对比文件的名称：2011-06-01_发明授权_CN106508091B 一种互补金属氧化物半导体可控增益前置放大方法及电路
目标专利的名称：用于校准差分电路中跨导或增益随工艺或条件变化的方法和设备CN107210716B
本次调用的模型名称：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A: 包括：校准电路，包括运算跨导放大器和运算放大器，并且所述校准电路被配置用于产生参考信号《未公开》 | 对比文件中没有提及“校准电路”，也没有提及“运算跨导放大器”。对比文件中包含运算放大器（如OPA1、OPA2、OPA3、OPA4），但并未组成用于产生参考信号的校准电路。 | 对比文件公开的是前置放大电路，包括电流转换单元和电压放大单元，其中电流转换单元包含运算放大器，但并非用于产生参考信号以校准跨导。因此，技术特征A未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| B: 以及至少一个差分电路，均被配置用于基于所述参考信号以相对于工艺或条件变化的经校准的跨导而操作《未公开》 | 对比文件中电压放大单元2可以视为差分电路，但它是基于电阻网络进行差分放大，并未基于参考信号来校准跨导。对比文件通过调节偏置电流IBIAS来控制增益，但目的是扩大输入动态范围，并非为了校准跨导以应对工艺或条件变化。 | 对比文件没有公开差分电路基于参考信号以经校准的跨导操作，也没有提及针对工艺或条件变化进行校准。因此，技术特征B未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| C: 其中所述校准电路被进一步配置为独立于所述至少一个差分电路产生所述参考信号《隐含公开》 | 对比文件具体实施方式中记载：“第一镜像电流源M5、第二镜像电流源M6和第三镜像电流源M7的栅极相连并接到第三镜像电流源M7的漏极，该漏极接电流源输入”（参见具体实施方式部分）。偏置电流IBIAS由外部电流源输入，独立于电压放大单元（差分电路）。 | 对比文件中，偏置电流IBIAS作为控制信号（可视为参考信号）由外部提供，不依赖于电压放大单元（差分电路）的反馈，因此隐含公开了独立于差分电路产生参考信号的特征。尽管作用不同（对比文件中用于控制增益，目标专利中用于校准跨导），但技术方案本身包含独立产生参考信号。 |
| D: 所述运算放大器被配置用于将基于所述运算跨导放大器的输出的电压与独立于所述运算跨导放大器的第二参考电压进行比较《未公开》 | 对比文件中的运算放大器（如OPA3、OPA4）用于差分放大，没有进行将基于OTA输出的电压与第二参考电压比较的结构。 | 对比文件没有公开运算跨导放大器，也没有公开运算放大器用于比较两个电压以产生参考信号。因此，技术特征D未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| E: 以及所述参考信号是基于所述比较的《未公开》 | 对比文件中没有基于比较产生参考信号的结构。参考信号（偏置电流IBIAS）是外部输入的，不是基于比较产生的。 | 因此，技术特征E未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| F: 其中，所述至少一个差分电路中的每个差分电路包括晶体管的差分配对，以及其中所述至少一个差分电路中的每个差分电路被进一步配置为基于所述参考信号针对其相应的晶体管的差分配对产生尾电流《未公开》 | 对比文件中的电压放大单元包含运算放大器，运算放大器内部可能包含差分配对，但对比文件没有公开运算放大器的内部结构。而且，没有公开基于参考信号产生尾电流。 | 因此，技术特征F未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| G: 其中，所述校准电路被进一步配置为反馈所述参考信号并且基于所述反馈而调节所述参考信号《未公开》 | 对比文件中，偏置电流IBIAS是外部输入的，没有反馈环路来调节它。 | 因此，技术特征G未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| H: 其中，所述校准电路被进一步配置为基于第一参考电流和第二参考电流产生所述参考信号《未公开》 | 对比文件中，只有一个偏置电流IBIAS作为参考电流，没有提及两个参考电流。 | 因此，技术特征H未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| I: 其中，所述运算跨导放大器被配置用于基于所述反馈产生尾电流《未公开》 | 对比文件中没有运算跨导放大器，也没有基于反馈产生尾电流的结构。 | 因此，技术特征I未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| J: 其中，所述校准电路进一步包括被配置用于将参考电流转换为参考电压的电路，以及其中所述运算跨导放大器被进一步配置为基于所述参考电压产生输出《未公开》 | 对比文件中没有将参考电流转换为参考电压的电路，也没有运算跨导放大器基于参考电压产生输出。 | 因此，技术特征J未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| K: 其中，所述校准电路被进一步配置为相对于所述工艺或条件变化保持所述参考电压恒定《未公开》 | 对比文件中没有提及保持参考电压恒定以对抗工艺或条件变化。 | 因此，技术特征K未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| L: 其中，所述第二参考电压是基于第二参考电流的，以及其中所述第二参考电流相对于所述工艺或条件变化是恒定的《未公开》 | 对比文件中没有第二参考电压和第二参考电流，也没有提及参考电流恒定以对抗工艺或条件变化。 | 因此，技术特征L未被直接公开，也未被隐含公开。 |
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