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蒋晓勇

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序号	权利要求内容
1	一种集成器件，包括：衬底；所述衬底包括第一有源区；第二有源区；以及位于所述第一有源区和所述第二有源区之间的场区；第一晶体管；位于所述衬底之上；其中所述第一晶体管包括所述第一有源区和栅极；第二晶体管；位于所述衬底之上；其中所述第二晶体管包括所述第二有源区和所述栅极；第一栅极接触件；耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述栅极；其中所述第一栅极接触件被配置为电耦合到所述集成器件的互连件；以及第二栅极接触件；耦合到所述栅极；其中所述第二栅极接触件完全位于所述衬底的所述场区之上；其中所述第二栅极接触件仅直接电耦合到所述栅极；并且其中所述第一栅极接触件位于所述衬底的所述场区之上。
2	根据权利要求1所述的集成器件，还包括耦合到所述第一栅极接触件的接触互连件。
3	根据权利要求1所述的集成器件，其中所述第二栅极接触件被配置为调节在所述第一晶体管中引发第一电流并且在所述第二晶体管中引发第二电流所需的阈值电压。
4	根据权利要求1所述的集成器件，其中所述第一晶体管包括p沟道场效应晶体管(PFET)；并且所述第二晶体管包括n沟道场效应晶体管(NFET)。
5	根据权利要求1所述的集成器件，其中所述第一晶体管包括n沟道场效应晶体管(NFET)；并且所述第二晶体管包括p沟道场效应晶体管(PFET)。
6	根据权利要求1所述的集成器件，其中所述第一晶体管包括第一鳍状物和第二鳍状物。
7	根据权利要求6所述的集成器件，其中所述第一栅极接触件位于包括所述第一鳍状物和所述第二鳍状物的区域之上。
8	根据权利要求6所述的集成器件，其中所述第二晶体管包括第三鳍状物和第四鳍状物。
9	根据权利要求6所述的集成器件，其中所述第一晶体管包括p沟道场效应晶体管(PFET)。
10	根据权利要求6所述的集成器件，其中所述第一晶体管包括n沟道场效应晶体管(NFET)。
11	根据权利要求1所述的集成器件，还包括耦合到所述栅极的第三栅极接触件；其中所述第三栅极接触件仅直接电耦合到所述栅极；其中所述第二栅极接触件是虚设栅极接触件。
12	根据权利要求1所述的集成器件，其中所述第一晶体管是p沟道场效应晶体管(PFET)；其中所述第二晶体管是n沟道场效应晶体管(NFET)；并且其中所述第一栅极接触件位于所述第一晶体管之上。
13	根据权利要求1所述的集成器件，其中所述第一晶体管是p沟道场效应晶体管(PFET)；其中所述第二晶体管是n沟道场效应晶体管(NFET)；并且其中所述第一栅极接触件位于所述第二晶体管之上。
14	根据权利要求1所述的集成器件，其中所述第一晶体管包括场效应晶体管(FET)。
15	根据权利要求1所述的集成器件，其中所述第一晶体管包括平面晶体管、或栅极全环绕(GAA)FET。

对比文件列表

编号	名称

权利要求1

下载无效理由

一种集成器件，包括：衬底；所述衬底包括第一有源区；第二有源区；以及位于所述第一有源区和所述第二有源区之间的场区；第一晶体管；位于所述衬底之上；其中所述第一晶体管包括所述第一有源区和栅极；第二晶体管；位于所述衬底之上；其中所述第二晶体管包括所述第二有源区和所述栅极；第一栅极接触件；耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述栅极；其中所述第一栅极接触件被配置为电耦合到所述集成器件的互连件；以及第二栅极接触件；耦合到所述栅极；其中所述第二栅极接触件完全位于所述衬底的所述场区之上；其中所述第二栅极接触件仅直接电耦合到所述栅极；并且其中所述第一栅极接触件位于所述衬底的所述场区之上。