C1直径大，高阻抗部分L2直径小）。

2. **对比文件的技术偏离**：

* **D2的局限性**：D2虽然提到了多层基底和Via，但其实现高低阻抗的核心手段是**改变基底局部的介电常数 $\varepsilon$ 或磁导率 $\mu$（即引入隐形メタ材料或空洞）**，或者改变平面线条宽度，而非纯粹依靠通孔在各个介电层上的“立体物理阶梯形变”。

* **D3的局限性**：D3虽然在各个介电层改变了通孔Ve的直径，但其目的是“增强热应力下的连接强度”（[0025]），其Ve变大是单一趋势或仅在最内层变大，**无法呈现出权利要求1所要求的“高阻-低阻-高阻-低阻”在介电层纵向交替变化的立体波导结构**。

### 应对策略建议：

请求方在代理本案时，应当死咬**D2的带状线（Stripline）立体滤波架构**。因为带状线本身就是夹在多层介电层之间的，其宽窄变化自然延伸并穿过多层介电层。同时，应重点援引D2中关于“利用Via穿过多层生瓷带（Green Tape）制造级联阻抗”的通用工艺描述，封堵专利权人关于“垂直通孔形变”的规避答辩。

作为一名经验丰富的专利代理师，我现紧密结合目标专利（CN105453332B）的说明书对权利要求1进行深度解析，并对照D1、D2、D3三份对比文件的原文进行详细的特征比对、创造性最接近对比文件的确立以及无效请求最薄弱特征的法律和技术分析。

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## 一、 权利要求1的技术特征拆解与说明书内涵解析

根据目标专利说明书的记载，权利要求1所构建的实质上是一种**基于多层基底的、利用交替的高低阻抗部分实现的阶梯式阻抗低通滤波结构的通孔过渡**。其核心在于利用横截面积或高度的变化调节等效电感（高阻抗）和等效电容（低阻抗），从而在不添加额外补助元件的情况下扩大带宽。

具体特征拆解如下：

* **前序部分**：一种通孔过渡，形成在基底中。

* *内涵*：指在多层集成电路基底（如LTCC、HTCC、PCB等）中用于连接不同层并行传输线的垂直互连结构。

* **特征A**：包括两个端部分（L1，L5）。

* *内涵*：对应说明书图3、图4及[0030]、[0034]中与上下传输线相耦接的输入/输出端部分，等效于电阻器。

* **特征B**：高阻抗部分（L2，L3，L4）。

* *内涵*：对应说明书[0032]、[0034]，通过具有“较大横截面面积（直径r2）”或特定高度来控制，等效于“串联的电感器”。

* **特征C**：低阻抗部分（C1，C2，C3，C4）。

* *内涵*：对应说明书[0032]、[0034]，通过具有“较小横截面面积（直径R）”或特定高度来控制，等效于“并联的电容器”。

* **特征D**：其中所述高阻抗部分（L2，L3，L4）和所述低阻抗部分（C1，C2，C3，C4）被交替布置在两个端部分（L1，L5）之间。

* *内涵*：空间上沿着垂直通孔轴向交替堆叠，形成等效的“阶梯式阻抗低通滤波结构”（说明书[0009]、[0022]）。

* **特征E**：所述通孔过渡形成在基底中。

* *内涵*：整体结构嵌套于多层基底内部，属于内嵌的三维立体结构（说明书[0008]）。

* **特征F**：其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层。

* *内涵*：结合说明书[0010]、[0033]，每个独立的阻抗段（C或L）由多层介电层堆叠或单层介电层中的通孔段构成，属于多层共烧或分层制造的结构。

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## 二、 对比文件技术特征比对

本案涉及的三份对比文件分别为：

* **D1**：`US20100187000A1`（METHOD FOR THE PRODUCTION OF A CERAMIC MULTILAYER CIRCUIT ARRANGEMENT...）

* **D2**：`CN202205870U`（一种大功率高抑制低通滤波器）

* **D3**：`JP2007233418A`（三次元構造体およびその制造方法）

### 1. 各对比文件的技术特征公开情况分析

* **D1（US20100187000A1）**：

* **毫无疑问公开了特征E、F**。D1公开了一种通过粉末喷涂、加压和烧结生产陶瓷多层电路系统的方法（[0008]）。其明确记载了电路层L1-L4中包含通过导电金属粉末制成的通孔（Vias V1-V7），并且这些通孔延伸通过相应层的绝缘区域（介电层）（图1E，[0022]-[0024]）。

* **未公开特征A、B、C、D**。D1中的通孔V1-V7仅为常规的用于层间电气连接的垂直导通孔，虽然提到了可以包含电阻或其他被动元件（[0028]），但其整个结构并未公开具有交替的高阻抗段和低阻抗段，也没有形成任何低通滤波结构。

* **D2（CN202205870U）**：

* **实质公开了特征A、B、C、D**。D2公开了一种大功率高抑制低通滤波器。其明确记载“包括传输线1、高阻抗传输线2及低阻抗传输线3...高阻抗传输线2有两段以上，相邻的两段高阻抗传输线2之间连接有一段低阻抗传输线3，传输线1有两段，两段传输线1分别与串接的高、低阻抗传输线两端的高阻抗传输线2连接”（[0014]）。这完全对应了在两端部分之间交替布置高、低阻抗部分的排布方式。同时，其[0008]明确指出“利用高、低阻抗传输线构成低通滤波器，高阻抗传输线等效于一个电感，低阻抗传输线等效于一个接地电容”，这与目标专利的滤波原理完全相同。

* **未公开特征E、F**。D2中所有传输线均由“内导体、绝缘介质层及外导体组成，外导体套设于内导体上”（[0015]），这是一种**机械部件组装式或同轴线缆式**的传统低通滤波器结构（目标专利说明书[0024]也特别点名提及了D2，指明其是通过机械部件将传输线相连构造），并非“形成在基底中且每个部分延伸通过基底的一个或更多个介电层”的内嵌多层基底通孔结构。

* **D3（JP2007233418A）**：

* **实质公开/毫无疑问公开了特征A、B、C、E、F，并实质公开了特征D**。

* D3公开了一种通过对三维多孔质体（如共连续嵌段共聚物相分离结构）进行立体露光、选择性充填导电物质来制造三维配线结构的方法（摘要、[0018]）。

* 根据图1及[0073]-[0074]记载：“多孔質体1中に複数層の二次元配線2が形成されており、隣接する所定の２つ二次元配線2は、ビア3によって接続されている”（多孔质体1中形成了多层二维配线2，相邻的给定的两个二维配线2通过通孔3连接）。

* 更关键地，图3及[0077]-[0078]明确公开：“一方の面から配线パターンを露光し、他方の面からビア部のパターンを露光する。その後、无电解めっき等を施すことによって、図３に示すような配线パターン15とビア16とを有する三次元配线构造13が得られる”（从一面露光配线图案，从另一面露光通孔图案，在一枚多孔质片/基底内同时做成配线和通孔）。

* 从微观结构上看，其导电柱/通孔（导电性柱状物）是通过充填连续多孔体空孔形成的。由于其多孔体是由“ミクロ相分離構造（微观相分离结构，如OBDD或Gyroid共连续结构）”去除一相制成（[0086]），充填后的导电物质在微观上由共连续结构的空孔几何形状决定，必然包含交替起伏的微观结构。且[0090]指出“導電性カラムの幅や厚みを均一に作製することができるので、インピーダンス特性も向上する”，这表明其可以通过控制光刻图形和相分离ドメイン（畴）来调节通孔和配线的横截面积、厚度从而控制阻抗。因此，D3在单片基底中利用三维光刻形成的不同截面的配线层与通孔层的垂直重叠，实质上公开了在基底中沿垂直方向延伸并具有不同阻抗段交替布置的通孔过渡。

### 2. 权利要求1与对比文件的特征比对表

下表给出了权利要求1的各个技术特征与对比文件原文的详细比对及出处：

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## 三、 最接近对比文件（D1/D2/D3）的确立与分析

在创造性分析中，确立最接近的对比文件通常遵循“**技术领域相同或相近、解决的技术问题最接近、公开的技术特征最多**”的原则。

### 1. 哪个文件最适合做最接近的对比文件？

本案中，**对比文件3（D3，JP2007233418A）最适合作为最接近的对比文件**。在特定视角下，**对比文件2（D2）也可以作为另一个最接近的对比文件（多源出发点）**。理由如下：

* **D3（最优选出发点）**：

* **技术领域与结构形式完全一致**：D3属于“多层配线基底、立体配线基底（多层立体电路基底）”技术领域（[0001]），且其公开的是**在基底内部**一体化构筑的、由不同截面/厚度的配线和通孔纵向交叠形成的“立体配线/通孔结构”（图3，[0077]）。这与目标专利“形成在基底中、每个部分延伸通过一个或更多个介电层”的内嵌式通孔过渡结构在物理形态上高度契合。

* **解决的技术问题和效果相近**：D3旨在解决微细立体配线难以在薄型基底中自由且高精度构造、容易产生凹凸不平以及层间对准精度低的问题（[0015]-[0017]），其通过高精度阻抗控制来提升高频传输时的阻抗匹配和电气特性（[0090]）。

* **公开特征最多**：D3同时公开了基底内嵌结构（E、F）以及通过截面控制产生的阻抗段立体分布（A、B、C、D）。

* **D2（次选/并列出发点）**：

* **技术原理与滤波架构完全一致**：D2公开的是一种低通滤波器。目标专利发明构思的核心在于“利用交替布置的高低阻抗部分形成阶梯式阻抗低通滤波结构”（说明书[0009]、[0022]）。D2的[0008]和[0014]公开了完全相同的阶梯式高低阻抗级联滤波原理。

* **缺点**：D2属于机械加工的同轴器件领域，缺失了“多层多介电层基底内嵌通孔”的物理载体。

### 2. 未被最接近对比文件完全公开的特征是否被其他文件公开？

* **若以D3为最接近的对比文件**：

* D3原则上已经实质公开了权利要求1的全部特征（即便认为D3中关于高/低阻抗部分的明确定义、数量以及其作为“通孔过渡”去拓展毫米波带宽的特定滤波用途未被完全毫无异议地公开），这些未公开的**特定阶梯式低通滤波阻抗排布特征也被D2完全公开**。D2明确给出了利用变截面外导体形成电感（高阻抗传输线）和接地电容（低阻抗传输线）级联构成低通滤波器的技术方案（[0008]、[0014]）。

* **若以D2为最接近的对比文件**：

* D2未公开特征E（形成在基底中）和特征F（每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层）。而**特征E和特征F已被D1和D3完全公开**。D1明确展示了在陶瓷LTCC多层基底（D1 [0002]-[0003]）中通过各层介电层堆叠、共烧形成的垂直通孔结构（图1E）。D3也明确公开了在微观相分离多孔质基底各层中一体化构筑通孔配线的方案（图3）。

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## 四、 无效请求请求方最薄弱的技术特征

若站在**无效请求方（即试图推翻本专利的人）**的角度，整个权利要求1中**最薄弱（即最难攻破、最不容易被认定为被现有技术公开或显而易见）的技术特征**是：

> **特征D与特征E、F的有机结合**：即**“在多层介电层基底内部，直接利用垂直通孔过渡自身的轴向分段截面变化，来交替构筑高阻抗段和低阻抗段以形成内嵌式低通滤波结构”**。

### 为什么这是最薄弱（对请求方最难）的攻击点？

1. **技术领域和应用场景的实质阻碍（结合目标专利说明书[0024]）**：

目标专利在说明书具体实施方式[0024]中已经精明地进行了“反无效预警”：

> “由于所提出的滤波器和转换器使用的特定目的和通过经由机械部件将传输线相连来构造它们的必要性，当所要解决的问题是如何消除在基底中形成的通孔过渡的电学不连续时，无法诉诸于CN 202205870 U（即D2）...”。

审查指南中判断创造性时，如果两个技术方案的物理载体和应用场景大相径庭，本领域技术人员通常不存在将其结合的**技术启示**。D2是一种体积庞大、用于大功率高抑制的**同轴/机械结构低通滤波器**；而目标专利要解决的是多层芯片基底内部**垂直通孔过渡（Via Transition）在高频下的电学不连续和辐射损耗问题**。请求方极难论证：一个面对多层PCB或LTCC微纳级通孔辐射不连续问题的工程师，会有动机去翻阅大功率同轴电缆机械滤波器的现有技术（D2），并想到把同轴线的外导体变截面结构“塞进”基底内部的垂直通孔中。

2. **物理实现方式的非常规性**：

传统的宽带通孔过渡（如目标专利背景技术[0005]提及的现有技术）都是通过在通孔周围**额外增加补助元件**（如准同轴地通孔、金属腔体、特制补垫）来补偿不连续性。而目标专利抛弃了所有补助元件，直接通过控制通孔**自身**延伸通过不同介电层时的横截面积（直径）和高度（层数），使其自身兼具“过渡导通”与“低通滤波”双重核心功能。 D1虽然公开了多层基底通孔，但其通孔直径是上下一致的常规工艺，根本没有任何阻抗分段控制的启示。

### 应对策略建议：

无效请求方如果想攻破这一点，必须强力依赖**D3（JP2007233418A）**。请求方应主张：D3已经公开了利用多孔体三维立体露光来控制立体配线和通孔的“幅与厚度”以调节阻抗特性（D3 [0090]），本领域技术人员在面对高频传输阻抗匹配需求时，有动机利用D3公开的变截面立体构筑能力，在垂直方向上根据经典的切比雪夫低通滤波器公式（目标专利公式1）连续改变通孔各层截面，从而自然而然地交替布置出高低阻抗段。只有放大D3的“三维立体光刻自由控制阻抗”特征，淡化D2的机械属性，才有可能突破这一最薄弱特征。

根据权利要求1所述的通孔过渡，其中所述基底是低温共烧陶瓷LTCC、高温共烧陶瓷HTCC、液晶聚合物LCP或有机印刷电路板PCB基底

根据权利要求1或2所述的通孔过渡，其中所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)的数目是4；所述高阻抗部分(L2，L3，L4)的数目是3

根据权利要求1或2所述的通孔过渡，其中每个部分的形状都为圆柱形；且所有部分都是同轴对齐的

根据权利要求1或2所述的通孔过渡，其中高阻抗部分(L2，L3，L4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更小；低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更大

根据权利要求1或2所述的通孔过渡，其中所述两个端部分(L1，L5)被分别直接耦接到两个传输线

根据权利要求6所述的通孔过渡，其中所述通孔过渡和所述传输线由金或银制成

根据权利要求2所述的通孔过渡，其中所述LTCC基底由Ferro A6S制成；所述Ferro A6S的介电常数为5.9且损耗因数为0.002

根据权利要求2或8所述的通孔过渡，其中每个LTCC介电层的火后厚度为100um