**对比文件名称**：2012-08-08_发明授权_CN101908863B 可编程增益MOS放大器
**目标专利名称**：173互补共栅和共源放大器中的增益控制CN107005202B
**本次调用模型名称**：GPT-4
根据目标专利说明书和权利要求，以及对比文件CN101908863B的内容，现进行技术特征比对分析如下：
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：第一放大器级，被配置为放大输入端子处的输入信号以生成第一放大信号<br>**《直接公开》** | 说明书[0030]段：“增益供应器由MOS晶体管实作。例如，增益供应器GP1由具有长宽比M1的晶体管Q1实作。因此，如图2中所示，MOS晶体管Q1的控制端(栅极)耦接于MOS放大器200的输入端，以接收输入信号VIN，MOS晶体管Q1的偏置端(源极)耦接于偏压源VSS，MOS晶体管Q1的输出端(漏极)耦接于相应增益调谐器GT1。”<br>说明书[0032]段：“将负载的第一端设定为MOS放大器200的输出端，用以输出输出信号VOUT，而负载的第二端耦接于偏压源VDD。诚然，输出信号VOUT是根据MOS放大器200的可编程增益而从输入信号VIN放大得来。除此之外，增益供应器的MOS晶体管可被用作放大器...” | 对比文件明确公开了由MOS晶体管（如Q1）构成的“增益供应器”（GP1），其栅极连接至放大器的输入端以接收输入信号VIN，漏极连接至负载并输出放大后的信号VOUT。该MOS晶体管被描述为用作“放大器”。这完全符合“第一放大器级，被配置为放大输入端子处的输入信号以生成第一放大信号”的技术特征。 |
| **技术特征B**：所述第一放大器级具有电流转向器<br>**《隐含公开》** | 说明书[0029]段：“每一增益调谐器进一步包含增益使能模块GEM以及增益降低模块GDM。例如，增益调谐器GT1包含增益使能模块GEM1，以及增益降低模块GDM1。”<br>说明书[0035]段：“当MOS晶体管Q11开启，MOS放大器200的增益为G1；当MOS晶体管Q11与Q12开启，MOS放大器200的增益为[M11/(M11+M12)]×G1；...当增益使能模块开启而增益降低模块亦开启时，相应增益供应器的增益降低，并且降低的程度可藉由控制增益降低模块来设定。...当相应增益使能模块开启且增益降低模块亦开启时，流入相应增益供应器的MOS晶体管的电流一部分流自负载，一部分通过增益降低模块中被开启的MOS晶体管而流自偏压源VDD...” | 对比文件中的“增益调谐器”（如GT1）包含“增益使能模块”（GEM1）和“增益降低模块”（GDM1），两者均由MOS晶体管实现并作为开关使用。通过控制这些开关的启闭，可以改变从增益供应器（放大器）流向负载的电流比例，从而调节增益。这种通过开关网络将放大器输出电流有选择地导向不同路径（负载或电源）的机制，在本领域技术人员的常规理解中，构成了一种“电流转向”或“电流分流”结构。因此，对比文件隐含公开了第一放大器级具有实现增益调节功能的电流转向结构。 |
| **技术特征C**：所述电流转向器被配置为选择性地将第一电流转向以设置所述第一放大器级的增益<br>**《直接公开》** | 说明书[0035]段：“当增益使能模块开启时，流入相应增益供应器的MOS晶体管的电流是直接从负载流向MOS晶体管的输出端的电流所提供...当相应增益使能模块开启且增益降低模块亦开启时，流入相应增益供应器的MOS晶体管的电流一部分流自负载，一部分通过增益降低模块中被开启的MOS晶体管而流自偏压源VDD...举例而言，当MOS晶体管Q11开启，MOS放大器200的增益为G1；当MOS晶体管Q11与Q12开启，MOS放大器200的增益为[M11/(M11+M12)]×G1...” | 对比文件明确描述了通过控制“增益使能模块”和“增益降低模块”中晶体管的开关状态，来改变从放大器（增益供应器）流出电流的路径（是全部流向负载输出端，还是部分被分流到偏压源VDD），从而精确地设置放大器的增益值（如从G1变为[M11/(M11+M12)]×G1）。这直接且毫无疑义地公开了“选择性地将第一电流转向以设置所述第一放大器级的增益”这一技术特征。 |
| **技术特征D**：以及第二放大器级，被配置为放大所述输入端子处的所述输入信号以生成第二放大信号<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 对比文件描述的放大器（如200、300、400、500）均为单端输入、单端输出的单级放大器结构。其仅包含一个由增益供应器构成的主放大路径，并通过多个并联的增益供应器-调谐器单元来提供不同的增益选项。说明书和附图中均未公开存在一个独立的、与第一放大器级并联的、也从同一输入端子接收信号并生成另一个输出信号的“第二放大器级”。 |
| **技术特征E**：所述第二放大器级具有设置所述第二放大器级的增益的增益控制电路<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 由于对比文件未公开独立的“第二放大器级”（特征D），因此自然也谈不上该第二级具有自己的增益控制电路。 |
| **技术特征F**：其中所述第一放大器级被配置为互补共栅放大器<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 目标专利的“互补共栅放大器”特指由PMOS和NMOS晶体管对构成的、输入信号施加于源极、栅极接固定偏置的特定结构（见图3，晶体管308、314等）。对比文件中的放大器（增益供应器，如Q1）明确为共源放大器（见[0032]段：“当MOS晶体管被用作共源极放大器(common source amplifier)时...”），其输入信号施加于栅极，源极接地。两者电路结构和工作原理不同。对比文件未公开互补共栅放大器。 |
| **技术特征G**：所述互补共栅放大器生成相对于所述输入信号非反相的所述第一放大信号<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 由于对比文件未公开“互补共栅放大器”（特征F），因此其生成非反相信号的特性也无从谈起。 |
| **技术特征H**：并且其中所述第二放大器级被配置为互补共源放大器<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 目标专利的“互补共源放大器”特指由PMOS和NMOS晶体管对构成的、输入信号施加于栅极、输出信号相位与输入反相的特定结构（见图3，晶体管340、346等）。对比文件中的放大器是单管共源放大器，并非由PMOS和NMOS对构成的“互补”结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：所述互补共源放大器生成相对于所述输入信号反相的所述第二放大信号<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 由于对比文件未公开“互补共源放大器”（特征H），因此其生成反相信号的特性也无从谈起。 |
| **技术特征J**：所述增益控制电路包括互补共源共栅晶体管的并联支路，所述互补共源共栅晶体管的所述并联支路被选择性地使能以设置所述第二放大器级的所述增益<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 对比文件的增益调谐器中使用的是作为开关的单个MOS晶体管（共源连接），并非“共源共栅”（Cascode）结构的晶体管对。此外，这些开关晶体管控制的是第一级放大器（增益供应器）的输出电流路径，而非构成独立的、可选择性使能的放大器并联支路。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：进一步包括控制器，所述控制器被配置为输出控制信号，以控制所述电流转向器来设置所述第一放大器级的所述增益并且控制所述增益控制电路来设置所述第二放大器级的所述增益<br>**《直接公开》** | 说明书[0048]段：“根据控制信号S0、S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10与S11，MOS晶体管Q51、Q61、Q62、Q63、Q64、Q71、Q72、Q73、Q74、QB1、Q91与Q101分别被开/关。”<br>说明书[0050]段：“为了便于控制，将译码器800设置于增益级别数据D0～D5与控制信号S0～S11之间。例如，...控制信号[011001010000]是译码器800根据增益级别数据[001111]译码而来的。” | 对比文件明确公开了“译码器800”（见图8及对应描述），其接收增益级别数据（D0-D5），并输出一系列控制信号（S0-S11）来控制增益调谐器中各个MOS晶体管（即电流转向开关）的开/关状态，从而设置放大器的增益。这直接公开了一个“控制器”（译码器）输出控制信号以控制增益调节电路（电流转向器）来设置放大器增益的技术特征。虽然对比文件仅涉及设置单级放大器的增益，但该控制器输出控制信号以设置增益的核心功能已被直接公开。 |
| **技术特征L**：所述控制器被配置为输出第一控制信号以控制电流转向器将所选择量的所述第一电流转向到形成AC接地的节点，而将所述第一放大器级的所述增益设置为所选择的增益设置，并且所述控制器被配置为输出第二控制信号以选择性地使能所述互补共源共栅晶体管的所述并联支路，而将所述第二放大器级的所述增益设置为所选择的所述增益设置<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 首先，对比文件未公开将电流转向到“形成AC接地的节点”这一特定结构，其电流被分流至偏压源VDD。其次，对比文件未公开“互补共源共栅晶体管的并联支路”（特征J）。因此，控制器被配置为执行这两项特定操作的特征未被公开。 |
| **技术特征M**：所述增益控制电路包括第二电流转向器，所述第二电流转向器被配置为将所选择量的第二电流转向以设置所述第二放大器级的所述增益<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 对比文件仅描述了用于单级放大器增益调节的一套增益调谐器（电流转向结构）。未公开存在独立的、用于设置第二放大器级增益的“第二电流转向器”。 |
| **技术特征N**：所述电流转向器被配置为将所选择量的所述第一电流转向到节点，并且所述第二电流转向器被配置为将所述所选择量的所述第二电流转向到所述节点，所述节点形成AC信号接地<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 该特征描述了两个电流转向器将电流转向至同一个形成AC接地的节点的特定配置。对比文件既未公开第二电流转向器（特征M），也未提及此类形成AC信号接地的节点。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：进一步包括耦合在所述节点与信号接地之间的电容器，所述所选择量的所述第一电流和所述所选择量的所述第二电流在所述节点处在相反方向上流动，导致在所述节点与所述电容器之间流动的第三电流，所述第三电流比所述第一电流或所述第二电流小<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 该特征涉及目标专利图10、11所示实施例的特定细节，包括虚拟AC接地节点、耦合电容以及电流相消效应。对比文件中完全没有此类技术内容的记载。 |
| **技术特征P**：进一步包括控制器，所述控制器被配置为输出控制信号以控制电流转向器设置所述第一放大器级的所述增益，并控制所述第二电流转向器设置所述第二放大器级的所述增益<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 由于对比文件未公开“第二电流转向器”（特征M），因此控制器控制第二电流转向器的特征自然也未被公开。虽然控制器本身被公开（特征K），但其控制对象不同。 |
| **技术特征Q**：进一步包括累积电路，所述累积电路被配置为接收所述第一放大信号和所述第二放大信号并输出差分信号<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 对比文件的放大器为单端输出（VOUT），未公开任何接收两个放大信号并将其合并为差分输出的“累积电路”。 |
| **技术特征R**：所述累积电路包括偏置信号发生器，所述偏置信号发生器生成偏置所述第一放大信号和所述第二放大信号的偏置信号<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 由于“累积电路”未被公开（特征Q），其包含的“偏置信号发生器”特征也未被公开。 |
| **技术特征S**：所述累积电路包括在第一绕组两端接收所述第一放大信号和所述第二放大信号的变压器，所述第一绕组具有向所述偏置信号发生器输出共模电压信号的中心抽头<br>**《未公开》** | 未发现相关内容。 | 该特征涉及目标专利中利用变压器实现信号合成和共模反馈的特定电路。对比文件中完全没有涉及变压器的使用，更不用说具有中心抽头的变压器绕组。 |
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