一种用于校正分流电阻器的电流值的系统，所述系统包括，电流计算单元，该电流计算单元被配置成基于检测到的设置在电路中的分流电阻器的电压值和所述分流电阻器的第一电阻值来计算所述分流电阻器的电流值；功率计算单元，该功率计算单元被配置成基于设置在所述电路中的所述分流电阻器的所述电流值和所述分流电阻器的所述第一电阻值来计算所述分流电阻器的功耗和发热值；温度测量单元，该温度测量单元被配置成测量所述分流电阻器的环境温度值；最终温度值计算单元，该最终温度值计算单元被配置成根据基于所计算的发热值和所述分流电阻器的热阻系数计算的所述分流电阻器的发热温度值以及所述分流电阻器的环境温度值来计算所述分流电阻器的第二最终温度值和与电流流动之前的第一最终温度值相比的所述第二最终温度值的变化量；并且计算所述分流电阻器的最终温度值变化量；以及电阻计算单元，该电阻计算单元被配置成基于所计算的所述分流电阻器的最终温度值变化量以及所述分流电阻器根据温度变化而变化的温度系数值来计算所述分流电阻器的第二电阻值；其中，所述电阻计算单元将通过下面的式4计算的值确定为所述分流电阻器的所述第二电阻值，[式4] R＝Ri+(T*b)，这里，R是所述分流电阻器的所述第二电阻值，Ri是所述分流电阻器的所述第一电阻值，T是所述分流电阻器的所述最终温度值变化量，并且b是所述分流电阻器的温度系数。

作为一名经验丰富的专利代理师，我现针对目标专利（CN111542760B）的权利要求1，紧密结合说明书公开内容以及两份对比文件（D1: DE102009034448A1，D2: JP2014070275A）的原文进行深度法律与技术分析。

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## 一、 权利要求1的技术特征拆解与对比文件比对

根据目标专利说明书及相关技术方案，权利要求1被拆解为特征A至G。以下是对比文件D1和D2对上述特征的公开情况详细特征比对表：

### 特征比对表

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## 二、 最接近的对比文件（D1）分析

在创造性审查过程中，**D1（DE102009034448A1）最适合作为最接近的对比文件（D1即为唯一的最接近对比文件）**。原因如下：

1. **技术领域相同**：目标专利与D1均属于**电子电路中电流检测及电阻阻值校正**的技术领域。目标专利关注分流电阻因发热导致阻值变化进而影响电流测量精度的问题；D1同样关注利用铜导线/电感的电阻分量测量电流时，因温升及自发热导致阻值变化，进而需要进行温度补偿的问题。

2. **解决的技术问题一致**：两者均致力于解决“由于电流流过测量元件时产生自发热，以及环境温度变化导致测量元件阻值发生急剧或连续变化，从而引发电流测量误差”的技术问题。

3. **技术效果高度重合**：D1通过引入环境温度传感器（NTC）和热阻系数模型计算动态变化的阻值，并利用微处理器进行迭代计算（递归方程9），达到了与目标专利相同的“即使温度连续变化也能获得精确电流实时值”的技术效果。

相比之下，**D2（JP2014070275A）** 属于半导体制造中的等离子体处理设备领域，解决的是晶圆静电吸附后的除电和脱离问题，其基台内置加热器/冷却通道仅用于工艺控温，不涉及电流动态计算或分流电阻校正，**完全不适合**作为最接近的对比文件。

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## 三、 区别技术特征与请求方最薄弱的技术特征分析

通过上述特征比对，被最接近对比文件D1公开的特征包括A、B、C、D、E、G的大部分物理架构，而**未被D1完全公开/未被其他对比文件公开的区别特征**主要集中在**特征G的特定数学表达式及其运算架构**：

* **区别特征**：目标专利限定电阻计算单元严格按照 **[式4] $R＝Ri+(T \cdot b)$** 确定第二电阻值。其中 $T$ 为最终温度值变化量，$b$ 为温度系数。

### 对请求方（无效宣告提起方）而言最薄弱的技术特征：

提起无效请求时，**特征G（即式4的运算逻辑与具体参数配置）是请求方最薄弱的技术特征**。

1. **法律层面（创造性辩护空间大）**：专利权人通常会辩称，[式4]并非简单的公知常识线性公式，而是与目标专利说明书段落 `[0019]` 中的 **[式3] $T＝(E \cdot a)+Ta‑Ti$** 强耦合的闭环反馈控制机制。目标专利每次迭代都会将“第一最终温度值 $Ti$ 改变为第二最终温度值”，这与D1公式(4)和公式(9)中复杂的递归开根号计算或线性化截断（式10）的计算路径明显不同。

2. **技术层面（物理意义的区别）**：在标准物理学中，电阻随温度变化的经典公式为 $R = Ri \cdot (1 + \alpha \cdot \Delta T) = Ri + Ri \cdot \alpha \cdot \Delta T$。目标专利的 [式4] 省略了乘积项中的 $Ri$（或者说将 $Ri \cdot \alpha$ 整合为了一个新的常数温度系数 $b$）。由于D1原文的公式(4)严格保留了 $Ramb[1 + \alpha(...)]$ 的传统物理表达，请求方很难直接证明“直接将温度变化量与系数相乘后与原电阻相加”这一特定工程简化或演变对本领域技术人员是显而易见的。

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## 四、 针对请求方的进一步检索策略

鉴于特征G（式4）以及与其配套的动态温度迭代更新机制是目前的无效盲区，建议请求方采取以下进阶检索策略：

1. **改变检索关键词与算式检索**：

* 放弃传统的“分流电阻+温度补偿”的常规检索，转而锁定**“分流器”/“Shunt”+“欧姆热”/“自发热”+“常数变化”**。

* 利用部分支持符号或公式检索的数据库（如SIPOABS、IEEE Xplore、Google Patents），检索含表达式：`"R = Ri + T * b"` 或 `"R = R0 + dT * alpha"`（且不含基准电阻相乘项）的文献。

2. **扩大检索领域至“电池管理系统（BMS）”与“高精度采样电流表”**：

* 目标专利虽是一般性的电流校正，但其背景技术提及“急剧温度变化”。在电动汽车的BMS（电池管理系统）中，大电流流过分流器（Shunt）引起的热失控和阻值漂移是行业痛点。

* 重点检索BMS领域中关于**分流器校准算法、热阻模型（Thermal Model）固件实现**的专利及期刊论文（如SAE、IEEE相关年会论文）。

3. **针对“迭代更新”与“简化算法”进行非专利文献（NPL）检索**：

* 目标专利说明书段落 `[0067]` 提及的“计算后将第一最终温度值改变为第二最终温度值”是一种典型的数字信号处理（DSP）或微控制器（MCU）中的**离散时间迭代滤波算法**。

* 检索嵌入式开发、微控制器电流采样计算领域的教科书、应用笔记（Application Notes，如TI、ST、Infineon的电表或电流检测芯片方案），寻找是否有为了节省算力而直接使用 `R = R_initial + delta_T * b` 这种简化拟合曲线的公开证据。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将为您对目标专利（CN111542760B）的权利要求1进行深度解析，并结合四份对比文件（D1~D4）进行详尽的特征比对、创造性最接近对比文件分析、无效请求突破点（最薄弱特征）研判以及后续的检索策略制定。

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## 一、 目标专利权利要求1的拆解与解析

紧密结合目标专利说明书的【技术领域】、【背景技术】及【具体实施方式】，权利要求1保护的是一种**通过动态计算分流电阻器因自身发热及环境温度综合引起的电阻变化，从而实时校正并获得精确电流值的系统**。其技术特征拆解如下：

* **技术特征A（电流计算单元）**：基于初始或上一周期的第一电阻值（$Ri$）和检测到的电压（$V$）计算实时电流（$I=V/R$）。这是后续发热量计算的基础纽带。

* **技术特征B（功率计算单元）**：基于计算出的电流值和第一电阻值，计算分流电阻器的功耗（$I^2R$）和发热值（对功耗进行时间积分，即式2 $\int I^2R\,dt$）。这是本专利的核心出发点——**不依赖响应慢的硬件温度传感器直接测分流电阻体本身，而是通过“电-热”理论模型先算出其发热量**。

* **技术特征C（温度测量单元）**：测量分流电阻器的**环境温度值**（$Ta$），说明书指出其通常指器件附近的介质/大气温度，而非分流电阻本身的高温。

* **技术特征D、E（最终温度值计算单元）**：将计算出的发热值（$E$）乘以热阻系数（$a$）得到发热温度值，再加上环境温度（$Ta$）减去前一状态的温度（$Ti$），计算出**第二最终温度值**以及**最终温度值变化量**（$T$），即式3：$T = (E \times a) + Ta - Ti$。

* **技术特征F、G（电阻计算单元）**：根据最终温度值变化量（$T$）和温度系数（$b$），利用特定的线性公式（式4：$R = Ri + (T \times b)$）计算出校正后的第二电阻值（$R$），并将其反馈回电流计算单元以校正下一次的电流。

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## 二、 对比文件原文比对与详细出处

为了清晰展现各对比文件的公开情况，以下将使用 **D1（JPH055758A）**、**D2（US20050017760A1）**、**D3（KR100618569B1）**、**D4（WO2012137980A1）** 进行代指，并精准提炼其公开的原文出处。

### 1. 各对比文件公开特征毫无异议公开（或实质公开）的原文出处

* **D1 (JPH055758A)：**

* **公开特征 A、B、C 的部分要素：** D1公开了利用温度差来计算电流实效值的逻辑。

* **原文出处：** 【００１１】“コンバータ部とインバータ部との間の直流中間電流の流れる回路に挿入接続されたシャント抵抗（分流电阻）と、該シャント抵抗の近傍に位置してその電流発熱による温度を検出する第１の温度検出手段と、前記シャント抵抗の電流発熱に影響されることのない周囲温度を検出する第２の温度検出手段と、前記第１の温度検出手段により検出された温度と第２の温度検出手段により検出された温度との温度差を求めて出力する演算回路と、前記温度差の平方根を求めて前記直流中間電流の実効値を出力する平方根回路と、を設けた。”

* **实质公开解析：** D1 虽然也利用了电阻发热和环境温度（周围温度），但其方向相反，它是通过**硬件测量**分流电阻由于电流发热引起的实际温度与周围环境温度的“温度差”，再开平方反推电流值。它没有计算功率、发热值，也没有根据温度公式去校正分流电阻的阻值本身。

* **D2 (US20050017760A1)：**

* **公开特征 A、F、G 的部分要素：** D2 提出了利用分流电阻和检测电阻的温度系数错配来达到宽动态范围电流检测的目的，且涉及了温度系数及温度变化量的计算式。

* **原文出处：** `[0026]` & `公式(3)`: $i_{se} \cong \frac{I_{SH}}{G}(1 + ITC \cdot \Delta T)$，其中 $R_{SH} = R_{SH0}(1+\alpha_2\cdot\Delta T)$；`[0028]` 说明了 $ITC = \frac{\alpha_2\cdot(\rho-1)}{1+\alpha_2\rho\cdot\Delta T}$。

* **实质公开解析：** D2 公开了电阻值随温度变化的线性修正关系（类似式4的数学变形）。然而，D2 解决该问题的方式是通过**并联外围可调电阻网络（Trimming mechanism）和熔断器（Fuses）**在设置阶段（Setup phase）动态或静态调整电路参数，而非本申请的系统架构。

* **D3 (KR100618569B1)：**

* **公开特征 A、C、F 的部分要素：** D3 公开了具有温度补偿功能的电子式电力测量装置，通过温度传感器测量温度，并在内存中存储温度-功率误差补偿曲线来校正测量值。

* **原文出处：** `[17]`“온도를 측정하는 온도 센서와; 온도변화에 따라 측정 전력의 변동이 없는 표준 계측기의 전력 대비 온도별 전력 계측기의 계측 전력의 비를 전력 보상 데이터로서 기록... 온도 센서가 측정한 온도에 따라... 전력 보상 데이터를 상기 유효/무효 전력에 곱하여 온도 변화에 따른 전력 오차를 보정...”；`[31]` 提到了在 `-10℃` 时通过前后温度点做**线性函数（선형 함수）**内插预测。

* **实质公开解析：** D3 的校正方式是查表/内插法，它依赖温度传感器直接测量内部温度，并不存在根据“电流 $\rightarrow$ 功耗 $\rightarrow$ 发热量 $\rightarrow$ 热阻 $\rightarrow$ 最终温度变化量”这一纯数学机理模型的推导计算。

* **D4 (WO2012137980A1)：**

* **公开特征 A、C 极其基础的修正概念：** D4 仅公开了分流电阻型电流传感器带有温度传感器。

* **原文出处：** `[p0019]`“Preferably, the shunt resistance type current sensor further includes a temperature detecting section which detects the temperature near the bus bar, and the voltage detecting section makes voltage revision based on a detection result from the temperature detecting section.”

* **实质公开解析：** D4 仅属于概念性公开（根据邻近的温度传感器结果进行电压/电流修正，防止温度引起的电阻变化导致错误），未给出任何具体的计算公式、功率/发热值推导或热变模型。

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### 2. 特征比对表格

下表将目标专利权利要求1（技术特征A~G）与各对比文件进行逐项横向比对（“+”表示公开/实质公开，“-”表示未公开）：

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## 三、 创造性分析：最接近对比文件的确立

在创造性评述中，选择“最接近的对比文件（第一独立引物）”通常需遵循**技术领域相同或最接近、解决的技术问题相同、且公开转化的技术特征最多**的原则。

### 1. 哪个文件适合做最接近的对比文件？

在本案中，**D1（JPH055758A）** 和 **D2（US20050017760A1）** 均适合作为最接近的对比文件（本案存在多个最接近对比文件的可能）：

* **选择D1作为最接近对比文件的理由（从技术问题和效果角度）：**

* **解决的技术问题：** 目标专利在背景技术`[0003]`中明确指出，传统硬件温度传感器具有“低感测响应速度”，无法实时跟踪金属分流电阻的急剧发热变化。而**D1面临着完全相同的技术痛点**。D1在其`[0007]`-`[0008]`中指出，为了解决传统电流检测需要复杂高成本的“绝缘电路”的问题，D1试图寻找一种能够“电隔离”的测流方法。

* **技术效果：** D1想到利用“电流 $\rightarrow$ 热量 $\rightarrow$ 温度差”这一物理媒介来实现电隔离检测。目标专利和D1都深刻意识到了“电流流过分流电阻会导致其发热并伴随环境温度变化”这一底层热力学现象，两者的核心关注点都在**电阻发热量与周围温度的差值**上。

* **选择D2作为最接近对比文件的理由（从技术特征和数学模型角度）：**

* **技术特征重合度：** D2 深入到了电阻阻值随温度变动的微观层面（`[0006]`列出了热阻系数、温度系数等参数），并给出了包含温度变化量 $\Delta T$ 和温度系数 $\alpha$ 的电阻变动关系。

* **技术问题：** D2 同样是为了解决在大电流应用中，分流电阻因功耗发热导致阻值漂移，进而引发电流测量精度丧失的问题。

### 2. 未被最接近对比文件公开的特征是否被其他对比文件公开？

若以 **D1** 为最接近的对比文件，目标专利的主诉区别特征在于：**放弃了D1中的硬件第一温度传感器（测分流电阻体本身），改用“功率计算单元+最终温度值计算单元”，利用软件公式（式2、式3、式4）建立电-热-阻的闭环仿真模型。**

* **那么，其他对比文件（D2、D3、D4）是否公开了这些区别特征？**

* **没有。** D2 采用的是并联分流支路加硬件微调网络（电阻阵列+熔断器）；D3 采用的是单纯的外部温度传感器查表/线性内插补偿；D4 仅提出根据邻近的温度传感器做宽泛的电压修正。

* 没有任何一篇对比文件公开了**“通过对 $I^2R$ 进行时间积分计算发热值 $E$（式2），再通过热阻系数 $a$ 算得发热温度，结合环境温度在大脑（MCU）中动态构建出分流电阻的模拟温度变化量 $T$（式3），最终用线性公式修正阻值（式4）并反馈回电流计算”**这一技术手段。

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## 四、 无效请求方最薄弱的技术特征评述（请求方的痛点）

如果您代表**无效请求方（试图推翻该专利）**，在现有这四篇对比文件的证据链下，对于请求方来说**最薄弱（即最难打掉、专利权人防御最稳固）**的技术特征是：

> **技术特征 B、D、G 的组合：即“利用软件单元通过公式2、3、4构筑的‘无传感器式（Sensorless）分流电阻热动态仿真及阻值闭环修正架构’”。**

### 为什么这是最薄弱的突破口？

1. **避开了硬件缺陷：** 目标专利的精妙之处在于它在技术方案中彻底干掉了“测量分流电阻本身的高速硬件温度传感器”，而是用“环境温度传感器（慢变）+ 软件高速电热模型”取而代之。

2. **现有技术无任何启示（未给出结合动机）：**

* D1 强烈依赖硬件双拓扑传感器（传感器2和3）；

* D3、D4 同样强烈依赖贴近分流器的温度传感器。

* 如果要将 D1、D3 或 D4 改造为目标专利的方案，必须要求本领域技术人员产生“将硬件传感器拆除，改为在软件中对电流积分求发热量，再乘以热阻系数去虚拟仿真温度变化”的动机。在现有的 D1~D4 文本中，没有任何一处提及“热阻系数（Thermal resistance coefficient $a$）”在软件实时算法中的应用，也没有任何关于“积分功耗计算发热值”的算法启示。

3. **公式4的特定耦合：** 式4 $R = Ri + (T \times b)$ 虽然在物理学上属于标准的电阻温度系数线性公式，但将其与式2、式3的“虚拟发热计算值”深度绑定，并在 MCU 中做每一步的电流迭代（将第二电阻值反馈回作为下一步的第一电阻值），这构成了完整的**动态闭环反馈控制流**。请求方很难在现有文献中找到将该公式用于闭合控制回路校正分流电阻的证据。

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## 五、 进一步的检索策略建议

鉴于目前的 D1~D4 只能证明“分流电阻发热会影响测流精度，需要引入温度进行修正”这一两级公知常识，无法动摇目标专利核心的“电-热算法模型”，建议请求方调整检索方向，采取以下进阶策略：

### 1. 改变关键词与分类号组合，聚焦“Sensorless（无传感器）”及“估算/仿真”

目标专利本质上是一种**无温度传感器的电阻温度估计技术**。建议在检索式中大幅度弱化“Shunt Resistor（分流电阻）”的限制，将检索范围扩大到**所有精密电学测量、电力电子（如马达驱动、电池管理系统BMS中的高精密采样）领域**。

* **核心关键词：** `(分流器 OR 分流电阻 OR 采样电阻 OR 铜排 OR Busbar) AND (功耗 OR 积分 OR 积分器 OR 发热量 OR 热阻 OR 热模型 OR 估算 OR 估计 OR 仿真 OR 观测器) AND (温度系数 OR 阻值校正 OR 阻值补偿)`

* **英文对应：** `("shunt resistor" OR "current sense" OR "busbar") AND ("thermal model" OR "thermal estimation" OR "temperature observation" OR "heat power integration" OR "thermal resistance") AND ("resistance correction" OR "calibration")`

### 2. 精准锁定 IPC/CPC 分类号

不要只局限于电流测量的分类号，应重点攻防涉及“根据电参数间接计算/补偿温度”的分类号：

* **G01R 19/00** （测量电流、电压的安排）

* **G01R 35/00** （测试或校准、校正安排）

* **H01C 7/00** （随温度变化的电阻器本身及补偿）

* **G06F 17/10** （专门的数学计算模型——用于对式2、3、4的纯数学模型建立惯用手段突击）

### 3. 寻找“教科书/公知常识”来破除公式组合的创造性

由于式2（焦耳定律积分）、式3（热力学温升模型 $\Delta T = P \times R_{th}$）、式4（电阻温度系数方程）在**热力学和电学基础理论**中属于极其经典的公式。

* **行动指南：** 检索 2018 年之前的《大学物理》、《电工电子学》、《传热学基础》、《传感器原理与设计》等经典教科书或设计手册。

* **无效逻辑构筑：** 证明“利用功耗和热阻计算物体的温升ΔT”是传热学的全人类公知常识，“将温升代入阻值变化公式”是电工学公知常识。虽然本案将它们写入了“单元（软件模块）”中，但其本质只是将两门学科的公知常识公式进行了常规的联合联立方程求解，属于“公知常识的简单拼凑”，不具有突出的实质性特点。

作为一名经验丰富的专利代理师，针对目标专利（授权公告号：CN111542760B）的权利要求1，结合说明书及提供的四份对比文件（D1: JP2012220249A, D2: US20140015515A1, D3: EP2694985A1, D4: KR1020140095285A）进行深入的无效可行性与创造性系统分析如下：

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### 一、 权利要求1的技术特征拆解与对比分析表

为了清晰比对，首先将目标专利权利要求1拆解为独立的技术特征（A-G），并与各对比文件的技术公开内容进行横向映射：

表格中使用的简称说明：

* **D1**: JP2012220249A

* **D2**: US20140015515A1

* **D3**: EP2694985A1

* **D4**: KR1020140095285A

#### 表1：权利要求1技术特征与对比文件原文比对表

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### 二、 对比文件公开内容的深度分析

1. **D1（JP2012220249A）、D2（US20140015515A1）及D3（EP2694985A1）属于同族或高度相关专利**：

* 这三份文件均公开了分流电阻式电流传感器的基本架构。它们通过温度传感器（60）检测分流电阻附近的温度，并且电压检测IC（30）依据该温度结果直接对电压或电流测量结果进行**“电压补正/电压修正”**（D1[0011]、D2[0019]、D3第4页）。

* **局限性**：D1、D2、D3仅提出了利用环境温度传感器进行宏观修正的概念，属于“感测响应速度较低的通用温度传感器修正”。它们**既没有公开**实时计算分流电阻自发热量（功耗与发热值）并结合热阻系数推导内部真实温度的技术思想，**也没有公开**目标专利式4的具体电阻温度补偿公式。

2. **D4（KR1020140095285A）**：

* D4深刻探讨了分流电阻阻值随温度急剧变化的误差问题。其明确给出了利用电阻温度系数计算当前阻值的数学模型：[数学式1] $R = R_0 \cdot (1 + a \cdot t) = R_0 + (R_0 \cdot a) \cdot t$。式中 $R_0$ 为0℃时的第一电阻值， $t$ 为当前温度（即相对于0℃的温度变化量 $T$ ）， $R_0 \cdot a$ 即对应目标专利中的温度系数 $b$ 。因此，D4在**实质上公开了特征F和G的计算本质**。

* **局限性**：D4的温度 $t$ 直接来源于车辆内部的通用温度传感器（D4的[0028]、[0036]），其并未在元件级层面上剥离出“基于发热值和热阻系数专门计算自发热引起的内部温度变化量”这一高精度的双重叠加物理模型。

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### 三、 最接近对比文件（最接近现有技术）的确定

在创造性分析中，**D4（KR1020140095285A）最适合作为最接近的对比文件（D1）**。

* **从整体解决的技术问题角度分析**：目标专利旨在解决分流电阻在大电流或连续工作中，因自身发热导致温度急剧、实时变化，而通用温度传感器响应慢、无法精准反映电阻实时变动进而产生测量误差的问题（目标专利说明书[0002]-[0003]）。D4同样聚焦于“电阻值随温度变化而变化，若假设阻值不变会导致实际电流与计算电流产生大量误差”这一技术问题（D4[0010]），两者的技术出发点及解决的根本矛盾完全一致。而D1/D2/D3的核心关注点在于解决总线棒与电路板之间因热膨胀系数不同导致的机械耐久性应力问题（D2[0006]），温度修正仅作为次要背景技术提及。

* **从技术效果角度分析**：D4通过引入温度系数实时校正分流电阻的阻值，实现了“精细测量、提高变负荷耐久性、防止不必要过压过流”的技术效果（D4[0016]、[0042]），这与目标专利“即使温度值连续变化也能获得精确电流值”的有益效果（目标专利[0044]）高度重合。

* **结论**：D4与目标专利属于相同的技术领域，解决相同的技术问题，且披露了权利要求1中最为核心的“电阻随温度动态修正”的数学基础及逻辑架构，是毫无争议的最接近现有技术。

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### 四、 针对请求方而言最薄弱的技术特征

若无效宣告请求方以 **D4作为最接近现有技术（D1）**，结合 **D1/D2/D3 进行组合**提出无效请求，其最难以攻克的、**最薄弱的技术特征是：特征B、D和E的物理模型融合（即通过电流和第一电阻积分算出发热值，再结合分流电阻的“热阻系数”计算其发热温度值，并与环境温度叠加计算出最终温度变化量）**。

* **薄弱原因分析**：

1. 现有技术D4虽然意识到温度会改变电阻，但其获取温度的方式十分传统——直接读取温度传感器测得的环境/背景温度 $T$。

2. 目标专利的创造性构思在于：由于金属分流电阻发热急剧，外部温度传感器存在热惰性（感测响应速度低），故系统不单纯依赖外部传感器，而是通过功率计算单元在软件侧同步进行**物理热模拟**（利用等效热路模型：$E = \int I^2R \, dt$，发热温度 $= E \times \text{热阻系数 } a$），进而将**环境温度与自发热瞬态温度进行叠加**得到最终的温度变化量。

3. 此项“电-热-阻”三者闭环实时迭代的构思（特征B+D+E），在D1-D4中均找不到明确的文字线索或暗示。无效请求方若仅凭现有的D1-D4，很难说服专利局审查员“将热阻系数和自发热物理积分公式引入电流传感器中属于本领域的公知常识或显而易见的选择”。

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### 五、 针对薄弱环节的进一步检索策略

为了成功推翻该专利的创造性，必须攻克上述“基于功耗积分、热阻系数计算分流电阻自发热瞬态温度变化”这一特征。建议采取以下多维检索策略：

1. **扩展检索领域（非传感器领域）**：

* 分流电阻在本质上是一种功率器件。在电池管理系统（BMS）、功率半导体（IGBT/MOSFET）结温（Junction Temperature）动态预测、电机绕组温度估算领域，**“利用电流平方乘以电阻对时间积分计算损耗，再乘以热阻（Thermal Resistance）推导器件内部瞬态温度”**是极为标准且普遍的控制算法。

* **检索词组合**：`"分流电阻" OR "功率器件" OR "分流器" OR "Shunt"` ；`"结温估算" OR "瞬态温度" OR "自发热" OR "热阻" OR "热路模型" OR "Junction Temperature" OR "Thermal Resistance" OR "Electro-thermal"`。

2. **紧扣核心公式检索（针对式2和式3）**：

* 直接检索包含热力学等效电路（如RC一阶或多阶热网络模型，Foster或Cauer模型）在电流采样校正中应用的专利。

* **检索表达式示例**：`(I2R OR "功耗") AND ("热阻" OR "热容") AND "电流检测校正"`。

3. **锁定行业顶尖申请人与标准文献**：

* 重点检索在精密分流电阻及采样芯片领域具有深厚技术积淀的巨头：如**Isabellenhütte（伊萨贝兰休特，分流电阻先驱）、Vishay（威世）、Texas Instruments（德州仪器）、ADI（亚德诺）**。这些公司在其分流器高精度测量（如BMS电池包主分流器）的应用笔记（Application Notes）或专利中，极大概率公开过分流器自发热微观补偿算法。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将为您对目标专利（CN111542760B，以下简称“本专利”）的权利要求1进行深入的法律和技术分析。

本专利涉及一种**用于校正分流电阻器电流值的系统**。核心发明构思在于：为了解决传统的通用温度传感器响应速度慢、无法实时反映分流电阻器在电流流过时由于焦耳热引起的急剧且连续的温度变化问题，本专利**不依赖直接的温度感测来获取电阻器本身的实时温度**，而是通过**“电流 $\rightarrow$ 功耗/发热值 $\rightarrow$ 基于热阻系数和环境温度推导实时发热温度和最终温度变化量 $\rightarrow$ 基于温度系数校正电阻值 $\rightarrow$ 重新计算精确电流值”**的闭环数学建模方法，实现高动态响应的实时电流校正。

以下是紧密结合说明书及对比文件原文的详细无效分析：

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### 一、 权利要求1的技术特征分解与解析

根据权利要求1的表述，将其拆解为以下7个独立的技术特征：

* **技术特征A**：一种用于校正分流电阻器的电流值的系统，所述系统包括，电流计算单元，该电流计算单元被配置成基于检测到的设置在电路中的分流电阻器的电压值和所述分流电阻器的第一电阻值来计算所述分流电阻器的电流值；

* **技术特征B**：功率计算单元，该功率计算单元被配置成基于设置在所述电路中的所述分流电阻器的所述电流值和所述分流电阻器的所述第一电阻值来计算所述分流电阻器的功耗和发热值；

* **技术特征C**：温度测量单元，该温度测量单元被配置成测量所述分流电阻器的环境温度值；

* **技术特征D**：最终温度值计算单元，该最终温度值计算单元被配置成根据基于所计算的发热值和所述分流电阻器的热阻系数计算的所述分流电阻器的发热温度值以及所述分流电阻器的环境温度值来计算所述分流电阻器的第二最终温度值和与电流流动之前的第一最终温度值相比的所述第二最终温度值的变化量；

* **技术特征E**：并且计算所述分流电阻器的最终温度值变化量；

* **技术特征F**：电阻计算单元，该电阻计算单元被配置成基于所计算的所述分流电阻器的最终温度值变化量以及所述分流电阻器根据温度变化而变化的温度系数值来计算所述分流电阻器的第二电阻值；

* **技术特征G**：其中，所述电阻计算单元将通过下面的式4计算的值确定为所述分流电阻器的所述第二电阻值，`[式4] R＝Ri+(T*b)`，这里，R是所述分流电阻器的所述第二电阻值，Ri是所述分流电阻器的所述第一电阻值，T是所述分流电阻器的所述最终温度值变化量，并且b是所述分流电阻器的温度系数。

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### 二、 对比文件技术特征比对表

为了清晰展现各对比文件（D1: EP2837941A1; D2: US20150219690A1; D3: JP5926495B2）对本专利权利要求1的公开情况，特制备以下特征比对表。

*注：D1（EP2837941A1）与D3（JP5926495B2）属于同一专利族（日本同族申请，结构基本一致，但D1公开更早且英文对照更清晰），故下表中D1和D3的公开情况高度相似。*

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### 三、 最接近对比文件的选择与分析

在创造性评评述（或无效宣告程序）中，应当选择**最接近的对比文件（D1 或 D3）**作为创造性分析的起点。

#### 1. 为什么选择 D1 (EP2837941A1) / D3 (JP5926495B2) 作为最接近的对比文件？

* **整体解决的技术问题相同**：本专利、D1以及D3共同致力于解决“分流电阻器在电流流过时由于发热（焦耳热）导致温度上升，进而改变自身电阻值，导致电流测量产生误差”的技术问题。

* **技术领域完全相同**：均属于分流电阻式电流传感器的数字或硬件校正领域。

* **技术效果类似**：通过引入温度校正机制，消除了温度对电阻值的影响，从而获得精确的电流值。

* **相比D2的优势**：D2（US20150219690A1）采用的是在芯片（Die）上利用特定材料（如铜、铝）的补偿电阻通过运算放大器构建的**纯硬件模拟电路**进行实时比例抵消补偿（见D2式3及[0032]）。而D1/D3与本专利均属于通过主系统/微处理器/IC结合独立温度感测进行校正的系统架构，在系统拓扑上更为接近。

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### 四、 权利要求1的创造性深度评述（结合未公开特征）

以 **D1 (或 D3)** 为最接近的对比文件，本专利权利要求1与之相比，存在的**区别技术特征**为：

> **区别特征1（特征B、D、E）**：系统设有功率计算单元和最终温度值计算单元，通过“电流 $\rightarrow$ 功耗 $\rightarrow$ 发热值 $\rightarrow$ 结合热阻系数和环境温度计算发热温度”这一**数学建模热流传递方法**来动态计算温度变化量。

> **区别特征2（特征C）**：温度测量单元测的是**环境温度**，而不是分流电阻器本身的温度。

> **区别特征3（特征G）**：电阻计算单元严格按照式4（`R＝Ri+(T*b)`）计算第二电阻。

#### 创造性辩论与分析：

1. **D1/D3的固有缺陷**：D1/D3在[0005]及[0026]中明确指出，传统的接触式热传导温度传感器由于热阻和热容存在延迟（Responsiveness延时）。为此，D1专门发明了使用**红外温度检测单元**（D1[0022] "infrared temperature detection unit"）来直接、无延迟地抓取分流电阻表面的红外辐射以获得电阻本身的真实温度。

2. **本专利的非显而易见性**：本专利走了一条与D1/D3完全相反的技术路线。本专利承认“利用通用温度传感器难以实时测量分流电阻的急剧温度变化”（说明书[0003]），但本专利的解决手段不是去升级成昂贵的红外传感器，而是**直接去测响应速度要求不高的“环境温度”（特征C），然后通过软件算法，利用流经电阻的电流推导功耗（特征B），再根据分流电阻固有的物理特性——“热阻系数”，计算出电阻由于发热导致高出环境温度的“发热温度”，从而完美耦合出最终温度变化量值T（特征D、E）**。

3. **其他对比文件是否公开了这些区别特征？**

经检索，**D2完全没有公开**通过“电流和热阻系数”去计算发热量并推导温度变化的过程。D2是通过把铝、铜电阻做在一起，利用热传导让它们保持同温来抵消。因此，**其余对比文件均没有公开上述区别特征**。

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### 五、 对请求方（无效宣告提起方）来说最薄弱的技术特征

如果您代表无效请求方，试图推翻本专利，您会发现整个权利要求1中**最难打掉（最薄弱/最具实质性显著进步）的技术特征是：**

**【技术特征D与特征B的组合架构】（即：基于所计算的发热值和所述分流电阻器的热阻系数，来精算/模拟分流电阻器发热温度值和温度变化量的软件建模单元）。**

* **薄弱原因（对请求方而言）**：

对比文件D1、D2、D3全部在传统的“**物理实测派**”里打转——D1/D3用红外传感器硬测，D2用同构芯片热传导硬连。没有任何一篇对比文件给出了技术启示，提示可以**不需要高响应温度计，仅凭“环境温度 + 电流计算出的焦耳热 + 固有物理常数（热阻系数）”就能在线仿真出分流电阻的瞬态发热温升**。这属于典型的“以算代测”的系统级飞跃。特征G（式4）虽然是标准的线性温度修正公式，但由于其赖以生存的输入量 $T$ 是通过特征D的独特建模方法算出来的，因此特征D与B的结合极为牢固。

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### 六、 针对该薄弱特征的进一步检索策略

若要成功无效该权利要求，必须打破“特征B+D”构成的“焦耳热-热阻热力学仿真校正电流”的技术壁垒。建议调整检索策略如下：

1. **跨领域检索（关键词/分类号拓展）**：

不要仅仅局限于“分流电阻器（Shunt Resistor）”或“电流传感器（Current Sensor）”领域。应将检索范围扩大至**“电机控制（Motor Control）”、“电池管理系统（BMS, Battery Management System）”或“功率半导体过热保护（IGBT/MOSFET Thermal Modeling）”**领域。

* *理由*：在电机驱动或BMS领域，由于大功率器件内部结温（Junction Temperature）无法直接用传感器测量，普遍采用 **“瞬态热网络模型（Foster或Cauer RC模型）”**，即通过检测电流、计算 $I^2R$ 损耗，结合器件热阻（Thermal Resistance），基于环境/壳体温度推算实时结温。

2. **具体检索式要素设计**：

* **关键词组合**：(分流电阻 OR 铜排 OR 功率器件 OR 损耗) AND (焦耳热 OR 功耗 OR 发热值 OR 发热温度 OR 结温预测) AND (热阻 OR 热阻系数 OR 热传导率) AND (温度补偿 OR 电阻校正 OR 电流校正).

* **英文关键字**：(Shunt resistor OR Busbar) AND (Joule heating OR Power dissipation) AND (Thermal resistance OR Thermal impedance) AND (Temperature estimation OR Thermal model) AND (Current correction OR Calibration).

3. **重点追踪早期学术论文/标准文献**：

关注IEEC、IEEE等关于“分流电阻器在大电流下的热力学行为及动态校正算法”的早期文献。这种数学建模方法在高校或高级研究机构的理论论文中可能在2018年（本专利优先权日）之前就已经作为算法公开。

作为一名经验丰富的专利代理师，我现紧密结合目标专利（CN111542760B）的说明书及附图公开内容，对权利要求1进行法律与技术层面的深度拆解，并对比三份对比文件（D1、D2、D3）的原文及出处，进行全面的无效宣告可行性分析。

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## 一、 权利要求1的技术特征拆解与解释

基于目标专利说明书的整体公开内容，权利要求1所构建的系统旨在解决**“分流电阻器因电流流过发热导致电阻值实时动态变化，进而引发电流测量误差”**的技术问题。现将其拆解为7个独立的技术特征，并结合说明书释义如下：

* **技术特征A（电流计算单元）：** 对应说明书 $[0008]$ 和 $[0051]$，基于初识状态下的电压下降值 $V$ 和第一电阻值 $Ri$（即分流电阻本身的固有电阻），利用欧姆定律（式1：$I=V/R$）计算初始电流值。

* **技术特征B（功率计算单元）：** 对应说明书 $[0013]$ 和 $[0059]$，利用焦耳定律，通过电流的流动时间对功耗 $I^2 \cdot Ri$ 进行积分，从而计算出分流电阻器的功耗和发热值（式2）。

* **技术特征C（温度测量单元）：** 对应说明书 $[0034]$ 和 $[0065]$，通常为相邻设置的温度传感器，用于测量正常情况下的介质或大气温度（环境温度值 $Ta$）。

* **技术特征D（最终温度值计算单元-基础）：** 对应说明书 $[0017]$ 和 $[0067]$，引入**热阻系数** $a$（干扰热传递的固有特性程度），将发热值 $E$ 转化为发热温度值（$E \cdot a$），再结合环境温度 $Ta$ 和电流流动前的第一最终温度值 $Ti$，计算出第二最终温度值及温度变化量。

* **技术特征E（最终温度值计算单元-变化量）：** 对应说明书 $[0019]$ 和 $[0072]$，即通过式3（$T = (E \cdot a) + Ta - Ti$）精确计算出分流电阻器的最终温度值变化量 $T$。

* **技术特征F（电阻计算单元-基础）：** 对应说明书 $[0021]$ 和 $[0076]$，基于上述温度变化量 $T$ 和材料固有的温度系数 $b$，对电阻进行动态修正。

* **技术特征G（电阻计算单元-式4）：** 对应说明书 $[0023]$ 和 $[0079]$，严格限定了电阻修正的数学模型为线性公式 [式4] $R = Ri + (T \cdot b)$。

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## 二、 对比文件原文比对与详细出处

为了分析权利要求1的创新性，引入以下三份对比文件：

* **D1：** KR101686485B1（과전류 검출 전압 보정 방법 및 전지 보호 집적 회로）

* **D2：** US20170254839A9（METAL SHUNT RESISTOR）

* **D3：** CN107589291A（电动汽车电流检测系统及方法）

### 1. 对比文件技术特征比对表

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## 三、 最接近对比文件（D最接近）的筛选与分析

在创造性分析中，**D3（CN107589291A）** 最适合作为**最接近的对比文件**。

### 1. 技术领域与整体解决的技术问题角度

* **目标专利：** 解决分流电阻器在电流通过时自身发热，而普通温度传感器响应慢，导致无法实时准确获取由于“温升”引起的阻值变化，进而造成电流测量误差的问题。

* **D3（CN107589291A）：** 同样属于电动汽车或大功率电力系统的电流检测领域。它同样关注到**“分流器在大电流流过时由于自身发热导致阻值漂移，而环境温度传感器无法真实反映分流器核心温度”**这一核心痛点，并同样试图通过软件算法（模型估算温升）结合硬件（环境温度检测）来协同修正阻值。

* **筛选排他原因：** D1属于电池保护集成电路（IC）领域，其核心是通过修正MOSFET的内阻（Rsson）来调整过流保护的电压阈值（Vdet3/Vdet4），不属于分流电阻电流计量的范畴；D2主要聚焦于分流电阻的物理结构设计（金属分流器），其温度修正属于通用的公式应用。因此D3在技术领域和欲解决的技术问题上与目标专利最为契合。

### 2. 技术效果角度

D3通过引入电流发热模型和环境温度双重修正，达到了在不提高硬件传感器响应成本的前提下，实现高精度、高实时性电流检测的技术效果，这与目标专利取得的技术效果完全一致。

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## 四、 区别技术特征与创造性评述

以 **D3** 为最接近的对比文件，权利要求1的区别特征主要在于：

> **目标专利建立了非常具体且环环相扣的显式级联计算模型：** 特别是通过“功率计算单元”计算发热值（式2），再通过“最终温度值计算单元”利用**明确引入的固有热阻系数 $a$** 进行线性加权和历史温度迭代（[式3]：$T = (E \cdot a) + Ta - Ti$），最后接入 [式4]。

### 1. 区别特征是否被其他对比文件公开？

* **D1和D2均未公开该特定级联模型。** * 虽然D3在其说明书中提到了利用“热动力学模型”、“热平衡方程”来根据电流计算分流器的温升，但D3通常给出的是复杂的微分方程或多阶经验热网模型。目标专利将这一复杂的物理过程简化为了由**【[式2]积分发热值 $\rightarrow$ [式3]热阻系数加权结合环境温度 $\rightarrow$ [式4]电阻系数线性修正】**所构成的特定代数级联单元。

### 2. 请求方（无效提起方）最薄弱的技术特征

对于无效请求方而言，**“技术特征D、E中关于【基于热阻系数 $a$、发热值 $E$、历史最终温度 $Ti$ 动态迭代计算温度变化量 $T$（即式3的逻辑内涵）】”** 是最薄弱、攻坚难度最大的技术特征。

* **原因分析：** 尽管D3公开了“计算发热并结合环境温度得到总温度”的常规构思，但在具体的无效审理标准中，如果对比文件仅给出了“原理性设想”或完全不同的数学方程，审查员往往倾向于认定目标专利将特定参数（热阻系数 $a$）与特定级联公式（式3、式4）相结合，简化了计算开销并形成了特定的电路单元模块（最终温度值计算单元），具备“显著的进步”和“非显而易见性”。

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## 五、 进一步检索策略

为了彻底攻克上述薄弱环节（技术特征D、E中的特定热平衡级联公式），建议调整并执行以下进阶检索策略：

1. **关键词微调与扩展：**

* 将检索重点从单纯的“分流电阻修正”转向**“热阻模型 (Thermal Resistance Model)”、“热电耦合 (Thermoelectric Coupling)”、“温升估计 (Temperature Rise Estimation)”、“焦耳热修正 (Joule Heating Compensation)”**。

* 追踪公式特征：检索包含 $P \cdot R_{th}$ 或 $E \cdot \theta$（发热 $\times$ 热阻）并与环境温度相加（$+ T_{ambient}$）的电力计量、电池管理系统（BMS）领域的文献。

2. **重点专利局与非专利文献（NPL）检索：**

* **大功率分流器（Shunt）** 领域的顶尖企业和研究机构是重点。如：德国伊萨（Isabellenhütte）、罗姆（ROHM）、Vishay。重点检索这些母公司在2010-2018年间申请的早期BMS校准专利。

* **IEEE Xplore / 科学引文数据库：** 检索电力电子或传感器控制方向的学术论文。诸如“*Real-time temperature compensation of shunt resistor using thermal model*”这类论文中，极易出现目标专利式3、式4这种标准的一阶热路等效模型（RC热网络的一阶简化）。

3. **转攻公知常识（教科书/手册）：**

* 《传感器技术手册》、《电子散热设计》等教科书中，利用热阻系数（$\theta_{ja}$ 或 $R_{th}$）计算器件温升的公式：$\Delta T = P \times R_{th}$ 是经典且普遍公开的公知常识。

* 若能检索到一篇将该公知常识应用在分流电阻上的系统设计文献，结合D3的电流检测系统，即可完美结合，以**“D3 + 公知常识”**或**“D3 + D2 + 教科书”**的组合手段，成功论证权利要求1不具备创造性。

作为一名经验丰富的专利代理师，我现针对目标专利（CN111542760B，以下简称“本专利”）的权利要求1，结合说明书整体技术方案，引入对比文件D1（JP2018025446A）、D2（CN107728094A）和D3（JPS63128267A）进行深度的法律与技术评析。

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## 一、 目标专利权利要求1的法律解释与技术剖析

本专利的核心发明目的在于解决分流电阻器在流过大电流时因自身**发热**导致阻值发生温漂，而通用温度传感器响应速度慢、无法实时、精确修正电流测量误差的技术问题。

其权利要求1构建了一个基于**多物理场耦合迭代计算**的闭环实时校正系统。其技术逻辑并非依赖外部温度传感器去直接测定电阻的实时温度，而是通过“**电流 $\rightarrow$ 功耗/发热值 $\rightarrow$ 结合热阻系数推导发热温度 $\rightarrow$ 结合环境温度计算最终温度变化量 $\rightarrow$ 结合温度系数更新电阻值 $\rightarrow$ 反馈修正电流**”的数学模型迭代，实现动态高频校正。

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## 二、 对比文件技术特征比对与原文出处分析

为了清晰展现各对比文件是否公开了权利要求1的技术特征，以下将权利要求1拆解为特征A至G，并精准比对D1、D2、D3的说明书原文。

### 权利要求1技术特征与对比文件横向比对表

### 各对比文件原文详细出处引证

#### 1. 对比文件D1 (JP2018025446A)

* **特征A出处：** 说明书[0017]“電流検出回路17は、バッファ回路21、22を介して、シャント抵抗体16の両端電圧ΔVRsを…受け取り”；[0018]“マイコン26は、入力された電流信号と、予め与えられたシャント抵抗体16の抵抗値に相当する定数から、シャント抵抗付バスバー20に流れる電池電流Ioutを逐次算出する。”

* **特征C、F出处：** 说明书[0019]“また、マイコン26は、シャント抵抗体16の近傍に設けた温度センサ12の信号に基づいてシャント抵抗体16の温度を算出する。…そして、マイコン26は、シャント抵抗体16の温度補正を行う。”及图4特性30、31。

#### 2. 对比文件D2 (CN107728094A)

* **特征A出处：** 说明书[0007]“根据分流器的标称阻值和电压值计算检测电流值的电流计算单元”；[0018]“电流计算单元，用于根据电压值和分流器的标称阻值计算电路回路的电流值I0”。

* **特征C、F出处：** 说明书[0074]“在温箱130的温度为分流器210的电阻温度特性的参考温度T1时…”；[0087]“通过该电阻率变化率曲线和已知的T1时电流校准系数，即可得到各温度下的电流校准系数，得到上述映射关系，从而减小了因温漂带来的影响，实现温度补偿”。

#### 3. 对比文件D3 (JPS63128267A)

* **特征A出处：** 说明书（ロ）“抵抗Ｒ１…抵抗Ｒ，…電流検出用の抵抗Ｒ，（２１）…に流れた場合、ブリッジ回路が平衡となる様に…コンパレータ（２６）の入力の電圧が逆転し…電流Ｉ０が遮断され”。

* **特征F出处：** 说明书（ニ）“ブリッジ回路の第２の抵抗（７）にダイオード（10）を直列に接続して解決する”；（ホ）“検出抵抗となる第３の抵抗Ｒ８（４）の温度変化に対する電流検出のバラツギを補正することができる”。

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## 三、 最接近对比文件（D1 vs D2 vs D3）的选择与创造性评述

在创造性审查中，判断确定“最接近的对比文件”应当首选**技术领域相同、解决的技术问题最相似、且公开实质技术特征最多**的文件。

### 1. 哪个对比文件适合做最接近的对比文件？

本案中，**D2 (CN107728094A) 最适合作为最接近的对比文件（D1可作为次选，D3不适合）**。

* **从整体解决的技术问题和技术效果角度分析：**

* **本专利**要解决的是分流器在大电流流过时由于发热导致阻值急剧变化，而通用外部温度传感器响应慢、无法实时、精确修正电流的误差。

* **D2**同样聚焦于分流器型电流检测设备因分流器自身标称阻值与实际阻值差异以及“不同环境温度下分流器阻值变化引起的温漂误差（见D2[0080]）”，其目的是“减小因温漂带来的影响，实现温度补偿，增加电流检测精度（见D2[0087]）”。D2解决的技术问题与本专利完全契合。

* **D1**仅是利用常规的近距离温度传感器（物理测温）进行静态补正，没有考虑温度响应迟滞和发热量推导。

* **D3**属于传统的**硬件模拟电路补偿**领域。它通过在桥路中串联一个物理二极管，利用二极管结电压的负温度系数（$-2\text{ mV}/^\circ\text{C}$）去强行对冲铜箔检测电阻的正温度系数（见D3（ヘ））。这种纯硬件搭建的桥路平衡无法实现本专利的数字量化计算和多物理场迭代，其技术架构和解决手段与现代数字控制系统相去甚远。

### 2. 未被最接近对比文件（D2）公开的特征，是否被其他对比文件公开？

经检索分析，**最核心的区别特征（特征B、D、E、G）在D1和D3中均未被公开。**

* **区别特征：** 功率计算单元基于电流和电阻积分计算**发热值**（特征B）；最终温度值计算单元引入**热阻系数 $a$** 动态推导发热温度，结合环境温度计算出最终温度变化量 $T$（特征D、E）；并最终通过特定的显式数学模型 $$R = Ri + (T * b)$$ 实时刷新第二电阻值（特征G）。

* **其他对比文件的状态：** D1和D2都停留在“直接用传感器测温”或“通过外部温箱标定各温度点的校准系数映射表”的阶段，属于**外部已知输入补偿**；D3属于**硬件材料特性对冲**。没有任何一篇对比文件公开或者暗示了可以利用“**发热值 + 固有的热阻系数 $a$**”这一热力学物理参数，在系统内部无延迟地仿真计算出分流电阻自身的真实发热温升量 $T$。

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## 四、 无效请求方最薄弱的技术特征分析（请求方的“软肋”）

作为无效宣告请求方，如果要攻击权利要求1的创造性，**最薄弱、最难攻克的硬骨头是：技术特征D、E、G的有机组合（即基于热阻系数 $a$ 间接推导温度变化量并进行公式化更新的架构）。**

### 原因分析：

1. **技术物理场的跨越（电信号 $\rightarrow$ 热力学虚拟仿真）：** 现有的电流检测装置（如D1、D2）补正温漂的惯性思维都是“怎么测得更准”（加高精度测温芯片、贴得更近）或“怎么标定得更全”（全温度标定表）。而本专利特征D和E直接抛弃了对实时物理测温传感器的依赖，创造性地引入了**热阻系数 $a$**（$E \cdot a$ 即为发热温升）。这是从电子电路领域向热力学仿真领域的跨界组合。

2. **公式4（特征G）的非显而易见性：** 虽然 $$R = Ri + (T * b)$$ 在形式上类似传统电阻温度系数的基础公式，但其中的 $T$ 并不是常规温度计测出来的环境温度或表面温度，而是通过系统闭环计算出的**最终温度值变化量（$T = (E \cdot a) + Ta - Ti$）**。

请求方很难在常规的汽车电池管理或电流检测文献中，找到将“热阻系数 $a$”作为在线计算参数来实时刷新阻值的技术启示。该特征具有极强的抗无效能力。

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## 五、 进一步的检索策略建议

为了帮助请求方打破上述僵局，建议调整检索方向，跳出常规的“电流检测装置”或“分流器校准”这一窄领域，实施以下**跨领域与深挖检索策略**：

### 1. 跨领域检索：热力学微元仿真与高功率电子器件散热保护

* **切入点：** 分流电阻在高电流下发热，其物理本质属于高功率元器件。在**IGBT模块损耗计算、变压器绕组温升过载保护、微处理器（CPU/GPU）结温（Junction Temperature）动态热流仿真**领域，为了防止物理温度传感器响应滞后，极常采用“**电流/功率 $\rightarrow$ 机理热阻模型（RC热网络网络，如Foster模型或Cauer模型） $\rightarrow$ 结温温升 $T$**”的动态估算方法。

* **检索词组合：** `(热阻系数 OR 热阻网络 OR 热等效电路) AND (功耗 OR 发热值) AND (温度变化量 OR 结温估算) AND (阻值修正 OR 增益补偿)`。

### 2. 国际专利分类号（IPC）扩展检索

不要局限于本案常用的电流测量分类号（如 `G01R 19/` 等），应重点围攻带有“热量计算”或“控制系统补偿”的交叉分类号：

* **`G01R 35/00`**（仪器仪测试或校准）

* **`H02H 7/00`**（特定装置的过载热保护——通常包含电流引出的发热温升计算公式）

* **`G05B 13/`**（自适应控制系统——寻找包含物理多参数迭代更新的通用软件算法）

### 3. 追溯目标专利发明团队的学术论文与韩国优先权基础案

* **线索：** 本专利说明书[0089]明确指出其要求了韩国优先权，优先权号为 **`10-2018-0103671`**，申请日为2018年8月31日。

* **操作：** 1. 立即检索该韩国优先权案在韩国审查阶段的**全部官方意见陈述书（File History）**，看韩国审查员当时引用的对比文件是否比目前国内授权阶段更强。

2. 检索该专利申请人（或发明人团队）在2015-2019年间发表的韩国或英文学术论文（如IEEE、MDPI等）。科研人员往往会先发表涉及“分流器热阻估算算法”的论文，再申请专利。论文中可能包含更早公开的计算公式，可作为破坏新颖性或创造性的强力证据。

根据权利要求1所述的系统，该系统还包括，电压测量单元，该电压测量单元被配置成当设置在所述电路上的所述分流电阻器的电压下降时检测所述分流电阻器的电压值；其中，所述电流计算单元将所述第一电阻值改变为从所述电阻计算单元提供的所述第二电阻值。

根据权利要求2所述的系统，其中，所述电流计算单元将通过下面的式1计算的值确定为所述电流值，[式1] I＝V/R，这里，I是所述分流电阻器的电流值，V是所述分流电阻器的电压值，R是所述分流电阻器的所述第一电阻值。

根据权利要求1所述的系统，其中，所述功率计算单元将通过下面的式2计算的值确定为所述分流电阻器的发热值，[式2] 这里，E是所述分流电阻器的发热值，I是所述分流电阻器的电流值，R是所述分流电阻器的所述第一电阻值，t是电流在所述分流电阻器中流动的流动时间值。

根据权利要求1所述的系统，其中，所述温度测量单元与所述分流电阻器相邻地设置。

根据权利要求1所述的系统，其中，所述最终温度值计算单元将通过下面的式3计算的值确定为所述分流电阻器的所述第二最终温度值和所述最终温度值变化量；并且计算所述分流电阻器的所述第二最终温度值和所述最终温度值变化量；然后将所述第一最终温度值改变为所述第二最终温度值，[式3] T＝(E*a)+Ta‑Ti 这里，T是所述分流电阻器的所述最终温度值变化量，E是所述分流电阻器的发热值，a是所述分流电阻器的热阻系数，Ta是所述分流电阻器的环境温度，Ti是所述分流电阻器的第一最终温度值。