对比文件的名称：发明专利_JP2006311203A Lc compound component and its manufacturing method
目标专利的名称：双侧电路
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落标号或部分) | 公开性论述 |
| A: 绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围《直接公开》 | [2] "焼結フェライト基板1"（烧结铁氧体基板1）；实施例1及图1-3描述了基板有表侧和里侧，即两个表面，并具有外围。 | 对比文件明确公开了“烧结铁氧体基板1”作为承载电路元件的基底，其必然具有第一表面（例如形成薄膜电容器的面）、第二表面（相对的面）以及连接这两个表面的外围（边缘）。这构成了目标专利中的“绝缘体”及其基本结构特征。 |
| B: 电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上《直接公开》 | [2] "薄膜コンデンサ素子Ｃ１は焼結フェライト基板１の片面に形成され"（薄膜电容器元件C1形成在烧结铁氧体基板1的一个面上）；[2] "インダクタンス素子Ｌ１は焼結フェライト基板１の両面に形成されたスパイラル状コイル導体層１１ａ，１１ｂ"（电感元件L1由形成在烧结铁氧体基板1两面的螺旋状线圈导体层11a, 11b构成）。 | 对比文件明确公开了电路元件（如薄膜电容器C1和构成电感器的线圈导体层）布置在基板的表面上。虽然对比文件中的元件（电容和电感）的划分和组合方式可能与目标专利不同，但“电路元件的第一子集”是一个功能性划分，对比文件公开了在基板的一个表面上布置有若干电路元件（例如电容器C1和/或部分线圈导体层），这直接对应于该技术特征。 |
| C: 电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上《直接公开》 | [2] "インダクタンス素子Ｌ１は焼結フェライト基板１の両面に形成されたスパイラル状コイル導体層１１ａ，１１ｂ"（电感元件L1由形成在烧结铁氧体基板1两面的螺旋状线圈导体层11a, 11b构成）；同样，电感L2也在两面形成。 | 对比文件明确公开了电路元件（如构成电感器的线圈导体层）也布置在基板的第二表面（相对的面）上。这对应于目标专利中“电路元件的第二子集”布置在第二表面上的技术特征。 |
| D: 至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集《隐含公开》 | [2] "各端子電極Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３に接続する外部電極が焼結フェライト基板１の縁部における表裏面及び側面にわたって導電ペースト等で設けられる。"（与各端子电极T1, T2, T3连接的外部电极，通过导电浆料等设置在烧结铁氧体基板1的边缘部，覆盖表面和侧面。）图2(F)示出了外部电极50覆盖基板边缘。 | 对比文件公开了在基板外围（边缘部）设置覆盖表面和侧面的外部电极（50）。这些外部电极连接至布置在基板两面的电路元件（如线圈导体层的端部），因此必然起到将布置在第一表面和第二表面的电路元件进行电耦合的作用。虽然对比文件的外部电极可能主要用于外部连接端子，但其位于外围并覆盖侧面的结构，以及其连接两侧电路元件的功能，使得本领域技术人员能够合理推断出，这种结构等同于“布置在外围上的导电侧壁”，并实现了两侧电路元件的电耦合。因此该特征被隐含公开。 |
| E: 其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层《隐含公开》 | [2] "薄膜コンデンサ素子Ｃ１は、...表面平滑層上に形成される最下層となる第１の電極層、薄膜誘電体層、これを介して積層形成される第２の電極層とで構成される。"（薄膜电容器元件C1由...在表面平滑层上形成的最下层的第一电极层、薄膜介电体层、以及通过该介电体层层叠形成的第二电极层构成。）[2] 图2及制造方法描述了在表面平滑层15上依次形成下部电极下地层20、第1电极层21（相当于第一内部导电层）、第1薄膜介电体层31（相当于第一介电层）、第2电极层22（相当于第一中间导电层）等。 | 对比文件详细描述了薄膜电容器C1的制造结构：在基板1的表面（通过表面平滑层15）上，依次形成第1电极层21、薄膜介电体层31、第2电极层22等。第1电极层21与基板表面（通过平滑层）接触，薄膜介电体层31与第1电极层21接触，第2电极层22与薄膜介电体层31接触。这完全对应于目标专利中第一电容器的三层结构：“与绝缘体第一表面接触的第一内部导电层”（对比文件的第1电极层21）、“与第一内部导电层接触的第一介电层”（对比文件的薄膜介电体层31）、“与第一介电层接触的第一中间导电层”（对比文件的第2电极层22）。因此该技术特征被隐含公开。 |
| F: 所述绝缘体包括玻璃《未公开》 | 对比文件通篇使用“烧结铁氧体基板”（焼結フェライト基板）。 | 对比文件明确且唯一地使用铁氧体（一种磁性陶瓷材料）作为基板材料，并未提及使用玻璃作为绝缘体。因此该技术特征未被公开。 |
| G: 所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度《未公开》 | 对比文件未明确记载基板厚度与电路元件（电极层、介电层、线圈导体层）厚度的比较关系。 | 对比文件虽然描述了基板以及其上形成的各层结构，但并未给出任何关于“绝缘体厚度大于电路元件子集厚度”的明确教导或暗示。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出这一具体的厚度关系。因此该技术特征未被公开。 |
| H: 所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带《未公开》 | 对比文件涉及LC复合元件用于高频噪声滤波（例如100MHz以上），但未明确将布置在两面的电路元件子集分别配置为对特定不同频带（且第二频带高于第一频带）进行滤波。 | 对比文件整体上公开了一种LC滤波器，但其电路配置（如T型、L型滤波器）并未教导或暗示将第一表面上的元件子集专门配置为滤波第一（较低）频带，而将第二表面上的元件子集专门配置为滤波第二（较高）频带。目标专利的该特征限定了双面子集特定的滤波分工和频率高低关系，这在对比文件中没有体现。 |
| I: 所述电路元件的第一子集还包括第一电感器《直接公开》 | [2] "インダクタンス素子Ｌ１は焼結フェライト基板１の両面に形成されたスパイラル状コイル導体層１１ａ，１１ｂ"（电感元件L1由形成在烧结铁氧体基板1两面的螺旋状线圈导体层11a, 11b构成）。电感L1、L2的线圈导体层部分布在基板两面。 | 在对比文件公开的实施方式中（如实施例1），布置在基板第一表面（例如图1(A)的表侧）上的电路元件包括构成电感器L1、L2的螺旋线圈导体层（11a, 12a）。因此，“电路元件的第一子集”中确实包括了电感器。该特征被直接公开。 |
| J: 所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器《未公开》 | 对比文件提到了实现“大的L、C值”，但未对分别位于两面（或分别属于不同子集）的电感器的电感值大小、电容器的电容值大小进行比较。 | 对比文件没有提供任何信息表明布置在第二表面上的电感器（如果存在）的电感值比布置在第一表面上的电感器更低，也没有表明布置在第二表面上的电容器（如果存在）的电容值比布置在第一表面上的第一电容器更低。该特征涉及具体的参数比较关系，在对比文件中没有依据。 |
| K: 所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器《直接公开》 | [2] "スパイラル状コイル導体層"（螺旋状线圈导体层）用于构成电感器L1, L2等。 | 对比文件多次明确记载电感器由“螺旋状线圈导体层”构成。因此，无论是第一电感器还是第二电感器，其形式均为螺旋电感器。该特征被直接公开。 |
| L: 所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层《未公开》 | 对比文件描述电感器线圈导体层（如11a, 11b）通过电镀铜等方法形成，但未描述其具有“内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层”这样的三层子层结构。 | 目标专利的该特征限定了电感器非常具体的多层导电子层夹绝缘子层的结构。对比文件仅公开了形成单一的线圈导体层（可能有多圈），并未公开或暗示这种用于构建电感器的特定层叠子层结构。因此未被公开。 |
| M: 以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层《未公开》 | 同上。 | 同上，对比文件未公开电感器的这种特定三层子层结构。因此该特征未被公开。 |
| N: 所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层《隐含公开》 | [2] 多个实施例（如实施例7、13）描述了在基板的第二表面（里侧）也形成有薄膜电容器（如C8、C12）或类似结构。其制造方法与第一表面上的电容器类似，包括电极层和介电体层。 | 对比文件公开了在基板第二表面也可以形成薄膜电容器结构（例如实施例7的C8，实施例13的C12）。虽然未明确描述第二表面上电容器的层结构细节，但根据对比文件整体教导的薄膜电容器制造方法（在基板表面依次形成电极层、介电层、电极层），本领域技术人员能够合理推断，在第二表面上形成的电容器同样会具有“与绝缘体第二表面接触的内部导电层、介电层、中间导电层”这样的基本层结构。因此该特征被隐含公开。 |
| O: 所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层《未公开》 | 同技术特征L。 | 此特征与技术特征L实质相同，对比文件未公开。 |
| P: 以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层《未公开》 | 同技术特征M。 | 此特征与技术特征M实质相同，对比文件未公开。 |
| Q: 一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器《直接公开》 | [2] "導通ビア"（导通通孔）用于连接表里的线圈导体层，以及连接线圈导体层与电容器电极层。例如，描述连接线圈导体层11b, 12b端部与薄膜电容器C1最下层电极层21的位置形成通孔。 | 对比文件明确公开了在基板（相当于绝缘体）中形成“导通通孔”（導通ビア），用于电连接。具体地，通孔用于连接形成在基板两面的电感器线圈导体层，也用于将电感器（线圈导体层）连接到电容器（电极层）。这直接对应于“过孔被配置用于将第一电感器耦合至第一电容器”的特征。 |
| R: 以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器《直接公开》 | [2] 同上，通孔用于连接两面的线圈导体层以及连接至电容器。在第二表面也存在线圈导体层需要连接。 | 基于同样的理由，对比文件公开的通孔结构也用于连接布置在第二表面的电路元件（例如第二电感器的部分线圈导体层）。如果第二表面上存在第二电容器（如技术特征N的隐含公开），则本领域技术人员能够理解通孔也可用于将其与相关电感器耦合。但从直接公开的角度，通孔用于连接两侧电路元件的功能是明确的。为严格遵循权利要求划分，此特征关于“第二过孔…将第二电感器耦合至第二电容器”在对比文件中没有明确对应第二电容器，但通孔连接功能已公开。考虑到隐含公开判断标准宽松，且技术特征N已隐含公开第二电容器，结合通孔连接功能的公开，可以认为该特征被隐含公开。此处从严格对应角度，暂不认定为直接公开。 |
| S: 所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集《隐含公开》 | [2] "端子電極Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３"；外部电极50形成在基板边缘并连接至这些端子电极。端子电极T1, T2等连接至电感器和电容器。 | 对比文件的外部电极50设置在基板外围，作为电路的输入/输出/接地端子。这些端子必然电耦合至布置在基板上的电路元件（第一子集和第二子集）。虽然对比文件未明确区分“低频带接触表面”，但其公开的端子电极（如T1, T2）用于连接外部电路，其功能等同于“电路接触表面”。本领域技术人员可以理解，根据电路设计，这些端子中的某一个可以被用作特定频带（如低频带）的信号接触点。因此该特征被隐含公开。 |
| T: 高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集《隐含公开》 | 同上。 | 同上，对比文件的外部电极/端子可用于连接电路。其中某一个端子可以被配置为连接高频带信号，并电耦合至相应的电路元件子集（例如主要包含高频滤波元件的子集）。该特征被隐含公开。 |
| U: 以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线《隐含公开》 | 同上。 | 同上，对比文件的外部电极/端子用于电路的输入输出。在无线通信滤波器的应用语境下，其中一个端子（如连接滤波器公共端的端子）非常可能被用作连接天线的接触表面。本领域技术人员能够合理推断出这一用途。因此该特征被隐含公开。 |
### 输出代码
基于以上分析，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、I、K、Q。
对比文件隐含公开了技术特征D、E、N、R、S、T、U。
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