对比文件名称：发明专利_JP2003115736A Three branch filter and multiplexer
目标专利名称：说明书
本次调用的模型名称：专利创造性评估模型
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围《隐含公开》** | 【0042】積層体２９は、誘電体層３０の延びる方向に延びる２つの相対向する主面３１および３２（図３（１）および図６（１９）参照）ならびに誘電体層３０の積層方向に延びる４つの端面３３、３４、３５および３６を有している。 | 目标专利的绝缘体为实心体，具有两个相对的主表面（第一、第二表面）和连接主表面的外围（侧表面）。对比文件的积层体29由多个介电体层30堆叠而成，其具有“两个相对向的主面31以及32”和“4个端面33、34、35以及36”。虽然积层体是层叠结构，而目标专利的绝缘体是实心体，但本领域技术人员可以理解，一个三维的固态部件必然具有相对的两个大表面和连接它们的侧面，即外围。对比文件明确记载了积层体具备这两个主面和四个端面，因此可以合理推断出其具有“第一表面、第二表面和外围”这一结构特征，该特征在对比文件中是客观存在的物理结构。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **B：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上《未公开》** | 对比文件未记载电路元件布置在主面31或32上。 | 目标专利的“第一子集”是布置在绝缘体第一表面上的具体电路元件（如电容器、电感器），构成一个完整的滤波电路（如低频带滤波电路）。对比文件中的电路元件（电感器、电容器）全部由形成在内部介电体层上的导体图案（インダクタ導体パターン、コンデンサ導体パターン）构成，例如インダクタ導体パターン53、54、55等形成在介电体层（8）上（图4（8）），这些导体图案是嵌入在积层体内部的，而不是布置在作为外表面的“主面31”或“主面32”上。因此，对比文件未公开将电路元件子集布置在部件外表面上的技术特征。 |
| **C：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上《未公开》** | 对比文件未记载电路元件布置在主面31或32上。 | 理由同技术特征B。目标专利的“第二子集”是布置在绝缘体第二表面上的另一完整滤波电路（如高频带滤波电路）。对比文件的所有电路元件均形成于内部介电体层，未布置在外表面的“第二表面”上。因此，该技术特征未被公开。 |
| **D：以及至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。《未公开》** | 1. 【0043】積層体２９の外表面上に形成される端子電極として、前述した共通入出力ポート２５が端面３３上に形成され...非共通入出力ポート２６が端面３４上に形成され...非共通入出力ポート２７が端面３５上に形成され...非共通入出力ポート２８が端面３６上に形成されている。<br>2. 对比文件未记载将布置在不同表面上的两个电路子集通过布置在外围上的导电侧壁进行电耦合。<br>3. 对比文件未记载如目标专利说明书附图4所描述的与绝缘体第一表面接触的、由内部导电层、介电层、中间导电层构成的具体电容器结构。 | 该技术特征是一个整体，包含多个限定条件：1）有布置在外围上的导电侧壁；2）该侧壁用于电耦合分别布置在第一和第二表面上的两个电路元件子集；3）第一子集中的电容器具有特定的多层结构。<br>首先，对比文件在端面33-36上形成了端子电极（入出力ポート25-28），这些可被视为“布置在外围上的导电侧壁”。<br>然而，核心区别在于：<br>1. **连接功能不同**：目标专利的导电侧壁核心作用是连接分置于绝缘体**两个外表面**上的电路。对比文件的端子电极是作为整个集成滤波器的输入/输出端口，连接到其**内部**的电路网络（由内部导体图案构成），而不是用于连接两个分置于外表面的独立电路子集。对比文件不存在“电路元件的第一子集布置在第一表面”和“第二子集布置在第二表面”的结构，因此也就不存在用侧壁连接这两者的技术方案。<br>2. **电容器结构不同**：目标专利的“第一电容器”是与绝缘体表面接触的、具有明确分层结构的薄膜电容器（如说明书[0041]及图4所示）。对比文件中的电容器由形成在不同介电体层上的コンデンサ導体パターン相对而形成（例如[0051]），是嵌入在多层介质内部的平行板电容器，其结构、形成位置和与“绝缘体表面”的关系均与目标专利不同。<br>综上所述，对比文件既未公开“双面布局+侧壁互联”的整体架构，也未公开目标专利中特定结构的电容器。因此，该技术特征作为一个整体未被对比文件公开。 |
| **E：所述绝缘体包括玻璃《未公开》** | 对比文件未提及玻璃。【0079】...誘電体セラミックの原料粉末を含む複数のセラミックグリーンシートが用意され... | 目标专利明确绝缘体包括玻璃（说明书[0038]）。对比文件说明其积层体由“セラミックグリーンシート”（陶瓷生坯片）烧结而成，是陶瓷材料。玻璃和陶瓷是本领域常用的不同绝缘材料，对比文件未公开或暗示使用玻璃作为绝缘体材料。 |
| **F：以及所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。《未公开》** | 对比文件未记载绝缘体厚度与电路元件厚度的比较关系。 | 目标专利强调绝缘体（如玻璃基板）的厚度大于其上布置的电路元件（如薄膜电容器、电感器）的厚度（参见说明书[0038]及图4）。这是一种特定的结构关系，旨在提供支撑基板。对比文件的积层体是由介电层和导体图案交替层叠而成的整体，其“电路元件”（导体图案）本身就是构成积层体的一部分，不存在一个独立的、厚度远大于所有电路元件的“绝缘体”基板。因此，该厚度关系未被对比文件公开。 |
| **G：所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。《隐含公开》** | 【0038】これによって、第１のＬＣフィルタ２２は、第１の周波数を通過域としかつ第２および第３の周波数を減衰域とするように設定される。<br>【0040】これによって、第３のＬＣフィルタは、第３の周波数を通過域としかつ第１および第２の周波数を減衰域とするように設定される。 | 目标专利中，第一子集（如低频带电路）和第二子集（如高频带电路）分别对不同频带滤波，且第二频带高于第一频带。对比文件公开了三分波合波器，其中包含第一LC滤波器22、第二LC滤波器23和第三LC滤波器24。第一LC滤波器22被配置为通过第一（最低）频率，衰减第二和第三（更高）频率；第三LC滤波器24被配置为通过第三（最高）频率，衰减第一和第二（较低）频率。这明确公开了电路中存在分别对低频（第一频带）和高频（第三频带，高于第一频带）进行滤波的电路部分（即第一LC滤波器22和第三LC滤波器24）。虽然对比文件将这些滤波器集成在一个多层组件内部，而非布置在两个外表面，但从功能划分上看，本领域技术人员可以毫无疑义地识别出其中包含了对不同高低频带进行滤波的电路部分。因此，该滤波功能特征被对比文件隐含公开。 |
| **H：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器《直接公开》** | 【0038】第１のＬＣフィルタ２２は、インダクタＬＬ１およびＬＬ２ならびにコンデンサＣＬ１、ＣＬ２およびＣＬ３を備えるローパスフィルタによって構成される。 | 目标专利要求第一子集包括第一电感器。对比文件的第一LC滤波器22明确包含电感器LL1和LL2。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **I：以及所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。《未公开》** | 对比文件未对不同滤波器中的电感器和电容器的具体电感值、电容值进行比较。 | 目标专利限定了第二子集中的电感器电感值低于第一子集中的电感器，且电容器电容值也低于第一子集中的电容器。这是一种具体的元件参数关系设计。对比文件虽然公开了不同滤波器包含电感器和电容器，但并未披露或暗示这些元件之间具有特定的电感大小或电容大小比较关系。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出这种具体的参数关系。 |
| **J：所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。《直接公开》** | 【0056】また、図４（８）上には、渦巻状に延びるインダクタ導体パターン５３、５４および５５が形成される。 | 目标专利要求电感器为螺旋电感器。对比文件明确记载了“渦巻状に延びるインダクタ導体パターン”（螺旋状延伸的电感导体图案），例如图案53、54、55等，这些螺旋导体图案用于构成电感器（如LL1、LL2等）。因此，对比文件直接公开了电感器是螺旋电感器这一特征。 |
| **K：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层《未公开》** | 对比文件未描述电感器具有由内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层构成的分层结构。 | 目标专利（参见说明书[0041]及图4）详细描述了电感器是由多层导电层和绝缘层交替构成的特定结构（例如第一外部导电层461包含三个子层）。对比文件仅说明电感由螺旋状导体图案形成，并未公开这种具体的多层堆叠子层结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **L：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。《未公开》** | 对比文件未描述电感器具有由内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层构成的分层结构。 | 理由同技术特征K。对比文件未公开电感器的这种特定分层结构。 |
| **M：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。《未公开》** | 对比文件未记载如目标专利说明书附图4所描述的与绝缘体第二表面接触的、由内部导电层、介电层、中间导电层构成的具体电容器结构。 | 理由与技术特征D中关于第一电容器结构的分析类似。目标专利的第二电容器具有与第二表面接触的特定多层结构。对比文件中的电容器由内部介电层两侧的导体图案对向形成，结构与目标专利不同，且未提及与作为外表面的“第二表面”接触。因此，该技术特征未被公开。 |
| **N：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层《未公开》** | 对比文件未描述电感器具有由内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层构成的分层结构。 | 此特征与技术特征K实质相同，分析结果一致，未被公开。 |
| **O：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。《未公开》** | 对比文件未描述电感器具有由内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层构成的分层结构。 | 此特征与技术特征L实质相同，分析结果一致，未被公开。 |
| **P：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器《未公开》** | 对比文件有ビアホール導体（通孔导体）连接各层导体图案，例如【0060】ビアホール導体５８。 | 目标专利的过孔用于连接布置在“第一中间绝缘体”中的电感器和电容器，这是其特定多层结构内部的互联方式。对比文件虽然广泛使用通孔导体（ビアホール導体）连接不同介电层上的导体图案，构成电路网络，例如通孔58连接电感导体图案53和57（构成电感LL1）。但是，对比文件的电路元件（电感、电容）全部集成在多层结构内部，其互联是整体内部布线的一部分，并非专门用于连接目标专利所定义的、位于特定绝缘体（中间绝缘体）中的特定元件（第一电感器和第一电容器）。且目标专利的“第一中间绝缘体”是其特定层叠结构中的一层，与对比文件的多层堆叠结构不具有直接对应性。因此，该技术特征未被公开。 |
| **Q：以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。《未公开》** | 对比文件有ビアホール導体（通孔导体）连接各层导体图案。 | 理由同技术特征P。对比文件使用通孔进行内部连接，但未公开专门用于连接“第二中间绝缘体”中的“第二电感器”和“第二电容器”的过孔。该特征未被公开。 |
| **R：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集《未公开》** | 【0043】...共通入出力ポート２５が端面３３上に形成され、非共通入出力ポート２６が端面３４上に形成され、非共通入出力ポート２７が端面３５上に形成され、非共通入出力ポート２８が端面３６上に形成されている。 | 目标专利的“低频带接触表面”是导电侧壁的一部分，并专门电耦合至处理低频的第一子集。对比文件在端面上形成了多个输入输出端口（端子电极）。其中，端口26、27、28分别对应第一、第二、第三频率信号（参见[0036]）。端口26（对应第一/最低频率）可被视为“低频带接触表面”。然而，关键区别在于：目标专利的接触表面是电耦合至一个独立的、布置在第一表面上的电路子集。而对比文件的端口26是连接到其内部集成的第一LC滤波器22，该滤波器是内部电路的一部分，并非一个布置在外表面的独立电路子集。因此，虽然对比文件有对应低频的端口，但其连接的电路架构与目标专利不同，该特征未被公开。 |
| **S：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集《未公开》** | 【0043】...非共通入出力ポート２８が端面３６上に形成されている。 | 目标专利的“高频带接触表面”电耦合至处理高频的第二子集。对比文件的端口28对应第三（最高）频率信号，可被视为“高频带接触表面”。但同样，该端口连接的是内部集成的第三LC滤波器24，而非一个布置在第二表面上的独立电路子集。因此，该特征未被公开。 |
| **T：以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。《未公开》** | 【0043】...共通入出力ポート２５が端面３３上に形成され... | 目标专利的“天线接触表面”用于将电路耦合至天线。对比文件的共通入出力ポート25是所有三个滤波器的公共端口。在无线通信应用中，公共端口可以连接天线。但是，目标专利的天线接触表面是连接两个独立子集（或其中之一）到天线。而对比文件的公共端口25是连接内部集成的整个三分波合波器电路到外部。两者功能相似（连接滤波器与天线），但所连接的内部电路架构存在根本区别（双面子集 vs 集成单体内电路）。从严格特征比对角度，对比文件未公开专门用于连接“布置在第一和第二表面上的两个电路子集”到天线的“天线接触表面”。该特征未被公开。 |
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