对比文件名称：发明申请_US20130285765A1 BROAD BAND DIPLEXER USING SUSPENDED STRIP-LINE CAPACITOR TECHNOLOGY
目标专利名称：双侧电路
模型名称：本次调用基于给定的任务描述和模型角色设定。
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：《直接公开》<br>绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围 | [0031] “Diplexer 101 formed on a planar dielectric sheet 114 having a first surface 115 and a second surface 116, the second surface 116 on the opposite side of the sheet from first surface 115.” <br> [0034] “As illustrated in FIGS. 2 and 3, a diplexer 201 may comprise a planar dielectric sheet 202 placed between a first ground plane 210 and a second ground plane 212. ... The first and second ground planes 210 and 212 may be part of a metal housing 208 which provides support of the dielectric sheet 202.” | 对比文件明确公开了“平面介质片/板”（planar dielectric sheet）114/202，其具有第一表面（first surface）115/215和第二表面（second surface）116/216。该介质片/板作为支撑电路元件的基底，其物理形态必然具有连接第一和第二表面的“外围”（periphery）。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，一个具有两个相对表面的片状物体必然具有外围。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：《直接公开》<br>电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上 | [0031] “The low pass filter section 102 has a low band bidirectional port 103 formed on the dielectric sheet 114 and one or more low pass conductive pathways such as pathways 104, 106, 108, 110, and 112. ... One or more low pass resonators such as strip-line resonators 120, 122, 124, and 126 are electrically coupled or shunted to the corresponding low pass conductive pathways 104, 106, 108, and 110.” <br> [0032] “The first set of high pass band conductive pathways 144, 148, and 152 are formed on the first surface 115 of the dielectric sheet 114” | 对比文件明确公开了在介质片的第一表面115上形成了电路元件，包括低通滤波器部分的导电通路104、106、108、110、112和带状线谐振器120、122、124、126，以及高通滤波器部分的第一组导电通路144、148、152。这些导电通路和谐振器构成了目标专利中所述的“电路元件”。因此，布置在第一表面上的电路元件子集被直接公开。 |
| **技术特征C**：《直接公开》<br>电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上 | [0032] “The second set of high pass band conductive pathways 146 and 150 are formed on the second surface 116 of the dielectric” <br> [0033] “resonator 160 is formed on the second surface 116 and is electrically coupled to pathway 146, ... resonator 164 is formed on the second surface 116 and is electrically coupled to pathway 150.” | 对比文件明确公开了在介质片的第二表面116上形成了电路元件，包括高通滤波器部分的第二组导电通路146、150，以及谐振器160、164。这些构成了布置在第二表面上的电路元件子集。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征D**：《未公开》<br>以及至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。 | 未找到关于“导电侧壁”（conductive sidewall）的记载。电耦合主要通过介质基板两侧的重叠导电通路形成电容器来实现（例如[0032]描述C1-C4）。也未找到明确描述如目标专利中“第一电容器”的特定三层堆叠结构（内部导电层-介电层-中间导电层）。 | 1. **导电侧壁**：对比文件的整个技术方案围绕“悬浮基板”（suspended substrate）技术，电路元件布置在基板两面，电连接通过基板上的导电通路、过孔（虽未明确提及但可隐含）或两侧重叠导体形成的电容耦合实现（见[0032]）。金属外壳208用于提供接地平面和支撑，但未描述在外围布置用于电耦合两侧电路元件的“导电侧壁”。该特征未被公开。<br>2. **第一电容器的三层结构**：对比文件公开了由基板两侧重叠导电通路形成的电容器（C1-C4），这隐含了包括两侧导体（相当于电极）和中间的基板介质（相当于介电层）的结构。然而，目标专利的该特征限定了非常具体的层状构造：“与绝缘体第一表面接触的第一内部导电层”、“与第一内部导电层接触的第一介电层”、“与第一介电层接触的第一中间导电层”，这描述了在基板第一表面上方构建的一个多层电容器结构，而非简单地利用基板本身作为介质。对比文件未公开这种在基板单侧上构建的特定多层电容器结构。因此，该技术特征整体未被公开。 |
| **技术特征E**：《未公开》<br>所述绝缘体包括玻璃 | 未找到“玻璃”（glass）的记载。对比文件多次提及介质基板为印刷电路板（PCB），例如[0031]“the planar dielectric sheet 114 comprises a printed circuit board.” | 对比文件明确将介质基板描述为印刷电路板（PCB），其典型材料为FR-4等环氧树脂复合材料，而非玻璃。虽然玻璃也可用作电路基板，但对比文件未提及或暗示使用玻璃。该特定材料特征未被公开。 |
| **技术特征F**：《直接公开》<br>以及所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。 | [0037] Table I: “Substrate Thickness 0.76 mm”, “Conductor Thickness 0.035 mm”. | 对比文件表I明确给出了基板厚度（0.76 mm）和导体厚度（0.035 mm）。电路元件（如导电通路、谐振器）由导体形成，其厚度即为导体厚度。显然，基板厚度（0.76 mm）远大于导体厚度（0.035 mm）。本领域技术人员能够毫无疑义地得出绝缘体（基板）厚度大于布置在其两面的电路元件子集的厚度。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征G**：《直接公开》<br>根据权利要求1所述的电路设备，其中，所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。 | [0028] “a low pass filter section (P1 to C0) with a bandwidth of approximately 1200 MHz (0-1200 MHz bandwidth) is diplexed with another filter section that is operating in the frequency range from approximately 1400 MHz to 4000 MHz (P2 to C0).” <br> [0035] “The low pass filter circuit may operate within the frequency range of approximately 0 MHz to approximately 1200 MHz. ... the high pass filter circuit ... may operate within the frequency range of approximately 1400 MHz to approximately 4000 MHz.” | 对比文件明确公开了双工器包含低通滤波器部分（对应第一子集）和高通滤波器部分（对应第二子集），并具体说明了它们的工作频带：低通部分约0-1200 MHz，高通部分约1400-4000 MHz。高通部分的频带（第二频带）明显高于低通部分的频带（第一频带）。因此，该滤波功能及频带关系被直接公开。 |
| **技术特征H**：《直接公开》<br>所述电路元件的第一子集还包括第一电感器 | [0031] “One or more low pass resonators such as strip-line resonators 120, 122, 124, and 126 ...”. 在射频/微波领域，带状线谐振器本质上是一种分布式电感元件。 | 对比文件公开的低通滤波器部分包括多个带状线谐振器（strip-line resonators）。在本技术领域，特别是用于滤波的带状线结构，其主要功能之一就是提供电感。本领域技术人员能够毫无疑义地将这些谐振器识别为电感器。因此，“第一子集包括第一电感器”这一特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：《隐含公开》<br>以及所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。 | [0028], [0035] 频带信息见特征G。<br> [0037] Table IV 列出了高通部分电容C1-C4的值（0.55pF至1.105pF）。未明确给出低通部分电容器的值，也未直接比较电感值。 | 1. **原理推断**：对比文件公开了第一子集（低通）工作于较低频带（至1200MHz），第二子集（高通）工作于较高频带（1400-4000MHz）。在无源滤波器设计领域，对于相同或类似的滤波器拓扑，工作频率越高，通常所需的电感值和电容值越小，这是本领域公知常识。<br>2. **电容值**：对比文件表IV给出了高通部分电容器（C1-C4）的具体值，范围在0.55pF到1.105pF之间。虽然未给出低通部分电容器的具体值，但本领域技术人员基于其工作频带（低至0MHz）可以合理推断，低通部分为了实现低频滤波，其电容器值通常会大于高通部分电容器值。因此，可以推断高通部分电容器具有更低电容。<br>3. **电感值**：基于同样的频带关系原理，可以合理推断高通部分谐振器（电感器）的电感值小于低通部分谐振器的电感值。<br>综上所述，本领域技术人员基于对比文件公开的频带信息，结合本领域公知常识，有可能通过推理得出第二子集的电感器和电容器值分别小于第一子集的电感器和电容器值。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征J**：《未公开》<br>根据权利要求4所述的电路设备，其中，所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。 | 对比文件中的谐振器描述为“strip-line resonators”（带状线谐振器），例如[0031]。附图中所示谐振器为直条状或具有一定形状的导体，并非明确的“螺旋”（spiral）形状。 | 目标专利明确限定电感器为“螺旋电感器”。对比文件仅泛称“带状线谐振器”，并未描述其具体形状为螺旋形。虽然螺旋电感器是电感器的一种实现方式，但带状线谐振器可以是多种形状，如直线形、U形等，不必然是螺旋形。本领域技术人员不能毫无疑义地或通过合理推断认定对比文件的电感器就是螺旋电感器。因此，该特定形状特征未被公开。 |
| **技术特征K**：《未公开》<br>所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层 | 对比文件未描述电感器具有如此具体的三层夹心结构（内部导电子层-绝缘子层-外部导电子层）。其电感器（谐振器）是形成在介质基板表面的单层导体图案，如[0031]所述“formed on the dielectric sheet”。 | 目标专利该特征描述了电感器的一种特定多层构造，涉及中间绝缘体及堆叠的导电子层和绝缘子层。对比文件完全没有提及电感器的这种分层细节。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推理出该具体结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：《未公开》<br>以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。 | 同上，对比文件未描述电感器的此类多层结构。 | 理由同技术特征K。对比文件未公开第二电感器的此类具体分层结构。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：《隐含公开》<br>所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。 | [0032] “The second set of high pass band conductive pathways 146 and 150 are formed on the second surface 116 of the dielectric such that pathway 146 is positioned opposite the gap in-between pathway 144 and pathway 148 on the opposite side 116 of the dielectric sheet 114. ... Each of the overlapping portions of the first and second set of high pass band conductive pathways are capacitively coupled as indicated by capacitors C1, C2, C3, and C4.” <br> [0033] FIG. 3 显示了形成电容器的重叠导电路径和中间的介质基板。 | 对比文件公开了高通部分的电容器（如C2）由形成在基板第二表面116上的导电路径（如150）与形成在第一表面115上的导电路径（如148）重叠，并以中间的介质基板（dielectric sheet）作为电介质构成（见[0032]及图3）。这隐含了该电容器包含：与基板第二表面接触的导体（相当于“第二内部导电层”）、基板本身（相当于“第二介电层”）、以及与介电层另一侧接触的导体（形成在第一表面的导电路径，相当于“第二中间导电层”）。虽然“内部”、“中间”的命名是相对的，且目标专利中“第二中间导电层”位于介电层另一侧（即第一表面侧），但该结构本质是对比文件所公开的“基板两侧重叠导体形成电容器”的具体表现。本领域技术人员能够从对比文件推理出该电容器包含所述的三层结构。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征N**：《未公开》<br>所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层。 | 同技术特征K。 | 理由同技术特征K。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O**：《未公开》<br>以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。 | 同技术特征L。 | 理由同技术特征L。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P**：《未公开》<br>一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器 | 对比文件未提及“过孔”（via）用于连接电感器和电容器。电路元件的连接通过在同一表面或通过两侧重叠形成的导电通路实现。 | 对比文件未描述使用“过孔”来连接特定元件。虽然现代PCB技术中过孔是常见互连手段，但对比文件的说明书和附图（图1-3,11）均未显示或提及在中间绝缘体中设置过孔来连接电感器和电容器。本领域技术人员不能从对比文件中得出该特定连接结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：《未公开》<br>以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。 | 同上，对比文件未提及此类过孔。 | 理由同技术特征P。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征R**：《未公开》<br>所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集 | 对比文件未提及“导电侧壁”。低频带端口（如P1, 103）是直接形成在介质基板上的，例如[0031]“low band bidirectional port 103 formed on the dielectric sheet 114”。 | 目标专利该特征限定导电侧壁本身包含作为端子的接触表面。对比文件完全没有公开“导电侧壁”这一元件，其端口是直接集成在平面介质基板上的。因此，由导电侧壁实现的“低频带接触表面”这一特征未被公开。 |
| **技术特征S**：《未公开》<br>高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集 | 同上，对比文件未提及“导电侧壁”。高频带端口（如P2, 142）是直接形成在介质基板上的，例如[0032]“high pass band bidirectional port 142 formed on the dielectric sheet 114”。 | 理由同技术特征R。由导电侧壁实现的“高频带接触表面”这一特征未被公开。 |
| **技术特征T**：《未公开》<br>以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。 | 同上，对比文件未提及“导电侧壁”。公共端口（如C0, 190）是直接形成在介质基板上的，例如[0031]“common bidirectional port 190 ... formed on the dielectric sheet 114”。该公共端口可对应于天线端口。 | 理由同技术特征R。由导电侧壁实现的“天线接触表面”这一特征未被公开。对比文件的公共端口是基板上的直接结构，并非侧壁的一部分。 |
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