对比文件名称：US3690881A_Description_20260218_1608
目标专利名称：179亚微米晶片对准CN107850759B
模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一透明晶片，其包括第一透镜阵列<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“透镜阵列”或类似结构。对比文件涉及光刻掩模与半导体衬底的对准。 | 对比文件的核心应用场景是半导体光刻工艺中的掩模与衬底（如硅片）的对准，而非光学透镜晶片的堆叠。对比文件中的“掩模”和“衬底”均未描述为包含透镜阵列的“透明晶片”。本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得出或推断出该技术特征。 |
| 技术特征B：第二透明晶片，其包括第二透镜阵列，所述第二透镜阵列中的每一透镜与所述第一透镜阵列中的对应透镜形成透镜对<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“透镜阵列”或“透镜对”。 | 与特征A同理，对比文件未涉及任何透镜结构。特征B限定了两个透镜阵列之间的对应关系以形成透镜对，这是目标专利光学堆叠的核心，但对比文件完全没有公开此内容。 |
| 技术特征C：第一隔片晶片，其定位于所述第一透明晶片与所述第二透明晶片之间且包括包含开口阵列的隔片材料，每一透镜对中的至少一个透镜延伸到所述开口阵列中的开口中<br>**《未公开》** | 对比文件提到了掩模与衬底之间保持约30微米的间隔（见说明书第2栏第57-60行：“the separation between mask 43 and wafer 53 is typically about thirty microns”），但这是为了在移动时不划伤两者而预留的空间，并非一个独立的、具有开口阵列以容纳透镜的“隔片晶片”。 | 对比文件中的“间隔”是掩模与衬底之间的气隙，而非一个具有特定结构和功能的“隔片晶片”。目标专利中的隔片晶片是构成透镜堆叠的结构部件，具有开口阵列以物理容纳和定位透镜。二者在结构、功能和作用上均不相同，对比文件未公开此特征。 |
| 技术特征D：第一对准标记，其设置于所述第一透明晶片上，所述第一对准标记包括定位于所述第一透镜阵列中的第一透镜周围的第一组同心环带<br>**《直接公开》** | 说明书第3栏第55-57行：“Moire gratings comprising concentric annular lines are used in my invention...”；图1说明了一个由同心环形线条阵列组成的莫尔光栅。在具体实施中，这种光栅被制作在掩模（对应于“第一透明晶片”的类比物）上，用于对准（见第4栏第10-15行，掩模21上形成光栅11）。 | 对比文件明确公开了使用由同心环带（concentric annular lines）组成的莫尔光栅作为对准标记。虽然对比文件中的载体是“掩模”而非明确为“透明晶片”，但在光刻领域，掩模通常由透明衬底（如石英）和不透明图案构成，其用于对准的部分（光栅）是透明的线条图案，本领域技术人员可以理解其为一种设置于透明载体上的对准标记。该标记在对比文件中的作用是用于精确对准，与目标专利中第一对准标记的作用相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征E：及第二对准标记，其设置于所述第二透明晶片上，所述第二对准标记包括与所述第一组同心环带互补且定位于所述第二透镜阵列中的第二透镜周围的第二组同心环带<br>**《直接公开》** | 说明书第3栏第58-60行：“To align a mask with a substrate, I align a moire grating on the mask with a similar moire grating at a corresponding location on the substrate.”；第4栏第41-45行：在衬底（对应于“第二透明晶片”的类比物）上形成与掩模光栅对应的光栅。第5栏第48-52行描述了两个光栅具有不同的间距（pitch），从而产生莫尔效应。 | 对比文件明确公开了在衬底（如硅片）上设置与掩模上的光栅（第一对准标记）对应的、相似但具有不同间距的同心环带光栅（第二对准标记）。这种不同间距的设置使得两者在重叠时能够产生莫尔条纹，即构成“互补”关系。该标记在对比文件中的作用是与掩模上的标记配合实现对准，与目标专利中第二对准标记的作用相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征F：，所述第一透镜与所述第二透镜形成一个透镜对，其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。<br>**《直接公开》** | 说明书第6栏第1-7行：“When the centers are finally aligned, the moire pattern comprises a set of concentric fringes...” (对准时的图案)；第5栏第55-60行：“When this degree of alignment is achieved, a moire pattern is formed by the two gratings.”；以及全文多处描述未对准时会产生莫尔条纹（moire fringes），例如第2栏第26-30行、第5栏第53-55行。图5展示了对准时的莫尔图案。 | 对比文件的核心就是利用具有不同间距的两组同心环带光栅，在对准时产生特定的同心条纹图案（即“实心环带”的视觉效果），在未对准时产生明显的莫尔条纹（即“波纹效应”）。对比文件详细描述了这一现象并将其用于视觉或自动对准。虽然特征F的前半句关于“透镜对”未被公开，但后半句关于两组互补同心环带在对准和未对准时产生的视觉效果已被对比文件充分且明确地公开，且作用完全相同：作为对准判断的依据。因此，该部分技术特征被直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述第一透镜、所述第二透镜及在所述开口阵列中的开口周围的所述隔片材料的一部分形成具有光轴的透镜堆叠。<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“透镜”、“透镜堆叠”或“光轴”。 | 特征G限定了由透镜和隔片构成的具有光轴的光学堆叠结构，这是目标专利作为光学器件（晶片级摄像机）的核心。对比文件涉及半导体光刻，其对准对象是掩模和平面衬底，不涉及任何透镜光学元件或堆叠光轴的概念。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征H：其进一步包括分束器层，所述分束器层设置于所述第一对准标记的第一平面与所述第二对准标记的第二平面之间的光学路径中心点处。<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“分束器层”（beamsplitter layer）。 | “分束器层”是目标专利解决同时观察两个对准标记难题的关键创新部件。对比文件解决类似问题（无法同时聚焦）的方案是利用莫尔图案的非定域性（第8栏第1-5行），即莫尔图案在掩模和衬底处都能被聚焦观察到，因此无需分束器。两种技术方案原理不同。对比文件完全没有公开分束器层这一结构特征。 |
| 技术特征I：其中所述第一组同心环带及所述第二组同心环带具有5μm的线厚度。<br>**《隐含公开》** | 说明书第2栏第63-67行：“The gratings I have used in my invention have a pitch of approximately four or eight microns.”；第1栏第56-58行：“Typically, each of the lines of the grating has the same width, and the spacing between each pair of adjacent lines is the same and equal to the width of a line. The pitch of the grating is. therefore twice the width of one line...” | 对比文件明确定义了光栅的间距（pitch）为一条线宽度的两倍。当公开了间距为4或8微米时，本领域技术人员能够毫无疑义地推导出线宽度分别为2微米或4微米。虽然具体数值（2或4微米）与目标专利的“5μm”不同，但“具有特定线厚度”这一技术特征本身已被公开。线厚度的具体数值是设计选择，本领域技术人员可以根据需要调整光栅参数（包括线宽）以实现莫尔对准，因此对比文件隐含公开了“同心环带具有特定线厚度”这一特征。 |
| 技术特征J：第三透明晶片，其包含第三透镜阵列<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“第三透明晶片”或“第三透镜阵列”。 | 同特征A、B，对比文件未涉及任何透镜阵列结构。特征J是目标专利中多层堆叠的扩展，对比文件未公开。 |
| 技术特征K：第二隔片晶片，其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“第二隔片晶片”或用于容纳透镜的“开口阵列”。 | 同特征C，对比文件未公开作为独立结构部件的隔片晶片。 |
| 技术特征L：及第三对准标记，其设置于所述第三透明晶片上，所述第三对准标记包括与所述第一组同心环带及所述第二组同心环带互补且定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记，所述第三透镜与所述第一透镜及所述第二透镜形成光学堆叠。<br>**《未公开》** | 对比文件提到了在多个掩模（如掩模21, 22, 23）上形成光栅，用于分步光刻时的对准（见第4栏至第5栏）。例如，第5栏第15-20行提到在衬底上形成新的光栅记录，用于与后续掩模对准。 | 对比文件确实公开了在多步工艺中使用多个对准标记（光栅）的概念。然而，特征L明确限定了该第三对准标记是“设置于第三透明晶片上”、“位于第三透镜周围”并与前两个透镜“形成光学堆叠”。对比文件中的多个光栅是分布在不同的光刻掩模上，用于在平面衬底上顺序形成图案，而非设置在不同的、包含透镜阵列的透明晶片上以构成一个共光轴的光学堆叠。两者的应用场景和结构关系本质不同。因此，对比文件未公开该特定技术特征。 |
| 技术特征M：其进一步包括：第三透明晶片，其包含第三透镜阵列<br>**《未公开》** | 同特征J。 | 同特征J，未公开。 |
| 技术特征N：第二隔片晶片，其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料<br>**《未公开》** | 同特征K。 | 同特征K，未公开。 |
| 技术特征O：第三对准标记，其设置于所述第三透明晶片上，所述第三对准标记包括定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记，所述第三透镜与所述第二透镜阵列中的第四透镜形成一对<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“透镜阵列”或“透镜对”。 | 该特征涉及透镜阵列内部的具体配对关系，对比文件完全没有涉及透镜结构，因此未公开。 |
| 技术特征P：第四对准标记，其设置于所述第二透明晶片上，所述第四对准标记包括与所述第三组重复标记互补且定位于所述第四透镜周围的第四组重复标记。<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及在同一个晶片（对应于“第二透明晶片”）上设置与另一晶片上标记互补的、且围绕特定透镜的标记。对比文件中的互补标记位于掩模和衬底这两个不同的物体上。 | 特征P描述了在同一个晶片（第二透明晶片）上设置另一个对准标记（第四对准标记），用于与第三晶片上的标记配对。这种在中间晶片上设置两组不同对准标记以分别与上下晶片对准的配置，与对比文件中简单的“掩模-衬底”二元对准关系不同。对比文件未公开这种特定的标记布局配置。 |
| 技术特征Q：将第一组同心环带安置于第一透明晶片的第一透镜阵列中的第一透镜周围<br>**《未公开》** | 对比文件公开了在掩模上形成同心环带光栅（见特征D的引用），但未提及“透镜阵列”或“透镜周围”。 | 对比文件虽然公开了安置同心环带，但安置的位置载体（掩模）和目的环境（无透镜阵列）与目标专利权利要求中限定的“第一透镜阵列中的第一透镜周围”不同。后者限定了对准标记与透镜的特定位置关系，这是对比文件未公开的。 |
| 技术特征R：将第二组同心环带安置于第二透明晶片的第二透镜阵列中的第二透镜周围，所述第二组同心环带与所述第一组同心环带互补<br>**《未公开》** | 同特征Q和E。对比文件公开了在衬底上安置互补同心环带，但未提及“第二透镜阵列”或“第二透镜周围”。 | 同理，对比文件未公开对准标记与透镜的位置关系。 |
| 技术特征S：通过所述第一透明晶片及所述第一组同心环带来检视所述第二组同心环带<br>**《隐含公开》** | 说明书第5栏第48-52行：“To align the second photolithographic mask with the substrate...alignment between mask and substrate is achieved by moving alignment tool 51 so that one of the gratings 11 on the substrate is under the corresponding moire grating 12 of the second mask. When this degree of alignment is achieved, a moire pattern is formed by the two gratings.” 该过程必然涉及通过上方的掩模（及上面的光栅）来观察下方衬底上的光栅。 | 对比文件描述的对准过程是：将带有光栅的掩模（对应第一透明晶片及第一组同心环带）置于衬底（对应第二透明晶片）上方，然后观察两者重叠形成的莫尔图案。这必然隐含了“通过第一透明晶片及第一组同心环带来检视第二组同心环带”这一步骤。虽然对比文件的掩模可能不完全透明于所有光，但其用于形成莫尔图案的光栅部分是由透光线条构成的，本领域技术人员能够理解该检视过程。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征T：及使用所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片，其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。<br>**《直接公开》** | 说明书第2栏第26-30行：“Alignment between a particular mask and substrate is achieved...by moving the mask until a distinctive pattern of moire fringes is perceived...”；第6栏第1-7行描述了对准时的图案；以及特征F中引用的关于产生实心环带和波纹效应的内容。 | 对比文件的核心发明点就是使用两组互补同心环带的重叠产生的莫尔图案（对准时为特定同心条纹，未对准时为莫尔条纹）来将掩模与衬底对准。该方法步骤与目标专利特征T所述的对准方法在原理和效果上完全一致。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征U：其中所述检视包括捕捉所述第一组同心环带及所述第二组同心环带的图像数据，且其中所述对准包括经由硬件处理器而比较所述图像数据与至少一个模板图像以确定所述第一组同心环带与所述第二组同心环带是否对准。<br>**《隐含公开》** | 说明书第8栏第28-40行：“This implementation requires an array of photodetectors on which is imaged the moire pattern formed by the gratings, a computer to analyze the pattern and generate control signals...The computer must be capable of analyzing this input and directing the alignment tool...” | 对比文件明确公开了自动化对准的实施方案，该方案包括用光电探测器阵列对莫尔图案成像（即捕捉图像数据），并由计算机分析图案（即比较图像数据）以生成控制信号驱动对准工具。这完全对应于特征U中“捕捉图像数据”和“经由硬件处理器比较图像数据以确定是否对准”的技术方案。虽然未明确提及“模板图像”，但计算机分析图案必然涉及将捕获的图像与某种预期图案（可视为模板）进行比较判断，这是本领域技术人员能够直接且毫无疑义地推断出的。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征V：将分束器层安置于所述第一组同心环带与所述第二组同心环带之间的光学路径中心点处<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“分束器层”。 | 同特征H，分束器层是目标专利的特定构件，对比文件未公开。 |
| 技术特征W：使显微镜物镜聚焦于所述第二组同心环带上<br>**《直接公开》** | 说明书第8栏第1-5行：“...the moire pattern formed by the gratings is not localized in space and is in focus at both the mask ad the substrate. Hence, alignment can be achieved merely by focusing on the mask and aligning the moire pattern at that location.” 聚焦于掩模（其上有光栅）或衬底（其上有光栅）均被公开。 | 对比文件明确指出，由于莫尔图案的非定域性，可以通过聚焦在掩模或衬底（即承载同心环带的物体）上来进行对准。因此，“使显微镜物镜聚焦于所述第二组同心环带上”（即聚焦于承载第二组同心环带的衬底上）这一具体操作步骤已被对比文件直接公开。 |
| 技术特征X：检视所述第二组同心环带以及所述第一组同心环带经由所述分束器层的反射<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“分束器层”，因此不可能公开通过分束器层反射来检视第一组同心环带。 | 该特征依赖于分束器层这一特定部件，而对比文件未公开该部件，故整个检视方式未被公开。 |
| 技术特征Y：及使用通过所述显微镜物镜所检视的所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片。<br>**《直接公开》** | 说明书第5栏第48-55行：“...alignment between mask and substrate is achieved by moving alignment tool 51 so that one of the gratings 11 on the substrate is under the corresponding moire grating 12 of the second mask. When this degree of alignment is achieved, a moire pattern is formed by the two gratings.” 以及第2栏第26-30行。 | 对比文件明确描述了通过显微镜观察两个光栅（同心环带）重叠形成的莫尔图案，并据此移动工具以实现对准。这与特征Y描述的方法步骤完全一致。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征Z：其中所述聚焦、所述检视及所述对准由一或多个物理计算装置以编程方式执行。<br>**《直接公开》** | 说明书第8栏第28-33行：“This implementation requires an array of photodetectors on which is imaged the moire pattern...a computer to analyze the pattern and generate control signals and an automatic alignment tool.” | 对比文件明确公开了自动化的实施方案，该方案使用光电探测器（检视）、计算机（分析、控制）和自动对准工具来执行聚焦（可编程控制）、检视（成像）和对准（生成控制信号）全过程。这直接对应于特征Z的“由一或多个物理计算装置以编程方式执行”。因此，该技术特征被直接公开。 |
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