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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 2004-10-16_KR1020040088371A_发明公开_KR1020040088371A 발광 디스플레이, 그 구동방법, 일렉트로루미네센스 표시회로, 및 일렉트로루미네센스 디스플레이.docx |
| 0 | 2004-03-11_DE69432426T_发明专利_DE69432426T2 Connecting layers of a light emitting diode_+++A_B_Z+++.docx |
| 0 | 2004-03-11_JP2004080042A_发明专利_JP2004080042A Surface patterning of light emitting diode layer for bonding to second light emitting diode layer_+++A_B_Z+++.docx |
| 0 | 2004-03-11_KR1020040022177A_发明公开_KR1020040022177A 반도체 장치 및 그것을 이용한 광학 장치_+++A_B_C_D_K_L_M_O_P_Q_T_U_V_W_e_g_h+++.docx |
| 0 | 2004-03-11_US2004046242A_发明申请_US20040046242A1 Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device_+++A_B_C_D_E_K_L_M_O_P_Q_T_U_V_W_g_h+++.docx |
| 0 | 2004-03-22_JP3509809B_发明专利_JP3509809B2 The sub-mount and the semiconductor device_+++C_M_T_V_b_l+++.docx |
| 0 | 2004-04-01_US2004061123A_发明申请_US20040061123A1 Optimized contact design for flip-chip LED_+++A_B_C_K_L_M_T_U_V_W+++.docx |
| 0 | 2004-04-28_CN1492521A_发明公开_CN1492521A 半导体器件和一种使用该半导体器件的光学器件_+++A_B_C_D_K_L_M_O_Q_T_U_V_W_e_g_h+++.docx |
| 0 | 2004-05-31_JP3532953B_发明专利_JP3532953B2 Manufacturing method of a light-emitting diode_+++A_B_L_Z+++.docx |
| 0 | 2004-06-01_US6744800B_发明授权_US06744800B1 Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate_+++A_B_L_W_k+++.docx |
| 0 | 2004-06-03_US2004105471A_发明申请_US20040105471A1 STRUCTURE FOR NITRIDE BASED LASER DIODE WITH GROWTH SUBSTRATE REMOVED_+++A_B_C_F_L_M_T_V_W_X_Y_n+++.docx |
| 0 | 2004-07-15_JP2004198044A_发明专利_JP2004198044A Water heater.docx |
| 0 | 2004-08-19_US2004160173A_发明申请_US20040160173A1 High-powered light emitting device with improved thermal properties_+++A_B_C_D_K_L_M_P_V_W_e_g_h_o+++.docx |
| 0 | 2004-08-25_EP1450417A_发明公开_EP1450417A1 High-powered light emitting device with improved thermal properties_+++A_B_C_D_K_L_M_P_V_W_e_g_h_o+++.docx |
| 0 | 2004-10-05_US6800500B_发明授权_US06800500B2 III-nitride light emitting devices fabricated by substrate removal_+++A_B_C_L_M_T_W_Z_f_v_x+++.docx |
| 0 | 2004-03-10_EP1396891A_发明公开_EP1396891A2 Semiconductor device and optical device using the same_+++A_B_C_D_K_L_M_O_P_Q_T_U_V_W_e_g_h+++.docx |
| 0 | 2004-12-07_US6828586B_发明授权_US06828586B2 Semiconductor device and method of manufacturing the same.docx |
| 0 | 2004-12-07_US6828596B_发明授权_US06828596B2 Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices_+++A_B_C_K_L_M_T_V_W+++.docx |
| 0 | 2004-12-14_US6831625B_发明授权_US06831625B2 LCD driving circuitry with reduced number of control signals.docx |
| 0 | 2005-01-13_US2005006754A_发明申请_US20050006754A1 ELECTRONIC DEVICES AND METHODS FOR MAKING SAME USING NANOTUBE REGIONS TO ASSIST IN THERMAL HEAT-SINKING_+++A_B_C_K_L_M_T_U_V_W+++.docx |
| 0 | 2005-04-07_WO2005031860A_发明申请_WO2005031860A2 ELECTRONIC DEVICES AND METHODS FOR MAKING SAME USING NANOTUBE REGIONS TO ASSIST IN THERMAL HEAT-SINKING_+++B_C_L_M_T_U_W_k_v+++.docx |
| 0 | 2005-04-12_US6878973B_发明授权_US06878973B2 Reduction of contamination of light emitting devices_+++A_B_C_D_M_O_P_Q_W_e_g_h+++.docx |
| 0 | 2005-04-14_JP3108534U_实用新型_JP3108534U Insect dishwasher colander with ventilation network.docx |
| 0 | 2005-04-26_US6885035B_发明授权_US06885035B2 Multi-chip semiconductor LED assembly_+++A_B_C_D_G_K_L_M_T_U_V_W_e_h+++.docx |
| 0 | 2005-05-31_US6901503B_发明授权_US06901503B2 Data processing circuits and interfaces.docx |
| 0 | 2008-02-07_None_发明专利_JPWO2005091280A1 光学素子、光ピックアップ及び光情報記録再生装置.docx |
| 0 | 2010-01-28_None_发明专利_JPWO2008038391A1 半導体集積装置及び半導体集積装置の消費電力平準化方法.docx |
| 0 | DE69406964T2_Description_20260712_1549_+++A_B_L_T_Z+++.docx |
| 0 | WO03094220A1_Description_20260712_1549_+++C_T_V_a_b_m+++.docx |
| 0 | 2002-06-13_US2002070386A_发明申请_US20020070386A1 III-nitride light-emitting device with increased light generating capability_+++A_B_C_G_L_M_T_V_W_d_e_h_k+++.docx |
| 0 | 1994-12-27_US5376580A_发明授权_US5376580A Wafer bonding of light emitting diode layers_+++A_B_L_Z+++.docx |
| 0 | 1996-05-28_None_发明专利_JPH08134625A Method for forming titanium sheet.docx |
| 0 | 1997-11-26_EP0616376B_发明授权_EP0616376B1 Wafer bonding of light emitting diode layers_+++A_B_L_Z+++.docx |
| 0 | 1998-07-07_US5777433A_发明授权_US5777433A High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material_+++B_o_p_q+++.docx |
| 0 | 1998-07-14_US5779924A_发明授权_US5779924A Ordered interface texturing for a light emitting device_+++A_B_l+++.docx |
| 0 | 1999-09-13_JP2947099B_发明专利_JP2947099B2 Molding method of titanium sheet.docx |
| 0 | 2001-06-28_WO2001047036A_发明申请_WO01047036A1 III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICE WITH INCREASED LIGHT GENERATING CAPABILITY_+++A_B_C_D_L_M_T_V_W_e_g_h_k_o+++.docx |
| 0 | 2001-07-27_JP2001203386A_发明专利_JP2001203386A Group iii nitride ligh-emitting device with raised light generation capability_+++A_B_C_K_L_M_T_V_W_d_e_g_h_o_p_q_r_s+++.docx |
| 0 | 2001-08-14_US6274924B_发明授权_US06274924B1 Surface mountable LED package_+++b+++.docx |
| 0 | 2001-10-25_US2001032985A_发明申请_US20010032985A1 Multi-chip semiconductor LED assembly_+++A_B_C_D_L_M_T_U_V_W_e_g_h_k+++.docx |
| 0 | 2001-12-05_EP1159766A_发明公开_EP1159766A1 III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICE WITH INCREASED LIGHT GENERATING CAPABILITY_+++A_B_C_D_L_M_T_V_W_e_g_h_k_o_p_q_r_s+++.docx |
| 0 | 2002-02-12_US6346165B_发明授权_US06346165B1 Method for production of lignocellulosic composite materials.docx |
| 0 | 2002-04-02_US6365429B_发明授权_US06365429B1 Method for nitride based laser diode with growth substrate removed using an intermediate substrate_+++A_B_C_F_K_L_M_T_V_W_X_Y_n+++.docx |
| 0 | 2002-04-25_US2002047131A_发明申请_US20020047131A1 Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction_+++A_B_C_L_T_V_W_k_m+++.docx |
| 0 | 1994-09-21_EP0616376A_发明公开_EP0616376A1 Wafer bonding of light emitting diode layers_+++A_B_L_Z+++.docx |
| 0 | 2002-06-25_US6410943B_发明授权_US06410943B1 Light emitting device contact layers having substantially equal spreading resistance and method of manufacture_+++A_B_L+++.docx |
| 0 | 2002-09-10_US6448102B_发明授权_US06448102B1 Method for nitride based laser diode with growth substrate removed_+++A_B_C_F_K_L_M_T_V_W_X_Y_n+++.docx |
| 0 | 2002-09-24_US6455878B_发明授权_US06455878B1 Semiconductor LED flip-chip having low refractive index underfill_+++A_B_C_D_G_I_J_K_L_M_O_Q_R_V_W_e_h+++.docx |
| 0 | 2002-10-31_US2002161988A_发明申请_US20020161988A1 Data processing circuits and interfaces.docx |
| 0 | 2002-11-21_US2002171087A_发明申请_US20020171087A1 III-nitride light-emitting device with increased light generating capability_+++A_B_C_D_L_M_V_W_e_g_h_k_o_q_t+++.docx |
| 0 | 2002-11-26_US6486499B_发明授权_US06486499B1 III-nitride light-emitting device with increased light generating capability_+++A_B_C_L_M_T_V_W_d_e_g_h_k_o_q+++.docx |
| 0 | 2002-12-20_JP2002368020A_发明专利_JP2002368020A Submount and semiconductor device_+++C_T_V_b_l_m+++.docx |
| 0 | 2003-01-09_US2003007190A_发明申请_US20030007190A1 Data transmission method and data transmission apparatus.docx |
| 0 | 2003-01-17_JP2003018539A_发明专利_JP2003018539A Data processing equipment, data processing method, computer readable recording medium and data processing program.docx |
| 0 | 2003-06-03_US6573537B_发明授权_US06573537B1 Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs_+++A_B_C_D_L_M_T_V_W_e_g_h_k_o_p_q_r_s+++.docx |
| 0 | 2003-06-10_US6576488B_发明授权_US06576488B2 Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor_+++A_B_C_K_L_M_T_V_W+++.docx |
| 0 | 2003-11-18_US6650044B_发明授权_US06650044B1 Stenciling phosphor layers on light emitting diodes_+++B_C_L_M+++.docx |
| 0 | 2004-01-08_JP2004006986A_发明专利_JP2004006986A Reflective interface between light emitting diode layer and bonded wafer_+++A_B_Z_l+++.docx |
权利要求1
一种移除生长基板的方法，包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110)；该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层；通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30)；在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44)；其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑；以及通过激光解离移除该生长基板(10)。
权利要求2
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体 and 半导体结构之间；以及使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑。
权利要求3
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层；以及在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连。
权利要求4
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区；以及形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触。
权利要求5
如权利要求4所述的移除生长基板的方法，其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个。
权利要求6
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；以及该半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米。
权利要求7
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，其中该底部填料包括有机材料。
权利要求8
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，其中该底部填料包括无机材料。
权利要求9
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，其中该底部填料包括环氧树脂。
权利要求10
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，其中该底部填料包括硅树脂。
权利要求11
如权利要求10所述的移除生长基板的方法，进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒。
权利要求12
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，其中该至少一个互连包括金；以及附着包括通过超声焊接进行附着。
权利要求13
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，其中该至少一个互连包括焊料。
权利要求14
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石；以及移除包括通过激光解离进行移除。
权利要求15
如权利要求14所述的移除生长基板的方法，其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面。
权利要求16
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，其中移除包括通过蚀刻进行移除。
权利要求17
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，进一步包括，在移除该生长基板之后使该半导体结构变薄。
权利要求18
如权利要求17所述的移除生长基板的方法，其中变薄包括，蚀刻到置于该半导体结构中的蚀刻停止层。
权利要求19
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，进一步包括使通过移除该生长基板而暴露的该半导体结构的表面粗糙。
权利要求20
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，进一步包括沿该半导体结构 and 生长基板的侧表面引入底部填料材料；其中在移除该生长基板时，沿该半导体结构和生长基板的侧表面的所述底部填料形成该半导体结构的顶部表面上的围绕物；以及将波长转换材料置于该围绕物中。
权利要求21
如权利要求20所述的移除生长基板的方法，其中将波长转换材料置于该围绕物中包括，淀积磷光体和透明材料的混合物；以及通过引入到空腔中的底部填料、沿该半导体结构和该生长基板的侧表面引入的底部填料、和该透明材料，密封该半导体结构。
权利要求22
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，进一步包括，在通过移除该生长基板而暴露的半导体结构的顶部表面中形成光子晶体，该光子晶体包括在该半导体结构中形成的孔阵列。
权利要求23
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，进一步包括在通过移除该生长基板而暴露的半导体结构的顶部表面上形成包括孔阵列的掩模；将该孔阵列蚀刻到该半导体结构的顶部表面中；以及移除该掩模。
权利要求24
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，其中该载体连接到多个其他载体，所述多个载体中的每个载体附着到至少一个半导体结构，该方法进一步包括在引入底部填料之前，按压置于该半导体结构上面的板和置于该多个载体下面的板之间的多个载体，从而迫使每个半导体结构具有基本上均匀的高度；在移除该生长基板之后，使该半导体结构变薄；在该半导体结构的顶部表面上应用光致抗蚀剂层；在该光致抗蚀剂中形成包括孔阵列的掩模；将该孔阵列蚀刻到至少一个半导体结构的顶部表面中；以及移除该光致抗蚀剂掩模。
权利要求25
如权利要求24所述的移除生长基板的方法，进一步包括在应用光致抗蚀剂层之前，在相邻的半导体结构之间的空间中应用材料，从而使得该多个半导体结构的顶部表面基本上是平面的。
权利要求26
如权利要求1所述的移除生长基板的方法，其中该至少一个互连和该底部填料中的一个的热膨胀系数不大于该至少一个互连和该底部填料中的另一个的热膨胀系数的两倍。