对比文件名称：2013-11-28_发明申请_US20130316670A1 MULTIPLE-INPUT MULTIPLE-OUTPUT (MIMO) LOW NOISE AMPLIFIERS FOR CARRIER AGGREGATION
目标专利名称：具有输出耦合器的低噪声放大器模块CN107580753B
本次调用模型名称：深度思考评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：多个放大器，每个放大器具有耦合到装置输入端子的输入端子《直接公开》 | 第[0040]段：“MIMO LNA 540 includes N gain circuits (Ckt) 550a to 550n for N LNA inputs... The N input RF signals RFin1 to RFinN are provide to the N gain circuits 550a to 550n, respectively.”；第[0046]段：“each gain circuit 650 includes ... a gain transistor 654. Within gain circuit 650a, a gain transistor 654a has its gate receiving a first input RF signal, RFin1...” | 对比文件公开了MIMO LNA包括多个增益电路（gain circuits），例如550a-550n或650a、650b，每个增益电路包含一个增益晶体管（gain transistor），其栅极接收输入RF信号（如RFin1）。本领域技术人员可以毫无疑义地确定，这些增益电路即为放大器，其接收输入信号的端子即为耦合到装置输入端子的输入端子。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：多个装置输出端子，每个装置输出端子耦合到两个或更多放大器输出端子《直接公开》 | 第[0040]段：“M load circuits 570a to 570m for M LNA outputs... Drive circuit 560 receives L amplified RF signals from L enabled gain circuits 550 and provides K drive RF signals to K load circuits selected from among the M load circuits 570.”；第[0046]-[0049]段：图6示出了负载电路670a和670b，每个负载电路通过级联晶体管（如664a和664b耦合到670a，664c和664d耦合到670b）连接到多个增益晶体管（654a和654b）的输出（漏极）。 | 对比文件公开了多个负载电路（load circuits），例如670a和670b，每个负载电路（提供LNA输出信号）通过驱动电路（drive circuit）中的级联晶体管（cascode transistors）耦合到两个或更多增益晶体管（放大器）的输出（漏极）。例如，图6和相应描述表明，负载电路670a耦合到增益晶体管654a（通过664a）和654b（通过664b）的输出。因此，每个LNA输出端子（对应负载电路的输出）耦合到两个或更多放大器输出端子，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：以及耦合器，被配置为：放大在所述多个装置输出端子中的第一装置输出端子处接收的第一信号《未公开》 | 无对应内容。 | 目标专利中的“耦合器”是一个专门用于在输出端子之间传递并可能放大信号的独立组件，其接收信号的“第一装置输出端子”在功能上可以接收来自放大器外部（如其他接收器）的信号（参见特征E、I）。对比文件中的MIMO LNA没有公开这样的独立耦合器。其信号放大功能由增益电路（放大器）完成，且负载电路（对应输出端子）用于输出经放大后的信号，并未被描述为可以从外部接收一个信号并由另一个组件（耦合器）进行放大的节点。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征D**：以及耦合器，被配置为：并且将放大的所述第一信号提供给所述多个装置输出端子中的第二装置输出端子《未公开》 | 无对应内容。 | 基于特征C未被公开的相同理由，对比文件未公开一个独立的“耦合器”执行将在一个输出端子处放大后的信号提供给另一个输出端子的功能。对比文件中的信号路由是通过驱动电路中的级联晶体管选择性地将特定增益电路的输出连接到特定负载电路，目的是为了载波聚合模式下的信号分离或合并，而非在输出端子之间传递外部信号。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其中所述第一信号是从除了所述多个放大器以外的来源接收的《未公开》 | 无对应内容。 | 目标专利说明书第[0045]-[0047]段明确说明，第一信号可以是来自相邻接收器的本地振荡器（LO）泄漏信号，即来自放大器外部的信号源。对比文件全文描述的输入信号均为从天线接收的RF信号，经输入匹配电路后提供给增益电路进行放大，未提及或暗示任何从放大器外部（如其他接收电路）直接引到输出端子上的信号。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其中所述耦合器被配置为基于模式控制信号的第一状态来放大所述第一信号，并且所述耦合器被配置为基于所述模式控制信号的第二状态将所述第一装置输出端子与所述第二装置输出端子隔离《隐含公开》 | 第[0052]段：“In an exemplary design, cascode transistors 664a to 664d within drive circuit 660 may each be enabled (i.e., turned on) or disabled (i.e., turned off). Each cascode transistor 664 may be (i) disabled by applying a low voltage to the gate of cascode transistor 664 or (ii) enabled by applying a suitable bias voltage to the gate of cascode transistor 664. The Vctrl signal applied to the gate of each cascode transistor 664 may thus disable the cascode transistor or provide the proper bias voltage to enable the cascode transistor.”；第[0053]-[0056]段描述了通过控制级联晶体管的启用（开启）或禁用（关闭）来实现单输出、带内CA、带间CA等不同操作模式。 | 对比文件虽然没有公开目标专利中独立的“耦合器”，但其驱动电路中的级联晶体管（如664a-664d）本质上起到了信号路径选择开关的作用。通过施加不同的控制信号（Vctrl），可以启用或禁用特定的级联晶体管，从而选择性地将特定增益电路的输出耦合到特定负载电路，或者将路径断开（隔离）。本领域技术人员从对比文件的教导中可以合理地推断，通过配置这些开关（级联晶体管），可以实现将两个输出路径（对应两个负载电路/输出端子）耦合在一起（例如在某种路径配置下信号可以互通）或彼此隔离。虽然耦合的实现方式和目的（载波聚合 vs 输出端子间信号传递）不同，但“基于控制信号选择性地耦合或隔离两个节点”这一基本功能概念已被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：其中由所述耦合器提供的放大器增益是基于控制信号的《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开目标专利中具有可调增益功能的独立耦合器。对比文件中增益电路的增益特性可能由偏置电压决定，但这与“耦合器”的增益控制无关。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其中所述第一装置输出端子被配置为接收所述第一信号，并且所述第二装置输出端子被配置为输出所述第一信号《未公开》 | 无对应内容。 | 该特征限定了输出端子在耦合操作中的特定角色（一个接收，一个输出）。对比文件中的LNA输出端子（负载电路输出）在描述中始终作为信号的输出端，用于向下变频器电路提供放大后的RF信号，没有作为信号接收端的描述或暗示。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其中所述第一信号是校准信号，所述校准信号包括由相邻接收器生成的本地振荡器信号《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件全文未提及使用接收器的本地振荡器信号作为校准信号，也未涉及接收器校准的相关内容。其发明主题在于支持载波聚合的MIMO LNA。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中所述耦合器包括双向放大器，以放大在所述第一装置输出端子处接收的所述第一信号《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开任何在输出端子之间设置的、具有信号放大功能的“双向放大器”。其放大功能由增益电路中的增益晶体管完成。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其中所述双向放大器基于所述电路装置的操作模式而被配置《未公开》 | 无对应内容。 | 由于特征J未被公开，此依赖特征K也未被公开。 |
| **技术特征L**：其中所述双向放大器被配置为：基于控制信号的第一状态，从所述第一装置输出端子接收输入信号，并且经由所述第二装置输出端子来提供放大的输出信号，并且其中所述双向放大器被配置为：基于所述控制信号的第二状态，从所述第二装置输出端子接收所述输入信号，并且经由所述第一装置输出端子来提供放大的输出信号《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开具有双向信号放大和路径选择功能的放大器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中所述耦合器包括以下中的至少一项：被配置为将所述第一装置输出端子和所述第二装置输出端子耦合在一起的晶体管或开关或它们的组合《隐含公开》 | 第[0048]段：“Drive circuit 660 includes four cascode transistors 664a to 664d...”；第[0052]段（见特征F引用）。 | 对比文件明确公开了使用多个晶体管（级联晶体管664a-664d）作为可控开关，通过其开启或关闭状态来建立或断开信号路径。虽然这些晶体管的主要作用是在放大器输出级（增益晶体管）和负载之间提供隔离和驱动，并实现不同增益电路到不同负载电路的选择性连接，但本领域技术人员可以理解，晶体管或开关是实现电路节点间选择性耦合的常见手段。从广义的“耦合”功能来看，对比文件隐含公开了使用晶体管（作为开关）来将电路节点（可对应于输出端子所连接的内部节点）耦合在一起的概念。尽管其具体连接关系和应用场景与目标专利的“耦合器”直接连接两个输出端子有所不同，但构成元件（晶体管/开关）及其用于耦合的基本原理已被公开。 |
| **技术特征N**：其中装置输入端子的数目大于装置输出端子的数目《直接公开》 | 第[0035]段：“MIMO LNA 440 includes multiple (N) inputs and multiple (M) outputs and may be referred to as an N×M MIMO LNA, where N>1 and M>1.”；图8A-8D示出了4×2 MIMO LNA的具体实施例，即4个输入，2个输出。 | 对比文件明确定义了N×M MIMO LNA，其中N和M均大于1，且其实施例（如图8A的4×2 MIMO LNA 642）清楚展示了输入端（N=4）数目大于输出端（M=2）数目的架构。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征O**：其中所述多个放大器被配置为基于所述电路装置的操作模式而是不活动的《直接公开》 | 第[0051]段：“gain circuits 650a and 650b may each be enabled (i.e., turned on) or disabled (i.e., turned off). Each gain circuit 650 may be (i) disabled by applying a low voltage to the gate of gain transistor 654 within that gain circuit 650 or (ii) enabled by applying a suitable bias voltage to the gate of gain transistor 654.”；第[0053]-[0056]段描述了在不同操作模式（单输出、带内CA、带间CA）下启用或禁用特定的增益电路。 | 对比文件明确教导了增益电路（即放大器）可以根据操作模式通过施加适当的控制电压（低电压禁用，偏置电压启用）而被设置为不活动（禁用，disabled/turned off）或活动状态。例如，图7A单输出模式中，增益电路650b被禁用。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征P**：其中所述多个放大器基于所述电路装置的操作模式而以最小增益配置被配置《直接公开》 | 第[0072]段：“MIMO LNA 942 may also support a high-gain mode and a low-gain mode. In the low-gain mode, one or more low-gain circuits 952 may be selected to amplify one or more input RF signals...”；图9B和图10示出了独立的低增益电路（low-gain circuit）设计，其增益低于高增益电路。 | 对比文件公开了MIMO LNA可以支持高增益和低增益模式，并可以通过选择专门的“低增益电路”（low-gain circuit）来实现低增益操作。低增益模式即对应放大器以最小增益配置（相对于高增益而言）进行工作。虽然其实施例中可能使用了不同的电路路径（高/低增益电路），但本领域技术人员可以毫无疑义地得出，放大器可以根据操作模式被配置为以最小增益（即低增益）工作。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征Q**：进一步包括：控制块，用以基于所述电路装置的操作模式来生成模式控制信号《隐含公开》 | 第[0052]段：“The Vctrl signal applied to the gate of each cascode transistor 664 may thus disable the cascode transistor or provide the proper bias voltage to enable the cascode transistor.”；第[0053]-[0056]段描述了不同操作模式对应的晶体管控制状态。虽然未明确命名“控制块”，但控制信号的产生和施加是实现这些模式所必需的。 | 对比文件虽然没有明确描述一个名为“控制块”的独立模块，但其中必然存在某种控制逻辑或电路来根据所需的操作模式（单输出、带内CA、带间CA）产生相应的控制信号（如Vctrl1-Vctrl4），以控制增益电路和级联晶体管的启用/禁用。生成基于操作模式的模式控制信号是实现对比文件所公开的各种配置模式的内在要求和隐含技术特征。因此，本领域技术人员可以合理推断存在这样的控制功能块，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征R**：其中所述控制块用以：当所述电路装置将经由所述多个放大器中的至少一个放大器来放大第二信号时，将所述模式控制信号驱动到第一状态《隐含公开》 | 第[0053]-[0055]段：在单输出模式（图7A）和带内CA模式（图7B）下，至少一个增益电路（放大器）被启用以放大输入RF信号（第二信号），同时相应的级联晶体管被开启。这对应于模式控制信号被驱动到允许放大发生的状态（第一状态）。 | 对比文件公开了在需要放大输入信号的操作模式（如单输出、带内CA）下，会启用相应的增益电路和级联晶体管。这隐含了控制功能会根据“需要放大信号”这一操作模式，将控制信号驱动到相应的状态（即第一状态，使能放大路径）。虽然目标专利的“第一状态”可能具体指代不同，但“基于是否进行信号放大来设定控制信号状态”这一核心控制逻辑已被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征S**：以及当所述第一信号将从所述第一装置输出端子到所述第二装置输出端子被放大时，将所述模式控制信号驱动到第二状态《未公开》 | 无对应内容。 | 该特征限定了在“输出端子间信号放大”这一特定操作模式下的控制信号状态。对比文件未公开“输出端子间信号放大”这种操作模式（参见特征C、D、E、I），因此也就不存在为这种模式驱动相应控制信号（第二状态）的教导。该技术特征未被公开。 |
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