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序号	权利要求内容
1	一种用于一次性可编程(OTP)存储器的半导体器件，包括栅极；在所述栅极垂直下方的介电区；在所述栅极和所述介电区垂直下方；且向第一侧水平偏移的源极端子；在所述栅极和所述介电区垂直下方；且向与所述第一侧相对的第二侧水平偏移的漏极端子；由所述介电区包围的；向所述漏极端子水平偏移的漏极侧Vt编程区；所述漏极侧Vt编程区由诸层材料构成；其中在对所述半导体器件进行编程期间响应于由向所述漏极侧Vt编程区施加的编程电压创建的电场应力而在该诸层材料中产生陷阱；以及由所述介电区包围的；与所述漏极侧Vt编程区水平相对；并且向所述源极端子偏移的源极侧Vt编程区；所述源极侧Vt编程区由诸层材料构成；其中在对所述半导体器件进行编程期间响应于由向所述源极侧Vt编程区施加的编程电压创建的电场应力而在该诸层材料中产生陷阱；并且其中所述漏极侧Vt编程区和所述源极侧Vt编程区是电荷陷阱。
2	如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极是p型的。
3	如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极是n型的。
4	如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极是金属栅极。
5	如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极是多晶硅栅极。
6	如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏极侧Vt编程区提供所述栅极与所述漏极端子之间的第一导电路径。
7	如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述源极侧Vt编程区提供所述栅极与所述源极端子之间的第二导电路径。
8	如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏极侧Vt编程区和所述源极侧Vt编程区是所述半导体器件的双编程区；并且其中所述漏极侧Vt编程区和所述源极侧Vt编程区两者都被编程。
9	如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括耦合至所述栅极的编程电路；其中所述编程电路被配置成向所述栅极选择性地施加编程电压。
10	如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件被集成到移动电话、移动通信设备、寻呼机、个人数字助理、个人信息管理器、移动手持式计算机、膝上型计算机、无线设备、或无线调制解调器之一中。

权利要求1

下载无效理由

一种用于一次性可编程(OTP)存储器的半导体器件，包括栅极；在所述栅极垂直下方的介电区；在所述栅极和所述介电区垂直下方；且向第一侧水平偏移的源极端子；在所述栅极和所述介电区垂直下方；且向与所述第一侧相对的第二侧水平偏移的漏极端子；由所述介电区包围的；向所述漏极端子水平偏移的漏极侧Vt编程区；所述漏极侧Vt编程区由诸层材料构成；其中在对所述半导体器件进行编程期间响应于由向所述漏极侧Vt编程区施加的编程电压创建的电场应力而在该诸层材料中产生陷阱；以及由所述介电区包围的；与所述漏极侧Vt编程区水平相对；并且向所述源极端子偏移的源极侧Vt编程区；所述源极侧Vt编程区由诸层材料构成；其中在对所述半导体器件进行编程期间响应于由向所述源极侧Vt编程区施加的编程电压创建的电场应力而在该诸层材料中产生陷阱；并且其中所述漏极侧Vt编程区和所述源极侧Vt编程区是电荷陷阱。