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权利要求与技术特征

G 其进一步包括： 字线，被配置成针对所述存取晶体管中的每一个而驱动栅极
H 一对虚设位线，被配置成电模型化一对位线
I 以及 虚设字线，被配置成电模型化所述存储器字线的字线出现时间，其中所述多个虚设存储器单元包含一对虚设存取晶体管，所述存取晶体管被配置成使其栅极由所述虚设字线驱动以耦合到所述虚设存储器单元从而耦合到所述一对虚设位线。

J 其中所述虚设存储器单元包含一对交叉耦合的反相器，且其中所述交叉耦合的反相器中的一个被配置成驱动虚设存储器单元输出信号
K 并且其中写入检测信号被配置成响应于所述虚设存储器单元输出信号的二进制转变而确证所述升压跟踪信号。

L 其中所述写入检测电路包含被配置成输出所述虚设存储器单元输出信号的延迟版本和补充虚设存储器单元输出信号的延迟版本的反相器的串联链。

M 其中所述写入检测电路包含被配置成响应于所述虚设存储器单元输出信号的确证而接通的第一反相器和被配置成响应于补充虚设存储器输出信号的确证而断开的第二反相器。

N 其中所述写入检测电路包含被配置成锁存所述升压跟踪信号的锁存器。

O 其中所述写入检测电路被配置成响应于字线复位信号的确证而将所述升压跟踪信号充电到电源电压。

P 其中所述锁存器包含具有耦合到开关的锁存器接地端子的反相器，所述开关被配置成响应于字线复位信号的确证而将所述锁存器接地端子耦合到接地。

Q 其中所述升压跟踪信号为低态有效信号，且其中写入检测信号被配置成在其确证期间使所述升压跟踪信号接地。

R 其包括： 在对通过一对位线存取的存储器单元的写入操作期间，将所述位线中的放电位线耦合到充电电容器的第一端子，同时所述充电电容器的第二端子耦合到接地以开始所述放电位线的负位线升压操作
S 响应于对所述存储器单元的所述写入操作的起始，确定对至少一个虚设存储器单元的写入操作何时完成
T 以及响应于对所述至少一个虚设存储器单元的所述写入操作完成的所述确定而使所述第二端子浮置以终止所述负位线升压操作，其中所述确定所述写入操作何时完成使用并联耦合于一对虚设位线之间的多个虚设存储器单元。

U 其中使所述电容器的所述第二端子浮置包括对于耦合到所述电容器的所述第二端子的反相器而使接地端子与接地分离。

V 其中确定对所述至少一个虚设存储器单元的所述写入操作何时完成包含使用虚设字线模型化字线出现周期。

W 其中确定对所述至少一个虚设存储器单元的所述写入操作何时完成包含加载所述一对虚设位线以匹配所述一对位线的电容负载。

X 其中确定对所述至少一个虚设存储器单元的所述写入操作何时完成包括检测来自至少一个虚设存储器单元的虚设存储器输出信号的二进制转变。

Y 其中所述存储器单元为静态随机存取存储器SRAM单元。

Z 其中所述写入检测电路进一步被配置成响应于字线复位信号的确证而将所述升压跟踪信号充电到电源电压。
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