**对比文件名称**：发明申请_US20110090665A1 THIN FILM SURFACE MOUNT COMPONENTS
**目标专利名称**：双侧电路
**本次调用的模型名称**：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围 <br> **《直接公开》** | [0086] First and second substrates 104 and 106 are preferably made of one or more insulating ceramic or non-ceramic materials, including but not limited to glass, alumina (Al2O3), aluminum nitride (AlN), beryllium oxide (BeO), gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), indium phosphide, porcelain, quartz, sapphire, silicon (Si), silicon carbide (SiC), silica (SiO2), silicon nitride (Si3N4), zirconia (ZrO2), oxides and/or nitrides of such materials or any other insulating thin-film material having a generally high thermal resistance. <br> 译文：第一和第二基板104和106优选由一种或多种绝缘陶瓷或非陶瓷材料制成，包括但不限于玻璃、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氧化铍(BeO)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、磷化铟、瓷器、石英、蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、此类材料的氧化物和/或氮化物或任何其他具有高耐热性的绝缘薄膜材料。 | 对比文件明确公开了由绝缘材料（如玻璃）制成的基板（substrate）。根据图1A-1C、2A-2C等图示及文字描述，这些基板（如104，106）是构成表面安装组件的结构主体，其必然具有相对的上下两个表面（第一表面和第二表面）以及连接这两个表面的侧面（外围）。因此，对比文件直接公开了“绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上 <br> **《直接公开》** | [0085] One or more thin film circuits (such as the array of three circuits 504 shown in FIG. 15) is formed on a surface of substrate 502. <br> [0088] Thin film circuit 102 is illustrated in FIG. 1A as a separate layer, although it should be appreciated that thin film circuit 102 may actually be formed directly on a surface of the first (base) substrate 104. <br> 译文：[0085] 一个或多个薄膜电路（例如图15所示的三个电路504的阵列）形成在基板502的表面上。<br> [0088] 图1A中将薄膜电路102示为单独的层，但应当理解，薄膜电路102实际上可以直接形成在第一（基础）基板104的表面上。 | 对比文件多次描述了薄膜电路（thin film circuit）形成在基板（例如基础基板104）的表面上。这些薄膜电路可以包括电阻、电容、电感等无源元件或其组合（参见[0085], [0106]-[0109]），这构成了“电路元件的第一子集”。该子集明确布置在基板（即绝缘体）的一个表面上。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上 <br> **《直接公开》** | [0098] In components 200 and 200′, two different thin film circuits are formed as part of the surface mount components. A first thin film circuit 102 is formed on a surface of the first substrate 104 (i.e., the upper surface of substrate 104 as shown in FIG. 2A). A second thin film circuit 132 is also provided and is formed on a surface of the second substrate 106 (i.e., the lower surface of substrate 106 as shown in FIG. 2A). <br> 译文：在组件200和200′中，形成了两个不同的薄膜电路作为表面安装组件的一部分。第一薄膜电路102形成在第一基板104的表面上（即，如图2A所示的基板104的上表面）。还提供了第二薄膜电路132，其形成在第二基板106的表面上（即，如图2A所示的基板106的下表面）。 | 对比文件明确公开了“双面”配置的实施例，其中第二薄膜电路（即电路元件的第二子集）形成在第二基板（即绝缘体的第二表面）上。这直接对应于目标专利中在绝缘体第二表面上布置电路元件第二子集的技术特征。 |
| **技术特征D**：至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。 <br> **《隐含公开》** | [0093] FIG. 1B shows an exemplary cross-sectional view of the component 100 shown in exploded view in FIG. 1A, taken along section lines A-A. As shown, first and second external terminations 120 and 122 are formed on the periphery of component 100 and are in direct electrical connection with respective conductive pads 112 and 114. <br> [0107] In FIG. 6, a thin film circuit formed between first and second substrates 104 and 106 includes first and second conductive electrode layers 602 and 604 and an interleaved dielectric layer 606. Conductive layer 602 forms the bottom plate and conductive layer 604 forms the top plate of a parallel-plate capacitor. <br> 译文：[0093] 图1B示出了图1A中爆炸视图所示的组件100沿剖面线A-A的示例性横截面视图。如图所示，第一和第二外部端子120和122形成在组件100的周边上，并与相应的导电垫112和114直接电连接。<br> [0107] 在图6中，形成在第一和第二基板104和106之间的薄膜电路包括第一和第二导电极层602和604以及中间的介电层606。导电层602形成平行板电容器的下极板，导电层604形成上极板。 | 1. **导电侧壁**：对比文件公开了在组件周边（外围）形成的外部端子（external terminations）120、122等（[0093]），其作用是为内部电路提供外部电连接。在目标专利中，导电侧壁同样布置在外围上并起到电连接作用。虽然术语“侧壁”更强调物理位置，而“外部端子”更强调功能，但本领域技术人员可以理解，为实现周边连接，外部端子必然覆盖或构成侧壁区域，两者实质等同。<br>2. **电耦合第一和第二子集**：对比文件[0098]公开了双薄膜电路配置，且[0100]提到在另一种配置中，可以使用单组导电垫来为两个薄膜电路提供电连接，这意味着外部端子可以将两个电路电连接起来。结合外部端子布置在周边的事实，可以合理推断出布置在外围的导电端子能够将布置在两个表面上的电路子集进行电耦合。<br>3. **第一电容器及其特定结构**：对比文件公开了薄膜电容器包含导电电极层和介电层（[0107]）。目标专利中第一电容器的三层堆叠结构（内部导电层-介电层-中间导电层）是制造平行板电容器的常规薄膜工艺的典型结构。本领域技术人员从对比文件公开的“导电极层”和“介电层”可以毫无疑义地推导出，为了形成电容器，必然需要至少两个导电层（相当于内部和中间导电层）以及它们之间的介电层。至于“与绝缘体的第一表面接触”，对比文件的电容器形成在基板表面，其底层电极自然与基板（绝缘体）表面接触。因此，该电容器的具体结构已被对比文件隐含公开。综合以上三点，技术特征D被隐含公开。 |
| **技术特征E**：所述绝缘体包括玻璃 <br> **《直接公开》** | [0086] First and second substrates 104 and 106 are preferably made of one or more insulating ceramic or non-ceramic materials, including but not limited to **glass**, alumina (Al2O3)... <br> 译文：第一和第二基板104和106优选由一种或多种绝缘陶瓷或非陶瓷材料制成，包括但不限于**玻璃**、氧化铝(Al2O3)... | 对比文件在列举基板（即绝缘体）材料时，明确将“玻璃”列为可选材料之一。因此，技术特征“绝缘体包括玻璃”被直接公开。 |
| **技术特征F**：所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度 <br> **《直接公开》** | [0087] In various exemplary embodiments, the thickness of substrates 104 and 106 is between about 0.1-1.0 mm in one embodiment, between about 0.2-0.6 mm in one embodiment, and about 0.5 mm in one embodiment. <br> [0090] The thickness of conductive pads 112 may be within a range from between about 1-50 microns in one embodiment, and between about 5-20 microns in another embodiment. <br> 译文：[0087] 在各种示例性实施例中，基板104和106的厚度在一个实施例中约为0.1-1.0毫米，在另一个实施例中约为0.2-0.6毫米，在又一个实施例中约为0.5毫米。<br> [0090] 导电垫112的厚度在一个实施例中可以在约1-50微米的范围内，在另一个实施例中可以在约5-20微米的范围内。 | 对比文件给出了基板（绝缘体）的厚度范围（0.1-1.0 mm，即100-1000微米），以及构成电路元件一部分的导电垫的厚度范围（1-50微米）。显然，基板的厚度（最小100微米）远大于导电垫的厚度（最大50微米）。由于电路元件（如薄膜电阻、电容、电感）是通过类似薄膜工艺形成的薄层结构，其整体厚度与导电垫属于同一数量级，必然远小于支撑它们的基板厚度。因此，本领域技术人员可以毫无疑义地得出绝缘体厚度大于其上电路元件厚度的结论。该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征G**：所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带 <br> **《未公开》** | [0100] Referring now to FIG. 9, an exemplary differential low pass filter (LPF) 900 for use in high frequency applications includes multiple inductors and capacitors in a thin film circuit. <br> 译文：现在参考图9，用于高频应用的示例性差分低通滤波器(LPF)900在薄膜电路中包括多个电感器和电容器。 | 对比文件公开了薄膜电路可以构成滤波器（如低通滤波器）。然而，目标专利的特征G限定了两个电路子集分别对不同的频带滤波，且第二频带高于第一频带。对比文件并未公开一个组件中两个独立的电路子集（分别位于两个表面）被配置为处理两个特定且具有高低关系的频带。虽然对比文件有双薄膜电路的实施例（[0098]），但未说明其分别用于滤波不同频带。因此，该特定功能配置既未被直接公开，也无法从对比文件中合理推断得出。 |
| **技术特征H**：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器 <br> **《直接公开》** | [0109] Another exemplary embodiment of the present technology is shown in FIG. 7, which is particularly directed to a thin film surface mount inductor 700. Such example describes how a thin-film circuit 102, 132 as previously mentioned may be formed as a thin film inductor. <br> 译文：图7示出了本技术的另一个示例性实施例，其特别涉及薄膜表面安装电感器700。此示例描述了如前所述的薄膜电路102、132如何形成为薄膜电感器。 | 对比文件明确公开了薄膜电路可以包括电感器（inductor）。在技术特征B、C已被公开的基础上，电路元件的第一子集中包含电感器是薄膜电路可能包含的元件类型之一。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器 <br> **《未公开》** | 无相应内容。 | 对比文件完全没有提及或暗示任何关于两个电路子集中电感器和电容器的具体电感值、电容值，以及它们之间的相对大小关系（如“更低电感”、“更低电容”）。该特征是具体的性能参数限定，未被公开。 |
| **技术特征J**：所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器 <br> **《直接公开》** | [0109] In FIG. 7, a thin film circuit formed between first and second substrates 104 and 106 generally includes first and second conductive layers and an intermediate insulative layer 706. A first conductive layer is formed to define a first conductive spiral 702 as well as first conductive pad 112. The second conductive layer is formed to define a second conductive spiral 704 as well as second conductive pad 114. <br> 译文：在图7中，形成在第一和第二基板104和106之间的薄膜电路通常包括第一和第二导电层以及中间绝缘层706。第一导电层形成以限定第一导电螺旋702以及第一导电垫112。第二导电层形成以限定第二导电螺旋704以及第二导电垫114。 | 对比文件明确公开了电感器可以实施为“导电螺旋”（conductive spiral），即螺旋电感器。在包含电感器的薄膜电路中，采用螺旋结构是常见技术手段。因此，第一电感器和第二电感器是螺旋电感器这一特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层 <br> **《未公开》** | [0109] ...includes first and second conductive layers and an intermediate insulative layer 706. <br> 译文：……包括第一和第二导电层以及中间绝缘层706。 | 对比文件仅概括性地描述了电感器包括导电层和绝缘层，但并未披露目标专利中如此具体的三层堆叠结构：内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层，以及它们与“第一中间绝缘体”的接触关系。目标专利的该特征涉及非常具体的层状构造，对比文件未提供足够信息以支持该特定结构被公开或隐含。 |
| **技术特征L**：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层 <br> **《未公开》** | 同技术特征K引用。 | 理由同技术特征K。对比文件未公开第二电感器的此种具体三层结构。 |
| **技术特征M**：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层 <br> **《未公开》** | [0107] ...includes first and second conductive electrode layers 602 and 604 and an interleaved dielectric layer 606. <br> 译文：……包括第一和第二导电极层602和604以及中间的介电层606。 | 对比文件公开了电容器具有电极层和介电层。然而，目标专利特征M限定了第二电容器具有与绝缘体第二表面接触的“第二内部导电层”等特定的三层结构。对比文件未描述电容器电极层与基板（绝缘体）特定表面的接触关系，也未区分“内部”和“中间”导电层。该具体结构未被公开。 |
| **技术特征N**：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层 <br> **《未公开》** | 同技术特征K引用。 | 此特征与技术特征K完全相同，判断结果和理由同K。 |
| **技术特征O**：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层 <br> **《未公开》** | 同技术特征K引用。 | 此特征与技术特征L完全相同，判断结果和理由同L。 |
| [0109] Insulative layer 706 may be formed to define a via or opening 708 therethrough to connect the first and second conductive spirals 702 and 704. <br> 译文：绝缘层706可以形成为限定穿过其中的过孔或开口708，以连接第一和第二导电螺旋702和704。 | 对比文件提到了过孔（via）用于连接同一电感器的不同螺旋层（702和704）。然而，目标专利特征P限定了过孔用于将电感器耦合至电容器，且过孔布置在“第一中间绝缘体”中。这是完全不同的连接对象和结构上下文。对比文件未公开将电感器与电容器通过特定绝缘体中的过孔进行连接的配置。 | |
| **技术特征Q**：以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器 <br> **《未公开》** | 同技术特征P引用。 | 理由同技术特征P。对比文件未公开用于连接第二电感器和第二电容器的此类过孔结构。 |
| **技术特征R**：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集 <br> **《未公开》** | [0093] ...first and second external terminations 120 and 122 are formed on the periphery of component 100 and are in direct electrical connection with respective conductive pads 112 and 114. <br> 译文：……第一和第二外部端子120和122形成在组件100的周边上，并与相应的导电垫112和114直接电连接。 | 对比文件公开了外部端子电连接到内部导电垫/电路。然而，目标专利特征R限定了这些接触表面具有特定的功能标识，如“低频带接触表面”。对比文件的外部端子是通用的输入/输出端子，并未被赋予处理特定频带（如低频带）的功能标签或限定。该功能性限定未被公开。 |
| **技术特征S**：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集 <br> **《未公开》** | 同技术特征R引用。 | 理由同技术特征R。对比文件未公开被指定为“高频带接触表面”的端子。 |
| **技术特征T**：以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线 <br> **《未公开》** | 无相应内容。 | 对比文件全文未提及“天线”或用于连接天线的特定接触表面。该特征未被公开。 |
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