一种用于制造载体(40)的方法，所述载体能够使得光学元件(45；61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤；提供(201)导电多层载体基片(10)；所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)；在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)；在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)；所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)；在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)；当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度；所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45；61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置；所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的；所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻；所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样；由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。

针对目标专利 **CN101584053B**（权利要求1）与三份对比文件（D1: KR1020060106891A、D2: JP2006287124A、D3: US2006222285A1）的技术特征比对与创造性分析如下：

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### 一、 目标专利权利要求1技术特征拆解

权利要求1（一种用于制造载体(40)的方法）拆解为以下特征：

* **特征A**：一种用于制造载体(40)的方法。

* **特征B**：所述载体能够使得光学元件(45；61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位。

* **特征C**：提供(201)导电多层载体基片(10)。

* **特征D**：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)。

* **特征E**：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)。

* **特征F**：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)。

* **特征G**：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)。

* **特征H**：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)。

* **特征I**：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度。

* **特征J**：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45；61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置。

* **特征K**：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的。

* **特征L**：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻。

* **特征M**：所述蚀刻剂使所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)基本保持原样。

* **特征N**：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。

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### 二、 对比文件技术特征比对表格及详细出处

以下针对对比文件 **D1 (KR1020060106891A)**、**D2 (JP2006287124A)**、**D3 (US2006222285A1)** 进行比对分析：

| **特征D** (上/下/中间载体层) | **实质公开**<br>段落[81]、[130]：具有第1、第2、第3金属层以及夹于其间的绝缘层 [cite: 2006-10-12_KR1020060106891A_发明

作为一名经验丰富的专利代理师，我针对目标专利**CN101584053B**（权利要求1）与提供的三份对比文件**D1（US6964877B2）**、**D2（JP2005538550A）**、**D3（EP1537603A4）**进行深入的比对分析，并提供无效宣告分析及后续检索策略。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1技术特征的深度解释

根据目标专利说明书（CN101584053B），权利要求1的技术方案旨在解决**“传统封装体积大、成本高、透镜/光学元件难以精确定位，以及封装密封剂与金属载体层粘结易剥离、耐环境应力差”**的技术问题。

结合说明书具体解释如下：

1. **导电多层载体基片与三层金属结构（特征B、C、D）**：说明书[0058]、[0060]指出，基片10优选为三层结构，如上/下部载体层（13, 14）为铜（Cu），中间载体层（12）为镍（Ni）。利用添加工艺在Cu上镀Ni再镀Cu形成，为实现高密度封装和选择性蚀刻提供基础。

2. **图案化绝缘间隔层与腔体定位（特征E、F、G、H、I）**：说明书[0016]~[0020]、[0068]解释，绝缘间隔层26（如聚酰亚胺、丙烯酸薄膜）被图案化形成腔27。腔27深度大于芯片41的高度，且腔27的边缘形貌直接限定了光学元件（如透镜45或漫射器61）的侧向/轴向位置，实现了透镜与LED芯片的自对准与精确定位。

3. **选择性蚀刻与钻蚀锚固凹槽（特征J、K、L、M、N）**：说明书[0034]、[0067]是本专利的**核心发明点**。中间层12与上下层13/14材质不同，利用专用的选择性蚀刻剂，在蚀刻中间层12时使上/下层基本不受影响，从而对上部载体层/中间层形成**钻蚀（under-etch/侧蚀）**，产生凹槽（倒扣结构）23。随后注入的密封剂46进入该凹槽23固化后形成机械咬合（锚固效应），大幅增强了密封剂与金属基板的附着力，防止热循环下的分层和剥离。

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### 二、 对比文件原文公开情况及出处分析

1. **对比文件D1：US6964877B2**

* **公开内容**：公开了一种表面贴装LED封装结构及其制造方法。采用绝缘基板（如AlN陶瓷，82），在基板上打孔并填充导电金属（铜等）形成贯穿通孔（vias 14），倒装焊接LED芯片；可配合带腔体的腔体晶圆（cavity wafer 1078）形成反射腔并填充密封胶/荧光粉。

* **原文详细出处**：图12、13，说明书段落[0038]~[0040]、[0060]~[0062]。

* **与本专利差异**：D1采用的是绝缘陶瓷基板+打孔填金属通孔（Via），并非由三层金属构成的导电多层基片；未公开利用多层金属的选择性蚀刻钻蚀形成密封剂锚固凹槽的技术特征。

2. **对比文件D2：JP2005538550A**

* **公开内容**：公开了一种大功率表面贴装发光管芯封装，包括底部散热器/基板20（AlN或氧化铝陶瓷等绝缘高导热材料）、上部散热器/反射板40及浮动透镜50。反射板40围绕LED芯片形成凹腔，用于约束密封胶并支撑/定位透镜。

* **原文详细出处**：图1A~图3，说明书段落[2]（具体见英文/日文原文对应段落[0029]~[0043]）。

* **与本专利差异**：D2基板为单层/复合绝缘陶瓷基板加上表面印制电路导线（traces），未公开三层不同金属构成的多层载体基片，亦无选择性蚀刻钻蚀凹槽结构。

3. **对比文件D3：EP1537603A4**

* **公开内容**：与D2属于同族/相关专利申请，公开内容基本一致（功率SMT LED封装，底部陶瓷基板20 + 上部金属/塑料反射板40 + 浮动透镜50）。

* **原文详细出处**：Figure 1A-Figure 3, Paragraphs [0028]-[0043]。

* **与本专利差异**：同D2，未公开多层金属基片及蚀刻钻蚀形成密封剂咬合凹槽的技术特征。

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### 三、 权利要求1与对比文件技术特征比对表格

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### 四、 最接近对比文件的选择与创造性/无效分析

#### 1. 最接近对比文件的选择

在创造性/无效分析过程中，**D1（US6964877B2）** 与 **D2（JP2005538550A）** / **D3（EP1537603A4）** 均可作为**最接近的对比文件**：

* **选择D1作为最接近对比文件的理由**：D1同样致力于实现晶圆级（Wafer-level）高密度LED封装，其通过在基板上结合腔体层（Cavity Wafer 1078）形成腔体、倒入/填充密封剂并准确定位透镜/荧光粉层（图12、14），其技术领域、整体结构布局及晶圆级制造工艺与目标专利最为接近。

* **选择D2/D3作为最接近对比文件的理由**：D2/D3解决了LED封装中热应力导致密封胶剥离、透镜定位以及通过腔体约束密封剂的技术问题，同样公开了利用侧壁腔体精确定位透镜和包封胶的技术方案。

#### 2. 区别技术特征及技术效果分析

无论以D1还是D2/D3作为最接近对比文件，权利要求1相对于最接近对比文件的**区别技术特征**均为：

* **特征B、C、D、J、K、L、M、N**（即：采用Cu/Ni/Cu等三层不同金属构成的导电载体基片，并在形成导体结构时利用选择性蚀刻剂对中间金属层进行“钻蚀/侧蚀”，在导体结构中形成凹槽，利用该凹槽实现对后续密封剂的机械锚固/咬合）。

**实际解决的技术问题**：如何提高金属导体结构与密封剂之间的机械结合强度，防止封装在热循环或湿气环境下的剥离与分层。

#### 3. 无效请求中最薄弱的技术特征（目标专利的核心防线）

从无效请求人（攻击方）的角度来看，**最难攻破、最薄弱的技术特征**（即目标专利防御力最强的核心发明点）是：

* **特征M + N**：**利用不同金属层在选择性蚀刻下的蚀刻速率差异实现“钻蚀（under-etch）”，在金属导体结构边缘形成倒扣凹槽，进而对密封剂产生物理“锚固（anchoring）”作用。**

现有的对比文件D1、D2、D3均采用陶瓷基板或普通印制电路板，完全未涉及利用“多层金属异质选择性蚀刻钻蚀”来解决密封剂锚固结合的问题。若仅凭D1、D2、D3组合，**无法成立新颖性破坏，也难以拼凑出创造性的技术启示**。

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### 五、 进一步对比文件检索策略（针对无效请求人）

若要成功提出无效宣告请求，必须补充检索能够公开**“多层金属选择性蚀刻/钻蚀形成倒扣凹槽以增强密封树脂锚固/防剥离”** 的对比文件（D4）。具体的检索策略建议如下：

#### 1. 检索技术主题与领域拓展

不要局限于“LED封装”领域，应扩大至**“半导体引线框架（Leadframe）制造”、“BGA/QFN封装载板”、“PCB多层金属蚀刻工艺”** 领域。在这些领域中，为了防止塑封料（Molding Compound）与金属引脚剥离，利用钻蚀凹槽进行“防拉脱/咬合（Interlocking/Anchor lock）”是经典工艺。

#### 2. 分类号（IPC / CPC）组合检索

* **H01L23/495**（引线框架，特别是带有防剥离凹槽、蚀刻凹槽的特征，如 H01L23/49582）

* **H01L21/60、H01L23/29**（半导体器件封料及结合结构）

* **H05K3/06、H05K3/46**（通过蚀刻制备印制电路及多层金属线路）

* **H01L33/62、H01L33/48**（发光器件的封装载体与结构）

#### 3. 关键词表达式构建（中/英/日）

* **基片/多层金属**：(`multi-layer` OR `three-layer` OR `Cu/Ni/Cu` OR `copper nickel` OR `三层金属` OR `多层载体`)

* **蚀刻/钻蚀/倒扣**：(`under-etch` OR `undercut` OR `selective etch` OR `recess` OR `groove` OR `钻蚀` OR `侧蚀` OR `凹槽` OR `アンダーエッチ`)

* **锚固/防剥离**：(`anchor` OR `interlock` OR `adhesion` OR `molding compound lock` OR `咬合` OR `锚固` OR `防剥离` OR `密着`)

#### 4. 重点追溯的优先权日及专利权人

* **优先权日 cutoff**：必须检索申请日/优先权日（约2008年前，结合CN101584053B的实际优先权日）之前的公开文献。

* **重点机构/申请人**：

* **引线框架与封装巨头**：三井高科技（Mitsui High-Tec）、新光电气（Shinko Electric）、住友电工（Sumitomo）、日立化成（Hitachi Chemical）、日月光（ASE）、长电科技（JCET）。

* 这些公司在2000-2006年间申请了大量关于**“通过选择性半蚀刻/侧蚀引线框架（Cu/Ni/Cu或Cu/Ag）形成凸拉扣（Anchor）以防止塑封胶脱落”** 的专利，将此类对比文件与D1或D2结合，可对权利要求1的创造性形成致命打击。

基于您提供的权利要求1、目标专利说明书（CN101584053B）以及三份对比文件，我作为专利代理师为您进行详细的专利有效性/无效性对比分析。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求的解释与术语厘清

结合目标专利说明书（CN101584053B）的记载，对权利要求1的关键技术特征及其技术含义解释如下：

1. **“导电多层载体基片(10)”及“三层结构（上/中/下层）”**：

- 说明书第[0058]、[0060]段指出，基片优选由三层金属组成：上部Cu层(13)、中间Ni层(12)和下部Cu层(14)。

2. **“上部导体结构(22)”与“腔(27)”的定位作用**：

- 说明书第[0016]、[0068]段解释：在绝缘间隔层(26)中图案化形成腔(27)，腔深度大于光学半导体元件（如LED 41）的高度。腔的延伸、形状与深度精确限定了透镜/漫射器（45/61）相对于LED的相对轴向和横向位置。

3. **选择性蚀刻与“钻蚀（under-etch）/凹槽(23)”**：

- 说明书第[0034]、[0067]段说明：中间层(12)采用与上下层不同的金属（如Ni对比Cu），利用选择性蚀刻剂在中间层进行钻蚀，从而在上部导体结构(22)的侧边形成**凹槽(23)**。其核心功能是**改善随后施加的密封剂（如硅胶46）在载体上的机械锚定（mechanical anchoring）**。

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### 二、 对比文件公开情况与特征比对分析

#### 1. 各对比文件基本信息与公开号对应

- **D1**：`CN1647268A`（公开日：2005-07-27，同族JP2005522860A）

- **D2**：`JP2005522860A`（公开日：2005-07-28，与D1为同族专利）

- **D3**：`CN1679168A`（公开日：2005-10-05）

#### 2. 特征比对分析（毫无异议公开 / 实质公开 / 未公开）

* **D1（CN1647268A）/ D2（JP2005522860A）**：

- **公开了技术特征 C、D、E、K、L、M、N**。

- *出处*：D1说明书第3页、第5-6页及图1-9（对应D2说明书[2]及图1-9）。D1公开了第一金属层(11, Cu)、中间层(12, Al)和第二金属层(13, Cu)的三层堆叠结构；利用对Al选择性的蚀刻剂（如KOH）蚀刻中间层形成侧面凹进(16)（即钻蚀形成凹槽），当施加封装体(40)时充填凹进，实现**机械锚定**。

- *未公开*：特征 A、B、F、G、H、I、J（即在载体上设置图案化绝缘间隔层形成腔，用于容纳光学半导体元件并准确定位光学元件的相关特征）。

* **D3（CN1679168A）**：

- **公开了技术特征 A、B、F、G、H、I、J（实质公开）**。

- *出处*：D3说明书第6-8页，图1A-图3。D3公开了一种LED封装，包含基板(20)、反光板(40)和透镜(50)。反光板(40)耦合到基板并围绕安装垫片，形成容纳LED(60)的腔；透镜(50)支撑于反光板上，由反光板限定透镜相对于LED的位置；腔内充填密封材料(46)。

- *未公开*：特征 C、D、E、K、L、M、N（即采用三层金属基片以及通过中间层选择性钻蚀形成凹槽以实现密封剂锚定的工艺结构）。

#### 3. 详细特征比对表

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### 三、 最接近的对比文件分析（基于整体技术问题与技术效果）

在创造性分析中，**D1（CN1647268A，或其同族D2）与D3（CN1679168A）均可作为最接近的对比文件**，具体视无效宣告攻防的切入路线而定：

1. **以 D1 / D2 为最接近的对比文件（推荐为主路线）**：

- **技术领域与架构**：D1公开了采用三层金属基片（Cu-Al-Cu）制作电子器件载体的方法，且其**核心技术发明点**在于“利用中间层选择性蚀刻产生凹槽（钻蚀），使随后施加的封装体充填凹槽实现机械锚定”。这与目标专利说明书第[0034]段解决“密封剂锚固”的技术问题和手段**完全相同**。

- **区别特征**：D1未公开在载体上提供“图案化绝缘间隔层以形成用于容纳光学半导体元件并定位光学元件的腔”（即特征F, G, H, I, J）。

- **组合逻辑**：结合D3（D3公开了在LED封装中利用围绕元件的结构/反光板形成腔并用于支撑定位透镜），在D1的三层金属锚定载体上叠加光学封装常识或结合D3的腔体定位结构是本领域技术人员的显而易见的改进。

2. **以 D3 为最接近的对比文件（备选路线）**：

- **技术领域**：D3同属于光学半导体（LED）封装领域，解决了光学元件（透镜）相对于LED准确定位的问题。

- **区别特征**：D3的基板是陶瓷（AlN/Al2O3），未公开目标专利的三层金属结构及其选择性蚀刻钻蚀形成密封剂锚定凹槽的特征（特征C, D, E, K, L, M, N）。

- **组合逻辑**：以D3为起点，为了增强封装体与基板的结合力（解决机械锚定问题），结合D1中公开的“三层金属选择性蚀刻形成锚定凹槽”的技术教导。

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### 四、 无效请求中最薄弱的技术特征分析

权利要求1中**最薄弱的技术特征是：特征F、G、J（在载体上施加图案化的绝缘间隔层，通过绝缘间隔层形成腔，并利用该腔限定光学元件的位置）**。

* **薄弱原因**：

1. **概念重合与等同替换**：在LED封装领域，利用绝缘层/胶层/反光杯在基板上开腔以安装芯片并承载透镜是极常见的常规设计（如D3中的反光板40/支架44）。

2. **说明书实施例对“绝缘间隔层”的宽泛界定**：目标专利说明书第[0023]、[0026]段提到，绝缘间隔层可以是常规的聚酰亚胺箔（光敏胶）、环氧树脂等。将光刻胶/绝缘干膜直接层压在金属基片上开孔作为腔体，属于PCB和半导体封装领域的公知常识（如阻焊层/有机绝缘层开窗口）。

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### 五、 进一步对比文件检索策略（检索建议）

为了确保彻底击毁权利要求1及后续从属权利要求的创造性/新颖性，建议采取以下进一步检索策略：

1. **针对“绝缘间隔层形成腔体+定位光学元件”的补充检索**：

- **分类号组合**：`H01L33/48`（半导体发光器件的封装）、`H01L21/56`（封装工艺）、`H05K3/00`（印制电路板制造）。

- **关键词表达式**：`(绝缘层 OR 间隔层 OR 阻焊 OR 膜 OR 聚酰亚胺 OR spacer OR dam OR insulating layer) AND (腔 OR 槽 OR 窗口 OR cavity OR recess) AND (透镜 OR 光学 OR lens OR optical) AND (定位 OR 支撑 OR align OR position)`

2. **针对“三层金属钻蚀/侧蚀形成悬檐凹槽以锚定塑料/封胶”的组合公知常识检索**：

- 重点搜索2004年之前的QFN/Leadframe封装专利，特别是涉及`under-cut`（钻蚀/倒角）、`interlock`（机械互锁）、`anchoring`（锚定）的引线框架（Leadframe）制造工艺专利。

3. **针对从属权利要求的预先防护检索**：

- 关注目标专利说明书中提到的“光敏胶曝光显影（Photoimageable material）形成腔体”以及“倒装芯片（Flip-chip）在腔内通过凸块连接”等从属特征，提前锁定包含“光敏聚酰亚胺（PSPI）干膜开腔”的电路板/载体制造对比文件。

针对目标专利权1，结合目标专利说明书（CN101584053B）及对比文件（D1: US6871982B2、D2: KR1020050061464A、D3: US20050153483A1）的原文细节，为您提供一份系统、严谨的专利无效及技术对比分析报告。

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## 一、 权利要求1的技术特征分解与说明书原意解释

目标专利（CN101584053B）解决的核心技术问题在于：**在实现光学半导体器件（如LED）与外部光学元件（如透镜）精确定位的同时，提供高集成度、高可靠性（耐热应力）且易于大批量切割（Singulation）的载体结构及制造方法。**

结合说明书原文对权利要求1（技术特征A-N）的法律及技术内涵进行界定：

* **技术特征A-B（前言）：** 一种用于制造载体(40)的方法，所述载体能够使得光学元件(45；61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤；

* *说明书解释*：对应说明书段落[0001]、[0011]，指通过载体本身形成的机械结构（腔体及其边缘）对透镜、漫射器等光学元件施加物理对准限制。

* **技术特征C-D（多层基片）：** 提供(201)导电多层载体基片(10)；所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)；

* *说明书解释*：对应段落[0060]，典型结构为Cu-Ni-Cu三层金属板，作为整体导电载体。

* **技术特征E（上部导体结构）：** 在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)；

* *说明书解释*：对应段落[0066]-[0067]，通过选择性蚀刻在上层Cu和中间Ni中形成图形化的电极/线路结构。

* **技术特征F-G（图案化绝缘间隔层及腔体）：** 在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)；所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)；

* *说明书解释*：对应段落[0023]、[0068]，将可光成像（如聚酰亚胺箔）层压或旋涂并显影，形成开孔腔体。

* **技术特征H-J（腔体深度与定位限制）：** 在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)；当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度；所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45；61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置；

* *说明书解释*：对应段落[0016]、[0068]，腔深（绝缘层厚度）大于芯片高度，使其完全沉入，腔体边沿提供光学元件定位卡位。

* **技术特征K-N（异质金属选择性蚀刻形成钻蚀锚固槽）：** 所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的；所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻；所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)*[注：权利要求书中此处笔误，指上层13]*和所述下部载体层(14)基本保持原样；由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。

* *说明书解释*：对应段落[0034]、[0067]，利用Ni与Cu的化学蚀刻选择性差，对中间Ni层进行侧向钻蚀（Under-etch），形成下切侧槽（凹槽23），使填充的密封胶（如硅胶）产生机械互锁（Mechanical Anchoring），极大增强封装结构可靠性。

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## 二、 对比文件特征比对及公开事实分析

代号说明与公开号映射：

* **D1：** US6871982B2

* **D2：** KR1020050061464A

* **D3：** US20050153483A1

### 1. 各对比文件原文详细公开分析

#### **D1 (US6871982B2)**

* **公开内容：** D1公开了一种高密度LED照明系统。其中公开了在底板（Backplane 94）上安装倒装芯片LED（118），上部结合具有倾斜侧壁的反射槽/腔体阵列（Reflecting Bins 82），且在腔体上方设置微棱镜片（Prism Sheets 88, 92）等光学元件。

* **公开情况：**

* 公开了：特征A, B, C, F, G, H, I, J。

* *段落[00142]-[00143] & Fig 3A, 4A, 5A* 公开了具有腔体的反射阵列件（126），腔体深度（G1, 102）容纳LED芯片，腔体上方配合棱镜片/偏振片（光学元件），限定其位置。

* **未公开：** 特征D, E, K, L, M, N。D1的导电底板为PCB或硅基板，未公开由上/中/下三层金属组成的导电基片，更未公开通过侧向钻蚀中间金属层形成用于密封剂锚固的凹槽。

#### **D2 (KR1020050061464A)**

* **公开内容：** D2公开了一种功率表面贴装式LED封装体。包含底座散热基板（20/기판）、上部散热器/反射板（40/상부 방열기），在基板上形成电极线路（22, 24），且反射板（40）形成围绕LED（60）的腔体（42），上部设有用于支撑透镜（50）的台阶/边缘（Ledge 44），腔体内填充密封胶（46）。

* **公开情况：**

* 公开了：特征A, B, G, H, I, J。

* *说明书[0030], [0040]-[0044] & Fig 1b, 3* 公开了反射板/绝缘结构（40）形成腔体围绕LED，腔深大于LED，顶部台阶（Ledge 44）精确定位透镜（50），且腔内填封胶（46）。

* **未公开：** 特征C, D, E, F, K, L, M, N。D2的反射腔体是由单独的金属/塑料反射板（40）通过粘结剂贴合在AlN/Al2O3绝缘基板（20）上形成的，并非在多层金属基片上通过层压绝缘层并图案化形成；且完全不涉及三层异质金属蚀刻形成钻蚀凹槽的工艺。

#### **D3 (US20050153483A1)**

* **公开内容：** D3公开了一种包含“第一金属层-中间层-第二金属层”三层金属架构的电子器件载体及其制造方法。

* **公开情况：**

* 公开了：特征C, D, E, K, L, M, N。

* *说明书段落[0012]-[0014], [0032], [0048]及Fig 1, Fig 6* 明确公开：提供三层金属构成的载体（Cu 11 - Al 12 - Cu 13），中间Al层（12）能够被碱液（如KOH，[0056]）选择性蚀刻，而Cu层保持完好；这种选择性蚀刻在第一金属层下产生了钻蚀（Underetching / Recesses 16），当随后包覆密封剂（Envelope 40）时，密封剂进入凹槽（Recesses 16）形成**机械锚固（Mechanical anchor/clamping）**。

* **未公开：** 特征A, B, F, G, H, I, J。D3主要针对通用半导体芯片（如晶体管、IC）封装，未公开针对光学元件精确定位的“图案化绝缘间隔层”以及形成特定深度大于芯片高度的“光学腔体”。

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### 2. 特征比对表格（Feature Comparison Matrix）

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## 三、 最接近对比文件分析与创造性（Invalidity/Inventive Step）评价

### 1. 最接近对比文件的选择

在创造性评价中，适合作为最接近对比文件（Primary Prior Art）的有 **D1** 或 **D2**。

* **选择理由 1：以 D1 (US6871982B2) 为最接近对比文件（首选）**

* **整体技术问题与效果：** D1与目标专利同属于光学半导体高密度封装/照明领域，致力于解决LED芯片阵列在紧凑空间内的精确对准、散热以及透镜/微棱镜片等光学元件的防错位安装问题。

* D1公开了权利要求1中绝大多数与“光学定位腔体”相关的特征（A, B, F, G, H, I, J）。

* **选择理由 2：以 D2 (KR1020050061464A) 为最接近对比文件（备选）**

* **整体技术问题与效果：** D2解决大功率SMD LED封装中光学透镜准确定位、热应力释放以及密封胶固化的问题（D2段落[0040]-[0044]）。其公开了带有台阶定位边缘（Ledge 44）的腔体以及浮动透镜结构，与目标专利光学元件定位的设计初衷高度契合。

### 2. 结合 D3 组合攻击创造性（结合性分析）

**攻击路线：D1（或D2） + D3**

* **对比 D1 与权利要求1的区别特征：**

1. 导电基板采用了“上-中-下”三层异质金属构成的多层载体基片（特征C, D, E）；

2. 利用中间层与上下层的金属差异进行选择性侧向蚀刻，在上部导体结构中形成钻蚀凹槽，用以改善密封剂的机械锚固（特征K, L, M, N）。

* **实际解决的技术问题：**

如何在兼顾导电载体薄型化的同时，增强封密封剂（密封胶）在金属导体结构上的附着力（机械锚固力），防止封装体开裂脱层。

* **结合显而易见性（结合启示）：**

* D3（US20050153483A1）专门针对半导体封装载体中密封胶附着力不足、易脱落的问题，给出了**明确的技术教导（Technical Teaching）**：即采用Cu-Al-Cu（或Cu-Ni-Cu）等三层异质金属基片，利用KOH等选择性蚀刻剂侧向钻蚀中间Al层，从而产生下切凹槽（Recesses 16）；当灌封胶（Envelope 40）流入并固化后，实现密封胶的机械锁合（Mechanical Anchor）（D3段落[0014], [0048], [0050]）。

* 本领域技术人员在面对D1（或D2）中密封胶与金属电极结合力不足或受热应力易脱层的技术缺陷时，在D3的明确教导下，**有强烈的动机**将D3所述的三层异质金属钻蚀锚固结构应用于D1（或D2）的导电基片中。

* 结合后的技术效果完全是两者的叠加（D1提供光学腔体定位，D3提供金属下切凹槽锚固），未产生预料之外的技术效果（Unexpected Technical Effect）。因此，权利要求1不具备创造性（符合《专利审查指南》第四部分第六章）。

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## 四、 无效请求中最薄弱的技术特征与补强策略

### 1. 目标专利最薄弱的技术特征分析

经过深度比对，目标专利权利要求1在无效宣告程序中**最薄弱（最容易被攻破）的技术特征是：特征K, L, M, N（即“异质中间金属层选择性蚀刻形成钻蚀凹槽以锚固密封剂”）**。

* **薄弱原因：**

专利权人在撰写此特征时，其解决的机械锚固手段（利用异质金属侧蚀形成凹槽）属于半导体引线框（Leadframe）和PCB载体制造领域的**公知常识/常规技术手段**。D3对此特征的公开达到了“字面完全覆盖”的程度（包含材料、蚀刻剂类型、凹槽形态以及机械锚固效果）。专利权人无法以此特征作为区分于现有技术的核心发明点。

### 2. 进一步对比文件检索策略（Search Strategy）

若需对从属权利要求或可能修改的独立权利要求（例如引入了中间绝缘层、特定光刻胶胶膜层压工艺等特征）进行彻底无效，建议采取以下二次检索策略：

1. **策略一：围绕“绝缘间隔层（Spacer Layer）的材料与形成工艺”进行补充检索**

* *目标特征*：说明书段落[0026]、[0068]中提及的“可光成像的干膜（Photoimageable Film/Foil）层压”或“旋涂BCB/聚酰亚胺后光刻开腔”作为光学定位件。

* *检索关键词组合*：`(LED OR "optical semiconductor") AND (spacer OR "cavity layer" OR "insulating layer") AND (photoimageable OR dry-film OR polyimide) AND (lamination OR spin-coating)`

* *分类号*：`H01L33/48`, `H01L33/60`, `H01L23/495`

2. **策略二：针对“三层金属侧蚀/凹槽锚固（Under-etching / Anchoring Slot）”扩展引线框领域对比文件**

* *目标特征*：进一步巩固D3的证据链，防止专利权人以“光电封装与常规IC封装不同”进行抗辩。

* *检索关键词组合*：`(leadframe OR substrate) AND (under-etch* OR undercut) AND (anchor* OR interlocking) AND (tri-layer OR "copper-nickel-copper" OR "Cu-Ni-Cu")`

* *分类号*：`H01L23/495`

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## 五、 总结结论

1. **新颖性：** 对比文件D1、D2、D3均未**单独**完全公开权利要求1的所有特征，权利要求1具备新颖性。

2. **创造性：** **权利要求1不具备创造性**。本领域技术人员以 **D1（或D2）为最接近的对比文件**，结合 **D3** 关于三层异质金属钻蚀凹槽以增强密封剂锚固的技术教导，无需付出创造性劳动即可获得权利要求1的技术方案。

<ElicitationsGroup message="针对该专利无效案，您可以选择以下进一步的操作方向：">

<Elicitation label="生成针对从属权利要求的无效预演与抗辩预测" query="请针对目标专利CN101584053B的从属权利要求，结合D1-D3进行创造性评估，并预测专利权人可能的修改抗辩方向。"/>

<Elicitation label="拟定无效宣告请求书的技术对比逻辑框架" query="请按照国家知识产权局专利复审标准，为本案撰写一份逻辑严密的无效宣告请求书（创造性部分）的技术对比意见大纲。"/>

</ElicitationsGroup>

作为一名经验丰富的专利代理师，我紧密结合目标专利（CN101584053B）说明书对权利要求1进行全面拆解，并结合对比文件（D1：WO2004023522A2、D2：US20040079957A1、D3：JP2004207621A）的原文出处进行对比分析与无效攻防评估。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1技术特征的解读

结合目标专利（CN101584053B）说明书，权利要求1的技术特征可具体解读如下：

* **前言部分（特征A、B）：** 属于“制造载体（40）的方法”，目的在于使透镜/漫射器等光学元件（45；61）相对于发光二极管（LED）等光学半导体元件（41）实现准确定位。

* **基片结构（特征C、D、K）：** 采用由三种金属层构成的多层导电基片（10），具体为“上部Cu层（13）— 中间Ni层（12）— 下部Cu层（14）”（说明书[0058]、[0060]）。

* **上部导体结构与化学蚀刻（特征E、L、M、N）：** 利用中间层（Ni）与上下层（Cu）的材质化学差异，使用选择性蚀刻剂去除部分中间层，产生**“钻蚀（under-etch）”效果，从而在导体结构（22）侧方形成凹槽（23）**。其核心技术效果在于：利用该侧向凹槽（23）物理卡紧随后注入的密封剂（46），显著增强密封剂到载体基片（10）上的“锚固（anchoring）”强度（说明书[0034]、[0067]、图3g）。

* **绝缘间隔层与腔体（特征F、G、H、I、J）：** 在基片上侧层压或旋涂图案化的绝缘间隔层（26）（如聚酰亚胺或丙烯酸箔），形成腔（27）。腔的深度大于光学半导体元件（41）的高度，腔（27）不仅容纳芯片（41），其侧壁与边缘结构还起到了机械/光学参考面的作用，用以精确限定透镜（45）或漫射体（61）的安装位置（说明书[0011]、[0016]、[0068]）。

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### 二、 对比文件公开内容与原文详细出处分析

现将各对比文件针对权利要求1各特征的公开情况及原文段落/附图出处梳理如下：

#### 1. D1：WO2004023522A2（公开号：WO2004023522A2）

* **公开的技术特征：**

* **特征A、B、H、J（部分公开）：** 公开了一种管芯封装，包括基底（substrate 20）、反射板（reflector plate 40）和透镜（lens 50）。反射板40围绕发光二极管（60）并具有支撑透镜（50）的突出/台阶部（ledge 44），能够限定透镜相对LED的位置（段落[0009]、[0042]、图1B、图3）。

* **未公开的技术特征：**

* **特征C、D、K：** D1的基片20为氮化铝（AlN）或氧化铝（Al2O3）等单层陶瓷绝缘绝缘基板（段落[0030]），并非“导电多层金属载体基片（Cu/Ni/Cu）”。

* **特征E、L、M、N：** 没有采用不同金属层的选择性蚀刻/钻蚀技术，未在导体结构中形成用于锚固密封剂的侧向凹槽。

* **特征F、G、I：** D1中的反射板40属于金属、塑料或陶瓷制成的顶置散热/反射结构（top heat sink/reflector plate，段落[0039]），通过粘合剂贴合在基板上，并非在基片侧“提供图案化的绝缘间隔层”。

#### 2. D2：US20040079957A1（公开号：US20040079957A1）

* **公开的技术特征：**

* **特征A、B、H、J（部分公开）：** 同样公开了通过反射板（40）与透镜（50）定位光学元件的封装结构（段落[0009]、[0053]、图1B）。

* **特征F（实质公开部分属性）：** D2在段落[0011]、[0059]-[0061]中公开了基片20b可以由导电/导热金属板51（如铜、铝）构成，且在金属板51表面形成有薄的导热绝缘膜48（Thermal Clad陶瓷/聚合物膜），绝缘膜上形成导电迹线22、24。

* **未公开的技术特征：**

* **特征C、D、K：** D2的金属基板51为单层铜或铝板（段落[0066]），搭配表面涂覆的绝缘薄膜48，并非“上部载体层、下部载体层以及中间载体层”构成的多层金属基片。

* **特征E、L、M、N：** 没有中间金属层的选择性蚀刻及“钻蚀”凹槽锚固结构。

* **特征G、I：** 绝缘膜48仅为平板状涂层，未图案化形成深度大于芯片高度的腔（27）。

#### 3. D3：JP2004207621A（公开号：JP2004207621A）

* **公开的技术特征：**

* **特征A、B、F、G、H、J（实质公开相关构想）：** 公开了一种发光素子封装，由多层陶瓷生片（1a, 1b, 1c）积层烧结形成绝缘基体（1），上面开有用于容纳发光素子（3）的凹部/腔（4）（段落[0008]、[0017]、图1）。

* **特征N（技术问题与防脱落效果相近，但结构和方法不同）：** D3针对“透明树脂容易从封装凹部脱落”的技术问题（段落[0006]），在凹部4底部形成了具有段差（8a、9a）或下大上小台阶形状的孔（8、9、10），使填充的透明树脂卡死在孔内，防止脱落（段落[0008]-[0010]、[0027]-[0028]、图1、图7-图10）。

* **未公开的技术特征：**

* **特征C、D、E、K、L、M、N（结构与工艺实现方式）：** D3采用的是陶瓷绿片冲孔积层烧结工艺（段落[0017]、[0034]），其防脱落结构是陶瓷基材上的宏观物理阶梯孔（8），而**完全没有公开**“多层金属基片（Cu/Ni/Cu）”、“利用选择性化学蚀刻剂钻蚀中间金属层”以及“在导体结构侧面形成蚀刻凹槽（23）以锚固密封剂”的技术特征。

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### 三、 权利要求1与对比文件技术特征比对表

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### 四、 最接近对比文件的选择与创造性分析

#### 1. 最接近对比文件的确定

在创造性审查或无效宣告中，评估“最接近的对比文件”需综合考量**技术领域、解决的技术问题、技术效果及技术特征叠加度**：

* **对比文件D2（US20040079957A1）适合作为第一最接近对比文件：**

* *理由：* D2同样属于“金属基底的LED封装”领域，公开了在金属导电基板（铜/铝）上涂覆薄绝缘层（Thermal Clad膜）并在其上作线（段落[0059]），且采用了反射器/透镜一体化定位机制，与目标专利在基板高导热金属化及大批量SMT制造的技术方向上最为接近。

* **对比文件D3（JP2004207621A）适合作为第二最接近对比文件：**

* *理由：* D3与目标专利**试图解决的二次技术问题完全相同** —— 即“防止封装内部密封树脂/胶水因热应力从基片表面剥落脱落”（D3段落[0006]与目标专利说明书[0034]）。

#### 2. 最接近对比文件未公开特征在其他文件中的显现情况

假定以 **D2** 为最接近的对比文件：

* **区别技术特征为：** 特征C、D、E、K、L、M、N（即：三层金属基片结构，利用中间层与上下层的选择性化学蚀刻差，通过“钻蚀”在导体结构侧边形成用于锚固密封剂的凹槽23）。

* **其他对比文件的结合性分析：**

* 检索的三份对比文件（D1、D2、D3）中，**没有任何一份文件公开了“三层金属基片选择性蚀刻钻蚀凹槽”** 这一化学微加工结构。

* 虽然D3提出了“在基底上制造阶梯物理孔以锚固树脂”的技术思想，但其是通过多层陶瓷生片冲孔叠层烧结（物理成型）实现的，**并未给出“通过多层金属湿法化学选择性蚀刻/钻蚀”来形成导体侧边微凹槽**的技术启示。

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### 五、 无效宣告请求中最薄弱的技术特征及攻击难点分析

在针对目标专利权利要求1提起无效宣告时，**最薄弱（即最难被无效掉、专利权人最强的防御堡垒）的技术特征是：特征K、L、M、N的组合**。

#### 薄弱点/攻击难点深度解析：

1. **“多层金属选择性蚀刻-钻蚀锚固”形成了高度协同的结构与效果：**

目标专利巧妙利用了PCB/引线框架加工中的湿法蚀刻特性：通过预先叠层“Cu-Ni-Cu”（特征D、K），利用不同金属对特定蚀刻液的反应活性差异（特征L、M），使得中间Ni层被横向钻蚀，从而在上部导体侧壁自发形成微观悬空凹槽（特征N）。

2. **技术效果明确且具有预料不到的显著进步：**

这一微观凹槽结构无需额外的机械冲压或复杂三维建模，在形成上层导电图案的同时，“顺带”解决了树脂密封胶在高低温循环下易剥离脱落的行业痛点（说明书[0034]）。

3. **现有技术存在技术偏见与教导缺位：**

现有技术（如D1、D2）多侧重于依靠表面涂布粘合剂或宏观结构压合；而D3虽关注树脂脱落，但采用的是陶瓷多层板冲孔逻辑。将“陶瓷冲孔防脱落”跨领域结合到“金属三层板湿法化学钻蚀凹槽防脱落”，存在较大的技术障碍（Technical Barrier），审查员/复审委极易认定该组合具备非显而易见性（创造性）。

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### 六、 进一步的对比文件检索策略（针对特征K-N）

为了彻底攻破权利要求1的创造性，后续检索必须**打破常规LED封装分类号限制，转向微电子加工及半导体引线框架（Leadframe）湿法蚀刻领域**。建议采用以下检索策略：

1. **扩展技术领域（IPC/CPC分类号重定位）：**

* 不应仅局限于LED封装（`H01L33/00`、`H01L23/00`）。

* 应重点拓展至：

* `H01L21/48`（专门涉及半导体器件封装基板/引线框架的制造方法）；

* `C23F1/00` - `C23F1/44`（金属材料的选择性化学蚀刻技术）；

* `H05K3/06` / `H05K3/38`（印制电路板中通过化学蚀刻增加金属与绝缘树脂结合力/锚固力的技术）。

2. **关键词组合逻辑（Focus on Chemical Etching & Anchoring）：**

* **核心逻辑链：** `[多层金属/铜镍铜/Cu-Ni-Cu]` + `[选择性蚀刻/钻蚀/侧蚀/Under-etch/Undercut]` + `[凹槽/锁紧/锚固/Anchoring/Interlocking/Keying]` + `[树脂/密封胶/塑封料/Encapsulant/Resin]`.

* *示例检索式（EN）：* `((under-etch* OR undercut* OR side-etch*) NEAR3 (groove* OR recess* OR cavity)) AND (anchor* OR interlock* OR keying) AND (sealant OR resin OR polymer OR encapsulant) AND (selective* NEAR2 etch*)`

3. **重点排查特定的技术来源与专利族：**

* **引线框架（Leadframe）巨头专利：** 重点检索住友电工（Sumitomo）、长电科技、三井金属（Mitsui）、大日本印刷（DNP）、日月光（ASE）在2000年~2008年间关于“无引线封装（QFN/DFN）”或“增强塑封料附着力（Mold Compound Adhesion Enhancement）”的微蚀刻专利。

* 在2000年前后，QFN封装引线框架行业曾大量采用“选择性半蚀刻（Half-etching）”或“双金属层钻蚀（Undercutting）”技术来防止塑封树脂脱落（即所谓的“Mechanical Interlocking”机制）。若能在此类引线框架制造专利中检索到“利用Cu/Ni选择性蚀刻形成锚固槽”的技术特征，即可与D2或D1进行跨领域组合，彻底无效掉权利要求1。

作为一名经验丰富的专利代理师，我紧密结合目标专利说明书（授权号：CN101584053B）及对比文件原文对权利要求1进行深入分析。

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## 一、 目标专利说明书对权利要求1技术特征的解读

在理解权利要求1的技术特征时，需结合目标专利说明书的记载，明确各术语的本质含义及技术逻辑：

1. **载体与准确定位（特征A-B、J）**：

* **说明书依据**：说明书第[0016]、[0020]段指出，在载体上提供图案化的绝缘间隔层（26），其形成的腔（27）能通过自身的形状、延伸和/或深度，精确限定光学元件（透镜45或漫射器61）相对于光学半导体元件（LED 41）的位置。

2. **多层载体结构（特征C-D、K-M）**：

* **说明书依据**：说明书第[0058]-[0067]段（图3a-3g），基片（10）由下部Cu层（14）、上部Cu层（13）及中间Ni层（12）组成。中间层与上下层采用不同金属，使得能够使用对中间层具有选择性的蚀刻剂进行选择性蚀刻。

3. **上部导体结构与腔深度（特征E-I）**：

* **说明书依据**：说明书第[0066]-[0068]段，在步骤206、207中蚀刻上部层和中间层形成上部导体结构（22）；在步骤208、209中层压/施加可光成像的膜（24，如聚酰亚胺或丙烯酸箔）并显影形成腔（27）。腔的深度大于LED（41）的高度，使得LED容置于腔内并倒装连接于焊盘（43）。

4. **选择性钻蚀与锚固作用（特征N）**：

* **说明书依据**：说明书第[0034]及[0067]段特别指出：“通过在中间载体层12和上部载体层13中提供可被选择性蚀刻的不同金属，可以执行钻蚀（under etch），由此形成凹槽23……这些凹槽23能够改进随后施加的密封剂到载体基体10的锚固。”

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## 二、 对比文件技术特征比对与公开性分析

下表对权利要求1的各项技术特征在对比文件中的公开情况进行了详细比对（附对比文件公开号及原文出处）：

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## 三、 接近的对比文件分析（基于技术问题与效果）

在评估创造性时，最接近的对比文件通常应当是与要求保护的发明**技术领域相同、所解决的技术问题和技术效果最接近、或者公开了最多个技术特征**的现有技术。本案中存在**双核心发明点**（光学定位腔体 + 异质多层金属选择性刻蚀钻蚀锚固），因此可确定以下两个最接近的对比文件：

### 1. D1 (US20030189829A1) —— 光学封装领域的最接近对比文件

* **技术领域与问题**：同属于LED发光/光学半导体封装领域，解决高密度LED散热、光学反射定位以及密封胶透镜封装的技术问题。

* **技术效果匹配**：公开了利用带有开口/腔的结构包围LED芯片，并在腔内充填透明密封剂/透镜，从而精准控制光学辐射方向。

* **缺失特征**：D1完全未公开导电多层金属载体基片（Cu-Ni-Cu或Cu-Al-Cu）以及选择性蚀刻中间层形成钻蚀凹槽（特征C, D, E, K, L, M, N）。

### 2. D2 (WO2003085728A1) —— 载体制造工艺领域的最接近对比文件

* **技术领域与问题**：属于半导体器件载体（Carrier）及其制造方法领域，旨在解决多层金属载体在封装过程中的机械强度、微型化以及封装胶与金属载体结合力差易脱落的技术问题。

* **技术效果匹配**：公开了与本专利**完全相同**的选择性蚀刻多层金属结构（Cu-Al-Cu），利用中间层（Al）被KOH选择性刻蚀而上下层（Cu）不被蚀刻的特性产生钻蚀凹槽（recesses 16），使随后的密封剂（envelope 40）嵌入凹槽中形成“机械锚固（mechanical anchor）”，显著提升锚固牢固度。

* **缺点/区别**：D2未应用于光学半导体器件，未公开“图案化的绝缘间隔层”以及“深于芯片且用于限定光学元件位置的腔”（特征A, B, F, G, H, I, J）。

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## 四、 结合对比文件的组合创造性与最薄弱特征分析

### 1. 组合路线与特征覆盖

如果以 **D1**（或D3）作为第一对比文件（提供光学封装与定位腔的整体架构）：

* **区别特征**：特征C、D、E、K、L、M、N（即三层异质金属载体选择性蚀刻形成钻蚀凹槽以锚固密封剂）。

* **特征来源**：上述区别特征被 **D2 (WO2003085728A1)** **全盘公开**。D2在第[0010]、[0031]、[0037]段明确教示了：为了解决封装胶与金属载体粘附性差的问题，采用Cu/Al/Cu三层载体，选择性刻蚀中间Al层形成侧向凹槽（16），塑封胶流入凹槽形成锚固。

* **结合动机**：本领域技术人员在面对D1中密封胶/树脂与金属导体层结合不够牢固、易剥离的技术问题时，有明确的技术启示去结合D2中的三层金属选择性刻蚀锚固技术。

### 2. 无效请求中最薄弱的技术特征分析

本专利在无效宣告程序中**最薄弱的技术特征是：特征K-N（选择性蚀刻异质中间金属层形成钻蚀凹槽以改进密封剂锚固）**。

* **薄弱原因**：

1. 尽管特征K-N在LED封装领域看似具有一定特殊性，但其本质是**IC/电子封装载体制造中的通用金属刻蚀与机械锚固手段**。

2. **D2 (WO2003085728A1)** 对特征K-N的公开程度达到了**完全预期的重合**——不仅材料作用机制相同（选择性蚀刻中间层），而且**技术效果完全一致**（均利用钻蚀形成的凹槽改善密封剂/塑封胶的机械锚固）。

3. 一旦将D1（光学定位腔架构）与D2（三层金属刻蚀锚固结构）进行结合，权利要求1的所有技术特征均被覆盖，且组合逻辑顺畅，创造性极易被击破。

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## 五、 进一步的对比文件检索策略

为了在无效宣告程序中构建更具毁灭性的“单篇摧毁（破坏新颖性）”或“更顺畅的创造性组合”，建议采取以下进一步检索策略：

1. **精准IPC分类号交叉检索**：

* **光学/LED封装分类**：`H01L33/48`, `H01L33/62`, `H01L23/495`, `F21K9/00`

* **印刷电路/多层载体制造分类**：`H05K3/00`, `H05K3/06`, `H05K1/02`, `H01L21/60`

* **逻辑运算**：将（LED/光学半导体/腔体定位）关键词与（三层金属/Cu-Ni-Cu/Cu-Al-Cu/钻蚀/选择性刻蚀/凹槽/锚固/Under-etch/Recess）进行逻辑与（AND）检索。

2. **追溯优先权与早期专利族**：

* 目标专利提到了现有技术 **WO2004023522A1**。围绕该族及同类引文（如ASAHI RUBBER、PHILIPS、CREE、OSRAM等早期的LED框架与光敏绝缘干膜/聚酰亚胺干膜结合专利）进行拓展。

3. **重点检索方向（寻找单篇全覆盖文献）**：

* 重点关注2002年-2008年间，日本（JP）、韩国（KR）以及台湾地区（TW）在**带腔体引线框架（Molded Matrix Frame/QFN Cavity Package）及LED预成型基板（Pre-molded Substrate）**领域的专利申请。此类专利极易在单一文献中同时包含“干膜/绝缘层形成定位腔”与“刻蚀半蚀刻金属引脚形成侧向凹槽以增强咬合/锚固”的技术特征。

这是一份针对目标专利（**CN101584053B**）权利要求1的专业无效分析与对比文件检索策略报告。

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### 一、对比文件基本信息对照

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### 二、各对比文件对权利要求1技术特征的比对与分析

结合**CN101584053B**说明书，权利要求1包含**14个技术特征（特征A–N）**。以下分析严格基于对比文件原文。

#### 1. 对比文件 D1（US20030063465A1）& DE1（DE10221587A1）分析

> *注：D1与DE1为同族专利，内容基本一致。*

* **特征C公开情况（实质公开/毫无异议公开）**：

* **原文出处**：D1段落[0004], [0019], [0021]；DE1说明书相关段落及图1。

* **具体内容**：公开了提供一种由至少三层构成的层状金属基板（`layered metal substrate`）]，符合“提供导电多层载体基片(10)”。

* **特征D公开情况（毫无异议公开）**：

* **原文出处**：D1段落[0004], [0019], [0021], 图1；DE1说明书及图1。

* **具体内容**：铝层12置于第一铜层14和第二铜层16之间（`aluminum layer 12 is preferably positioned between a first copper layer 14 and a second copper layer 16`）]。即公开了“上部载体层（铜14）、下部载体层（铜16）以及中间载体层（铝12）”。

* **特征E公开情况（实质公开）**：

* **原文出处**：D1段落[0019], [0021], [0022]；DE1说明书及图1-4。

* **具体内容**：通过选择性蚀刻去除第一铜层14的部分区域，形成特定连接点（`selectively removed to form specific connection points for circuit board elements`）]。

* **特征K、L、M公开情况（毫无异议公开）**：

* **原文出处**：D1段落[0019], [0021]；DE1说明书及图1。

* **具体内容**：中间层为铝（Al），上下层为铜（Cu），材质不同]；使用标准蚀刻工艺（铜选择性蚀刻），使铜被去除而铝作为反射部/中间层保留或经二次蚀刻, [0022]]。公开了中间层材料与上下层不同，且可通过选择性蚀刻剂蚀刻。

* **未公开特征**：**特征A、B、F、G、H、I、J、N**（D1/DE1主要关注利用蚀刻金属三层板做灯光反射器，未涉及图案化绝缘间隔层形成深腔以定位光学元件，亦未提及利用钻蚀形成凹槽来锚固密封剂）。

#### 2. 对比文件 D2（WO2003036720A2）分析

* **特征A、B公开情况（实质公开）**：

* **原文出处**：D2段落[0002], [0005]；图1。

* **具体内容**：公开了一种LED芯片封装（`LED chip package 10`），包括基底（`base 12`）、LED芯片阵列及准直器（`collimator 18`），能够实现准直器（光学元件）相对于LED芯片的准确定位与光线混合, [0005], [0010]]。

* **特征F、G、H、I、J公开情况（实质公开）**：

* **原文出处**：D2段落[0011], [0013]，图1、图2。

* **具体内容**：

* 基底12包含绝缘外壳35（`electrically insulative housing 35`）]，形成腔体30（`cavity 30 for the LED chips`）]。

* LED芯片安装在腔体内部的导电/散热结构上, [0013]]。

* 腔体填充有透明硅胶32，准直器18安装在腔体及基底之上，限定了光学元件相对于LED芯片的位置, [0013]]。

* 腔体深度容纳LED芯片，大于LED芯片高度]。

* **未公开特征**：**特征C、D、E、K、L、M、N**（D2采用的是传统的塑封/陶瓷外壳包装金属散热块结构，未采用导电多层金属基片（如铜/铝/铜或铜/镍/铜）通过蚀刻形成上部导体结构及钻蚀凹槽）。

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### 三、特征比对表格

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### 四、最接近现有技术分析与创造性评估

#### 1. 最接近对比文件的选择

从**整体解决的技术问题**和**技术效果**角度来看：

* **首选最接近对比文件：D2 (WO2003036720A2)**

* **技术问题与效果**：D2与本目标专利高度契合，均致力于解决“如何紧凑封装LED芯片、实现光学元件（准直器/透镜）与半导体芯片之间的精准对准定位、以及改善混光与密封”的技术问题。D2公开了包含绝缘外壳腔体、放置半导体元件并安装光学元件的整体架构（特征A, B, F, G, H, I, J）。

* **结合路径**：以D2为最接近现有技术，区别特征在于基板采用了“三层金属基片（C, D, E, K, L, M）”以及“钻蚀形成锚固凹槽（N）”。

* **次选/平行最接近对比文件：D1 (US20030063465A1) / DE1 (DE10221587A1)**

* **技术问题与效果**：D1/DE1解决了“利用三层金属（Cu/Al/Cu）通过选择性蚀刻制作电路板和导电结构”的问题。

* **结合路径**：若以D1/DE1为最接近现有技术，区别特征在于缺乏在基片上施加“图案化绝缘间隔层以形成用于定位光学元件的高深度腔（F, G, H, I, J）”以及“钻蚀形成密封剂锚固凹槽（N）”。

#### 2. 无效请求中最薄弱的技术特征（突破口）

通过对上述比对分析可以发现，**最薄弱的技术特征是：特征N**（*“由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固”*）。

* **原因分析**：

1. 在D1/DE1中已经公开了铜/铝/铜三层金属的选择性腐蚀与蚀刻（特征C, D, E, K, L, M）。

2. 在多层电路板或引线框架（Leadframe/PCB）制造领域，利用不同金属的蚀刻速率差异进行**侧蚀/钻蚀（Under-etching/Undercut）**以形成倒角或凹槽，从而增强模塑胶/密封剂（Molding Compound / Encapsulant）的**机械锁紧/锚固效应（Mechanical Interlocking / Anchoring effect）**，属于半导体封装领域的**公知常识（Common General Knowledge）**或常规技术手段。

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### 五、进一步对比文件检索策略

为了彻底攻破权利要求1（尤其是特征N及特征F/G的组合），建议采取以下补强检索策略：

1. **针对“钻蚀凹槽/锚固密封剂（特征N）”的专项检索**：

* **逻辑组合**：`(三层板 OR 引线框架 OR 铜/镍/铜 OR 蚀刻) AND (钻蚀 OR 侧蚀 OR 凹槽 OR 锁紧) AND (密封胶 OR 塑封料 OR 锚固 OR 粘接力)`

* **IPC/CPC 分类号**：

* `H01L23/495`（半导体器件的引线框架）

* `H01L21/56`（封装/密封技术）

* `H05K3/06`（通过蚀刻制造印制电路）

* **检索目标**：寻找在2008年以前公开的、明确记载“通过选择性蚀刻/钻蚀金属层形成凹槽/倒钩，以提高塑封胶/密封剂锚固力”的PCB或半导体封装专利。

2. **针对“绝缘间隔层/光敏胶形成定位腔（特征F, G, J）”的补强检索**：

* **逻辑组合**：`(LED OR 光电半导体) AND (干膜 OR 光刻胶 OR 聚酰亚胺 OR 绝缘层) AND (腔 OR 凹槽 OR 定位透镜)`

* **IPC/CPC 分类号**：

* `H01L33/48` / `H01L33/58`（发光器件的封装与光学元件）

* `H01L31/0203`（光敏器件的封装）

* **检索目标**：寻找在三层板或电路板上直接层压/旋涂光敏绝缘层（如聚酰亚胺 SU-8），光刻出深腔以放置LED并定位透镜的现有技术。

作为一名经验丰富的专利代理师，我结合目标专利说明书对权利要求1进行拆解与解释，并紧密结合三份对比文件（D1、D2、D3）的原文及出处进行详细的对比分析。

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### 一、 目标专利权利要求1的技术特征拆解与说明书解释

根据目标专利（CN101584053B）的说明书记载，本发明的核心在于提供一种高紧凑性、低成本且高精度的光学半导体器件载体制造方法。其特征拆解及说明书含义解释如下：

* **技术特征 A+B（前言部分）**：一种用于制造载体（40）的方法，所述载体能够使得光学元件（45；61）相对于要连接到所述载体（40）的光学半导体元件（41）准确定位。

* *说明书解释*：光学元件（如透镜、漫射器）需要相对于光学半导体元件（如LED、图像传感器）精确定位（说明书[0001]、[0004]）。

* **技术特征 C**：提供（201）导电多层载体基片（10）。

* *说明书解释*：基片是多层金属/导电结构（说明书[0011]、[0060]）。

* **技术特征 D**：所述导电多层载体基片具有上部载体层（13）、下部载体层（14）以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层（12）。

* *说明书解释*：优选三层金属基片，如Cu/Ni/Cu结构（说明书[0058]、[0060]）。

* **技术特征 E**：在所述上部载体层和所述中间载体层（13，12）中形成（206，207）上部导体结构（22）。

* *说明书解释*：通过选择性蚀刻在上层和中间层形成用于连接半导体元件的线路/焊盘图案（说明书[0066]、图3f-g）。

* **技术特征 F**：在所述载体基片（10）的上部载体层侧提供（208，209）图案化的绝缘间隔层（26）。

* *说明书解释*：如聚酰亚胺或丙烯酸薄膜，层压或旋涂于上侧（说明书[0023]-[0026]、[0068]）。

* **技术特征 G**：所述绝缘间隔层（26）被图案化从而形成至少一个腔（27）。

* *说明书解释*：通过光刻/显影等方式在间隔层中开出腔体（说明书[0068]）。

* **技术特征 H**：在该腔中所述光学半导体元件（41）能够连接到所述上部导体结构（22）。

* *说明书解释*：半导体元件（如LED）放置于腔内，并通过倒装芯片或引线键合连接到导体结构（说明书[0039]、[0068]、[0072]）。

* **技术特征 I**：当所述光学半导体元件（41）被连接到所述载体（40）时，所述腔（27）的深度大于所述光学半导体元件（41）的高度。

* *说明书解释*：腔的深度（即间隔层厚度）大于芯片高度，确保芯片能完全容纳在腔内（说明书[0011]、[0068]）。

* **技术特征 J**：所述腔（27）形成为限定所述光学元件（45；61）相对于所述光学半导体元件（41）的位置。

* *说明书解释*：腔的边缘/边界或深度直接作为光学元件（如透镜或漫射液体）的安装定位基准（说明书[0016]、[0073]、[0077]）。

* **技术特征 K**：所述中间载体层（12）是由与所述上部载体层（13）和所述下部载体层（14）不同的金属制成的。

* *说明书解释*：中间层与上下层采用异种金属（如中间为Ni，上下为Cu）（说明书[0058]、[0060]）。

* **技术特征 L**：所述金属被选择为使得所述中间载体层（12）能够被蚀刻剂蚀刻。

* **技术特征 M**：所述蚀刻剂使所述上部载体层（13）和所述下部载体层（14）基本保持原样。

* *说明书解释*（L+M）：选择具有选择性蚀刻特性的化学蚀刻剂（如选择性蚀刻Ni而不蚀刻Cu）（说明书[0034]、[0067]）。

* **技术特征 N**：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构（22）中形成凹槽（23），能够改善随后施加的密封剂（46）的锚固。

* *说明书解释*：利用选择性蚀刻对中间层进行侧向钻蚀（under-etch），在上层下方形成悬空凹槽（下切结构），注塑/填充密封胶时形成机械互锁（锚固效应）（说明书[0034]、[0067]、图3g）。

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### 二、 对比文件原文出处及特征比对表格

#### 对比文件公开号及基本信息

* **D1**: US4929965A (*Optical writing head*)

* **D2**: US20010050370A1 (*Light irradiating device, manufacturing method thereof, and lighting apparatus using the light irradiating device*)

* **D3**: GB2380329A (*Etched metal light reflector for vehicle feature illumination*)

#### 技术特征比对表（标有详细原文出处）

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### 三、 最接近对比文件分析（结合解决的技术问题与技术效果）

在评估专利创造性时，选择最接近的对比文件需考虑：**技术领域是否相同、解决的技术问题是否最贴近、公开的技术特征数量是否最多**。

针对本专利，存在**两个**均适合作为最接近对比文件的候选（针对不同的发明点侧重）：

#### 方案一：以 **D1 (US4929965A)** 为最接近对比文件

* **技术领域与问题**：D1同样属于光学半导体器件（LED打印头/发光头）及其载体制造领域。其旨在解决高精度光学对准、简化封装流程及降低成本的问题（Col. 1, lines 60-68）。

* **技术效果与特征覆盖**：D1公开了利用图案化绝缘层（聚酰亚胺FPC）开腔/开孔，将LED芯片倒装或键合在腔内导体结构上，并利用腔体/结构实现光学元件（光纤 bundle、透镜）相对于LED芯片的准确定位（特征 A, B, E, F, G, H, J）。

* **主要区别特征**：D1未公开三层金属基片（特征 C, D, K, L, M）以及利用异种金属选择性蚀刻钻蚀形成改进锚固力的凹槽（特征 N）。

#### 方案二：以 **D3 (GB2380329A)** 为最接近对比文件

* **技术领域与问题**：D3属于利用三层蚀刻金属（ETM）电路板作为发光/反射器件载体的领域，旨在解决载体结构强度、散热及多层电路集成的技术问题（Page 4, lines 15-25）。

* **技术效果与特征覆盖**：D3完全公开了**Cu/Al/Cu三层金属基片**（特征 C, D, K），并明确指出了铝层可被选择性蚀刻而铜层保持不变（特征 L, M），且在顶层及中间层形成导电/反射结构（特征 E）。

* **主要区别特征**：D3未公开在上部提供图案化的“绝缘间隔层”并形成大于芯片高度的“腔”来定位光学元件（特征 F, G, H, I, J），也未公开利用钻蚀形成用于密封胶“锚固”的凹槽（特征 N）。

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### 四、 未被最接近对比文件公开特征的组合公开情况

假设以 **D1 (US4929965A)** 作为最接近对比文件（主对比文件）：

1. **区别特征组 1（三层金属基板及其选择性蚀刻：C, D, K, L, M）**：

* **是否被其他对比文件公开？**：**是，已被 D3 (GB2380329A) 毫无异议公开**。

* *出处与逻辑*：D3（Page 5, lines 5-10; Page 6, lines 15-25）明确公开了由 Cu/Al/Cu 组成的“Layered metal substrate”，且说明了铝可被专一蚀刻剂选择性蚀刻而铜层保留。将D3的三层金属基板技术引入D1的电路载体中属于本领域的惯用技术结合。

2. **区别特征组 2（钻蚀形成凹槽以改善密封剂锚固：特征 N）**：

* **是否被其他对比文件公开？**：**部分公开于 D2 (US20010050370A1)**。

* *出处与逻辑*：D2（Paragraph [0051], Fig. 3）公开了通过选择性/侧向蚀刻金属层形成类似“飞檐/帽檐”（Visor）的侧向悬空结构，其明确的技术效果是“增加金属与封装树脂（Resin）之间的结合力/附着力（Adhesiveness）”。

3. **区别特征 3（腔深度大于半导体元件高度：特征 I）**：

* **是否被公开？**：在D1或D2中，虽然半导体放置在绝缘层开孔/凹陷处，但并未明确强调“绝缘腔的深度必然大于芯片高度”。然而，从实现“封装密封”以及“光学元件平整覆盖在腔体上方”的工程设计常识来看，将腔体深度设计为大于芯片高度属于**本领域的常规设计选择（Design Choice）**。

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### 五、 无效请求中最薄弱的技术特征分析

若针对本专利（CN101584053B）权利要求1发起无效宣告请求，**最薄弱（最难被单篇对比文件直接完全攻破、需要结合多篇或依赖常规设计认定）的技术特征**是：

#### **最薄弱特征：特征 N （钻蚀上部载体层形成凹槽，改善密封剂的锚固）与特征 I 的限定结合**

* **薄弱点原因分析**：

1. **特征 N 的特定结构与功能协同**：特征 N 强调的是“在三层金属体系中，利用中间层与上下层蚀刻速率/化学性质的差异，**专门对中间层进行侧向钻蚀（under-etch）**，从而在上部导体结构下方产生**用于树脂机械锚固（Anchoring）的物理凹槽**”。

2. 虽然 D2 公开了利用蚀刻形成 visor 增加树脂附着力，但 D2 是单层金属箔的半蚀刻（Half-etching）；而 D3 虽然公开了三层金属 Cu/Al/Cu 的选择性蚀刻，但 D3 蚀刻铝层是为了**暴露铝作为光反射面**（Reflective portion），**并非为了形成密封胶的机械锚固凹槽**。

3. 因此，专利权人极易在无效答辩中主张：D3 蚀刻中间层的目的（做反射面）与本专利（做钻蚀凹槽实现锚固）存在**技术偏离（Technical Prejudice）**；D2 虽提到附着力，但结构与三层金属钻蚀完全不同。

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### 六、 进一步对比文件检索策略建议

为了在无效宣告程序中彻底攻破特征 N 以及特征 I/F/G/J 的组合，建议采取以下进一步的补充检索策略：

1. **针对“三层金属钻蚀形成树脂锚固/互锁结构”的专一检索（攻破特征 N）**：

* **检索方向**：不再局限于“光学半导体/LED封装”领域，扩展至**通用半导体封装（IC Packaging）、引线框架（Leadframe）、印制电路板（PCB/Substrate）制造技术**。

* **技术关键词**：

* 中文：`三层金属` / `异种金属` / `选择性蚀刻` / `钻蚀` / `侧蚀` / `凹槽` / `咬合` / `锚固` / `树脂结合力` / `倒扣`

* 英文：`tri-metal` / `three-layer` / `under-etch` / `under-cutting` / `undercut` / `selective etch` / `groove` / `anchor` / `anchoring` / `interlocking` / `resin adhesion`

* **分类号 (IPC/CPC)**：`H01L23/495` (引线框架)；`H05K3/06` (蚀刻制备电路)；`H01L21/56` (封装)。

2. **针对“利用图案化绝缘间隔膜（如聚酰亚胺/干膜）开腔承载LED并直接定位透镜”的检索（加强特征 F, G, H, I, J）**：

* **检索方向**：聚焦于 2003–2008 年间的 LED 表面贴装器件（SMD LED）及晶片级封装（WLP）。

* **技术关键词**：

* 英文：`spacer layer` / `cavity` / `photoimageable` / `polyimide` / `lens positioning` / `LED package` / `cavity depth`

* **分类号 (IPC/CPC)**：`H01L33/48` (发光器件封装结构)；`H01L33/58` (光学元件结合)；`H01L33/60` (反射腔)。

3. **组合检索式示范（以 European Patent Office - Espacenet / Google Patents 为例）**：

* `CPC = H01L23/495 OR H01L33/48` AND `FT = (undercut OR "under etch" OR "selective etching") AND (anchor OR anchoring OR "resin adhesion")`

* `FT = ("tri-metal" OR "three layer") AND (copper OR cu) AND (nickel OR aluminum) AND (etch OR undercut) AND (interlock OR anchor)`

针对目标专利 **CN101584053B**（权利要求1）与三份对比文件（D1: KR1020060106891A、D2: JP2006287124A、D3: US2006222285A1）的技术特征比对与创造性分析如下：

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### 一、 目标专利权利要求1技术特征拆解

权利要求1（一种用于制造载体(40)的方法）拆解为以下特征：

* **特征A**：一种用于制造载体(40)的方法。

* **特征B**：所述载体能够使得光学元件(45；61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位。

* **特征C**：提供(201)导电多层载体基片(10)。

* **特征D**：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)。

* **特征E**：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)。

* **特征F**：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)。

* **特征G**：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)。

* **特征H**：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)。

* **特征I**：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度。

* **特征J**：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45；61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置。

* **特征K**：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的。

* **特征L**：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻。

* **特征M**：所述蚀刻剂使所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)基本保持原样。

* **特征N**：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。

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### 二、 对比文件技术特征比对表格及详细出处

以下针对对比文件 **D1 (KR1020060106891A)**、**D2 (JP2006287124A)**、**D3 (US2006222285A1)** 进行比对分析：

| **特征D** (上/下/中间载体层) | **实质公开**<br>段落[81]、[130]：具有第1、第2、第3金属层以及夹于其间的绝缘层 [cite: 2006-10-12_KR1020060106891A_发明

作为一名经验丰富的专利代理师，我针对目标专利**CN101584053B**（权利要求1）与提供的三份对比文件**D1（US6964877B2）**、**D2（JP2005538550A）**、**D3（EP1537603A4）**进行深入的比对分析，并提供无效宣告分析及后续检索策略。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1技术特征的深度解释

根据目标专利说明书（CN101584053B），权利要求1的技术方案旨在解决**“传统封装体积大、成本高、透镜/光学元件难以精确定位，以及封装密封剂与金属载体层粘结易剥离、耐环境应力差”**的技术问题。

结合说明书具体解释如下：

1. **导电多层载体基片与三层金属结构（特征B、C、D）**：说明书[0058]、[0060]指出，基片10优选为三层结构，如上/下部载体层（13, 14）为铜（Cu），中间载体层（12）为镍（Ni）。利用添加工艺在Cu上镀Ni再镀Cu形成，为实现高密度封装和选择性蚀刻提供基础。

2. **图案化绝缘间隔层与腔体定位（特征E、F、G、H、I）**：说明书[0016]~[0020]、[0068]解释，绝缘间隔层26（如聚酰亚胺、丙烯酸薄膜）被图案化形成腔27。腔27深度大于芯片41的高度，且腔27的边缘形貌直接限定了光学元件（如透镜45或漫射器61）的侧向/轴向位置，实现了透镜与LED芯片的自对准与精确定位。

3. **选择性蚀刻与钻蚀锚固凹槽（特征J、K、L、M、N）**：说明书[0034]、[0067]是本专利的**核心发明点**。中间层12与上下层13/14材质不同，利用专用的选择性蚀刻剂，在蚀刻中间层12时使上/下层基本不受影响，从而对上部载体层/中间层形成**钻蚀（under-etch/侧蚀）**，产生凹槽（倒扣结构）23。随后注入的密封剂46进入该凹槽23固化后形成机械咬合（锚固效应），大幅增强了密封剂与金属基板的附着力，防止热循环下的分层和剥离。

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### 二、 对比文件原文公开情况及出处分析

1. **对比文件D1：US6964877B2**

* **公开内容**：公开了一种表面贴装LED封装结构及其制造方法。采用绝缘基板（如AlN陶瓷，82），在基板上打孔并填充导电金属（铜等）形成贯穿通孔（vias 14），倒装焊接LED芯片；可配合带腔体的腔体晶圆（cavity wafer 1078）形成反射腔并填充密封胶/荧光粉。

* **原文详细出处**：图12、13，说明书段落[0038]~[0040]、[0060]~[0062]。

* **与本专利差异**：D1采用的是绝缘陶瓷基板+打孔填金属通孔（Via），并非由三层金属构成的导电多层基片；未公开利用多层金属的选择性蚀刻钻蚀形成密封剂锚固凹槽的技术特征。

2. **对比文件D2：JP2005538550A**

* **公开内容**：公开了一种大功率表面贴装发光管芯封装，包括底部散热器/基板20（AlN或氧化铝陶瓷等绝缘高导热材料）、上部散热器/反射板40及浮动透镜50。反射板40围绕LED芯片形成凹腔，用于约束密封胶并支撑/定位透镜。

* **原文详细出处**：图1A~图3，说明书段落[2]（具体见英文/日文原文对应段落[0029]~[0043]）。

* **与本专利差异**：D2基板为单层/复合绝缘陶瓷基板加上表面印制电路导线（traces），未公开三层不同金属构成的多层载体基片，亦无选择性蚀刻钻蚀凹槽结构。

3. **对比文件D3：EP1537603A4**

* **公开内容**：与D2属于同族/相关专利申请，公开内容基本一致（功率SMT LED封装，底部陶瓷基板20 + 上部金属/塑料反射板40 + 浮动透镜50）。

* **原文详细出处**：Figure 1A-Figure 3, Paragraphs [0028]-[0043]。

* **与本专利差异**：同D2，未公开多层金属基片及蚀刻钻蚀形成密封剂咬合凹槽的技术特征。

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### 三、 权利要求1与对比文件技术特征比对表格

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### 四、 最接近对比文件的选择与创造性/无效分析

#### 1. 最接近对比文件的选择

在创造性/无效分析过程中，**D1（US6964877B2）** 与 **D2（JP2005538550A）** / **D3（EP1537603A4）** 均可作为**最接近的对比文件**：

* **选择D1作为最接近对比文件的理由**：D1同样致力于实现晶圆级（Wafer-level）高密度LED封装，其通过在基板上结合腔体层（Cavity Wafer 1078）形成腔体、倒入/填充密封剂并准确定位透镜/荧光粉层（图12、14），其技术领域、整体结构布局及晶圆级制造工艺与目标专利最为接近。

* **选择D2/D3作为最接近对比文件的理由**：D2/D3解决了LED封装中热应力导致密封胶剥离、透镜定位以及通过腔体约束密封剂的技术问题，同样公开了利用侧壁腔体精确定位透镜和包封胶的技术方案。

#### 2. 区别技术特征及技术效果分析

无论以D1还是D2/D3作为最接近对比文件，权利要求1相对于最接近对比文件的**区别技术特征**均为：

* **特征B、C、D、J、K、L、M、N**（即：采用Cu/Ni/Cu等三层不同金属构成的导电载体基片，并在形成导体结构时利用选择性蚀刻剂对中间金属层进行“钻蚀/侧蚀”，在导体结构中形成凹槽，利用该凹槽实现对后续密封剂的机械锚固/咬合）。

**实际解决的技术问题**：如何提高金属导体结构与密封剂之间的机械结合强度，防止封装在热循环或湿气环境下的剥离与分层。

#### 3. 无效请求中最薄弱的技术特征（目标专利的核心防线）

从无效请求人（攻击方）的角度来看，**最难攻破、最薄弱的技术特征**（即目标专利防御力最强的核心发明点）是：

* **特征M + N**：**利用不同金属层在选择性蚀刻下的蚀刻速率差异实现“钻蚀（under-etch）”，在金属导体结构边缘形成倒扣凹槽，进而对密封剂产生物理“锚固（anchoring）”作用。**

现有的对比文件D1、D2、D3均采用陶瓷基板或普通印制电路板，完全未涉及利用“多层金属异质选择性蚀刻钻蚀”来解决密封剂锚固结合的问题。若仅凭D1、D2、D3组合，**无法成立新颖性破坏，也难以拼凑出创造性的技术启示**。

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### 五、 进一步对比文件检索策略（针对无效请求人）

若要成功提出无效宣告请求，必须补充检索能够公开**“多层金属选择性蚀刻/钻蚀形成倒扣凹槽以增强密封树脂锚固/防剥离”** 的对比文件（D4）。具体的检索策略建议如下：

#### 1. 检索技术主题与领域拓展

不要局限于“LED封装”领域，应扩大至**“半导体引线框架（Leadframe）制造”、“BGA/QFN封装载板”、“PCB多层金属蚀刻工艺”** 领域。在这些领域中，为了防止塑封料（Molding Compound）与金属引脚剥离，利用钻蚀凹槽进行“防拉脱/咬合（Interlocking/Anchor lock）”是经典工艺。

#### 2. 分类号（IPC / CPC）组合检索

* **H01L23/495**（引线框架，特别是带有防剥离凹槽、蚀刻凹槽的特征，如 H01L23/49582）

* **H01L21/60、H01L23/29**（半导体器件封料及结合结构）

* **H05K3/06、H05K3/46**（通过蚀刻制备印制电路及多层金属线路）

* **H01L33/62、H01L33/48**（发光器件的封装载体与结构）

#### 3. 关键词表达式构建（中/英/日）

* **基片/多层金属**：(`multi-layer` OR `three-layer` OR `Cu/Ni/Cu` OR `copper nickel` OR `三层金属` OR `多层载体`)

* **蚀刻/钻蚀/倒扣**：(`under-etch` OR `undercut` OR `selective etch` OR `recess` OR `groove` OR `钻蚀` OR `侧蚀` OR `凹槽` OR `アンダーエッチ`)

* **锚固/防剥离**：(`anchor` OR `interlock` OR `adhesion` OR `molding compound lock` OR `咬合` OR `锚固` OR `防剥离` OR `密着`)

#### 4. 重点追溯的优先权日及专利权人

* **优先权日 cutoff**：必须检索申请日/优先权日（约2008年前，结合CN101584053B的实际优先权日）之前的公开文献。

* **重点机构/申请人**：

* **引线框架与封装巨头**：三井高科技（Mitsui High-Tec）、新光电气（Shinko Electric）、住友电工（Sumitomo）、日立化成（Hitachi Chemical）、日月光（ASE）、长电科技（JCET）。

* 这些公司在2000-2006年间申请了大量关于**“通过选择性半蚀刻/侧蚀引线框架（Cu/Ni/Cu或Cu/Ag）形成凸拉扣（Anchor）以防止塑封胶脱落”** 的专利，将此类对比文件与D1或D2结合，可对权利要求1的创造性形成致命打击。

基于您提供的权利要求1、目标专利说明书（CN101584053B）以及三份对比文件，我作为专利代理师为您进行详细的专利有效性/无效性对比分析。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求的解释与术语厘清

结合目标专利说明书（CN101584053B）的记载，对权利要求1的关键技术特征及其技术含义解释如下：

1. **“导电多层载体基片(10)”及“三层结构（上/中/下层）”**：

- 说明书第[0058]、[0060]段指出，基片优选由三层金属组成：上部Cu层(13)、中间Ni层(12)和下部Cu层(14)。

2. **“上部导体结构(22)”与“腔(27)”的定位作用**：

- 说明书第[0016]、[0068]段解释：在绝缘间隔层(26)中图案化形成腔(27)，腔深度大于光学半导体元件（如LED 41）的高度。腔的延伸、形状与深度精确限定了透镜/漫射器（45/61）相对于LED的相对轴向和横向位置。

3. **选择性蚀刻与“钻蚀（under-etch）/凹槽(23)”**：

- 说明书第[0034]、[0067]段说明：中间层(12)采用与上下层不同的金属（如Ni对比Cu），利用选择性蚀刻剂在中间层进行钻蚀，从而在上部导体结构(22)的侧边形成**凹槽(23)**。其核心功能是**改善随后施加的密封剂（如硅胶46）在载体上的机械锚定（mechanical anchoring）**。

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### 二、 对比文件公开情况与特征比对分析

#### 1. 各对比文件基本信息与公开号对应

- **D1**：`CN1647268A`（公开日：2005-07-27，同族JP2005522860A）

- **D2**：`JP2005522860A`（公开日：2005-07-28，与D1为同族专利）

- **D3**：`CN1679168A`（公开日：2005-10-05）

#### 2. 特征比对分析（毫无异议公开 / 实质公开 / 未公开）

* **D1（CN1647268A）/ D2（JP2005522860A）**：

- **公开了技术特征 C、D、E、K、L、M、N**。

- *出处*：D1说明书第3页、第5-6页及图1-9（对应D2说明书[2]及图1-9）。D1公开了第一金属层(11, Cu)、中间层(12, Al)和第二金属层(13, Cu)的三层堆叠结构；利用对Al选择性的蚀刻剂（如KOH）蚀刻中间层形成侧面凹进(16)（即钻蚀形成凹槽），当施加封装体(40)时充填凹进，实现**机械锚定**。

- *未公开*：特征 A、B、F、G、H、I、J（即在载体上设置图案化绝缘间隔层形成腔，用于容纳光学半导体元件并准确定位光学元件的相关特征）。

* **D3（CN1679168A）**：

- **公开了技术特征 A、B、F、G、H、I、J（实质公开）**。

- *出处*：D3说明书第6-8页，图1A-图3。D3公开了一种LED封装，包含基板(20)、反光板(40)和透镜(50)。反光板(40)耦合到基板并围绕安装垫片，形成容纳LED(60)的腔；透镜(50)支撑于反光板上，由反光板限定透镜相对于LED的位置；腔内充填密封材料(46)。

- *未公开*：特征 C、D、E、K、L、M、N（即采用三层金属基片以及通过中间层选择性钻蚀形成凹槽以实现密封剂锚定的工艺结构）。

#### 3. 详细特征比对表

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### 三、 最接近的对比文件分析（基于整体技术问题与技术效果）

在创造性分析中，**D1（CN1647268A，或其同族D2）与D3（CN1679168A）均可作为最接近的对比文件**，具体视无效宣告攻防的切入路线而定：

1. **以 D1 / D2 为最接近的对比文件（推荐为主路线）**：

- **技术领域与架构**：D1公开了采用三层金属基片（Cu-Al-Cu）制作电子器件载体的方法，且其**核心技术发明点**在于“利用中间层选择性蚀刻产生凹槽（钻蚀），使随后施加的封装体充填凹槽实现机械锚定”。这与目标专利说明书第[0034]段解决“密封剂锚固”的技术问题和手段**完全相同**。

- **区别特征**：D1未公开在载体上提供“图案化绝缘间隔层以形成用于容纳光学半导体元件并定位光学元件的腔”（即特征F, G, H, I, J）。

- **组合逻辑**：结合D3（D3公开了在LED封装中利用围绕元件的结构/反光板形成腔并用于支撑定位透镜），在D1的三层金属锚定载体上叠加光学封装常识或结合D3的腔体定位结构是本领域技术人员的显而易见的改进。

2. **以 D3 为最接近的对比文件（备选路线）**：

- **技术领域**：D3同属于光学半导体（LED）封装领域，解决了光学元件（透镜）相对于LED准确定位的问题。

- **区别特征**：D3的基板是陶瓷（AlN/Al2O3），未公开目标专利的三层金属结构及其选择性蚀刻钻蚀形成密封剂锚定凹槽的特征（特征C, D, E, K, L, M, N）。

- **组合逻辑**：以D3为起点，为了增强封装体与基板的结合力（解决机械锚定问题），结合D1中公开的“三层金属选择性蚀刻形成锚定凹槽”的技术教导。

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### 四、 无效请求中最薄弱的技术特征分析

权利要求1中**最薄弱的技术特征是：特征F、G、J（在载体上施加图案化的绝缘间隔层，通过绝缘间隔层形成腔，并利用该腔限定光学元件的位置）**。

* **薄弱原因**：

1. **概念重合与等同替换**：在LED封装领域，利用绝缘层/胶层/反光杯在基板上开腔以安装芯片并承载透镜是极常见的常规设计（如D3中的反光板40/支架44）。

2. **说明书实施例对“绝缘间隔层”的宽泛界定**：目标专利说明书第[0023]、[0026]段提到，绝缘间隔层可以是常规的聚酰亚胺箔（光敏胶）、环氧树脂等。将光刻胶/绝缘干膜直接层压在金属基片上开孔作为腔体，属于PCB和半导体封装领域的公知常识（如阻焊层/有机绝缘层开窗口）。

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### 五、 进一步对比文件检索策略（检索建议）

为了确保彻底击毁权利要求1及后续从属权利要求的创造性/新颖性，建议采取以下进一步检索策略：

1. **针对“绝缘间隔层形成腔体+定位光学元件”的补充检索**：

- **分类号组合**：`H01L33/48`（半导体发光器件的封装）、`H01L21/56`（封装工艺）、`H05K3/00`（印制电路板制造）。

- **关键词表达式**：`(绝缘层 OR 间隔层 OR 阻焊 OR 膜 OR 聚酰亚胺 OR spacer OR dam OR insulating layer) AND (腔 OR 槽 OR 窗口 OR cavity OR recess) AND (透镜 OR 光学 OR lens OR optical) AND (定位 OR 支撑 OR align OR position)`

2. **针对“三层金属钻蚀/侧蚀形成悬檐凹槽以锚定塑料/封胶”的组合公知常识检索**：

- 重点搜索2004年之前的QFN/Leadframe封装专利，特别是涉及`under-cut`（钻蚀/倒角）、`interlock`（机械互锁）、`anchoring`（锚定）的引线框架（Leadframe）制造工艺专利。

3. **针对从属权利要求的预先防护检索**：

- 关注目标专利说明书中提到的“光敏胶曝光显影（Photoimageable material）形成腔体”以及“倒装芯片（Flip-chip）在腔内通过凸块连接”等从属特征，提前锁定包含“光敏聚酰亚胺（PSPI）干膜开腔”的电路板/载体制造对比文件。

针对目标专利权1，结合目标专利说明书（CN101584053B）及对比文件（D1: US6871982B2、D2: KR1020050061464A、D3: US20050153483A1）的原文细节，为您提供一份系统、严谨的专利无效及技术对比分析报告。

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## 一、 权利要求1的技术特征分解与说明书原意解释

目标专利（CN101584053B）解决的核心技术问题在于：**在实现光学半导体器件（如LED）与外部光学元件（如透镜）精确定位的同时，提供高集成度、高可靠性（耐热应力）且易于大批量切割（Singulation）的载体结构及制造方法。**

结合说明书原文对权利要求1（技术特征A-N）的法律及技术内涵进行界定：

* **技术特征A-B（前言）：** 一种用于制造载体(40)的方法，所述载体能够使得光学元件(45；61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤；

* *说明书解释*：对应说明书段落[0001]、[0011]，指通过载体本身形成的机械结构（腔体及其边缘）对透镜、漫射器等光学元件施加物理对准限制。

* **技术特征C-D（多层基片）：** 提供(201)导电多层载体基片(10)；所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)；

* *说明书解释*：对应段落[0060]，典型结构为Cu-Ni-Cu三层金属板，作为整体导电载体。

* **技术特征E（上部导体结构）：** 在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)；

* *说明书解释*：对应段落[0066]-[0067]，通过选择性蚀刻在上层Cu和中间Ni中形成图形化的电极/线路结构。

* **技术特征F-G（图案化绝缘间隔层及腔体）：** 在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)；所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)；

* *说明书解释*：对应段落[0023]、[0068]，将可光成像（如聚酰亚胺箔）层压或旋涂并显影，形成开孔腔体。

* **技术特征H-J（腔体深度与定位限制）：** 在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)；当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度；所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45；61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置；

* *说明书解释*：对应段落[0016]、[0068]，腔深（绝缘层厚度）大于芯片高度，使其完全沉入，腔体边沿提供光学元件定位卡位。

* **技术特征K-N（异质金属选择性蚀刻形成钻蚀锚固槽）：** 所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的；所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻；所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)*[注：权利要求书中此处笔误，指上层13]*和所述下部载体层(14)基本保持原样；由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。

* *说明书解释*：对应段落[0034]、[0067]，利用Ni与Cu的化学蚀刻选择性差，对中间Ni层进行侧向钻蚀（Under-etch），形成下切侧槽（凹槽23），使填充的密封胶（如硅胶）产生机械互锁（Mechanical Anchoring），极大增强封装结构可靠性。

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## 二、 对比文件特征比对及公开事实分析

代号说明与公开号映射：

* **D1：** US6871982B2

* **D2：** KR1020050061464A

* **D3：** US20050153483A1

### 1. 各对比文件原文详细公开分析

#### **D1 (US6871982B2)**

* **公开内容：** D1公开了一种高密度LED照明系统。其中公开了在底板（Backplane 94）上安装倒装芯片LED（118），上部结合具有倾斜侧壁的反射槽/腔体阵列（Reflecting Bins 82），且在腔体上方设置微棱镜片（Prism Sheets 88, 92）等光学元件。

* **公开情况：**

* 公开了：特征A, B, C, F, G, H, I, J。

* *段落[00142]-[00143] & Fig 3A, 4A, 5A* 公开了具有腔体的反射阵列件（126），腔体深度（G1, 102）容纳LED芯片，腔体上方配合棱镜片/偏振片（光学元件），限定其位置。

* **未公开：** 特征D, E, K, L, M, N。D1的导电底板为PCB或硅基板，未公开由上/中/下三层金属组成的导电基片，更未公开通过侧向钻蚀中间金属层形成用于密封剂锚固的凹槽。

#### **D2 (KR1020050061464A)**

* **公开内容：** D2公开了一种功率表面贴装式LED封装体。包含底座散热基板（20/기판）、上部散热器/反射板（40/상부 방열기），在基板上形成电极线路（22, 24），且反射板（40）形成围绕LED（60）的腔体（42），上部设有用于支撑透镜（50）的台阶/边缘（Ledge 44），腔体内填充密封胶（46）。

* **公开情况：**

* 公开了：特征A, B, G, H, I, J。

* *说明书[0030], [0040]-[0044] & Fig 1b, 3* 公开了反射板/绝缘结构（40）形成腔体围绕LED，腔深大于LED，顶部台阶（Ledge 44）精确定位透镜（50），且腔内填封胶（46）。

* **未公开：** 特征C, D, E, F, K, L, M, N。D2的反射腔体是由单独的金属/塑料反射板（40）通过粘结剂贴合在AlN/Al2O3绝缘基板（20）上形成的，并非在多层金属基片上通过层压绝缘层并图案化形成；且完全不涉及三层异质金属蚀刻形成钻蚀凹槽的工艺。

#### **D3 (US20050153483A1)**

* **公开内容：** D3公开了一种包含“第一金属层-中间层-第二金属层”三层金属架构的电子器件载体及其制造方法。

* **公开情况：**

* 公开了：特征C, D, E, K, L, M, N。

* *说明书段落[0012]-[0014], [0032], [0048]及Fig 1, Fig 6* 明确公开：提供三层金属构成的载体（Cu 11 - Al 12 - Cu 13），中间Al层（12）能够被碱液（如KOH，[0056]）选择性蚀刻，而Cu层保持完好；这种选择性蚀刻在第一金属层下产生了钻蚀（Underetching / Recesses 16），当随后包覆密封剂（Envelope 40）时，密封剂进入凹槽（Recesses 16）形成**机械锚固（Mechanical anchor/clamping）**。

* **未公开：** 特征A, B, F, G, H, I, J。D3主要针对通用半导体芯片（如晶体管、IC）封装，未公开针对光学元件精确定位的“图案化绝缘间隔层”以及形成特定深度大于芯片高度的“光学腔体”。

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### 2. 特征比对表格（Feature Comparison Matrix）

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## 三、 最接近对比文件分析与创造性（Invalidity/Inventive Step）评价

### 1. 最接近对比文件的选择

在创造性评价中，适合作为最接近对比文件（Primary Prior Art）的有 **D1** 或 **D2**。

* **选择理由 1：以 D1 (US6871982B2) 为最接近对比文件（首选）**

* **整体技术问题与效果：** D1与目标专利同属于光学半导体高密度封装/照明领域，致力于解决LED芯片阵列在紧凑空间内的精确对准、散热以及透镜/微棱镜片等光学元件的防错位安装问题。

* D1公开了权利要求1中绝大多数与“光学定位腔体”相关的特征（A, B, F, G, H, I, J）。

* **选择理由 2：以 D2 (KR1020050061464A) 为最接近对比文件（备选）**

* **整体技术问题与效果：** D2解决大功率SMD LED封装中光学透镜准确定位、热应力释放以及密封胶固化的问题（D2段落[0040]-[0044]）。其公开了带有台阶定位边缘（Ledge 44）的腔体以及浮动透镜结构，与目标专利光学元件定位的设计初衷高度契合。

### 2. 结合 D3 组合攻击创造性（结合性分析）

**攻击路线：D1（或D2） + D3**

* **对比 D1 与权利要求1的区别特征：**

1. 导电基板采用了“上-中-下”三层异质金属构成的多层载体基片（特征C, D, E）；

2. 利用中间层与上下层的金属差异进行选择性侧向蚀刻，在上部导体结构中形成钻蚀凹槽，用以改善密封剂的机械锚固（特征K, L, M, N）。

* **实际解决的技术问题：**

如何在兼顾导电载体薄型化的同时，增强封密封剂（密封胶）在金属导体结构上的附着力（机械锚固力），防止封装体开裂脱层。

* **结合显而易见性（结合启示）：**

* D3（US20050153483A1）专门针对半导体封装载体中密封胶附着力不足、易脱落的问题，给出了**明确的技术教导（Technical Teaching）**：即采用Cu-Al-Cu（或Cu-Ni-Cu）等三层异质金属基片，利用KOH等选择性蚀刻剂侧向钻蚀中间Al层，从而产生下切凹槽（Recesses 16）；当灌封胶（Envelope 40）流入并固化后，实现密封胶的机械锁合（Mechanical Anchor）（D3段落[0014], [0048], [0050]）。

* 本领域技术人员在面对D1（或D2）中密封胶与金属电极结合力不足或受热应力易脱层的技术缺陷时，在D3的明确教导下，**有强烈的动机**将D3所述的三层异质金属钻蚀锚固结构应用于D1（或D2）的导电基片中。

* 结合后的技术效果完全是两者的叠加（D1提供光学腔体定位，D3提供金属下切凹槽锚固），未产生预料之外的技术效果（Unexpected Technical Effect）。因此，权利要求1不具备创造性（符合《专利审查指南》第四部分第六章）。

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## 四、 无效请求中最薄弱的技术特征与补强策略

### 1. 目标专利最薄弱的技术特征分析

经过深度比对，目标专利权利要求1在无效宣告程序中**最薄弱（最容易被攻破）的技术特征是：特征K, L, M, N（即“异质中间金属层选择性蚀刻形成钻蚀凹槽以锚固密封剂”）**。

* **薄弱原因：**

专利权人在撰写此特征时，其解决的机械锚固手段（利用异质金属侧蚀形成凹槽）属于半导体引线框（Leadframe）和PCB载体制造领域的**公知常识/常规技术手段**。D3对此特征的公开达到了“字面完全覆盖”的程度（包含材料、蚀刻剂类型、凹槽形态以及机械锚固效果）。专利权人无法以此特征作为区分于现有技术的核心发明点。

### 2. 进一步对比文件检索策略（Search Strategy）

若需对从属权利要求或可能修改的独立权利要求（例如引入了中间绝缘层、特定光刻胶胶膜层压工艺等特征）进行彻底无效，建议采取以下二次检索策略：

1. **策略一：围绕“绝缘间隔层（Spacer Layer）的材料与形成工艺”进行补充检索**

* *目标特征*：说明书段落[0026]、[0068]中提及的“可光成像的干膜（Photoimageable Film/Foil）层压”或“旋涂BCB/聚酰亚胺后光刻开腔”作为光学定位件。

* *检索关键词组合*：`(LED OR "optical semiconductor") AND (spacer OR "cavity layer" OR "insulating layer") AND (photoimageable OR dry-film OR polyimide) AND (lamination OR spin-coating)`

* *分类号*：`H01L33/48`, `H01L33/60`, `H01L23/495`

2. **策略二：针对“三层金属侧蚀/凹槽锚固（Under-etching / Anchoring Slot）”扩展引线框领域对比文件**

* *目标特征*：进一步巩固D3的证据链，防止专利权人以“光电封装与常规IC封装不同”进行抗辩。

* *检索关键词组合*：`(leadframe OR substrate) AND (under-etch* OR undercut) AND (anchor* OR interlocking) AND (tri-layer OR "copper-nickel-copper" OR "Cu-Ni-Cu")`

* *分类号*：`H01L23/495`

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## 五、 总结结论

1. **新颖性：** 对比文件D1、D2、D3均未**单独**完全公开权利要求1的所有特征，权利要求1具备新颖性。

2. **创造性：** **权利要求1不具备创造性**。本领域技术人员以 **D1（或D2）为最接近的对比文件**，结合 **D3** 关于三层异质金属钻蚀凹槽以增强密封剂锚固的技术教导，无需付出创造性劳动即可获得权利要求1的技术方案。

<ElicitationsGroup message="针对该专利无效案，您可以选择以下进一步的操作方向：">

<Elicitation label="生成针对从属权利要求的无效预演与抗辩预测" query="请针对目标专利CN101584053B的从属权利要求，结合D1-D3进行创造性评估，并预测专利权人可能的修改抗辩方向。"/>

<Elicitation label="拟定无效宣告请求书的技术对比逻辑框架" query="请按照国家知识产权局专利复审标准，为本案撰写一份逻辑严密的无效宣告请求书（创造性部分）的技术对比意见大纲。"/>

</ElicitationsGroup>

作为一名经验丰富的专利代理师，我紧密结合目标专利（CN101584053B）说明书对权利要求1进行全面拆解，并结合对比文件（D1：WO2004023522A2、D2：US20040079957A1、D3：JP2004207621A）的原文出处进行对比分析与无效攻防评估。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1技术特征的解读

结合目标专利（CN101584053B）说明书，权利要求1的技术特征可具体解读如下：

* **前言部分（特征A、B）：** 属于“制造载体（40）的方法”，目的在于使透镜/漫射器等光学元件（45；61）相对于发光二极管（LED）等光学半导体元件（41）实现准确定位。

* **基片结构（特征C、D、K）：** 采用由三种金属层构成的多层导电基片（10），具体为“上部Cu层（13）— 中间Ni层（12）— 下部Cu层（14）”（说明书[0058]、[0060]）。

* **上部导体结构与化学蚀刻（特征E、L、M、N）：** 利用中间层（Ni）与上下层（Cu）的材质化学差异，使用选择性蚀刻剂去除部分中间层，产生**“钻蚀（under-etch）”效果，从而在导体结构（22）侧方形成凹槽（23）**。其核心技术效果在于：利用该侧向凹槽（23）物理卡紧随后注入的密封剂（46），显著增强密封剂到载体基片（10）上的“锚固（anchoring）”强度（说明书[0034]、[0067]、图3g）。

* **绝缘间隔层与腔体（特征F、G、H、I、J）：** 在基片上侧层压或旋涂图案化的绝缘间隔层（26）（如聚酰亚胺或丙烯酸箔），形成腔（27）。腔的深度大于光学半导体元件（41）的高度，腔（27）不仅容纳芯片（41），其侧壁与边缘结构还起到了机械/光学参考面的作用，用以精确限定透镜（45）或漫射体（61）的安装位置（说明书[0011]、[0016]、[0068]）。

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### 二、 对比文件公开内容与原文详细出处分析

现将各对比文件针对权利要求1各特征的公开情况及原文段落/附图出处梳理如下：

#### 1. D1：WO2004023522A2（公开号：WO2004023522A2）

* **公开的技术特征：**

* **特征A、B、H、J（部分公开）：** 公开了一种管芯封装，包括基底（substrate 20）、反射板（reflector plate 40）和透镜（lens 50）。反射板40围绕发光二极管（60）并具有支撑透镜（50）的突出/台阶部（ledge 44），能够限定透镜相对LED的位置（段落[0009]、[0042]、图1B、图3）。

* **未公开的技术特征：**

* **特征C、D、K：** D1的基片20为氮化铝（AlN）或氧化铝（Al2O3）等单层陶瓷绝缘绝缘基板（段落[0030]），并非“导电多层金属载体基片（Cu/Ni/Cu）”。

* **特征E、L、M、N：** 没有采用不同金属层的选择性蚀刻/钻蚀技术，未在导体结构中形成用于锚固密封剂的侧向凹槽。

* **特征F、G、I：** D1中的反射板40属于金属、塑料或陶瓷制成的顶置散热/反射结构（top heat sink/reflector plate，段落[0039]），通过粘合剂贴合在基板上，并非在基片侧“提供图案化的绝缘间隔层”。

#### 2. D2：US20040079957A1（公开号：US20040079957A1）

* **公开的技术特征：**

* **特征A、B、H、J（部分公开）：** 同样公开了通过反射板（40）与透镜（50）定位光学元件的封装结构（段落[0009]、[0053]、图1B）。

* **特征F（实质公开部分属性）：** D2在段落[0011]、[0059]-[0061]中公开了基片20b可以由导电/导热金属板51（如铜、铝）构成，且在金属板51表面形成有薄的导热绝缘膜48（Thermal Clad陶瓷/聚合物膜），绝缘膜上形成导电迹线22、24。

* **未公开的技术特征：**

* **特征C、D、K：** D2的金属基板51为单层铜或铝板（段落[0066]），搭配表面涂覆的绝缘薄膜48，并非“上部载体层、下部载体层以及中间载体层”构成的多层金属基片。

* **特征E、L、M、N：** 没有中间金属层的选择性蚀刻及“钻蚀”凹槽锚固结构。

* **特征G、I：** 绝缘膜48仅为平板状涂层，未图案化形成深度大于芯片高度的腔（27）。

#### 3. D3：JP2004207621A（公开号：JP2004207621A）

* **公开的技术特征：**

* **特征A、B、F、G、H、J（实质公开相关构想）：** 公开了一种发光素子封装，由多层陶瓷生片（1a, 1b, 1c）积层烧结形成绝缘基体（1），上面开有用于容纳发光素子（3）的凹部/腔（4）（段落[0008]、[0017]、图1）。

* **特征N（技术问题与防脱落效果相近，但结构和方法不同）：** D3针对“透明树脂容易从封装凹部脱落”的技术问题（段落[0006]），在凹部4底部形成了具有段差（8a、9a）或下大上小台阶形状的孔（8、9、10），使填充的透明树脂卡死在孔内，防止脱落（段落[0008]-[0010]、[0027]-[0028]、图1、图7-图10）。

* **未公开的技术特征：**

* **特征C、D、E、K、L、M、N（结构与工艺实现方式）：** D3采用的是陶瓷绿片冲孔积层烧结工艺（段落[0017]、[0034]），其防脱落结构是陶瓷基材上的宏观物理阶梯孔（8），而**完全没有公开**“多层金属基片（Cu/Ni/Cu）”、“利用选择性化学蚀刻剂钻蚀中间金属层”以及“在导体结构侧面形成蚀刻凹槽（23）以锚固密封剂”的技术特征。

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### 三、 权利要求1与对比文件技术特征比对表

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### 四、 最接近对比文件的选择与创造性分析

#### 1. 最接近对比文件的确定

在创造性审查或无效宣告中，评估“最接近的对比文件”需综合考量**技术领域、解决的技术问题、技术效果及技术特征叠加度**：

* **对比文件D2（US20040079957A1）适合作为第一最接近对比文件：**

* *理由：* D2同样属于“金属基底的LED封装”领域，公开了在金属导电基板（铜/铝）上涂覆薄绝缘层（Thermal Clad膜）并在其上作线（段落[0059]），且采用了反射器/透镜一体化定位机制，与目标专利在基板高导热金属化及大批量SMT制造的技术方向上最为接近。

* **对比文件D3（JP2004207621A）适合作为第二最接近对比文件：**

* *理由：* D3与目标专利**试图解决的二次技术问题完全相同** —— 即“防止封装内部密封树脂/胶水因热应力从基片表面剥落脱落”（D3段落[0006]与目标专利说明书[0034]）。

#### 2. 最接近对比文件未公开特征在其他文件中的显现情况

假定以 **D2** 为最接近的对比文件：

* **区别技术特征为：** 特征C、D、E、K、L、M、N（即：三层金属基片结构，利用中间层与上下层的选择性化学蚀刻差，通过“钻蚀”在导体结构侧边形成用于锚固密封剂的凹槽23）。

* **其他对比文件的结合性分析：**

* 检索的三份对比文件（D1、D2、D3）中，**没有任何一份文件公开了“三层金属基片选择性蚀刻钻蚀凹槽”** 这一化学微加工结构。

* 虽然D3提出了“在基底上制造阶梯物理孔以锚固树脂”的技术思想，但其是通过多层陶瓷生片冲孔叠层烧结（物理成型）实现的，**并未给出“通过多层金属湿法化学选择性蚀刻/钻蚀”来形成导体侧边微凹槽**的技术启示。

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### 五、 无效宣告请求中最薄弱的技术特征及攻击难点分析

在针对目标专利权利要求1提起无效宣告时，**最薄弱（即最难被无效掉、专利权人最强的防御堡垒）的技术特征是：特征K、L、M、N的组合**。

#### 薄弱点/攻击难点深度解析：

1. **“多层金属选择性蚀刻-钻蚀锚固”形成了高度协同的结构与效果：**

目标专利巧妙利用了PCB/引线框架加工中的湿法蚀刻特性：通过预先叠层“Cu-Ni-Cu”（特征D、K），利用不同金属对特定蚀刻液的反应活性差异（特征L、M），使得中间Ni层被横向钻蚀，从而在上部导体侧壁自发形成微观悬空凹槽（特征N）。

2. **技术效果明确且具有预料不到的显著进步：**

这一微观凹槽结构无需额外的机械冲压或复杂三维建模，在形成上层导电图案的同时，“顺带”解决了树脂密封胶在高低温循环下易剥离脱落的行业痛点（说明书[0034]）。

3. **现有技术存在技术偏见与教导缺位：**

现有技术（如D1、D2）多侧重于依靠表面涂布粘合剂或宏观结构压合；而D3虽关注树脂脱落，但采用的是陶瓷多层板冲孔逻辑。将“陶瓷冲孔防脱落”跨领域结合到“金属三层板湿法化学钻蚀凹槽防脱落”，存在较大的技术障碍（Technical Barrier），审查员/复审委极易认定该组合具备非显而易见性（创造性）。

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### 六、 进一步的对比文件检索策略（针对特征K-N）

为了彻底攻破权利要求1的创造性，后续检索必须**打破常规LED封装分类号限制，转向微电子加工及半导体引线框架（Leadframe）湿法蚀刻领域**。建议采用以下检索策略：

1. **扩展技术领域（IPC/CPC分类号重定位）：**

* 不应仅局限于LED封装（`H01L33/00`、`H01L23/00`）。

* 应重点拓展至：

* `H01L21/48`（专门涉及半导体器件封装基板/引线框架的制造方法）；

* `C23F1/00` - `C23F1/44`（金属材料的选择性化学蚀刻技术）；

* `H05K3/06` / `H05K3/38`（印制电路板中通过化学蚀刻增加金属与绝缘树脂结合力/锚固力的技术）。

2. **关键词组合逻辑（Focus on Chemical Etching & Anchoring）：**

* **核心逻辑链：** `[多层金属/铜镍铜/Cu-Ni-Cu]` + `[选择性蚀刻/钻蚀/侧蚀/Under-etch/Undercut]` + `[凹槽/锁紧/锚固/Anchoring/Interlocking/Keying]` + `[树脂/密封胶/塑封料/Encapsulant/Resin]`.

* *示例检索式（EN）：* `((under-etch* OR undercut* OR side-etch*) NEAR3 (groove* OR recess* OR cavity)) AND (anchor* OR interlock* OR keying) AND (sealant OR resin OR polymer OR encapsulant) AND (selective* NEAR2 etch*)`

3. **重点排查特定的技术来源与专利族：**

* **引线框架（Leadframe）巨头专利：** 重点检索住友电工（Sumitomo）、长电科技、三井金属（Mitsui）、大日本印刷（DNP）、日月光（ASE）在2000年~2008年间关于“无引线封装（QFN/DFN）”或“增强塑封料附着力（Mold Compound Adhesion Enhancement）”的微蚀刻专利。

* 在2000年前后，QFN封装引线框架行业曾大量采用“选择性半蚀刻（Half-etching）”或“双金属层钻蚀（Undercutting）”技术来防止塑封树脂脱落（即所谓的“Mechanical Interlocking”机制）。若能在此类引线框架制造专利中检索到“利用Cu/Ni选择性蚀刻形成锚固槽”的技术特征，即可与D2或D1进行跨领域组合，彻底无效掉权利要求1。

作为一名经验丰富的专利代理师，我紧密结合目标专利说明书（授权号：CN101584053B）及对比文件原文对权利要求1进行深入分析。

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## 一、 目标专利说明书对权利要求1技术特征的解读

在理解权利要求1的技术特征时，需结合目标专利说明书的记载，明确各术语的本质含义及技术逻辑：

1. **载体与准确定位（特征A-B、J）**：

* **说明书依据**：说明书第[0016]、[0020]段指出，在载体上提供图案化的绝缘间隔层（26），其形成的腔（27）能通过自身的形状、延伸和/或深度，精确限定光学元件（透镜45或漫射器61）相对于光学半导体元件（LED 41）的位置。

2. **多层载体结构（特征C-D、K-M）**：

* **说明书依据**：说明书第[0058]-[0067]段（图3a-3g），基片（10）由下部Cu层（14）、上部Cu层（13）及中间Ni层（12）组成。中间层与上下层采用不同金属，使得能够使用对中间层具有选择性的蚀刻剂进行选择性蚀刻。

3. **上部导体结构与腔深度（特征E-I）**：

* **说明书依据**：说明书第[0066]-[0068]段，在步骤206、207中蚀刻上部层和中间层形成上部导体结构（22）；在步骤208、209中层压/施加可光成像的膜（24，如聚酰亚胺或丙烯酸箔）并显影形成腔（27）。腔的深度大于LED（41）的高度，使得LED容置于腔内并倒装连接于焊盘（43）。

4. **选择性钻蚀与锚固作用（特征N）**：

* **说明书依据**：说明书第[0034]及[0067]段特别指出：“通过在中间载体层12和上部载体层13中提供可被选择性蚀刻的不同金属，可以执行钻蚀（under etch），由此形成凹槽23……这些凹槽23能够改进随后施加的密封剂到载体基体10的锚固。”

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## 二、 对比文件技术特征比对与公开性分析

下表对权利要求1的各项技术特征在对比文件中的公开情况进行了详细比对（附对比文件公开号及原文出处）：

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## 三、 接近的对比文件分析（基于技术问题与效果）

在评估创造性时，最接近的对比文件通常应当是与要求保护的发明**技术领域相同、所解决的技术问题和技术效果最接近、或者公开了最多个技术特征**的现有技术。本案中存在**双核心发明点**（光学定位腔体 + 异质多层金属选择性刻蚀钻蚀锚固），因此可确定以下两个最接近的对比文件：

### 1. D1 (US20030189829A1) —— 光学封装领域的最接近对比文件

* **技术领域与问题**：同属于LED发光/光学半导体封装领域，解决高密度LED散热、光学反射定位以及密封胶透镜封装的技术问题。

* **技术效果匹配**：公开了利用带有开口/腔的结构包围LED芯片，并在腔内充填透明密封剂/透镜，从而精准控制光学辐射方向。

* **缺失特征**：D1完全未公开导电多层金属载体基片（Cu-Ni-Cu或Cu-Al-Cu）以及选择性蚀刻中间层形成钻蚀凹槽（特征C, D, E, K, L, M, N）。

### 2. D2 (WO2003085728A1) —— 载体制造工艺领域的最接近对比文件

* **技术领域与问题**：属于半导体器件载体（Carrier）及其制造方法领域，旨在解决多层金属载体在封装过程中的机械强度、微型化以及封装胶与金属载体结合力差易脱落的技术问题。

* **技术效果匹配**：公开了与本专利**完全相同**的选择性蚀刻多层金属结构（Cu-Al-Cu），利用中间层（Al）被KOH选择性刻蚀而上下层（Cu）不被蚀刻的特性产生钻蚀凹槽（recesses 16），使随后的密封剂（envelope 40）嵌入凹槽中形成“机械锚固（mechanical anchor）”，显著提升锚固牢固度。

* **缺点/区别**：D2未应用于光学半导体器件，未公开“图案化的绝缘间隔层”以及“深于芯片且用于限定光学元件位置的腔”（特征A, B, F, G, H, I, J）。

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## 四、 结合对比文件的组合创造性与最薄弱特征分析

### 1. 组合路线与特征覆盖

如果以 **D1**（或D3）作为第一对比文件（提供光学封装与定位腔的整体架构）：

* **区别特征**：特征C、D、E、K、L、M、N（即三层异质金属载体选择性蚀刻形成钻蚀凹槽以锚固密封剂）。

* **特征来源**：上述区别特征被 **D2 (WO2003085728A1)** **全盘公开**。D2在第[0010]、[0031]、[0037]段明确教示了：为了解决封装胶与金属载体粘附性差的问题，采用Cu/Al/Cu三层载体，选择性刻蚀中间Al层形成侧向凹槽（16），塑封胶流入凹槽形成锚固。

* **结合动机**：本领域技术人员在面对D1中密封胶/树脂与金属导体层结合不够牢固、易剥离的技术问题时，有明确的技术启示去结合D2中的三层金属选择性刻蚀锚固技术。

### 2. 无效请求中最薄弱的技术特征分析

本专利在无效宣告程序中**最薄弱的技术特征是：特征K-N（选择性蚀刻异质中间金属层形成钻蚀凹槽以改进密封剂锚固）**。

* **薄弱原因**：

1. 尽管特征K-N在LED封装领域看似具有一定特殊性，但其本质是**IC/电子封装载体制造中的通用金属刻蚀与机械锚固手段**。

2. **D2 (WO2003085728A1)** 对特征K-N的公开程度达到了**完全预期的重合**——不仅材料作用机制相同（选择性蚀刻中间层），而且**技术效果完全一致**（均利用钻蚀形成的凹槽改善密封剂/塑封胶的机械锚固）。

3. 一旦将D1（光学定位腔架构）与D2（三层金属刻蚀锚固结构）进行结合，权利要求1的所有技术特征均被覆盖，且组合逻辑顺畅，创造性极易被击破。

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## 五、 进一步的对比文件检索策略

为了在无效宣告程序中构建更具毁灭性的“单篇摧毁（破坏新颖性）”或“更顺畅的创造性组合”，建议采取以下进一步检索策略：

1. **精准IPC分类号交叉检索**：

* **光学/LED封装分类**：`H01L33/48`, `H01L33/62`, `H01L23/495`, `F21K9/00`

* **印刷电路/多层载体制造分类**：`H05K3/00`, `H05K3/06`, `H05K1/02`, `H01L21/60`

* **逻辑运算**：将（LED/光学半导体/腔体定位）关键词与（三层金属/Cu-Ni-Cu/Cu-Al-Cu/钻蚀/选择性刻蚀/凹槽/锚固/Under-etch/Recess）进行逻辑与（AND）检索。

2. **追溯优先权与早期专利族**：

* 目标专利提到了现有技术 **WO2004023522A1**。围绕该族及同类引文（如ASAHI RUBBER、PHILIPS、CREE、OSRAM等早期的LED框架与光敏绝缘干膜/聚酰亚胺干膜结合专利）进行拓展。

3. **重点检索方向（寻找单篇全覆盖文献）**：

* 重点关注2002年-2008年间，日本（JP）、韩国（KR）以及台湾地区（TW）在**带腔体引线框架（Molded Matrix Frame/QFN Cavity Package）及LED预成型基板（Pre-molded Substrate）**领域的专利申请。此类专利极易在单一文献中同时包含“干膜/绝缘层形成定位腔”与“刻蚀半蚀刻金属引脚形成侧向凹槽以增强咬合/锚固”的技术特征。

这是一份针对目标专利（**CN101584053B**）权利要求1的专业无效分析与对比文件检索策略报告。

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### 一、对比文件基本信息对照

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### 二、各对比文件对权利要求1技术特征的比对与分析

结合**CN101584053B**说明书，权利要求1包含**14个技术特征（特征A–N）**。以下分析严格基于对比文件原文。

#### 1. 对比文件 D1（US20030063465A1）& DE1（DE10221587A1）分析

> *注：D1与DE1为同族专利，内容基本一致。*

* **特征C公开情况（实质公开/毫无异议公开）**：

* **原文出处**：D1段落[0004], [0019], [0021]；DE1说明书相关段落及图1。

* **具体内容**：公开了提供一种由至少三层构成的层状金属基板（`layered metal substrate`）]，符合“提供导电多层载体基片(10)”。

* **特征D公开情况（毫无异议公开）**：

* **原文出处**：D1段落[0004], [0019], [0021], 图1；DE1说明书及图1。

* **具体内容**：铝层12置于第一铜层14和第二铜层16之间（`aluminum layer 12 is preferably positioned between a first copper layer 14 and a second copper layer 16`）]。即公开了“上部载体层（铜14）、下部载体层（铜16）以及中间载体层（铝12）”。

* **特征E公开情况（实质公开）**：

* **原文出处**：D1段落[0019], [0021], [0022]；DE1说明书及图1-4。

* **具体内容**：通过选择性蚀刻去除第一铜层14的部分区域，形成特定连接点（`selectively removed to form specific connection points for circuit board elements`）]。

* **特征K、L、M公开情况（毫无异议公开）**：

* **原文出处**：D1段落[0019], [0021]；DE1说明书及图1。

* **具体内容**：中间层为铝（Al），上下层为铜（Cu），材质不同]；使用标准蚀刻工艺（铜选择性蚀刻），使铜被去除而铝作为反射部/中间层保留或经二次蚀刻, [0022]]。公开了中间层材料与上下层不同，且可通过选择性蚀刻剂蚀刻。

* **未公开特征**：**特征A、B、F、G、H、I、J、N**（D1/DE1主要关注利用蚀刻金属三层板做灯光反射器，未涉及图案化绝缘间隔层形成深腔以定位光学元件，亦未提及利用钻蚀形成凹槽来锚固密封剂）。

#### 2. 对比文件 D2（WO2003036720A2）分析

* **特征A、B公开情况（实质公开）**：

* **原文出处**：D2段落[0002], [0005]；图1。

* **具体内容**：公开了一种LED芯片封装（`LED chip package 10`），包括基底（`base 12`）、LED芯片阵列及准直器（`collimator 18`），能够实现准直器（光学元件）相对于LED芯片的准确定位与光线混合, [0005], [0010]]。

* **特征F、G、H、I、J公开情况（实质公开）**：

* **原文出处**：D2段落[0011], [0013]，图1、图2。

* **具体内容**：

* 基底12包含绝缘外壳35（`electrically insulative housing 35`）]，形成腔体30（`cavity 30 for the LED chips`）]。

* LED芯片安装在腔体内部的导电/散热结构上, [0013]]。

* 腔体填充有透明硅胶32，准直器18安装在腔体及基底之上，限定了光学元件相对于LED芯片的位置, [0013]]。

* 腔体深度容纳LED芯片，大于LED芯片高度]。

* **未公开特征**：**特征C、D、E、K、L、M、N**（D2采用的是传统的塑封/陶瓷外壳包装金属散热块结构，未采用导电多层金属基片（如铜/铝/铜或铜/镍/铜）通过蚀刻形成上部导体结构及钻蚀凹槽）。

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### 三、特征比对表格

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### 四、最接近现有技术分析与创造性评估

#### 1. 最接近对比文件的选择

从**整体解决的技术问题**和**技术效果**角度来看：

* **首选最接近对比文件：D2 (WO2003036720A2)**

* **技术问题与效果**：D2与本目标专利高度契合，均致力于解决“如何紧凑封装LED芯片、实现光学元件（准直器/透镜）与半导体芯片之间的精准对准定位、以及改善混光与密封”的技术问题。D2公开了包含绝缘外壳腔体、放置半导体元件并安装光学元件的整体架构（特征A, B, F, G, H, I, J）。

* **结合路径**：以D2为最接近现有技术，区别特征在于基板采用了“三层金属基片（C, D, E, K, L, M）”以及“钻蚀形成锚固凹槽（N）”。

* **次选/平行最接近对比文件：D1 (US20030063465A1) / DE1 (DE10221587A1)**

* **技术问题与效果**：D1/DE1解决了“利用三层金属（Cu/Al/Cu）通过选择性蚀刻制作电路板和导电结构”的问题。

* **结合路径**：若以D1/DE1为最接近现有技术，区别特征在于缺乏在基片上施加“图案化绝缘间隔层以形成用于定位光学元件的高深度腔（F, G, H, I, J）”以及“钻蚀形成密封剂锚固凹槽（N）”。

#### 2. 无效请求中最薄弱的技术特征（突破口）

通过对上述比对分析可以发现，**最薄弱的技术特征是：特征N**（*“由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固”*）。

* **原因分析**：

1. 在D1/DE1中已经公开了铜/铝/铜三层金属的选择性腐蚀与蚀刻（特征C, D, E, K, L, M）。

2. 在多层电路板或引线框架（Leadframe/PCB）制造领域，利用不同金属的蚀刻速率差异进行**侧蚀/钻蚀（Under-etching/Undercut）**以形成倒角或凹槽，从而增强模塑胶/密封剂（Molding Compound / Encapsulant）的**机械锁紧/锚固效应（Mechanical Interlocking / Anchoring effect）**，属于半导体封装领域的**公知常识（Common General Knowledge）**或常规技术手段。

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### 五、进一步对比文件检索策略

为了彻底攻破权利要求1（尤其是特征N及特征F/G的组合），建议采取以下补强检索策略：

1. **针对“钻蚀凹槽/锚固密封剂（特征N）”的专项检索**：

* **逻辑组合**：`(三层板 OR 引线框架 OR 铜/镍/铜 OR 蚀刻) AND (钻蚀 OR 侧蚀 OR 凹槽 OR 锁紧) AND (密封胶 OR 塑封料 OR 锚固 OR 粘接力)`

* **IPC/CPC 分类号**：

* `H01L23/495`（半导体器件的引线框架）

* `H01L21/56`（封装/密封技术）

* `H05K3/06`（通过蚀刻制造印制电路）

* **检索目标**：寻找在2008年以前公开的、明确记载“通过选择性蚀刻/钻蚀金属层形成凹槽/倒钩，以提高塑封胶/密封剂锚固力”的PCB或半导体封装专利。

2. **针对“绝缘间隔层/光敏胶形成定位腔（特征F, G, J）”的补强检索**：

* **逻辑组合**：`(LED OR 光电半导体) AND (干膜 OR 光刻胶 OR 聚酰亚胺 OR 绝缘层) AND (腔 OR 凹槽 OR 定位透镜)`

* **IPC/CPC 分类号**：

* `H01L33/48` / `H01L33/58`（发光器件的封装与光学元件）

* `H01L31/0203`（光敏器件的封装）

* **检索目标**：寻找在三层板或电路板上直接层压/旋涂光敏绝缘层（如聚酰亚胺 SU-8），光刻出深腔以放置LED并定位透镜的现有技术。

作为一名经验丰富的专利代理师，我结合目标专利说明书对权利要求1进行拆解与解释，并紧密结合三份对比文件（D1、D2、D3）的原文及出处进行详细的对比分析。

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### 一、 目标专利权利要求1的技术特征拆解与说明书解释

根据目标专利（CN101584053B）的说明书记载，本发明的核心在于提供一种高紧凑性、低成本且高精度的光学半导体器件载体制造方法。其特征拆解及说明书含义解释如下：

* **技术特征 A+B（前言部分）**：一种用于制造载体（40）的方法，所述载体能够使得光学元件（45；61）相对于要连接到所述载体（40）的光学半导体元件（41）准确定位。

* *说明书解释*：光学元件（如透镜、漫射器）需要相对于光学半导体元件（如LED、图像传感器）精确定位（说明书[0001]、[0004]）。

* **技术特征 C**：提供（201）导电多层载体基片（10）。

* *说明书解释*：基片是多层金属/导电结构（说明书[0011]、[0060]）。

* **技术特征 D**：所述导电多层载体基片具有上部载体层（13）、下部载体层（14）以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层（12）。

* *说明书解释*：优选三层金属基片，如Cu/Ni/Cu结构（说明书[0058]、[0060]）。

* **技术特征 E**：在所述上部载体层和所述中间载体层（13，12）中形成（206，207）上部导体结构（22）。

* *说明书解释*：通过选择性蚀刻在上层和中间层形成用于连接半导体元件的线路/焊盘图案（说明书[0066]、图3f-g）。

* **技术特征 F**：在所述载体基片（10）的上部载体层侧提供（208，209）图案化的绝缘间隔层（26）。

* *说明书解释*：如聚酰亚胺或丙烯酸薄膜，层压或旋涂于上侧（说明书[0023]-[0026]、[0068]）。

* **技术特征 G**：所述绝缘间隔层（26）被图案化从而形成至少一个腔（27）。

* *说明书解释*：通过光刻/显影等方式在间隔层中开出腔体（说明书[0068]）。

* **技术特征 H**：在该腔中所述光学半导体元件（41）能够连接到所述上部导体结构（22）。

* *说明书解释*：半导体元件（如LED）放置于腔内，并通过倒装芯片或引线键合连接到导体结构（说明书[0039]、[0068]、[0072]）。

* **技术特征 I**：当所述光学半导体元件（41）被连接到所述载体（40）时，所述腔（27）的深度大于所述光学半导体元件（41）的高度。

* *说明书解释*：腔的深度（即间隔层厚度）大于芯片高度，确保芯片能完全容纳在腔内（说明书[0011]、[0068]）。

* **技术特征 J**：所述腔（27）形成为限定所述光学元件（45；61）相对于所述光学半导体元件（41）的位置。

* *说明书解释*：腔的边缘/边界或深度直接作为光学元件（如透镜或漫射液体）的安装定位基准（说明书[0016]、[0073]、[0077]）。

* **技术特征 K**：所述中间载体层（12）是由与所述上部载体层（13）和所述下部载体层（14）不同的金属制成的。

* *说明书解释*：中间层与上下层采用异种金属（如中间为Ni，上下为Cu）（说明书[0058]、[0060]）。

* **技术特征 L**：所述金属被选择为使得所述中间载体层（12）能够被蚀刻剂蚀刻。

* **技术特征 M**：所述蚀刻剂使所述上部载体层（13）和所述下部载体层（14）基本保持原样。

* *说明书解释*（L+M）：选择具有选择性蚀刻特性的化学蚀刻剂（如选择性蚀刻Ni而不蚀刻Cu）（说明书[0034]、[0067]）。

* **技术特征 N**：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构（22）中形成凹槽（23），能够改善随后施加的密封剂（46）的锚固。

* *说明书解释*：利用选择性蚀刻对中间层进行侧向钻蚀（under-etch），在上层下方形成悬空凹槽（下切结构），注塑/填充密封胶时形成机械互锁（锚固效应）（说明书[0034]、[0067]、图3g）。

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### 二、 对比文件原文出处及特征比对表格

#### 对比文件公开号及基本信息

* **D1**: US4929965A (*Optical writing head*)

* **D2**: US20010050370A1 (*Light irradiating device, manufacturing method thereof, and lighting apparatus using the light irradiating device*)

* **D3**: GB2380329A (*Etched metal light reflector for vehicle feature illumination*)

#### 技术特征比对表（标有详细原文出处）

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### 三、 最接近对比文件分析（结合解决的技术问题与技术效果）

在评估专利创造性时，选择最接近的对比文件需考虑：**技术领域是否相同、解决的技术问题是否最贴近、公开的技术特征数量是否最多**。

针对本专利，存在**两个**均适合作为最接近对比文件的候选（针对不同的发明点侧重）：

#### 方案一：以 **D1 (US4929965A)** 为最接近对比文件

* **技术领域与问题**：D1同样属于光学半导体器件（LED打印头/发光头）及其载体制造领域。其旨在解决高精度光学对准、简化封装流程及降低成本的问题（Col. 1, lines 60-68）。

* **技术效果与特征覆盖**：D1公开了利用图案化绝缘层（聚酰亚胺FPC）开腔/开孔，将LED芯片倒装或键合在腔内导体结构上，并利用腔体/结构实现光学元件（光纤 bundle、透镜）相对于LED芯片的准确定位（特征 A, B, E, F, G, H, J）。

* **主要区别特征**：D1未公开三层金属基片（特征 C, D, K, L, M）以及利用异种金属选择性蚀刻钻蚀形成改进锚固力的凹槽（特征 N）。

#### 方案二：以 **D3 (GB2380329A)** 为最接近对比文件

* **技术领域与问题**：D3属于利用三层蚀刻金属（ETM）电路板作为发光/反射器件载体的领域，旨在解决载体结构强度、散热及多层电路集成的技术问题（Page 4, lines 15-25）。

* **技术效果与特征覆盖**：D3完全公开了**Cu/Al/Cu三层金属基片**（特征 C, D, K），并明确指出了铝层可被选择性蚀刻而铜层保持不变（特征 L, M），且在顶层及中间层形成导电/反射结构（特征 E）。

* **主要区别特征**：D3未公开在上部提供图案化的“绝缘间隔层”并形成大于芯片高度的“腔”来定位光学元件（特征 F, G, H, I, J），也未公开利用钻蚀形成用于密封胶“锚固”的凹槽（特征 N）。

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### 四、 未被最接近对比文件公开特征的组合公开情况

假设以 **D1 (US4929965A)** 作为最接近对比文件（主对比文件）：

1. **区别特征组 1（三层金属基板及其选择性蚀刻：C, D, K, L, M）**：

* **是否被其他对比文件公开？**：**是，已被 D3 (GB2380329A) 毫无异议公开**。

* *出处与逻辑*：D3（Page 5, lines 5-10; Page 6, lines 15-25）明确公开了由 Cu/Al/Cu 组成的“Layered metal substrate”，且说明了铝可被专一蚀刻剂选择性蚀刻而铜层保留。将D3的三层金属基板技术引入D1的电路载体中属于本领域的惯用技术结合。

2. **区别特征组 2（钻蚀形成凹槽以改善密封剂锚固：特征 N）**：

* **是否被其他对比文件公开？**：**部分公开于 D2 (US20010050370A1)**。

* *出处与逻辑*：D2（Paragraph [0051], Fig. 3）公开了通过选择性/侧向蚀刻金属层形成类似“飞檐/帽檐”（Visor）的侧向悬空结构，其明确的技术效果是“增加金属与封装树脂（Resin）之间的结合力/附着力（Adhesiveness）”。

3. **区别特征 3（腔深度大于半导体元件高度：特征 I）**：

* **是否被公开？**：在D1或D2中，虽然半导体放置在绝缘层开孔/凹陷处，但并未明确强调“绝缘腔的深度必然大于芯片高度”。然而，从实现“封装密封”以及“光学元件平整覆盖在腔体上方”的工程设计常识来看，将腔体深度设计为大于芯片高度属于**本领域的常规设计选择（Design Choice）**。

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### 五、 无效请求中最薄弱的技术特征分析

若针对本专利（CN101584053B）权利要求1发起无效宣告请求，**最薄弱（最难被单篇对比文件直接完全攻破、需要结合多篇或依赖常规设计认定）的技术特征**是：

#### **最薄弱特征：特征 N （钻蚀上部载体层形成凹槽，改善密封剂的锚固）与特征 I 的限定结合**

* **薄弱点原因分析**：

1. **特征 N 的特定结构与功能协同**：特征 N 强调的是“在三层金属体系中，利用中间层与上下层蚀刻速率/化学性质的差异，**专门对中间层进行侧向钻蚀（under-etch）**，从而在上部导体结构下方产生**用于树脂机械锚固（Anchoring）的物理凹槽**”。

2. 虽然 D2 公开了利用蚀刻形成 visor 增加树脂附着力，但 D2 是单层金属箔的半蚀刻（Half-etching）；而 D3 虽然公开了三层金属 Cu/Al/Cu 的选择性蚀刻，但 D3 蚀刻铝层是为了**暴露铝作为光反射面**（Reflective portion），**并非为了形成密封胶的机械锚固凹槽**。

3. 因此，专利权人极易在无效答辩中主张：D3 蚀刻中间层的目的（做反射面）与本专利（做钻蚀凹槽实现锚固）存在**技术偏离（Technical Prejudice）**；D2 虽提到附着力，但结构与三层金属钻蚀完全不同。

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### 六、 进一步对比文件检索策略建议

为了在无效宣告程序中彻底攻破特征 N 以及特征 I/F/G/J 的组合，建议采取以下进一步的补充检索策略：

1. **针对“三层金属钻蚀形成树脂锚固/互锁结构”的专一检索（攻破特征 N）**：

* **检索方向**：不再局限于“光学半导体/LED封装”领域，扩展至**通用半导体封装（IC Packaging）、引线框架（Leadframe）、印制电路板（PCB/Substrate）制造技术**。

* **技术关键词**：

* 中文：`三层金属` / `异种金属` / `选择性蚀刻` / `钻蚀` / `侧蚀` / `凹槽` / `咬合` / `锚固` / `树脂结合力` / `倒扣`

* 英文：`tri-metal` / `three-layer` / `under-etch` / `under-cutting` / `undercut` / `selective etch` / `groove` / `anchor` / `anchoring` / `interlocking` / `resin adhesion`

* **分类号 (IPC/CPC)**：`H01L23/495` (引线框架)；`H05K3/06` (蚀刻制备电路)；`H01L21/56` (封装)。

2. **针对“利用图案化绝缘间隔膜（如聚酰亚胺/干膜）开腔承载LED并直接定位透镜”的检索（加强特征 F, G, H, I, J）**：

* **检索方向**：聚焦于 2003–2008 年间的 LED 表面贴装器件（SMD LED）及晶片级封装（WLP）。

* **技术关键词**：

* 英文：`spacer layer` / `cavity` / `photoimageable` / `polyimide` / `lens positioning` / `LED package` / `cavity depth`

* **分类号 (IPC/CPC)**：`H01L33/48` (发光器件封装结构)；`H01L33/58` (光学元件结合)；`H01L33/60` (反射腔)。

3. **组合检索式示范（以 European Patent Office - Espacenet / Google Patents 为例）**：

* `CPC = H01L23/495 OR H01L33/48` AND `FT = (undercut OR "under etch" OR "selective etching") AND (anchor OR anchoring OR "resin adhesion")`

* `FT = ("tri-metal" OR "three layer") AND (copper OR cu) AND (nickel OR aluminum) AND (etch OR undercut) AND (interlock OR anchor)`

根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤；在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层；所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22；43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接；所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22；43)。

根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括以下步骤；在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线；所述引线彼此电隔离。

一种制造光学半导体器件(50；60)的方法，所述光学半导体器件使得光学元件(45；61)相对于包括在所述半导体器件(50；60)中的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括根据权利要求1的步骤，并且还包括以下步骤；将所述光学半导体元件连接(402)到所述上部导体结构(22)；所述上部导体结构处于由所述图案化的绝缘间隔层(26)形成的所述腔(27)中；在由所述图案化的绝缘间隔层(26)限定的所述位置提供(403；601)所述光学元件(45；61)。

一种用于制造光学半导体器件(50；60)的方法，所述光学半导体器件使得光学元件(45；61)相对于包括在所述半导体器件(50；60)中的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤；提供(401)载体(40)；所述载体包括导电多层载体基片(10)；所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)；所述上部载体层与所述中间载体层具有形成于其中的上部导体结构(22)；所述载体还包括图案化的绝缘间隔层(26)，布置在所述载体基片(10)的上部载体层侧；所述绝缘间隔层(26)被图案化，从而形成至少一个腔(27)；在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)；当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度；所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45；61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置；将所述光学半导体元件(41)连接(402)到所述上部导体结构(22；43)；所述上部导体结构(22；43)处于由所述图案化的绝缘间隔层(26)形成的所述腔(27)中；在由所述图案化的绝缘间隔层(26)限定的所述位置提供(403；601)所述光学元件(45；61)；所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的；所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻；所述蚀刻剂使所述上部载体层(12) and 所述下部载体层(14)基本保持原样；由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。

根据权利要求4或5所述的方法，还包括以下步骤；在所述下部载体层(14)中形成(403；601)下部导体结构(47)；从而形成能够将所述光学半导体元件(41)电连接到外部器件的引线；所述引线彼此电隔离。

根据权利要求4或5所述的方法，其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。

根据权利要求4或5所述的方法，其中通过利用液体光学活性物质(46)填充(601)所述腔(27)来提供所述光学元件(61)；所述液体光学活性物质在覆盖所述光学半导体元件(41)时适合于用作光学元件(61)，如漫射器。

根据权利要求4或5所述的方法，其中提供(403)所述光学元件(45)的所述步骤包括以下步骤；将所述光学元件(45)定位在由所述图案化的绝缘间隔层(26)限定的所述位置处；利用弹性光学化合物(46)填充由所述腔(27) and 所述光学元件(45)限定的空间，用于降低所述半导体器件(41)上的应力。

根据权利要求4或5所述的方法，其中；所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成多个腔(27)；至少一个光学半导体元件(41)被连接到在每个所述腔(27)中的所述导体结构(22)；在由所述图案化的绝缘间隔层(26)限定的位置处为每个所述腔(27)提供光学元件(45；61)；由此形成包括多个所述光学半导体器件(50；60)的面板；所述方法还包括以下步骤；将所述面板分离成各个光学半导体器件(50；60)或各光学半导体器件的块。

一种载体(40)，能够使得光学元件(45；61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述载体包括；导电多层载体基片(10)；所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及在所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)；所述上部载体层(12)和所述中间载体层(12)具有形成在其中的上部导体结构(22)；图案化的绝缘间隔层(26)，布置在所述载体基片(10)的上部载体层侧；所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)；在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)；当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度；所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45；61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置；所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层和所述下部载体层(14，13)不同的金属制成的；所述金属被选择为使得所述中间载体层能够被蚀刻剂蚀刻；所述蚀刻剂使所述上部载体层和所述下部载体层基本保持原样；由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。

根据权利要求11所述的载体(40)，还包括；中间绝缘层，布置在所述上部载体层(13)与所述图案化的绝缘间隔层(26)之间；所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述导体结构(22；43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接；所述凸块面向所述中间膜并且所述凸块的位置对应于所述导体结构。

一种光学半导体器件(50；60)，包括；根据权利要求11所述的载体(40)；光学半导体元件(41)，被连接到所述上部导体结构(22；43)；所述上部导体结构(22；43)处于由所述图案化的绝缘间隔层(26)形成的腔(27)中；光学元件(45；61)，设置在由所述图案化的绝缘间隔层(26)限定的所述位置处。

根据权利要求13所述的光学半导体器件(50；60)，其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。

根据权利要求13或14所述的光学半导体器件(50)，其中所述光学元件(45)位于由所述图案化的绝缘间隔层(26)限定的所述位置处；利用弹性光学化合物(46)填充由所述腔(27)和所述光学元件(45)限定的空间，用于降低所述半导体器件(41)上的应力。