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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括： 具有第一读取余裕的第一磁性隧道结(MTJ)元件
B
具有第二读取余裕的第二MTJ元件，所述第一读取余裕大于所述第二读取余裕的两倍
C
以及 耦合在所述第一MTJ元件与所述第二MTJ元件之间的存取晶体管
D
，其中所述存取晶体管的栅极耦合至字线，
E
其中所述第一MTJ元件、所述第二MTJ元件和所述存取晶体管形成多位自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)存储器单元
F
以及被配置成将所述STT-MRAM存储器单元的感测出的值与第二值进行比较的电路系统，所述第二值基于所述感测出的值与第一值的比较，
G
其中所述第一值是与所述第二MTJ元件相关联的第一参考电平，
H
并且所述第二值是与所述第二MTJ元件相关联的第二参考电平，
I
以及其中所述第一参考电平和所述第二参考电平是从平均参考电平值推导的
J
，所述平均参考电平值从初始化设备确定或者由其它MTJ结构确定。
权利要求 2
K
其特征在于，进一步包括，耦合至所述第一MTJ元件的位线以及耦合至所述第二MTJ元件的源线，其中所述电路系统被进一步配置成基于所述感测出的值与所述第二值的关系来确定所述第二MTJ元件的电阻状态。
权利要求 3
L
其特征在于，所述存取晶体管被配置成响应于字线信号而将所述第一MTJ元件耦合至所述第二MTJ元件。
权利要求 4
M
其特征在于，所述存取晶体管是n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
权利要求 5
N
其特征在于，所述存取晶体管是p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
权利要求 6
O
其特征在于，所述第一MTJ元件具有第一数据保持时间，并且所述第二MTJ元件具有比所述第一数据保持时间长的第二数据保持时间。
权利要求 7
P
其特征在于，所述第一MTJ元件具有第一大小，并且所述第二MTJ元件具有大于所述第一大小的两倍的第二大小。
权利要求 8
Q
其特征在于，所述第二MTJ元件与由所述第一值指示的第一参考电平和由所述第二值指示的第二参考电平相关联，并且其中所述第一MTJ元件与一个参考电平相关联。
权利要求 9
R
其特征在于，进一步包括其中集成有所述第一MTJ元件、所述第二MTJ元件和所述存取晶体管的装置，所述装置选自移动电话、平板设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机。