**对比文件名称**：2003-07-10_发明申请_US20030127661A1 Optical module and optical transceiver apparatus
**目标专利名称**：用于移动电子设备的面内主动冷却设备 CN108780344B
**本次调用模型名称**：DeepSeek-R1
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A《直接公开》** | [0040] “...thermoelectric semiconductor consists of an N-type semiconductor 10a and a P-type semiconductor 10b. ... Each thermoelectric semiconductor is connected to a dielectric substrate at each end of the thermoelectric semiconductor in the heat transmission direction.” <br> [0051] “A reference number 21 ... denotes a P-type semiconductor that ... has a prism shape and it is long in a heat transmission direction. A reference number 22 denotes an N-type semiconductor that ... forms a prism shape that is long in a heat transmission direction.” | 对比文件公开了热电半导体21、22，其为棱柱形状且在热传输方向上“long”。本领域技术人员能毫无疑义地理解，一个具有棱柱形状且在特定方向上“长”的物体，必然具有两个较大的平行表面（对应于“第一横向表面”和“第二横向表面”）以及两个较小的端面（对应于“第一侧表面”和“第二侧表面”）。这与目标专利中TE层“第一横向表面和第二横向表面中的每一者比第一侧表面和第二侧表面中的每一者更长”的技术特征相同，其作用是限定TE层的扁平几何形状，以实现面内热传递。 |
| **B《直接公开》** | [0045] “A reference number 15 denotes a pattern electrode provided on the upper surface of the first substrate 12.” <br> [0051] “A reference number 21 ... denotes a P-type semiconductor that has a side surface S1 of one end connected to the pattern electrode 15 ... A reference number 22 ... denotes an N-type semiconductor that has a side surface S3 of one end connected to the pattern electrode 15 ...” | 对比文件明确公开了图案电极15，其位于第一基板12的上表面。P型半导体21和N型半导体22的一端侧表面S1和S3连接到该图案电极15。由于半导体21、22具有“长”的棱柱形状，其侧表面S1、S3所在的端部区域实质上构成了该棱柱的“第一横向表面”的一部分。因此，图案电极15相当于“在TE层的第一横向表面上”的第一电极。 |
| **C《直接公开》** | [0051] “... a P-type semiconductor that has a side surface S1 of one end connected to the pattern electrode 15 ...”, “... an N-type semiconductor that has a side surface S3 of one end connected to the pattern electrode 15 ...” <br> [0054] “A reference number 24 denotes a triangular prism-shaped solder. This solder is connected to one end surface of the P-type semiconductor 21 and to one end surface of the N-type semiconductor 22, and is also connected to the pattern electrode 15.” | 对比文件公开了图案电极15通过焊料24与P型半导体21和N型半导体22的一端连接。该连接界面即为“结”。图案电极15被配置为在该连接处（结）与热电半导体（即TE层）对接。这完全对应于目标专利中“第一电极被配置成在第一结处与TE层对接”的技术特征，其作用是建立电连接和热连接。 |
| **D《直接公开》** | [0050] “A reference number 19 denotes a pattern electrode provided on the upper surface of the second substrate 18. A reference number 20 denotes a pattern electrode provided on the upper surface of the second substrate 18.” <br> [0051] “... has a side surface S2 of the other end connected to the pattern electrode 19.”, “... has a side surface S4 of the other end connected to the pattern electrode 20.” | 对比文件公开了第二基板18上的图案电极19和20。P型半导体21的另一端侧表面S2连接到图案电极19，N型半导体22的另一端侧表面S4连接到图案电极20。与特征B同理，侧表面S2、S4所在的端部区域构成了棱柱的“横向表面”。图案电极19、20位于第二基板18的上表面，该上表面与半导体连接，因此第二电极（19或20）位于TE层的（第二）横向表面上。这公开了“第二电极在TE层的第一横向表面上或者第二横向表面上”的技术方案。 |
| **E《直接公开》** | [0051] “... has a side surface S2 of the other end connected to the pattern electrode 19.”, “... has a side surface S4 of the other end connected to the pattern electrode 20.” <br> [0055], [0056] 描述了焊料25、26连接半导体与图案电极19、20。 | 对比文件公开了图案电极19、20分别通过焊料25、26与P型半导体21和N型半导体22的另一端连接。该连接界面即为“第二结”。图案电极19、20被配置为在该连接处（第二结）与热电半导体（即TE层）对接。这对应于目标专利中“第二电极被配置成在第二结处与TE层对接”的技术特征。 |
| **F《直接公开》** | [0074] “When a power source voltage Ep is applied to the lead terminal 42c, a constant driving current Ip is input ... supplied to the pattern electrode 20. This driving current Ip is supplied from the pattern electrode 20 to the N-type semiconductor 22, and is further supplied to the P-type semiconductor 21 that is connected in series with the N-type semiconductor 22 via the pattern electrode 15. ... The thermoelectric semiconductor 23 that has the P-type semiconductor 21 and the N-type semiconductor 22 in a pair shifts the heat that has been absorbed from the pattern electrode 15 based on the Peltier effect, and radiates to the pattern electrodes 18 and 19.” | 对比文件明确描述了当在图案电极15（第一电极）与图案电极19、20（第二电极）之间施加电压差（通过电源电路51）时，热电半导体23基于珀耳帖效应，将热量从图案电极15侧（吸收侧）传递到图案电极19、20侧（辐射侧）。热量是在半导体21、22的内部沿其长度方向（即“在TE层内”）从一端（图案电极15）横向传递到另一端（图案电极19、20）。这直接公开了目标专利的核心功能特征。 |
| **G《直接公开》** | [0075] “The heat generated by the laser diode device 11 is ... conducted to the first substrate 12 from the ground conductor 14 that is connected to the lower surface of the laser diode device 11. This heat is conducted in the direction of the surface of the first substrate 12, and is further conducted to the solder 24 that is connected to the pattern electrode 15. The heat that has been conducted to the solder 24 is transmitted through the solder 24, and is conducted to the thermoelectric semiconductor 23 from the connection surface between the P-type semiconductor 21 and the N-type semiconductor 22.” | 对比文件详细描述了激光二极管11（热量源）产生的热量通过第一基板12传导至焊料24和图案电极15，然后从该连接表面传导至热电半导体23。图案电极15（第一电极）在其中起到了将来自热量源（激光二极管）的热量热传导到热电半导体（TE层）的作用。这与目标专利中特征G的作用完全相同。 |
| **H《直接公开》** | [0044] 图1A显示光学元件11安装在第一基板12上，图案电极15位于同一基板上且靠近光学元件11。<br> [0075] 描述了热量从光学元件11传导到图案电极15。<br> [0051] 描述了图案电极15连接到半导体21、22的一端。 | 对比文件的附图1A和文字描述表明，作为热量源的激光二极管11安装在第一基板12上，而第一电极（图案电极15）也位于同一基板12上，并与半导体21、22连接（形成第一结）。从空间布局和热传导路径（[0075]）可以毫无疑义地得出，图案电极15（第一电极）位于激光二极管11（热量源）与热电半导体23（TE层）之间，并且第一结（连接区域）在垂直方向或平面投影上与热量源存在交叠，以实现有效的热传导。这公开了特征H。 |
| **I《未公开》** | 无相应描述。 | 对比文件完全没有提及第二结（图案电极19、20与半导体21、22的连接区域）的面积与第一结（图案电极15与半导体21、22的连接区域）的面积之间的比较关系。目标专利中该特征的作用是增大散热面积以增强热量释放能力，而对比文件中并未公开或暗示这一设计考量。 |
| **J《隐含公开》** | [0051] “... a P-type semiconductor that has a side surface S1 of one end connected to the pattern electrode 15 ...”, “... has a side surface S2 of the other end connected to the pattern electrode 19.” | 对比文件公开了P型半导体21的一端侧表面S1连接到电极15，另一端侧表面S2连接到电极19。对于N型半导体22亦然（S3连15，S4连20）。本领域技术人员结合半导体被描述为“长”的棱柱形状，能够合理推断出：第一结（电极15与半导体的连接）开始于半导体的一端侧表面（对应于第一侧表面）并向另一端延伸；第二结（电极19/20与半导体的连接）开始于半导体的另一端侧表面（对应于第二侧表面）并向第一端延伸。这是由“端部连接”和“长条形”结构必然隐含的空间关系。 |
| **K《未公开》** | 对比文件公开了P型半导体21和N型半导体22作为一个热电半导体对23工作。 | 目标专利的特征K限定了独立的“第二TE层”，其具有与第一TE层类似的、独立定义的第三、第四横向表面和侧表面。对比文件中虽然存在P型和N型半导体，但它们共同构成一个热电单元（热电半导体23），并未被描述或暗示为两个独立的、具有完整表面定义的“TE层”。对比文件没有公开“第二TE层”这一独立的实体及其表面特征。 |
| **L《未公开》** | 对比文件公开了P型和N型半导体通过图案电极15串联连接。 | 特征L依赖于特征K中“第二TE层”的存在，并进一步限定了两个TE层的表面平行、电极耦合形成特定串联路径等复杂结构。对比文件仅公开了一个热电半导体对（P型和N型）的简单串联，完全没有涉及两个独立TE层的平行表面关系、特定顺序的串联电路路径（第一TE层->第二电极->第三电极->第二TE层）以及分别在两个TE层内的热量传递方向。该特征整体未被公开。 |
| **M《未公开》** | 无相应描述。 | 特征M同样依赖于双TE层结构，限定两个热路径基本平行。对比文件只有一个热电半导体对，其内部热量从一端传递到另一端，不存在“在第二TE层内从第四电极到第三电极的热路径”，因此无法公开“热路径基本上平行”的关系。 |
| **N《未公开》** | 无相应描述。 | 特征N限定两个TE层的各表面对应“基本上共面”。这完全依赖于双TE层结构的存在及其特定的并排定位方式。对比文件未公开两个独立的TE层，更未公开它们表面的共面关系。 |
| **O《未公开》** | 无相应描述。 | 特征O限定第一结和第四结的组合与热源交叠，且两个电极垂直位于热源与各自的TE层之间。这依赖于双TE层结构以及两个电极（第一和第四）均与热源关联的配置。对比文件中只有一个第一电极（图案电极15）与热源关联并位于热源与热电半导体之间，不存在“第四结”和“第四电极垂直位于热量源与第二TE层之间”的结构。 |
| **P《未公开》** | 无相应描述。 | 特征P比较双TE层结构中结的组合区域大小。如特征I所述，对比文件未公开任何结的面积比较，更未公开涉及两个TE层的四个结的组合区域比较。 |
| **Q《未公开》** | [0050] 图案电极19、20在第二基板18的上表面。 | 特征Q限定了第二和第三电极分别在特定表面上。这依赖于双TE层结构的存在。对比文件中只有第二电极（图案电极19、20），不存在独立的“第三电极”。因此该特征未被公开。 |
| **R《未公开》** | 参见特征J的论述，对比文件隐含了单个热电半导体对中结的延伸关系。 | 特征R详细描述了双TE层结构中四个结各自的开始和延伸方向。对比文件仅隐含公开了单个热电半导体对的两个结（第一结和第二结）的延伸方向（如特征J所述），但完全没有涉及“第三结”和“第四结”，也没有涉及它们与“第三侧表面”、“第四侧表面”的关系。该特征整体未被公开。 |
| **S《未公开》** | [0050], [0051] 图案电极19和20是两个独立的电极。 | 特征S限定单个电极用作第二和第三电极。对比文件中，对应于第二电极的图案电极19和可能对应于第三电极的图案电极20是分立的两个电极，并未公开或暗示它们由单个电极实现。 |
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