非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|
权利要求1
一种用于使用射频(RF)电流加热皮肤的内部区域(15)的非侵入性皮肤处理装置(100)；所述皮肤处理装置包括：RF处理电极(10)；其具有限定接触平面的皮肤接触区域；被配置和布置成允许RF电流穿过所述皮肤的外表面并且穿过所述内部区域(15)；返回电极(40)；其被配置和布置成允许RF电流穿过所述内部区域(15)和所述皮肤的外表面；RF发生器(20)；其被配置和布置成使得在处理期间，RF处理信号穿过所述内部区域(15)施加于所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间，用于加热所述内部区域(15)；阻抗测量电路(35)；其被配置和布置成测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的皮肤阻抗；以及处理设定限定器(30)；其被配置和布置成确定与所述RF处理信号相关联的处理设定，其特征在于，所述皮肤处理装置(100)还包括控制器(25)；所述控制器(25)被编程使得在操作期间，所述控制器在激活所述RF发生器(20)以施加所述RF处理信号之前，激活所述阻抗测量电路(35)以测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的初始皮肤阻抗ZO；其中所述处理设定限定器(30)被编程使得在操作期间，所述处理设定限定器(30)根据所测量的初始皮肤阻抗ZO以及所述接触平面中的所述RF处理电极(10)的尺寸确定所述处理设定，所述处理设定至少包括以下：与期望的处理结果相关联的处理持续时间(TD)；以及与所述RF处理信号相关联的RF电气参数；并且其中所述控制器(25)被进一步编程使得在激活所述阻抗测量电路以测量所述初始皮肤阻抗之后，所述控制器连续地：激活所述处理设定限定器(30)，以在激活所述RF发生器以施加所述RF处理信号之前确定所述处理设定；配置所述RF发生器(20)以根据所述处理设定提供所述RF处理信号；以及激活所述RF发生器(20)，以施加所述RF处理信号到所述内部区域(15)持续所述处理持续时间(TD)
权利要求2
根据权利要求1所述的皮肤处理装置，其中所述处理持续时间(TD)与所述内部区域(15)中从期望处理结果到不期望的处理结果的过渡相关联
权利要求3
根据权利要求2所述的皮肤处理装置，其中所述不期望的处理结果与所述内部区域(15)内的凝固或消融相关联
权利要求4
根据权利要求1‑3中任一项所述的皮肤处理装置，其中所述RF处理电极(10)在所述RF处理电极(10)的所述接触平面中的最大尺寸小于或等于2mm
权利要求5
根据权利要求1‑3中任一项所述的皮肤处理装置，其中所述处理设定限定器(30)被编程使得所述处理设定限定器(30)根据以下公式确定所述处理设定：J＝K.R.TT.PM.(1–exp(‑TD/TT))，其中：J是与期望的处理结果与不期望的处理结果之间的过渡相关联的皮肤损害发作因子；K是常数，单位为每毫米‑毫焦耳，取决于皮肤组织的热和介电特性；R是所述RF处理电极(10)在所述接触平面内的半径，单位为毫米；TT是皮肤组织的热时间常数，单位为毫秒；2PM是与所述RF处理信号相关联RF功率，单位为瓦特，等于VM/ZO，其中VM是所述RF处理信号的电压；以及TD是所述处理持续时间，单位为毫秒‑1 ‑1
权利要求6
根据权利要求5所述的皮肤处理装置，其中K等于0.38±0.03mm mJ
权利要求7
根据权利要求5所述的皮肤处理装置，其中TT等于40.4±4.8毫秒
权利要求8
根据权利要求5所述的皮肤处理装置，其中所述皮肤损害发作因子(J)是以下中的一个或多个：J＝1±0.3，当所述内部区域(15)内的从期望的处理结果到不期望的处理结果的过渡与非消融性凝固损害的发作相关联时；或者J＝1.7±0.5，当所述内部区域(15)内的从期望的处理结果到不期望的处理结果的过渡与消融性损害的发作相关联时
权利要求9
根据权利要求1‑3和6‑8中任一项所述的皮肤处理装置，其中与所述RF处理信号相关联的所述RF电气参数是以下一个或多个：IM，是所述RF处理信号的电流，单位为安培；VM，是所述RF处理信号的电压，单位为伏特；以及PM，是与所述RF处理信号相关联的功率，单位为瓦特
权利要求10
根据权利要求1‑3和6‑8中任一项所述的皮肤处理装置，其中所述控制器(25)进一步被编程，使得如果所测量的初始皮肤阻抗ZO大于预定上限或小于预定下限，则所述控制器防止所述RF发生器(20)被激活以施加所述处理信号到所述内部区域(15)
权利要求11
根据权利要求1‑3和6‑8中任一项所述的皮肤处理装置，其中：所述阻抗测量电路(35)进一步被配置和布置成在处理期间测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的实际皮肤阻抗；并且所述控制器(25)被进一步编程，使得如果所述实际皮肤阻抗大于预定的进一步的上限或小于预定的进一步的下限，则所述控制器在处理期间中断所述RF发生器(20)，以防止其施加所述RF处理信号到所述内部区域(15)