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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括： 半导体
B
不对称电极布置，该不对称电极布置包括第一电极、与跨越所述半导体的一部分的所述第一电极分离的第二电极、以及与至少所述第一电极相关联的至少一个表面等离子体激元生成器，
C
其中所述表面等离子体激元生成器包括与连续的导电材料组合的光耦合器，
D
所述第一电极从与所述半导体不接触的第一区域延伸到与所述半导体接触的第二区域，
E
其中在所述第一区域处的所述第一电极与所述光耦合器相关联，
F
其中与所述第二区域相比，
G
所述第一区域进一步远离于所述第二电极。
权利要求 2
H
其中所述表面等离子体激元生成器被配置为在至少与线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极。
权利要求 3
I
其中所述表面等离子体激元生成器被配置为优选地在与所述线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极。
权利要求 4
J
其中所述表面等离子体激元生成器被配置为生成表面等离子体激元并且将所生成的表面等离子体激元传送给所述半导体。
权利要求 5
K
其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：在沿着线的方向中提供在至少数微米上的连续等离子体，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极。
权利要求 6
L
其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的等离子体。
权利要求 7
M
其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的金属。
权利要求 8
N
其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性至少在平行于线的方向中，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极。
权利要求 9
O
其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性平行于线，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极。
权利要求 10
P
其中所述周期结构是周期光栅。
权利要求 11
Q
其中所述表面等离子体激元生成器包括导电材料，该导电材料包括表面，其中所述表面是连续的并且包括周期轮廓调制。
权利要求 12
R
其中所述第一电极与表面等离子体激元生成器相关联，但是所述第二电极与表面等离子体激元生成器不相关联。
权利要求 13
S
其中所述第一电极与用于选择性地耦合第一频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联，以及所述第二电极与用于选择性地耦合与所述第一频率不同的第二频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联。
权利要求 14
T
其中所述不对称电极布置包括多个第一电极，每个第一电极与用于选择性地耦合特定频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联。
权利要求 15
U
其中所述第二电极是通过所述半导体与所述多个第一电极分离的公共电极。
权利要求 16
V
其中所述表面等离子体激元生成器包括第一部分和第二部分，所述第一部分提供周期光栅以及所述第二部分不提供周期光栅。
权利要求 17
W
其中所述第二部分是平的。
权利要求 18
X
其中所述第二部分邻近于所述半导体的部分，以及所述第一部分不邻近于所述半导体的部分。
权利要求 19
Y
被配置为窄带光检测器。
权利要求 20
Z
被配置为分析物传感器，其中至少所述半导体被暴露以用于分析物吸附。