目标专利:3960超声波传感器阵列及形成超声波换能器的方法
专利公开号:CN114303122B
专利权人:高通股份有限公司
无效请求书提交日期:2027年
非显而易见性评估仅供参考,不构成法律建议。
| 编号 | 名称 |
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一种超声波传感器阵列,包括,多个超声波换能器;每个换能器包括压电构件;其中;所述换能器中的每一个包括驻极体构件;所述换能器中的每一个包括被配置为呈现第一d33谐振模式系数的接收Rx层;和被配置为呈现第二d33谐振模式系数的发射Tx层;所述第一d33谐振模式系数不同于所述第二d33谐振模式系数;以及;所述换能器设置在柔性衬底上;其中所述第一d33谐振模式系数相对于所述第二d33谐振模式系数具有相反的符号。
根据权利要求1所述的超声波传感器阵列,其中所述驻极体构件由含氟聚合物构成。
根据权利要求1所述的超声波传感器阵列,其中所述Tx层包括所述压电构件;以及所述Rx层包括所述驻极体构件。
根据权利要求1所述的超声波传感器阵列,其中所述驻极体构件被配置为声学换能器。
根据权利要求1所述的超声波传感器阵列,其中所述阵列还包括柔性电子层;所述驻极体构件被配置为柔性的。
根据权利要求5所述的超声波传感器阵列,其中所述柔性电子层是柔性有机发光二极管显示器。
根据权利要求1所述的超声波传感器阵列,其中所述压电构件由铁电体形成。
根据权利要求1所述的超声波传感器阵列,其中所述压电构件由共聚物形成。
根据权利要求1所述的超声波传感器阵列,其中多个换能器中的至少一些被串联电连接。
根据权利要求1所述的超声波传感器阵列,其中所述阵列具有64.516平方厘米或更大的表面积。