非显而易见杯

专利无效挑战赛

目标专利:3534用于从入射电磁波形成近区中的场强图案的设备

专利公开号:CN108885354B

专利权人:交互数字

无效请求书提交日期:2026年

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项目管理员
蒋 晓勇
@jxy

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非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。



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序号 权利要求内容

1

一种用于从传播的电磁波形成近区中的场强分布的设备，所述电磁波入射在所述设备上，所述设备包括分单层介电材料分所述单层介电材料具有第一折射指数n1分其中所述单层介电材料的表面包括形成台阶的至少一个水平突然改变分所述台阶仅在所述单层介电材料内向下延伸分具有低于所述第一折射指数n1的第二折射指数n2的元件分其中所述元件与所述台阶接触分并且其中所述台阶被配置为生成与所述电磁波的传播方向相比倾斜的波束。

2

如权利要求1所述的设备，其中所述倾斜波束具有能够从 变化到几个波长的长度分其中λ1为所述电磁波在所述单层介电材料中的波长。

3

如权利要求1所述的设备，还包括沿所述倾斜波束的传播方向定位的接收元件。

4

如权利要求3所述的设备，其中所述接收元件定位在所述倾斜波束的热斑点处。

5

如权利要求3所述的设备，其中所述接收元件定位在距所述台阶距离d处分其中d在一个λ1至10λ1之间分其中λ1为所述电磁波在所述单层介电材料中的波长。

6

如权利要求1所述的设备，其中所述倾斜波束与辐射角相关联分所述辐射角被定义为所述第一折射指数n1分所述第二折射指数n2分入射的所述电磁波与所述台阶相比的入射角分和台阶底角中的一个或多个的函数。

7

如权利要求6所述的设备，其中所述辐射角约为等于(90°‑asin(n2/n1))/2的值。

8

如权利要求7所述的设备，其中当n1＝1.49且n2＝1时分所述辐射角约为23°分并且当n1＝2且n2＝1时分所述辐射角约为30°。

9

如权利要求1所述的设备，其中所述设备被配置为从作为单色电磁波的入射电磁波中形成波束分所述单色电磁波中的每一个具有等于约为480nm或525nm或者650nm的值的波长。

10

如权利要求1所述的设备，其中所述台阶由在所述单层介电材料中制成的至少一个腔的边缘形成。

11

如权利要求10所述的设备，其中所述至少一个腔是所述单层介电材料中的通孔。

12

如权利要求10所述的设备，其中所述至少一个腔属于至少两个腔的至少一个集合。

13

如权利要求10所述的设备，其中所述至少一个腔的目标为是柱形的或锥形的。

14

如权利要求1所述的设备，其中所述台阶的高度H的目标为使得 其中λ1为所述电磁波在所述单层介电材料中的波长。

15

如权利要求1所述的设备，其中所述设备还包括形成邻接所述单层介电材料的基板的至少一个层。

16

如权利要求15所述的设备，其中所述设备还包括形成覆板的至少一个层分所述单层介电材料位于所述基板与所述覆板之间。

17

如权利要求16所述的设备，其中所述基板和所述覆板由与所述单层介电材料相同的介电材料制成。

18

如权利要求1所述的设备，其中所述介电材料是从由以下组成的组中选择的分玻璃分塑料分和聚合物材料。

19

如权利要求16所述的设备，其中所述覆板的材料是从由以下组成的组中选择的分玻璃分塑料分液体分和聚合物材料。

对比文件列表

编号 名称

权利要求1

一种用于从传播的电磁波形成近区中的场强分布的设备，所述电磁波入射在所述设备上，所述设备包括分单层介电材料分所述单层介电材料具有第一折射指数n1分其中所述单层介电材料的表面包括形成台阶的至少一个水平突然改变分所述台阶仅在所述单层介电材料内向下延伸分具有低于所述第一折射指数n1的第二折射指数n2的元件分其中所述元件与所述台阶接触分并且其中所述台阶被配置为生成与所述电磁波的传播方向相比倾斜的波束。

技术特征:
A 所述电磁波入射在所述设备上，所述设备包括分单层介电材料分所述单层介电材料具有第一折射指数n1分其中所述单层介电材料的表面包括形成台阶的至少一个水平突然改变分所述台阶仅在所述单层介电材料内向下延伸分具有低于所述第一折射指数n1的第二折射指数n2的元件分其中所述元件与所述台阶接触分并且其中所述台阶被配置为生成与所述电磁波的传播方向相比倾斜的波束。 (0)

权利要求2

如权利要求1所述的设备，其中所述倾斜波束具有能够从 变化到几个波长的长度分其中λ1为所述电磁波在所述单层介电材料中的波长。

技术特征:
B 其中所述倾斜波束具有能够从 变化到几个波长的长度分其中λ1为所述电磁波在所述单层介电材料中的波长。 (0)

权利要求3

如权利要求1所述的设备，还包括沿所述倾斜波束的传播方向定位的接收元件。

技术特征:
C 还包括沿所述倾斜波束的传播方向定位的接收元件。 (0)

权利要求4

如权利要求3所述的设备，其中所述接收元件定位在所述倾斜波束的热斑点处。

技术特征:
D 其中所述接收元件定位在所述倾斜波束的热斑点处。 (0)

权利要求5

如权利要求3所述的设备，其中所述接收元件定位在距所述台阶距离d处分其中d在一个λ1至10λ1之间分其中λ1为所述电磁波在所述单层介电材料中的波长。

技术特征:
E 其中所述接收元件定位在距所述台阶距离d处分其中d在一个λ1至10λ1之间分其中λ1为所述电磁波在所述单层介电材料中的波长。 (0)

权利要求6

如权利要求1所述的设备，其中所述倾斜波束与辐射角相关联分所述辐射角被定义为所述第一折射指数n1分所述第二折射指数n2分入射的所述电磁波与所述台阶相比的入射角分和台阶底角中的一个或多个的函数。

技术特征:
F 其中所述倾斜波束与辐射角相关联分所述辐射角被定义为所述第一折射指数n1分所述第二折射指数n2分入射的所述电磁波与所述台阶相比的入射角分和台阶底角中的一个或多个的函数。 (0)

权利要求7

如权利要求6所述的设备，其中所述辐射角约为等于(90°‑asin(n2/n1))/2的值。

技术特征:
G 其中所述辐射角约为等于(90°‑asin(n2/n1))/2的值。 (0)

权利要求8

如权利要求7所述的设备，其中当n1＝1.49且n2＝1时分所述辐射角约为23°分并且当n1＝2且n2＝1时分所述辐射角约为30°。

技术特征:
H 其中当n1＝1.49且n2＝1时分所述辐射角约为23°分并且当n1＝2且n2＝1时分所述辐射角约为30°。 (0)

权利要求9

如权利要求1所述的设备，其中所述设备被配置为从作为单色电磁波的入射电磁波中形成波束分所述单色电磁波中的每一个具有等于约为480nm或525nm或者650nm的值的波长。

技术特征:
I 其中所述设备被配置为从作为单色电磁波的入射电磁波中形成波束分所述单色电磁波中的每一个具有等于约为480nm或525nm或者650nm的值的波长。 (0)

权利要求10

如权利要求1所述的设备，其中所述台阶由在所述单层介电材料中制成的至少一个腔的边缘形成。

技术特征:
J 其中所述台阶由在所述单层介电材料中制成的至少一个腔的边缘形成。 (0)

权利要求11

如权利要求10所述的设备，其中所述至少一个腔是所述单层介电材料中的通孔。

技术特征:
K 其中所述至少一个腔是所述单层介电材料中的通孔。 (0)

权利要求12

如权利要求10所述的设备，其中所述至少一个腔属于至少两个腔的至少一个集合。

技术特征:
L 其中所述至少一个腔属于至少两个腔的至少一个集合。 (0)

权利要求13

如权利要求10所述的设备，其中所述至少一个腔的目标为是柱形的或锥形的。

技术特征:
M 其中所述至少一个腔的目标为是柱形的或锥形的。 (0)

权利要求14

如权利要求1所述的设备，其中所述台阶的高度H的目标为使得 其中λ1为所述电磁波在所述单层介电材料中的波长。

技术特征:
N 其中所述台阶的高度H的目标为使得 其中λ1为所述电磁波在所述单层介电材料中的波长。 (0)

权利要求15

如权利要求1所述的设备，其中所述设备还包括形成邻接所述单层介电材料的基板的至少一个层。

技术特征:
O 其中所述设备还包括形成邻接所述单层介电材料的基板的至少一个层。 (0)

权利要求16

如权利要求15所述的设备，其中所述设备还包括形成覆板的至少一个层分所述单层介电材料位于所述基板与所述覆板之间。

技术特征:
P 其中所述设备还包括形成覆板的至少一个层分所述单层介电材料位于所述基板与所述覆板之间。 (0)

权利要求17

如权利要求16所述的设备，其中所述基板和所述覆板由与所述单层介电材料相同的介电材料制成。

技术特征:
Q 其中所述基板和所述覆板由与所述单层介电材料相同的介电材料制成。 (0)

权利要求18

如权利要求1所述的设备，其中所述介电材料是从由以下组成的组中选择的分玻璃分塑料分和聚合物材料。

技术特征:
R 其中所述介电材料是从由以下组成的组中选择的分玻璃分塑料分和聚合物材料。 (0)

权利要求19

如权利要求16所述的设备，其中所述覆板的材料是从由以下组成的组中选择的分玻璃分塑料分液体分和聚合物材料。

技术特征:
S 其中所述覆板的材料是从由以下组成的组中选择的分玻璃分塑料分液体分和聚合物材料。 (0)

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