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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面
B
前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上
C
后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上
D
防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度
E
前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上
F
反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度
G
后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面
H
其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成
I
所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度
J
其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量
K
因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率
L
所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm。
权利要求 2
M
其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成。
权利要求 3
N
其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层
O
者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层
P
者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层
Q
者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层。
权利要求 4
R
其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极
S
所述多个指状电极沿着第一方向延伸
T
所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极。
权利要求 5
U
其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm。
权利要求 6
V
该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间
W
后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间。
权利要求 7
X
其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成。
权利要求 8
Y
其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。
权利要求 9
Z
其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。