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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|
权利要求1
一种导电结构体，包括基板；导电层；暗化层；所述暗化层对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足以下等式1和2；[等式1]；[等式2]；其中|R|为降低导电结构体可视性的参数；n为折射率；k为消光系数；k为0.2以上且2.5以下；R金属为所述导电层的反射率；d为所述暗化层的厚度；d为20nm至150nm；λ为光波长。
权利要求2
根据权利要求1所述的导电结构体，进一步包括暗化层；所述暗化层对具有600nm波长的光满足等式1和2。
权利要求3
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述暗化层的以下等式3的值为51.8以下；[等式3]；其中A*为显示对预先确定波长的亮度的参数；n、k和R金属定义与等式1相同。
权利要求4
根据权利要求3所述的导电结构体，其中所述暗化层的等式3的值为40以下。
权利要求5
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述暗化层的以下等式15的值为40以下；[等式15]；其中L*是显示对全部可见光波长区域的亮度的参数；Y是对应于CIE XYZ坐标系的三刺激值的绿色的刺激值；Yn是对应于CIE XYZ坐标系的三刺激值的白色的刺激值的归一化值。
权利要求6
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述暗化层的消光系数k为0.2以上且1.2以下。
权利要求7
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述暗化层的消光系数k为0.4以上且1.0以下。
权利要求8
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述导电层设置在所述基板与所述暗化层之间；所述降低导电结构体可视性的参数在所述暗化层的与所述导电层接触的表面的相反表面的方向上测量。
权利要求9
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述暗化层设置在所述导电层与所述基板间；所述降低导电结构体可视性的参数在基板侧测量。
权利要求10
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述暗化层的折射率n为大于0且小于等于3。
权利要求11
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述降低导电结构体可视性的参数|R|为0.15以下。
权利要求12
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述降低导电结构体可视性的参数|R|为0.1以下。
权利要求13
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述降低导电结构体可视性的参数|R|为0.07以下.
权利要求14
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述降低导电结构体可视性的参数|R|为0.03以下。
权利要求15
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述暗化层或导电层的表面电阻为大于0Ω/□且小于等于2Ω/□。
权利要求16
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述暗化层包含选自金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物以及金属碳化物中的一种或两种或更多种。
权利要求17
根据权利要求16所述的导电结构体，其中所述金属为选自Ni、V、W、Ta、Mo、Nb、Ti、Fe、Cr、Co、Al和Cu中的一种或两种或更多种。
权利要求18
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述暗化层包含介电材料和金属中的至少一种。
权利要求19
根据权利要求18所述的导电结构体，其中所述介电材料选自TiO2-x、SiO2-x、MgF2-x和SiN1.3-x(-1≤x≤1)。
权利要求20
根据权利要求18所述的导电结构体，其中所述金属为选自Fe、Co、Ti、V、Al、Cu、Mo、Au和Ag中的一种、两种或更多种金属的合金。
权利要求21
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述导电层的厚度为0.01μm至10μm。
权利要求22
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述导电层包含选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物中的一种或多种材料；所述材料具有1×10-6Ω·cm至30×10-6Ω·cm的比电阻。
权利要求23
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述导电层包含选自Cu、Al、Ag、Nd、Mo、Ni、其氧化物和其氮化物中的一种或两种或更多种。
权利要求24
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述暗化层设置在所述导电层的至少一个表面上。
权利要求25
根据权利要求1所述的导电结构体，其中所述导电层或所述暗化层被图案化。
权利要求26
根据权利要求25所述的导电结构体，其中所述导电结构体的表面电阻为1Ω/□至300Ω/□。
权利要求27
根据权利要求25所述的导电结构体，其中所述导电层和所述暗化层被图案化；经图案化的导电层的线宽为10μm以下。
权利要求28
根据权利要求25所述的导电结构体，其中所述导电层和所述暗化层被图案化；经图案化的暗化层的线宽等于或大于经图案化的导电层的线宽。
权利要求29
根据权利要求25所述的导电结构体，其中所述导电层和所述暗化层被图案化；经图案化的暗化层的面积为经图案化的导电层的面积的80％至120％。