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蒋晓勇

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序号	权利要求内容
1	一种用于在光致抗蚀剂衬底上生成结构的光刻设备，所述光刻设备包括；光照单元；译光掩模；其中；所述光掩模生成纳米喷射近场图案；该纳米喷射近场图案直接修改所述光致抗蚀剂衬底以获得所述结构；其中；所述光掩模包括至少一个电介质材料层；以及折射率低于所述电介质材料的折射率的介质；其中；所述至少一个电介质材料层的表面具有形成台阶的至少一个突然的水平变化；并且其中；至少所述表面相对于所述台阶和来自所述光照单元的电磁波的方向的基部和侧部与所述介质接触；译其中；所述纳米喷射近场图案是来自所述表面的所述基部和侧部的电磁波的相长干涉；译。
2	根据权利要求1所述的光刻设备，其中；所述台阶由在所述至少一个电介质材料层中制成的至少一个腔的边缘形成；并且所述腔至少部分地填充有所述介质；译。
3	根据权利要求2所述的光刻设备，其中；所述至少一个腔是所述至少一个电介质材料层中的通孔；译。
4	根据权利要求2至3中任一项所述的光刻设备，其中；所述至少一个腔属于至少两个腔的至少一个集合；译。
5	根据权利要求2至3中任一项所述的光刻设备，其中；所述至少一个腔目标是圆柱形或锥形；译。
6	根据权利要求1所述的光刻设备，其中；所述台阶由在所述至少一个电介质材料层中制成的至少一个凹槽的边缘形成；并且所述凹槽至少部分地填充有所述介质；译。
7	根据权利要求1至3中任一项所述的光刻设备，其中；所述台阶的高度H目标为使得其中；λ1是所述电介质材料中的所述电磁波的波长；译。
8	根据权利要求1至3中任一项所述的光刻设备，还包括形成邻接所述电介质材料层的衬底(110)的至少一个层；译。
9	根据权利要求1至3中任一项所述的光刻设备，其中；所述电介质材料是从由下列项组成的组中选择的；玻璃；以及聚合物材料；译。
10	根据权利要求1至3中任一项所述的光刻设备，还包括光学投影单元；用于引导来自所述光照单元的光；译。
11	根据权利要求10所述的光刻设备，其中；所述光学投影单元包括一组透镜和/或镜片；译。
12	根据权利要求1至3中任一项所述的光刻设备，其中；所述电介质材料是光学透明电介质材料；译。
13	根据权利要求1至3中任一项所述的光刻设备，其中；所述介质是固体或液体或气体；译。

对比文件列表

编号	名称

权利要求1

下载无效理由

一种用于在光致抗蚀剂衬底上生成结构的光刻设备，所述光刻设备包括；光照单元；译光掩模；其中；所述光掩模生成纳米喷射近场图案；该纳米喷射近场图案直接修改所述光致抗蚀剂衬底以获得所述结构；其中；所述光掩模包括至少一个电介质材料层；以及折射率低于所述电介质材料的折射率的介质；其中；所述至少一个电介质材料层的表面具有形成台阶的至少一个突然的水平变化；并且其中；至少所述表面相对于所述台阶和来自所述光照单元的电磁波的方向的基部和侧部与所述介质接触；译其中；所述纳米喷射近场图案是来自所述表面的所述基部和侧部的电磁波的相长干涉；译。