对比文件名称：2010-01-28_发明申请_US20100019848A1 Complementary Low Noise Transductor with Active Single Ended to Differential Signal Conversion
目标专利名称：173互补共栅和共源放大器中的增益控制CN107005202B
本次调用模型名称：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：第一放大器级，被配置为放大输入端子处的输入信号以生成第一放大信号<br>**《直接公开》** | [0046] “The first converting stage 310 may include a first cascaded transistor MNCASC1, a second cascaded transistor MNCASC2 and a transistor MN2. ... the first cascaded transistor MNCASC1 of the first converting stage 310 may convert the bias voltage into a first current that flows to node 330. The output current at the output node 334 may be a product of the current passing through the first cascaded transistor MNCASC1 of the first converting stage 310 and the transistor MN1 of the first input stage 306.”<br>（第一转换级310可以包括第一共栅晶体管MNCASC1、第二共栅晶体管MNCASC2和晶体管MN2。...第一转换级310的第一共栅晶体管MNCASC1可以将偏置电压转换为流向节点330的第一电流。输出节点334处的输出电流可以是流经第一转换级310的第一共栅晶体管MNCASC1和第一输入级306的晶体管MN1的电流的乘积。） | 目标专利中的“第一放大器级”对应于一个放大级，用于放大输入信号并生成第一放大信号（如RF_outp）。在对比文件中，第一转换级310（结合其输入级306）构成了一个放大器级。该级接收来自输入节点（LG 304, C1）的输入信号，并通过晶体管MN1和MNCASC1进行放大，最终在输出节点334产生输出电流信号。该输出电流信号即相当于“第一放大信号”。因此，对比文件直接公开了技术特征A。 |
| **技术特征B**：，所述第一放大器级具有电流转向器，<br>**《未公开》** | 无 | 技术特征B限定了第一放大器级“具有电流转向器”。对比文件的第一转换级310的结构包括晶体管MNCASC1、MNCASC2和MN2，它们构成了一个共栅-共源放大器结构。其增益控制是通过调节施加在节点326上的偏置电压来实现的（见[0047]），而不是通过一个专门用于将电流选择性分流到不同路径（例如，输出节点与AC接地节点之间）的“电流转向器”结构。因此，对比文件未公开技术特征B。 |
| **技术特征C**：所述电流转向器被配置为选择性地将第一电流转向以设置所述第一放大器级的增益<br>**《未公开》** | 无 | 如特征B所述，对比文件的第一转换级310中没有“电流转向器”结构。其增益的调整依赖于偏置电压的改变，从而影响晶体管MNCASC1、MNCASC2和MN2的跨导（gm），最终改变输出电流（见[0047]-[0049]，[0058]）。这是一种通过调节偏置来控制跨导（从而控制增益）的方式，而非通过开关晶体管网络将电流“选择性地转向”到不同支路。因此，对比文件未公开技术特征C。 |
| **技术特征D**：以及第二放大器级，被配置为放大所述输入端子处的所述输入信号以生成第二放大信号，<br>**《直接公开》** | [0051] “The second converting stage 312 may be coupled with the second input stage 308 and the first converting stage 310. ... The second converting stage 312 may include a first cascaded transistor MPCASC1, a second cascaded transistor MPCASC2, and a transistor MP2.”<br>[0053] “The first cascaded transistor MPCASC1 of the second converting stage 312 may convert the bias voltage at the node 328 into a current that flows to the node 330. ... the output current at the output node 330 also may be a product of the current passing through the first cascaded transistor MPCASC1 of the second converting stage 312 and the transistor MP1 of the second input stage 308.”<br>（第二转换级312可以耦合到第二输入级308和第一转换级310。...第二转换级312可以包括第一共栅晶体管MPCASC1、第二共栅晶体管MPCASC2和晶体管MP2。...第二转换级312的第一共栅晶体管MPCASC1可以将节点328处的偏置电压转换为流向节点330的电流。...输出节点330处的输出电流也可以是流经第二转换级312的第一共栅晶体管MPCASC1和第二输入级308的晶体管MP1的电流的乘积。） | 目标专利中的“第二放大器级”用于放大同一输入信号并生成第二放大信号（如RF_outn）。在对比文件中，第二转换级312（结合其输入级308）构成了另一个放大器级。该级接收来自同一输入节点（LG 304, C2）的输入信号，并通过晶体管MP1和MPCASC1进行放大，其输出电流贡献给节点330（与第一级的输出节点334共同构成差分输出）。因此，第二转换级312的功能完全对应于“第二放大器级”。因此，对比文件直接公开了技术特征D。 |
| **技术特征E**：所述第二放大器级具有设置所述第二放大器级的增益的增益控制电路<br>**《隐含公开》** | [0051] “Both the gate of the first cascaded transistor MPCASC1 and the gate of the second cascaded transistor MPCASC2 may be driven by a bias voltage supplied through the node 328. The bias voltage may be a fixed or variable voltage. In some implementations, the bias voltage supplied through the node 328 may be used to control the impedance (and hence output current passage) at node 330 and node 332.”<br>（第一共栅晶体管MPCASC1和第二共栅晶体管MPCASC2的栅极都可以由通过节点328提供的偏置电压驱动。该偏置电压可以是固定的或可变的。在一些实施方式中，通过节点328提供的偏置电压可用于控制节点330和节点332处的阻抗（从而控制输出电流通道）。） | 目标专利的增益控制电路用于设置第二放大器级的增益。对比文件的第二转换级312，其输出电流受施加于节点328的偏置电压控制（见[0051]）。该偏置电压可以是“可变的”（variable），并且明确说明可用于“控制输出电流通道”，这意味着通过调节该偏置电压可以改变该放大器级的增益。虽然对比文件没有使用“增益控制电路”这一术语，但提供可变偏置电压以控制输出电流/增益的机制，本领域技术人员可以毫无困难地理解这是一种增益控制手段。该可变偏置电压的产生电路（未详细示出）即构成了隐含的“增益控制电路”。因此，对比文件隐含公开了技术特征E。 |
| **技术特征F**：，其中所述第一放大器级被配置为互补共栅放大器，<br>**《未公开》** | [0046] “...the first cascaded transistor MNCASC1 may be used as a common-gate transistor, while the transistor MN2 may be used as a common-source transistor.”<br>（...第一共栅晶体管MNCASC1可以用作共栅晶体管，而晶体管MN2可以用作共源晶体管。） | 技术特征F明确限定了第一放大器级是“互补共栅放大器”。根据目标专利说明书（如[0025]），其互补共栅放大器级302包括PMOS晶体管308、310和NMOS晶体管312、314，即包含PMOS和NMOS对的互补结构。对比文件的第一转换级310仅包含NMOS晶体管（MN1, MNCASC1, MNCASC2, MN2），是一个NMOS单端结构，并非“互补”共栅放大器。因此，对比文件未公开技术特征F。 |
| **技术特征G**：所述互补共栅放大器生成相对于所述输入信号非反相的所述第一放大信号<br>**《未公开》** | [0046] 描述了第一转换级310的结构，其为共栅-共源配置。共栅级（MNCASC1）通常提供非反相增益。 | 虽然对比文件第一转换级310中的共栅晶体管MNCASC1可以提供非反相增益，但由于该级并非如技术特征F所限定的“互补共栅放大器”（见上文），因此技术特征G的前提不成立。即使单独考虑“非反相”这一特性，由于对比文件的整个第一转换级是包含共栅和共源晶体管的复合结构，其整体相位关系需要具体分析，说明书未明确其输出信号（节点334电流）相对于输入的相位。因此，对比文件未公开技术特征G。 |
| **技术特征H**：，并且其中所述第二放大器级被配置为互补共源放大器，<br>**《未公开》** | [0051] “Similar to the first converting stage 310, the second converting stage 312, in some implementations, may utilize a common-gate, common-source configuration...”<br>（类似于第一转换级310，第二转换级312在一些实施方式中，可以利用共栅、共源配置...） | 技术特征H明确限定了第二放大器级是“互补共源放大器”。根据目标专利说明书（如[0027]），其互补共源放大器级304包括PMOS晶体管340、342和NMOS晶体管344、346，即包含PMOS和NMOS对的互补结构。对比文件的第二转换级312仅包含PMOS晶体管（MP1, MPCASC1, MPCASC2, MP2），是一个PMOS单端结构，并非“互补”共源放大器。其结构描述为共栅-共源配置，而非单纯的共源放大器。因此，对比文件未公开技术特征H。 |
| **技术特征I**：所述互补共源放大器生成相对于所述输入信号反相的所述第二放大信号<br>**《未公开》** | [0051] 描述了第二转换级312为共栅-共源配置。其中共源晶体管MP2可以提供反相增益。 | 虽然对比文件第二转换级312中的共源晶体管MP2可以提供反相增益，但由于该级并非如技术特征H所限定的“互补共源放大器”（见上文），因此技术特征I的前提不成立。即使单独考虑“反相”这一特性，由于对比文件的整个第二转换级是包含共栅和共源晶体管的复合结构，其整体相位关系需要具体分析，说明书未明确其输出信号（对节点330的电流贡献）相对于输入的相位。因此，对比文件未公开技术特征I。 |
| **技术特征J**：所述增益控制电路包括互补共源共栅晶体管的并联支路，所述互补共源共栅晶体管的所述并联支路被选择性地使能以设置所述第二放大器级的所述增益。<br>**《未公开》** | 无 | 技术特征J限定了增益控制电路的具体结构为“互补共源共栅晶体管的并联支路”，并通过选择性使能这些支路来设置增益。对比文件中对于第二放大器级（第二转换级312）的增益控制，仅提及通过可变偏置电压（节点328）来控制（见特征E论述）。其电路结构是固定的晶体管MP1、MPCASC1、MPCASC2、MP2，不存在多个可被独立“使能”或“禁用”的“并联支路”。因此，对比文件未公开技术特征J。 |
| **技术特征K**：进一步包括控制器，所述控制器被配置为输出控制信号，以控制所述电流转向器来设置所述第一放大器级的所述增益并且控制所述增益控制电路来设置所述第二放大器级的所述增益。<br>**《隐含公开》** | [0028] “...the baseband processor may select a specific gain for the low noise amplifier 104, configure the oscillation frequency of the oscillator 108, configure the low noise amplifier 104 for operation in accordance with various communication standards and protocols, and the like.”<br>[0047] “The bias voltage 326 may be fixed or variable.”<br>[0051] “The bias voltage may be a fixed or variable voltage.”<br>（...基带处理器可以为低噪声放大器104选择特定的增益...偏置电压326可以是固定的或可变的。...偏置电压可以是固定的或可变的。） | 技术特征K的控制器用于输出控制信号以设置两个放大器级的增益。对比文件虽然没有明确示出一个名为“控制器”的独立模块，但其说明书[0028]提到基带处理器可以为低噪声放大器选择特定的增益，这暗示了存在一个控制实体。更重要的是，[0047]和[0051]明确指出用于偏置第一转换级（节点326）和第二转换级（节点328）的电压可以是“可变的”（variable）。本领域技术人员可以理解，为了实现增益的可变控制，需要某种控制机制（例如基带处理器或其它控制电路）来生成或调节这些可变的偏置电压。这些可变偏置电压实质上就是用于控制增益的“控制信号”。虽然对比文件没有描述该控制器同时控制“电流转向器”（因为不存在），但它隐含了存在一个可输出控制信号（可变偏置电压）以设置两个放大器级增益的控制机制。因此，对比文件隐含公开了技术特征K。 |
| **技术特征L**：所述控制器被配置为输出第一控制信号以控制电流转向器将所选择量的所述第一电流转向到形成AC接地的节点，而将所述第一放大器级的所述增益设置为所选择的增益设置，并且所述控制器被配置为输出第二控制信号以选择性地使能所述互补共源共栅晶体管的所述并联支路，而将所述第二放大器级的所述增益设置为所选择的所述增益设置。<br>**《未公开》** | 无 | 技术特征L描述了控制器具体的工作方式：1）通过第一控制信号控制电流转向器将电流转向到AC接地节点；2）通过第二控制信号选择性地使能并联支路。对比文件中既不存在“电流转向器”（见特征B），也不存在“互补共源共栅晶体管的并联支路”（见特征J）。其增益控制机制是通过调节连续的偏置电压（而非数字式的开关控制信号）来改变晶体管工作点，从而实现连续的或步进的增益变化，且未提及将电流转向至“形成AC接地的节点”的概念。因此，对比文件未公开技术特征L。 |
| **技术特征M**：所述增益控制电路包括第二电流转向器，所述第二电流转向器被配置为将所选择量的第二电流转向以设置所述第二放大器级的所述增益。<br>**《未公开》** | 无 | 技术特征M限定了增益控制电路的具体结构为“第二电流转向器”。如特征B和J所述，对比文件中没有“电流转向器”的结构。其第二放大器级的增益控制是通过可变偏置电压实现的，而不是通过一个将电流选择性分流的“电流转向器”。因此，对比文件未公开技术特征M。 |
| **技术特征N**：所述电流转向器被配置为将所选择量的所述第一电流转向到节点，并且所述第二电流转向器被配置为将所述所选择量的所述第二电流转向到所述节点，所述节点形成AC信号接地。<br>**《未公开》** | 无 | 技术特征N描述了第一、第二电流转向器共同将电流转向到同一个形成AC信号接地的节点。对比文件中没有“电流转向器”（见特征B、M），也不存在这样一个被两个转向器共用并形成AC信号接地的特定节点（如目标专利中的节点760）。对比文件的节点330和332是输出电流节点，并非设计为AC接地节点。因此，对比文件未公开技术特征N。 |
| **技术特征O**：进一步包括耦合在所述节点与信号接地之间的电容器，所述所选择量的所述第一电流和所述所选择量的所述第二电流在所述节点处在相反方向上流动，导致在所述节点与所述电容器之间流动的第三电流，所述第三电流比所述第一电流或所述第二电流小。<br>**《未公开》** | [0038] “In some implementations, the capacitor C3 may be used to provide high frequency coupling between the node 324 and the gate of transistor MN2.”<br>（在一些实施方式中，电容器C3可以用于提供节点324和晶体管MN2的栅极之间的高频耦合。） | 技术特征O详细描述了在AC接地节点与地之间连接电容器，以及两股转向电流在该节点处反向流动的细节。对比文件中虽然使用了耦合电容器（如C3、C4），但其作用是为高频信号提供耦合路径，并增加设计灵活性（[0038]），并非用于与电流转向器配合以形成虚拟AC接地。对比文件的电路结构中不存在如特征N、O所描述的电流在特定节点反向流动以形成小电流通路的机制。因此，对比文件未公开技术特征O。 |
| **技术特征P**：进一步包括控制器，所述控制器被配置为输出控制信号以控制电流转向器设置所述第一放大器级的所述增益，并控制所述第二电流转向器设置所述第二放大器级的所述增益。<br>**《未公开》** | 无 | 技术特征P与特征K类似，但明确指向控制“电流转向器”。如特征B、M所述，对比文件中不存在“电流转向器”。因此，虽然对比文件可能隐含了用于控制增益的控制器（见特征K），但该控制器控制的对象（可变偏置电压）与特征P限定的控制对象（电流转向器）不同。因此，对比文件未公开技术特征P。 |
| **技术特征Q**：进一步包括累积电路，所述累积电路被配置为接收所述第一放大信号和所述第二放大信号并输出差分信号。<br>**《隐含公开》** | [0049] “The total current at the output nodes 334/336 may then be defined as the sum of the current produced by the first converting stage 310 and the second converting stage 312.”<br>[0054] “By combining the current produced by the first converting stage 310 and the second converting stage 312, the current gain at the output for a specific current consumption may be maximized. The output currents at nodes 334 and 336 may then be used to drive the following stage...”<br>（输出节点334/336处的总电流可以被定义为第一转换级310和第二转换级312产生的电流之和。...通过组合第一转换级310和第二转换级312产生的电流，可以在特定的电流消耗下最大化输出处的电流增益。节点334和336处的输出电流然后可用于驱动后续级...） | 目标专利的累积电路（如变压器352）用于接收两个放大信号并输出差分信号。对比文件没有明确示出名为“累积电路”的独立模块。然而，其第一转换级和第二转换级的输出电流分别在节点334和336产生，这两个电流信号共同构成了一个差分输出对（见[0054]）。本领域技术人员可以理解，这两个节点（334和336）实质上提供了差分信号输出。虽然没有一个物理上独立的“累积电路”，但将两个放大器的输出组合以形成差分输出的功能是明确存在且必需的。因此，对比文件隐含公开了技术特征Q。 |
| **技术特征R**：所述累积电路包括偏置信号发生器，所述偏置信号发生器生成偏置所述第一放大信号和所述第二放大信号的偏置信号。<br>**《隐含公开》** | [0047] “The bias voltage 326 may be fixed or variable.”<br>[0051] “Both the gate of the first cascaded transistor MPCASC1 and the gate of the second cascaded transistor MPCASC2 may be driven by a bias voltage supplied through the node 328. The bias voltage may be a fixed or variable voltage.”<br>（偏置电压326可以是固定的或可变的。...第一共栅晶体管MPCASC1和第二共栅晶体管MPCASC2的栅极都可以由通过节点328提供的偏置电压驱动。该偏置电压可以是固定的或可变的。） | 技术特征R的“偏置信号发生器”生成用于偏置放大信号的偏置信号。在对比文件中，第一转换级和第二转换级分别需要偏置电压326和328来偏置其共栅晶体管（MNCASC1/MNCASC2和MPCASC1/MPCASC2）。这些偏置电压是放大器正常工作所必需的。虽然对比文件没有详细描述产生这些偏置电压的具体电路（偏置信号发生器），但本领域技术人员知晓，在集成电路中，此类固定或可变的偏置电压必然由某个偏置生成电路（例如，带隙基准、电流镜等）产生。因此，对比文件隐含公开了技术特征R。 |
| **技术特征S**：所述累积电路包括在第一绕组两端接收所述第一放大信号和所述第二放大信号的变压器，所述第一绕组具有向所述偏置信号发生器输出共模电压信号的中心抽头。<br>**《未公开》** | 无 | 技术特征S限定了累积电路的具体结构为具有中心抽头的变压器，并且该中心抽头输出共模电压用于反馈偏置。对比文件的输出是直接通过节点334和336提供的电流信号，没有使用变压器进行信号组合，更没有提及变压器的中心抽头或通过中心抽头提取共模电压用于偏置反馈的机制。因此，对比文件未公开技术特征S。 |
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