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对比文件列表
3gpp文件_+++O_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2000-10-13_发明专利_JP2000286125A Laminated electronic component_+++A_B_C_D_F_G_J_L+++.docx
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2007-06-21_发明申请_US20070139151A1 Amplifier output filter having planar inductor_+++A_B_C_D_G_L+++.docx
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2008-07-24_发明申请_US20080174396A1 TRANSFORMERS AND BALUNS_+++A_B_C_I_K_d_g_j_l_n_o+++.docx
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2009-06-11_发明申请_US20090146770A1 PLANAR-LIKE INDUCTOR COUPLING STRUCTURE_+++A_B_I_K_L+++.docx
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2009-06-18_发明申请_US20090153282A1 ELECTRONIC COMPONENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF_+++A_B_D_c_g_i_l_o+++.docx
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2012-06-14_发明申请_US20120146741A1 TRANSFORMER WITH BYPASS CAPACITOR_+++A_K_L_O_b_c+++.docx
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2013-06-17_发明专利_JP2013120924A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_i+++.docx
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2013-06-20_发明专利_JP2013122940A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_n_o+++.docx
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2013-11-07_发明申请_US20130293482A1 TRANSPARENT THROUGH-GLASS VIA_+++A_B_D_E_O_c_g_h_l+++.docx
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2014-02-06_发明申请_US20140035702A1 HYBRID FILTER INCLUDING LC- AND MEMS-BASED RESONATORS_+++A_L_O+++.docx
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2014-05-13_发明授权_US08723632B2 Coil component and method of manufacturing the same_+++L_o+++.docx
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2014-08-14_发明申请_US20140225702A1 MULTILAYER INDUCTOR AND POWER SUPPLY CIRCUIT MODULE_+++A_B_j_l_o+++.docx
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2014-08-28_发明申请_US20140240072A1 VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_l_o+++.docx
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2014-09-04_发明申请_WO2014133808A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++O_b_k_l_m+++.docx
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2014-09-18_发明申请_US20140266494A1 INTEGRATION OF A REPLICA CIRCUIT AND A TRANSFORMER ABOVE A DIELECTRIC SUBSTRATE_+++K_a_b_d_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-11-06_发明申请_US20140327510A1 ELECTRONIC DEVICE HAVING ASYMMETRICAL THROUGH GLASS VIAS_+++A_B_O_d_l_m+++.docx
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2015-03-05_发明申请_US20150061813A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++A_B_O_l+++.docx
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2015-03-05_发明申请_WO2015030976A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++O_a_b_c_d_g_l+++.docx
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2015-03-11_发明公开_EP2844612A1 TRANSPARENT THROUGH - GLASS CONDUCTIVE VIA IN A TRANSPARENT SUBSTRATE_+++B_E_O_a_d_l+++.docx
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2015-05-14_发明申请_US20150130579A1 MULTI SPIRAL INDUCTOR_+++A_B_K_L_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-26_发明授权_US09041152B2 Inductor with magnetic material_+++A_K_b_l_o+++.docx
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2015-09-01_发明授权_US09123982B2 Directional coupler integrated by CMOS process_+++A_B_D_I_k_l_o+++.docx
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2015-11-04_发明公开_CN105027236A 具有气隙结构的垂直耦合变压器_+++A_B_L_M_O_i_k+++.docx
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2015-11-10_发明公开_KR1020150125974A 에어-갭 구조체를 갖는 수직-커플링 변압기_+++A_B_i_k_l_o+++.docx
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2016-01-06_发明公开_EP2962312A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_k_l_m_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-07-28_发明专利_JP2016522566A エアギャップ構造を有する垂直結合トランス_+++A_B_I_K_L_M_O+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-30_发明授权_US09431473B2 Hybrid transformer structure on semiconductor devices_+++A_b_c_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
weixianzai_+++I_J_L_O_a_b_c_f+++.docx
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2014-05-13_发明授权_US08723632B2 Coil component and method of manufacturing the same_+++L_o+++.docx

# 特征比对分析

**对比文件名称**:2014-05-13_发明授权_US08723632B2 Coil component and method of manufacturing the same

**目标专利名称**:139高性能电感器CN108140467B

**本次调用模型名称**:DeepSeek最新版本模型

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一弯曲金属板<br>**判断结果**:未被直接公开或隐含公开对比文件说明书[0081]段:“第一螺旋导体16形成在绝缘层15b上,第二螺旋导体17形成在绝缘层15a上”目标专利中的“第一弯曲金属板”是电感器的导电部件,用于形成电感并传输电流。对比文件中的“第一螺旋导体16”是共模滤波器中的线圈导体,虽然形状可能是弯曲的螺旋形,但其在对比文件中的作用是作为滤波器的线圈元件,与目标专利中作为电感器导电部件的“弯曲金属板”在功能、结构和应用场景上均不相同。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出目标专利所述的第一弯曲金属板。
**技术特征B**:第二弯曲金属板,在所述第一弯曲金属板下方、并且与所述第一弯曲金属板实质上垂直对准<br>**判断结果**:未被直接公开或隐含公开对比文件说明书[0081]段:“第一螺旋导体16形成在绝缘层15b上,第二螺旋导体17形成在绝缘层15a上”目标专利的“第二弯曲金属板”与第一弯曲金属板垂直对准,共同构成双层电感结构。对比文件中的第一螺旋导体16和第二螺旋导体17虽位于不同层,但它们是共模滤波器中两个独立的、磁耦合的线圈,并非一个电感器的上下两层导电部件。两者在结构关系和作用上存在本质差异。本领域技术人员无法从对比文件中得出与目标专利相同的技术方案。
**技术特征C**:第三弯曲金属板,在所述第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准<br>**判断结果**:未被直接公开或隐含公开对比文件说明书[0135]段及图19:“薄膜线圈层12包括...第一螺旋导体16A形成在绝缘层15c上,第二螺旋导体16B形成在绝缘层15d上...第三螺旋导体17A形成在绝缘层15a上,第四螺旋导体17B形成在绝缘层15b上”目标专利的第三弯曲金属板是电感器中的第三层导电部件。对比文件图19实施例公开了四个螺旋导体(16A, 16B, 17A, 17B)堆叠在不同绝缘层上,但它们是两个独立线圈(16A与16B串联,17A与17B串联)的组成部分,用于构成一个四层的共模滤波器。这与目标专利中三个垂直对准、共同构成一个电感器件的“弯曲金属板”在技术构思和结构上完全不同。
**技术特征D**:第一伸长过孔,在所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准<br>**判断结果**:未被直接公开或隐含公开对比文件说明书[0081]段:“第一接触孔导体18穿过绝缘层15c...第二接触孔导体19穿过绝缘层15c和15b”目标专利的“第一伸长过孔”是一个具有特定横纵比的伸长结构,用于连接上下金属板。对比文件中的“接触孔导体”(如18, 19)是用于连接螺旋导体与引线导体的垂直互连结构。对比文件未描述这些接触孔导体是“伸长”形状,也未提及其在上下导体之间“垂直对准”以连接两个平行的弯曲金属板。两者在形状、结构和连接对象上均不同。
**技术特征E**:所述第一伸长过孔被配置为将所述第一弯曲金属板导电耦合到所述第二弯曲金属板、并且具有至少2比1的所述第一伸长过孔的长度与高度的横纵比<br>**判断结果**:未被直接公开或隐含公开对比文件未提及过孔具有“至少2比1的长度与高度的横纵比”。目标专利的核心特征之一在于“伸长过孔”具有至少2:1的宽高比(长度指沿金属板曲线的尺寸,高度指层间厚度),目的是提供更低电阻的电流路径以提高Q因子。对比文件虽然公开了用于电连接的接触孔导体(18, 19),但完全没有描述其形状为“伸长”或具有任何特定的“横纵比”。本领域技术人员阅读对比文件后,无法得出或推断出存在一个具有至少2:1横纵比的伸长过孔。
**技术特征F**:所述第一伸长过孔实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线<br>**判断结果**:未被直接公开或隐含公开对比文件未描述接触孔导体遵循螺旋导体的曲线。目标专利中,伸长过孔沿着弯曲金属板的曲线延伸。对比文件中的接触孔导体(如18, 19)仅是位于螺旋导体内端或外端的垂直互连点,其附图显示为点状或短柱状,并未描述或显示其沿着螺旋导体的曲线路径延伸。该特征未被公开。
**技术特征G**:以及第二伸长过孔,在所述第二弯曲金属板与所述第三弯曲金属板之间垂直对准<br>**判断结果**:未被直接公开或隐含公开对比文件说明书[0136]段:“第一螺旋导体16A的内周端经由穿过绝缘层15c、15d的第一接触孔导体18连接到第二螺旋导体16B的内周端”目标专利的“第二伸长过孔”连接第二和第三弯曲金属板。对比文件中,接触孔导体18连接的是串联的两个螺旋导体(16A和16B),这两个导体属于同一个线圈,并非目标专利中独立且垂直对准的两层电感器导电部件。此外,对比文件仍未公开该过孔为“伸长”形状。因此,该特征未被公开。
**技术特征H**:所述第二伸长过孔被配置为将所述第二弯曲金属板导电耦合到所述第三弯曲金属板、并且具有至少2比1的长度与高度的横纵比<br>**判断结果**:未被直接公开或隐含公开对比文件未提及过孔具有“至少2比1的长度与高度的横纵比”。同技术特征E的论述,对比文件完全没有公开任何过孔具有特定的横纵比,尤其是至少2:1的“伸长”特征。该特征未被公开。
**技术特征I**:其中所述第一弯曲金属板、所述第二弯曲金属板和所述第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成。<br>**判断结果**:未被直接公开或隐含公开对比文件未描述其螺旋导体由“多层金属构成”。对比文件中的螺旋导体(如16, 17)通常是通过薄膜工艺(如溅射、电镀)形成的单层导体图案。目标专利说明书[0038]段明确记载:“第一弯曲金属板410、第二弯曲金属板420和第三弯曲金属板430中的每一个可以由多层金属构成。例如,每个弯曲金属层可以由通过中间金属层连接的顶部金属层和底部金属层构成。”这是为了降低直流电阻和改善热传导。对比文件中的线圈导体是用于共模滤波器的薄膜螺旋导线,没有描述或暗示其由“多层金属构成”。该特征未被公开。
**技术特征J**:其中所述第一伸长过孔完全位于由所述第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内。<br>**判断结果**:未被直接公开或隐含公开对比文件未描述接触孔导体与螺旋导体边缘的相对位置关系。目标专利该特征限定了过孔的横向位置,确保其不超出金属板的宽度范围。对比文件仅示出接触孔导体位于螺旋导体的端部(内端或外端),并未提及其与导体边缘的相对位置关系,更未公开“完全位于...垂直周界内”这一具体限定。该特征未被公开。
**技术特征K**:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板是八角形的。<br>**判断结果**:未被直接公开或隐含公开对比文件说明书[0081]段:“第一和第二螺旋导体16, 17都具有圆形螺旋外形。”目标专利明确记载电感器(即弯曲金属板)可以是八角形(见说明书[0034]段)。对比文件明确说明其螺旋导体是“圆形螺旋”形状。两者形状不同,且对比文件未提供任何关于“八角形”螺旋导体的教导或启示。该特征未被公开。
**技术特征L**:其中所述电感器器件包括射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项。<br>**判断结果**:**直接公开**对比文件说明书[0002]段:“本发明涉及...特别涉及包含线圈导体的薄膜共模滤波器的结构及其制造方法。”以及全文多处提及“common mode filter”(共模滤波器)。目标专利该特征限定了电感器器件的应用场合。对比文件明确其发明对象是“共模滤波器”(common mode filter),而“滤波器”正是目标专利特征L所列出的应用选项之一。因此,对比文件直接公开了电感器器件可以是一种“滤波器”。
**技术特征M**:进一步包括位于所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间的无芯衬底。<br>**判断结果**:未被直接公开或隐含公开对比文件说明书[0066]段:“磁衬底11...例如,烧结铁氧体可用作磁衬底11的材料。”目标专利的“无芯衬底”特指一种没有增加刚性的“芯”绝缘层的薄型衬底(见说明书[0027]段)。对比文件使用的是“磁衬底”,其材料是“磁性陶瓷材料,例如烧结铁氧体”。这是一种具有磁性的衬底,其结构和材料特性与目标专利旨在减少厚度、提高性能的“无芯衬底”完全不同。该特征未被公开。
**技术特征N**:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板具有相同的长度。<br>**判断结果**:未被直接公开或隐含公开对比文件未比较或提及不同螺旋导体的“长度”是否相同。目标专利该特征限定了上下两层金属板的尺寸关系。对比文件虽然显示两个螺旋导体(16和17)可能具有相似的螺旋形状,但并未明确描述或暗示它们具有“相同的长度”。长度是比较精确的尺寸特征,在缺乏明确记载的情况下,不能认定其被公开。
**技术特征O**:其中所述电感器器件被包含到选自以下组的设备中,所述组包括:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、机动车辆中的汽车设备、RF前端模块、滤波器或PA。<br>**判断结果**:**隐含公开**对比文件说明书[0003]段:“近年来,USB 2.0和IEEE1394标准作为高速信号传输接口广泛分布,并用于大量数字设备,如个人计算机和数码相机。”目标专利该特征限定了包含该电感器器件的设备范围。对比文件指出其共模滤波器用于“个人计算机和数码相机”等数字设备。虽然列举的设备类型不如目标专利广泛,但“个人计算机”属于目标专利列表中“计算机”的一种形式。本领域技术人员可以合理推断,对比文件公开的线圈组件(共模滤波器)可以应用于包含计算机在内的电子设备中。因此,该特征被对比文件隐含公开。

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