对比文件名称：2006-11-02_发明申请_WO2006115637A1 ZONED THERMAL MONITORING
目标专利名称：170时间温度传感器位置偏移误差校正CN109642829B
模型名称：GPT-4
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：从传感器接收区的温度测量值《直接公开》 | [p0024] “An analog thermal sensing device 130 is implemented, e.g., as a diode based temperature sensor providing an indication of temperature as a current.” | 对比文件明确公开了温度感测装置（如基于二极管的温度传感器）提供温度指示（即温度测量值）。该传感器（130）用于感测集成电路的温度，这与目标专利中从传感器接收温度测量值的步骤和作用相同，都是获取温度信息以进行后续处理或控制。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| B：测量所述区的活动，所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流或包含所述裸片的所述装置的性能《未被公开》 | [p0025] “...the calibration factors may also reflect the power consumed by the integrated circuit.” | 对比文件提到了校准因子可以反映集成电路消耗的功率（power consumed）。然而，“功率消耗”是能量消耗的速率，它可以是电流和电压的函数。对比文件并未描述“测量活动”这一步骤，也没有明确说明测量的是“电流流动”或“装置的性能”。虽然功率消耗可能与电流和性能相关，但对比文件并未公开“测量活动”这一具体行为，也未限定所测活动包括电流或性能。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| C：所述性能至少部分基于确定高速缓存未命中的数量或管线暂停的数量《未被公开》 | 无相关内容 | 对比文件全文未提及“高速缓存未命中”或“管线暂停”等具体的性能计数器指标。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| D：将所测量的活动转化为所述区的功率《未被公开》 | 无相关内容 | 对比文件虽然提及校准因子可以反映功率消耗（[p0025]），但并未描述任何将“测量的活动”转化为“功率”的具体过程或步骤。目标专利中明确描述了将活动转换成功率的过程（参见说明书[0026]、[0029]、[0030]段），而对比文件缺少这一转化步骤的教导。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| E：通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移《直接公开》 | [p0030] “Calibration factors may be determined for each individual part... The calibration factor F(ro) can account for the distance of an RO from a local hotspot... and power... tables generated by the thermal simulation can be used to obtain the calibration offset, once the power is known.” 以及 [p0008] “The integrated circuit may further include a storage location storing one or more calibration factors utilized in determining the temperature...” | 对比文件明确公开了使用存储的校准因子（calibration factors）来解释或校准温度测量。这些校准因子（如F(ro)）考虑了RO与局部热点的距离以及集成电路的功耗（power），并且可以通过热模拟生成的表格来获得。参考这些存储的因子（相当于目标专利的“所存储的热量模型参数”）来计算温度偏移（在对比文件温度计算公式T(ro)中体现为偏移项F(ro)），其作用与目标专利中“通过参考所存储的热量模型参数来解释功率或活动来导出温度偏移”相同，都是为了基于已知模型参数（距离、功耗）来修正原始温度读数。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| F：以及至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值《直接公开》 | [p0030] “The temperature (T(ro) detected by each RO can be calculated as: T(ro) = (((P(ro) -P(cro))/P(cro))*(RoConst+T(ts) +F(ro)...” | 对比文件公开的温度计算公式T(ro)中明确包含了校准因子F(ro)（即温度偏移）以及基于热传感器温度T(ts)和常量RoConst的调整项。最终计算出的T(ro)就是基于这些偏移和参数调节后的温度值。这相当于“至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值”。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| G：其中所述所存储的热量模型参数包含与温度差匹配的所估计的功率《未被公开》 | [p0025] “...the calibration factor will cause a higher temperature to be reported for a local hot spot in a high power consumption chip, as compared to the same oscillator and hot spot in a lower power consumption chip.” | 对比文件提到校准因子（F(ro)）考虑了功耗（power），并且功耗不同会导致报告的温度不同。但这描述的是校准因子本身“反映”或“考虑”了功耗，并未明确公开所存储的参数是“与温度差匹配的所估计的功率”。目标专利中“与温度差匹配的所估计的功率”指的是一个将估计功率映射到温度差的参数表或模型（参见说明书[0060]-[0061]段），而对比文件仅提及校准因子基于功耗进行调整，并未揭示这种具体的匹配关系存储结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| H：其中所述所存储的热量模型参数包含与绝对温度匹配的所估计的功率《未被公开》 | 无相关内容 | 对比文件未提及“与绝对温度匹配的所估计的功率”这一概念。其校准因子用于调整报告的温度，但并未描述一个将估计功率映射到绝对温度的存储参数集。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| I：其中所述所测量的活动包括电流流动穿过电源开关《未被公开》 | 无相关内容 | 对比文件未提及测量“电流流动穿过电源开关”这一具体活动。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| J：其中所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能《未被公开》 | 无相关内容 | 对比文件未提及基于装置“性能”来测量活动。其仅提及功耗（power consumption），而功耗不等同于性能。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| K：其中所述性能的测量值是至少部分地基于性能计数器确定的《未被公开》 | 无相关内容 | 对比文件未提及“性能计数器”。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| L：其中所述活动的测量以及所述区所消耗的功率转换是通过数字功率监测器/计量器执行的《未被公开》 | 无相关内容 | 对比文件未提及“数字功率监测器/计量器”。其提到了功耗（power consumption）是校准因子考虑的一个因素（[p0025]），并且功耗可以在自动测试设备上测量（[p0030]），但并未公开使用“数字功率监测器/计量器”来执行活动测量和功率转换。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
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