对比文件名称：2006-03-02_发明申请_US20060046681A1 High frequency wireless receiver circuits and methods
目标专利名称：173互补共栅和共源放大器中的增益控制CN107005202B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：第一放大器级，被配置为放大输入端子处的输入信号以生成第一放大信号** | **译文**：高频放大器600包括MOS晶体管601和602（即“M1”和“M2”）……晶体管601具有连接到偏置电压（例如“V1bias”）的栅极、连接到天线610的源极和连接到阻抗603的一端的漏极。晶体管601的漏极和阻抗603之间的节点可以是放大器的一个输出（例如标记为“Vout2”）。<br>（[0042]段） | **直接公开**：对比文件中的晶体管601构成一个共栅放大器级（common gate stage），其源极作为输入端接收来自天线610的输入信号，漏极输出放大后的信号Vout2。这与目标专利中第一放大器级（互补共栅放大器级）的基本功能（放大输入信号生成第一放大信号）相同。 |
| **技术特征B：所述第一放大器级具有电流转向器** | **译文**：提供了并联的MOS晶体管1407（“M32”）和1408（“M42”）以减少传输到输出的电流从而降低增益……当开关闭合时，晶体管1407和1408向晶体管1401和1402的漏极提供电流，从而对于给定的输入信号减小了输出节点处的信号幅度。<br>（[0061]段， 对应图14） | **隐含公开**：对比文件公开了通过增加并联的晶体管（1407， 1408）来分流（steer away）原本应流向输出节点的电流，从而实现增益调整。虽然对比文件未使用“电流转向器”这一术语，但其描述的晶体管1407和1408及其功能（通过提供另一条电流路径来改变输出电流）构成了本领域技术人员能够直接理解的一种电流转向实现方式，用于控制增益。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征C：所述电流转向器被配置为选择性地将第一电流转向以设置所述第一放大器级的增益** | **译文**：提供了并联的MOS晶体管1407（“M32”）和1408（“M42”）以减少传输到输出的电流从而降低增益。MOS晶体管1407包括源极连接到晶体管1401的漏极、漏极连接到电源电压（“Vcc”）以及栅极连接到开关1470（“S1”）的一端。……晶体管1407和1408可以通过闭合开关1470和1471来激活，这分别将偏置电压Vb32和Vb42耦合到每个晶体管的栅极。因此，当开关闭合时，晶体管1407和1408向晶体管1401和1402的漏极提供电流，从而对于给定的输入信号减小了输出节点处的信号幅度。或者，当开关打开时，来自晶体管1401和1402的所有电流都被传输到输出，系统可以以其全增益运行。<br>（[0061]段， 对应图14） | **直接公开**：对比文件明确公开了使用开关（S1， S2）控制并联晶体管（1407， 1408）的激活状态。当激活时，这些晶体管将原本应流向输出节点（Vout2）的电流的一部分“转向”到电源Vcc，从而选择性地减少输出电流，实现增益设置。这直接对应于目标专利中电流转向器“选择性地将第一电流转向以设置第一放大器级的增益”的功能。 |
| **技术特征D：以及第二放大器级，被配置为放大所述输入端子处的所述输入信号以生成第二放大信号** | **译文**：高频放大器600包括MOS晶体管601和602（即“M1”和“M2”）……天线610还通过电容器605连接到晶体管602的栅极。晶体管602的源极接地，漏极连接到电阻604的一端。……晶体管602的漏极和阻抗604之间的节点可以是放大器的另一个输出（例如标记为“Vout1”）。<br>（[0042]段） | **直接公开**：对比文件中的晶体管602构成一个共源放大器级（common source stage），其栅极通过耦合电容C1（605）接收来自天线610的输入信号，漏极输出放大后的信号Vout1。这与目标专利中第二放大器级（互补共源放大器级）的基本功能（放大输入信号生成第二放大信号）相同。 |
| **技术特征E：所述第二放大器级具有设置所述第二放大器级的增益的增益控制电路** | **译文**：参见图14及[0061]段描述。晶体管1407和1408同样作用于共源放大器支路（晶体管1402和1406）。<br>**译文**（图15相关）：晶体管1502（“M2”）可以拆分为晶体管1502A（“M2A”）和1502B（“M2B”）。类似地，晶体管1506（“M41”）可以拆分为晶体管1506A（“M41A”）和1506B（“M41B”）。……放大器1500的功耗可以通过关闭晶体管1502B和1506B来降低（例如，当接收到强信号且需要较小增益时）。<br>（[0062]段） | **隐含公开**：对比文件图14公开的增益控制机制（并联晶体管1408）同样应用于共源放大器支路（M2， M41）。图15进一步公开了通过拆分晶体管并选择性地关闭部分支路（M2B， M41B）来改变有效跨导和输出电流，从而设置增益。这构成了用于设置第二放大器级增益的电路。虽然未明确称为“增益控制电路”，但其功能是相同的，因此被隐含公开。 |
| **技术特征F：其中所述第一放大器级被配置为互补共栅放大器** | 对比文件未公开相关内容。 | **未公开**：目标专利的“互补共栅放大器”特指由PMOS和NMOS晶体管对构成的对称结构（如图3中的308， 310， 312， 314）。对比文件中的第一放大器级（共栅级）仅使用单个NMOS晶体管（如图6的M1， 图14的M1/M31）。对比文件未公开采用互补（PMOS/NMOS）晶体管对结构的共栅放大器。 |
| **技术特征G：所述互补共栅放大器生成相对于所述输入信号非反相的所述第一放大信号** | 对比文件未公开相关内容。 | **未公开**：由于特征F未被公开，且对比文件未明确描述其共栅放大器输出信号的相位关系，因此该关于特定放大器结构产生的非反相特性的特征未被公开。 |
| **技术特征H：并且其中所述第二放大器级被配置为互补共源放大器** | 对比文件未公开相关内容。 | **未公开**：目标专利的“互补共源放大器”特指由PMOS和NMOS晶体管对构成的对称结构（如图3中的340， 342， 344， 346）。对比文件中的第二放大器级（共源级）仅使用单个NMOS晶体管（如图6的M2， 图14的M2/M41）。对比文件未公开采用互补（PMOS/NMOS）晶体管对结构的共源放大器。 |
| **技术特征I：所述互补共源放大器生成相对于所述输入信号反相的所述第二放大信号。** | 对比文件未公开相关内容。 | **未公开**：由于特征H未被公开，且对比文件未明确描述其共源放大器输出信号相对于输入信号反相的特性，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征J：所述增益控制电路包括互补共源共栅晶体管的并联支路，所述互补共源共栅晶体管的所述并联支路被选择性地使能以设置所述第二放大器级的所述增益。** | 对比文件未公开相关内容。 | **未公开**：目标专利的特征J限定了增益控制电路的具体结构为“互补共源共栅晶体管的并联支路”（参见图7的电流切削器704， 包括PMOS和NMOS构成的共源共栅支路）。对比文件图14中的增益控制晶体管（1408）是简单的并联NMOS晶体管，并非共源共栅结构，更不是互补的。图15中的拆分晶体管也不是共源共栅结构。因此，该具体结构特征未被公开。 |
| **技术特征K：进一步包括控制器，所述控制器被配置为输出控制信号，以控制所述电流转向器来设置所述第一放大器级的所述增益并且控制所述增益控制电路来设置所述第二放大器级的所述增益。** | **译文**：晶体管1407和1408可以通过闭合开关1470和1471来激活，这分别将偏置电压Vb32和Vb42耦合到每个晶体管的栅极。……在一个实施例中，开关由使能信号控制，其中如果使能信号有效，则对应的晶体管导通，如果使能信号无效，则对应的晶体管截止。<br>（[0061]段）<br>**译文**（图15相关）：例如，晶体管1506B的栅极可以耦合到开关网络，例如开关1572（“S3”）和1573（“S4”）。当开关1573闭合（例如通过使能信号）且开关1572断开时，偏置电压通过电阻1574（“R3”）提供给两个共源共栅晶体管1506A和1506B。为了降低增益和功耗，可以打开开关1573并闭合开关1572，从而将晶体管1506B的栅极接地并关闭流入晶体管1502B的电流。<br>（[0062]段） | **隐含公开**：对比文件描述了使用“开关”（S1， S2， S3， S4）或“使能信号”来控制增益调节晶体管（1407， 1408）或支路（M2B， M41B）的激活/禁用。虽然对比文件没有明确描述一个集成的“控制器”，但本领域技术人员可以理解，这些开关或使能信号必然由某种控制逻辑或电路产生，用于协调增益设置。因此，存在输出控制信号以设置两个放大器级增益的控制功能的教导，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征L：所述控制器被配置为输出第一控制信号以控制电流转向器将所选择量的所述第一电流转向到形成AC接地的节点，而将所述第一放大器级的所述增益设置为所选择的增益设置，并且所述控制器被配置为输出第二控制信号以选择性地使能所述互补共源共栅晶体管的所述并联支路，而将所述第二放大器级的所述增益设置为所选择的所述增益设置。** | 对比文件未公开相关内容。 | **未公开**：特征L依赖于目标专利中多个未被对比文件公开的具体结构：1) 将电流转向到“形成AC接地的节点”（对比文件中电流转向到电源Vcc）；2) “互补共源共栅晶体管的并联支路”这一具体增益控制电路（特征J未公开）；3) 控制器输出两套独立的控制信号（D(n)和B(n)）来分别精确控制两种不同结构。对比文件仅泛泛提及使用开关或使能信号，未公开如此具体和结构化的控制方案。 |
| **技术特征M：所述增益控制电路包括第二电流转向器，所述第二电流转向器被配置为将所选择量的第二电流转向以设置所述第二放大器级的所述增益。** | **译文**：参见图14及[0061]段描述。并联晶体管1408作用于共源放大器支路，其功能是将电流分流到Vcc以降低增益。<br>**译文**（图15相关）：通过关闭晶体管1502B和1506B来降低增益和功耗。<br>（[0062]段） | **隐含公开**：如特征E所述，对比文件公开了用于第二放大器级的增益控制机制。图14中的并联晶体管1408通过将电流从输出节点转向到Vcc来起作用，这可以看作是一种电流转向操作。图15中通过关闭支路来减少输出电流，本质上也是改变了电流路径。因此，对比文件隐含公开了第二放大器级的增益控制电路包含将电流转向以设置增益的装置。 |
| **技术特征N：所述电流转向器被配置为将所选择量的所述第一电流转向到节点，并且所述第二电流转向器被配置为将所述所选择量的所述第二电流转向到所述节点，所述节点形成AC信号接地。** | 对比文件未公开相关内容。 | **未公开**：目标专利中（如图10， 11），两个电流转向器（702， 1000）将电流转向到同一个节点（760），该节点通过电容器（762）接地，形成虚拟AC接地。对比文件图14中，两个增益控制晶体管（1407， 1408）将电流转向到电源Vcc，而非一个共用的、形成AC信号接地的节点。该特定的节点配置和功能未被公开。 |
| **技术特征O：进一步包括耦合在所述节点与信号接地之间的电容器，所述所选择量的所述第一电流和所述所选择量的所述第二电流在所述节点处在相反方向上流动，导致在所述节点与所述电容器之间流动的第三电流，所述第三电流比所述第一电流或所述第二电流小。** | 对比文件未公开相关内容。 | **未公开**：该特征描述了目标专利图10、11实施例中两个电流转向器共用AC接地节点时的具体电流关系。对比文件完全没有公开这样的节点配置，因此与该配置相关的电容器设置以及特定的电流流向和大小关系均未被公开。 |
| **技术特征P：进一步包括控制器，所述控制器被配置为输出控制信号以控制电流转向器设置所述第一放大器级的所述增益，并控制所述第二电流转向器设置所述第二放大器级的所述增益。** | **译文**：参见特征K的引用及论述。 | **隐含公开**：同特征K的论述。对比文件隐含公开了存在控制功能，用于输出信号控制第一放大器级（通过晶体管1407）和第二放大器级（通过晶体管1408或图15的支路）的增益设置。 |
| **技术特征Q：进一步包括累积电路，所述累积电路被配置为接收所述第一放大信号和所述第二放大信号并输出差分信号。** | **译文**：放大器600的一个优点是在高频应用中，来自天线的“非平衡”信号（即单端信号）在输出处被转换为“平衡”信号（即差分信号）（即Vout1−Vout2）。<br>（[0043]段） | **直接公开**：对比文件明确说明其架构（共栅级输出Vout2和共源级输出Vout1）将单端输入转换为差分输出（Vout1 - Vout2）。这必然意味着电路接收两个放大信号并输出差分信号，实现了累积电路的基本功能。 |
| **技术特征R：所述累积电路包括偏置信号发生器，所述偏置信号发生器生成偏置所述第一放大信号和所述第二放大信号的偏置信号。** | 对比文件未公开相关内容。 | **未公开**：目标专利的累积电路（变压器352）具有中心抽头，用于生成共模电压VOCM，并通过比较器358等生成偏置信号VBN1，用于偏置放大器。对比文件仅提及输出差分信号，未公开从累积电路（或类似结构）中生成用于偏置放大器的偏置信号的具体电路（如带中心抽头的变压器和比较器反馈环）。 |
| **技术特征S：所述累积电路包括在第一绕组两端接收所述第一放大信号和所述第二放大信号的变压器，所述第一绕组具有向所述偏置信号发生器输出共模电压信号的中心抽头。** | 对比文件未公开相关内容。 | **未公开**：对比文件没有公开使用变压器作为累积电路，更没有公开具有中心抽头的变压器绕组用于输出共模电压。其差分输出是通过直接取两个输出节点电压差实现的。 |
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