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权利要求与技术特征

D 进一步包括所述电子组件中的整流器电路，所述整流器电路电连接到所述功率接收元件并且被配置为对在所述功率接收元件中感生的电压进行整流，以生成无线地接收的功率。

E 其中所述功率接收元件被设置在所述金属壳体的所述边缘的一侧上。

F 其中所述金属壳体的所述边缘位于所述金属壳体的顶部、底部或侧面处。

G 其中所述功率接收元件环绕所述金属壳体的周边。

H 进一步包括显示器侧以及所述显示器侧上的透明盖，其中所述功率接收元件被设置在所述透明盖附近。

I 其中所述金属壳体包括在所述金属壳体的周边处的切口，其中所述金属壳体的所述边缘的至少一部分位于所述切口处。

J 进一步包括一个或多个天线，所述一个或多个天线被配置用于无线通信并且通过所述金属壳体的所述切口被暴露。

K 进一步包括附加功率接收元件，所述附加功率接收元件被配置为磁耦合到所述功率接收元件功率。

L 其中所述功率接收元件比所述附加功率接收元件更靠近所述金属壳体的周边。

M 其中所述功率接收元件的一部分跨越所述金属壳体的所述边缘。

N 所述电子设备包括电子组件以及金属壳体，所述金属壳体被配置作为所述电子设备的金属背盖，以用于容纳所述电子组件，所述方法包括：将被配置为容纳所述电子设备的金属壳体暴露外部生成的磁场
O 当所述金属壳体被暴露于所述外部生成的磁场时，使用功率接收元件，磁耦合到从所述金属壳体的边缘发出的磁场
P 响应于磁耦合到从所述金属壳体的所述边缘发出的所述磁场，从在所述功率接收元件中感生的电压生成用于所述电子设备的无线地接收的功率。

Q 进一步包括磁耦合到从所述金属壳体的周边处的边缘发出的所述磁场的磁通线。

R 其中所述金属壳体的周边位于所述金属壳体的顶部、底部或侧面处。

S 进一步包括磁耦合到在所述金属壳体的圆周周边处发出的磁场。

T 进一步包括使用附加功率接收元件磁耦合到从所述功率接收元件发出的磁场。

U 进一步包括对所述附加功率接收元件进行调谐，以使得谐振频率基本上等于用于感生涡电流的外部生成的磁场的频率。

V 进一步包括使用外部生成的磁场照射所述金属壳体，以在所述金属壳体中感生涡电流。

W 进一步包括将所述功率接收元件的谐振频率设置为基本上等于所述外部生成的磁场的频率。

X 进一步包括以与所述外部生成的磁场的频率基本上相等的频率来操作所述功率接收元件。

Y 进一步包括对在所述功率接收元件中感生的电压进行整流，以生成所述无线地接收的功率。
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