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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 2012-08-08_JP4997757B_发明专利_JP4997757B2 A thin film capacitor and method of manufacturing the same, electronic device and circuit board_+++H_a_e_g+++.docx |
| 0 | 2010-01-05_US7641112B_发明授权_US07641112B2 Transaction card with seeds.docx |
| 0 | 2010-12-02_US2010301452A_发明申请_US20100301452A1 Integrated nano-farad capacitors and method of formation_+++B_G_h+++.docx |
| 0 | 2010-12-07_US7847402B_发明授权_US07847402B2 BEOL interconnect structures with improved resistance to stress_+++B_h+++.docx |
| 0 | 2011-07-12_US7977201B_发明授权_US07977201B2 Methods for forming back-end-of-line resistive semiconductor structures_+++a_b_h+++.docx |
| 0 | 2011-07-13_JP4724682B_发明专利_JP4724682B2 Frozen dessert manufacturing device equipped with a mix valve and mix valve.docx |
| 0 | 2011-08-11_US2011193197A_发明申请_US20110193197A1 STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING CRACK STOP FOR 3D INTEGRATED CIRCUITS.docx |
| 0 | 2011-09-01_WO2011104775A_发明申请_WO2011104775A1 半導体装置_+++A_G_H_b_f+++.docx |
| 0 | 2011-09-08_JP2011176057A_发明专利_JP2011176057A Semiconductor device_+++A_F_G_H_b_c_d_e+++.docx |
| 0 | 2012-02-29_JP4888399B_发明专利_JP4888399B2 Control device of the flex-fuel engine.docx |
| 0 | 2009-07-30_JP2009167838A_发明专利_JP2009167838A Control device of flex fuel engine.docx |
| 0 | 2012-10-24_CN1988083B_发明授权_CN1988083B 薄膜电容器及其制造方法、电子器件和电路板_+++A_G_H_b+++.docx |
| 0 | 2013-02-06_JP5136165B_发明专利_JP5136165B2 Refrigeration unit.docx |
| 0 | 2013-02-21_US2013043560A_发明申请_US20130043560A1 Metal-Insulator-Metal Capacitor and Method of Fabricating_+++G_h+++.docx |
| 0 | 2013-02-28_JP2013041875A_发明专利_JP2013041875A Solid state imaging element, solid state imaging element manufacturing method and electronic apparatus_+++A_H+++.docx |
| 0 | 2013-05-09_US2013113068A_发明申请_US20130113068A1 LOW-K DIELECTRIC PROTECTION SPACER FOR PATTERNING THROUGH SUBSTRATE VIAS THROUGH A LOW-K WIRING LAYER_+++H+++.docx |
| 0 | JP2017513222A_Description_20260309_2235_+++A_B_C_E_G_H_d_f+++.docx |
| 0 | US2003071293A1_Description_20260309_2235_+++G_a_b_d_h+++.docx |
| 0 | US2008233731A1_Description_20260309_2235_+++B_G_H+++.docx |
| 0 | US2009008462A1_Description_20260309_2235.docx |
| 0 | 2007-07-05_JP2007173386A_发明专利_JP2007173386A Thin-film capacitor, manufacturing method thereof, electronic equipment, and circuit board_+++A_B_G_d_e_h+++.docx |
| 0 | 2003-06-10_US6577011B_发明授权_US06577011B1 Chip interconnect wiring structure with low dielectric constant insulator and methods for fabricating the same_+++A_B_E+++.docx |
| 0 | 2003-07-11_JP2003197878A_发明专利_JP2003197878A Memory semiconductor device and its manufacturing method_+++g_h+++.docx |
| 0 | 2003-09-04_WO2003073562A_发明申请_WO03073562A2 GaAs_AI(Ga)As DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR ON InP.docx |
| 0 | 2005-02-10_JP2005037496A_发明专利_JP2005037496A Transmission type screen and diffusing sheet.docx |
| 0 | 2007-03-01_US2007045773A_发明申请_US20070045773A1 Integrated electronic device and method of making the same_+++H+++.docx |
| 0 | 2007-03-15_JP2007067236A_发明专利_JP2007067236A Integrated-type electronic part and manufacturing method for integrated- type electronic part_+++F_G_H_a_b_d+++.docx |
| 0 | 2007-06-21_US2007141800A_发明申请_US20070141800A1 Thin-film capacitor and method for fabricating the same, electronic device and circuit board.docx |
| 0 | 2007-06-25_KR1020070065769A_发明公开_KR1020070065769A 박막 캐패시터 및 그 제조 방법, 전자 장치 및 회로 기판_+++G_H_a+++.docx |
| 0 | 2007-06-27_CN1988083A_发明公开_CN1988083A 薄膜电容器及其制造方法、电子器件和电路板_+++G_a_c_h+++.docx |
| 0 | 2019-01-08_CN106165094B_权利要求.txt |
| 0 | 2007-07-05_JP2007173437A_发明专利_JP2007173437A Electronic component_+++G_h+++.docx |
| 0 | 2007-07-12_US2007158848A_发明申请_US20070158848A1 Electronic component_+++B_G_H_a+++.docx |
| 0 | 2007-09-06_DE102006013812A_发明专利_DE102006013812A1 Thin film capacitor and method of making the same, electronic device and printed circuit board_+++H_g+++.docx |
| 0 | 2008-01-10_JP2008004734A_发明专利_JP2008004734A Integrated passive element, and multi-layer wiring substrate incorporating the same_+++A_G_b_c_d_h+++.docx |
| 0 | 2008-09-18_JP3144972U_实用新型_JP3144972U Indicator light.docx |
| 0 | 2008-09-25_JP2008220333A_发明专利_JP2008220333A Mixing valve and frozen dessert manufacturing device equipped with mixing valve.docx |
| 0 | 2009-01-08_US2009008462A_发明申请_US20090008462A1 TRANSACTION CARD WITH SEEDS.docx |
| 0 | 2009-01-22_JP2009013595A_发明专利_JP2009013595A Floor slab.docx |
| 0 | 2009-02-12_JP2009030954A_发明专利_JP2009030954A Refrigeration system.docx |
权利要求1
一种集成器件，包括： 支撑第一沉积层间电介质的基板； 包括后端制程（BEOL）导电层的第一导电栈，所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处，其中第一导电栈包括第一导电层直接在所述基板的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层；以及包括BEOL导电层的第二导电栈，第二导电栈处于相对于所述基板的不同于第一标高的第二标高处，其中第二导电栈包括直接在所述基板的表面上的第三导电层。
失效
权利要求2
如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述基板的表面被暴露在第一导电栈与第二导电栈之间。
权利要求3
如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，包括用第一导电层和第三导电层形成的电感器。
权利要求4
如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，第一导电栈包括用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器。
权利要求5
如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。
权利要求6
一种制造集成器件的方法，包括： 直接在基板的表面上沉积并图案化第一导电层； 仅在第一导电层的表面上沉积第一层间电介质； 在第一导电层上沉积并图案化另一电介质层； 在所述另一电介质层上沉积并图案化第二导电层，第一导电层、第一层间电介质、所述另一电介质层以及第二导电层在第一标高处形成第一导电栈； 直接在第一层间电介质上沉积并图案化第三导电层，并且第三导电层通过第一通孔耦合至第一导电层以形成第一导电栈；以及直接在所述基板的表面上沉积并图案化第三导电层以在第二标高处形成毗邻第一导电栈的第二导电栈。
权利要求7
如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括： 直接在第二层间电介质上沉积并图案化第四导电层，并且第四导电层通过第二通孔耦合至第一导电栈中的第三导电层；以及在第二导电栈中直接在所述基板的表面上沉积并图案化第四导电层。
权利要求8
如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括： 仅在第三导电层的表面上沉积第二层间电介质； 仅在第四导电层的表面上和第二层间电介质上沉积第三层间电介质； 沉积并图案化第五导电层；以及 仅在第五导电层的表面上和第三层间电介质上沉积第四层间电介质。
权利要求9
如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括，移除第一导电栈与第二导电栈之间的第二层间电介质、第三层间电介质、和第四层间电介质中的至少一者。
权利要求10
如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括，在第一导电栈内用第一导电层、所述另一电介质层与第二导电层形成金属-绝缘体-金属电容器。
权利要求11
如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括，用第一导电层和第三导电层来形成电感器。
权利要求12
如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括，将所述集成器件纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。
权利要求13
一种集成器件，包括： 用于支撑第一沉积层间电介质的装置； 包括后端制程（BEOL）导电层的第一导电栈，第一导电栈处于相对于支撑装置的第一标高处，其中第一导电栈包括第一导电层直接在支撑装置的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层；以及包括BEOL导电层的第二导电栈，第二导电栈处于相对于所述支撑装置的不同于第一标高的第二标高处，其中第二导电栈包括直接在所述支撑装置的表面上的第三导电层。
权利要求14
如权利要求13所述的集成器件，其特征在于，所述支撑装置的表面被暴露在第一导电栈与第二导电栈之间。
权利要求15
如权利要求13所述的集成器件，其特征在于，包括用第一导电层和第三导电层形成的电感器。
权利要求16
如权利要求13所述的集成器件，其特征在于，第一导电栈包括用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器。
权利要求17
如权利要求13所述的集成器件，其特征在于，所述集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。