对比文件名称：US2006244519A1_Description_20260218_1759
目标专利名称：具有改进的电源噪声抑制的可变增益放大器CN108352836B
模型名称：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：包括第一栅极、第一源极、以及第一漏极的第一场效应晶体管FET，《直接公开》 | 说明书第[0018]段：“The CTF circuit 70 also includes ... input transistors 73, 74...” | 对比文件图1A（结合说明书文字描述）公开了一个差分连续时间滤波器（CTF）电路70，其中包括输入晶体管73和74。根据本领域公知常识以及图1A所示的电路结构，输入晶体管73和74必然是具有栅极、源极和漏极的场效应晶体管（FET）。因此，对比文件直接公开了第一FET。 |
| 技术特征B：其中所述第一栅极被配置成接收第一差分信号的正分量，《直接公开》 | 说明书第[0018]段：“The CTF circuit 70 ... includes input transistors 73, 74...”；图1A显示了差分输入信号连接到输入晶体管73、74的栅极。 | 对比文件图1A明确示出了差分输入信号（VINP, VINN）分别连接到输入晶体管73和74的栅极。输入晶体管73的栅极接收差分信号的一个分量（可视为正分量）。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征C：并且其中所述第一源极和所述第一漏极耦合在第一电压轨与第二电压轨之间，《直接公开》 | 说明书第[0018]段：“...input transistors 73, 74, and a current source transistor 75.”；图1A显示了输入晶体管73的源极连接到电流源晶体管75，漏极通过负载阻抗（电阻71a和电感72a）连接到电源VDD。 | 在对比文件图1A的电路中，输入晶体管73的漏极通过负载电阻71a和电感72a连接到电源VDD（第一电压轨），其源极连接到电流源晶体管75的漏极，而电流源晶体管75的源极连接到地VSS（第二电压轨）。因此，输入晶体管73的源极和漏极通过负载和电流源耦合在第一电压轨（VDD）与第二电压轨（VSS/地）之间。该特征被直接公开。 |
| 技术特征D：包括第二栅极、第二源极、以及第二漏极的第二FET，《直接公开》 | 说明书第[0018]段：“The CTF circuit 70 also includes ... input transistors 73, 74...” | 同特征A，输入晶体管74即为第二FET，具有栅极、源极和漏极。该特征被直接公开。 |
| 技术特征E：其中所述第二栅极被配置成接收所述第一差分信号的负分量，《直接公开》 | 说明书第[0018]段及图1A。 | 对比文件图1A明确示出了差分输入信号的另一个分量（VINN）连接到输入晶体管74的栅极，可视为负分量。该特征被直接公开。 |
| 技术特征F：，并且其中所述第二源极和所述第二漏极耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间，《直接公开》 | 说明书第[0018]段及图1A。 | 同特征C，输入晶体管74的漏极通过负载电阻71b和电感72b连接到VDD（第一电压轨），其源极连接到电流源晶体管75的漏极，电流源晶体管75的源极连接到VSS（第二电压轨）。因此，第二FET的源极和漏极也耦合在第一电压轨与第二电压轨之间。该特征被直接公开。 |
| 技术特征G：直接耦合在第三电压轨与所述第一FET的所述第一源极之间的第一电容器，《未公开》 | 说明书第[0017]、[0018]段：“...an array of N+1 programmable capacitors CLP[N:0] 77 connected in parallel at a positive output node Voutp...”，“The programmable capacitors 76, 77 are coupled to a ground voltage or a voltage VSS through switches (or transistors) MSN[N:0] 78 and switches (or transistors) MSP[N:0] 79, respectively.” | 目标专利的技术特征G要求电容器“直接耦合”在第三电压轨与FET源极之间，用于将电源噪声耦合到源极以实现噪声抑制。对比文件中，可编程电容器76、77的一端连接在输出节点（Voutp, Voutn），另一端通过开关（78, 79）连接到地或VSS（第二电压轨），而不是连接到FET的源极。其作用是通过调整连接到输出节点的电容来设置滤波器带宽，与目标专利中为了噪声抑制而将噪声耦合到FET源极的作用完全不同。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开此特征。 |
| 技术特征H：以及直接耦合在所述第三电压轨与所述第二FET的所述第二源极之间的第二电容器，《未公开》 | 同特征G引用。 | 同理，对比文件中的电容器76、77并非直接耦合在电压轨与第二FET的源极之间，连接位置和作用均不同。该特征未被公开。 |
| 技术特征I：，其中所述第一电压轨处的第一电源电压和所述第三电压轨处的第二电源电压两者都是基于第四电压轨来生成的。《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件仅提及了电源电压VDD和地VSS，未提及存在基于另一个第四电压轨生成的、分别提供给第一和第三电压轨的两个不同电源电压。该特征未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述第一差分信号的所述正分量和所述负分量是基于所述第一电压轨处的所述第一电源电压的。《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件没有描述其差分输入信号VINP、VINN是基于电源电压VDD生成的。目标专利中此特征与噪声抑制机制相关（噪声同时出现在栅极和源极），但对比文件未涉及此内容。该特征未被公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，进一步包括前级电路，所述前级电路配置成基于输入信号来生成所述第一差分信号的所述正分量和所述负分量。《未公开》 | 说明书第[0021]段：“...several VGA-CTF stages cascaded one after another as shown in FIG. 2.”；图2、4显示了多级级联结构。 | 对比文件图2、4确实公开了多级（VGA-CTF）级联的结构，前一级的输出可以作为后一级的输入。然而，目标专利中的“前级电路”是特指用于生成基于特定电源电压（如第一电压轨）的差分信号，以配合后续的噪声抑制结构。对比文件中的多级结构是为了实现增益和带宽调整，并未公开前级电路生成的信号是基于特定电源电压以用于噪声抑制的目的。因此，该特征在作用上未被公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述第一电压轨处的所述第一电源电压包括比所述第三电压轨处的所述第二电源电压大的电源噪声。《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件完全没有提及或暗示不同电压轨之间存在电源噪声大小的差异。这是目标专利为了实现电源噪声抑制而提出的特定技术情境。该特征未被公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，进一步包括：耦合在所述第三电压轨与所述第二电压轨之间的分压器，其中所述分压器被配置成生成偏置电压，其中所述第一电容器和所述第二电容器分别包括基于所述偏置电压的第一电容和第二电容。《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件中不存在连接在电压轨之间的分压器，也未提及通过分压器生成的偏置电压来设置电容器的电容值。该特征未被公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，所述第一电容器和第二电容器分别包括第一可变电容器和第二可变电容器。《直接公开》 | 说明书第[0017]段：“...an array of N+1 programmable capacitors CLP[N:0] 77...”，“...programmable capacitors CLN[N:0] 76...”；图7、8。 | 对比文件明确公开了可编程电容器阵列76、77（CLN, CLP），并且通过开关（图7的410，图8的510）控制电容是否接入电路，从而实现可变的电容值。这直接公开了可变电容器。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述第一电容器包括配置成选择性地耦合在所述第三电压轨与所述第一FET的所述第一源极之间的第一组电容路径，所述第二电容器包括配置成选择性地耦合在所述第三电压轨与所述第二FET的所述第二源极之间的第二组电容路径。《直接公开》 | 说明书第[0025]段及图7、8：“...a plurality of switchable capacitors 420a, 420b, 420c, 420d, etc...”，“...switchable capacitor structure 500... includes a control voltage VCONT coupled to a gate of a switching transistor 510. An electrode ... of the switching transistor 510 is in turn coupled to a capacitor 520... to selectively switch the capacitor 520 ON or OFF.” | 对比文件图7、8公开了通过开关晶体管（510）选择性地将电容器（520）接入电路的“可开关电容器”结构。虽然这些可开关电容器在对比文件中是连接在输出节点与地/VSS之间（而非FET源极与第三电压轨之间），但其“配置成选择性地耦合”的结构特征已被公开。即，对比文件公开了“一组可通过开关选择性地耦合在两点之间的电容路径”这一技术手段。 |
| 技术特征P：其特征在于，进一步包括耦合在所述第一FET的所述第一源极与所述第二FET的所述第二源极之间的电阻器。《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件的图1A、1B等电路中，两个输入晶体管（73, 74）的源极共同连接至电流源晶体管75，它们之间没有耦合电阻器。该特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其特征在于，进一步包括：耦合在所述第一电压轨与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一电阻器，《直接公开》 | 说明书第[0018]段及图1A：“The CTF circuit 70 also includes load resistors 71a, 71b...” | 对比文件图1A明确示出负载电阻器71a连接在电源电压VDD（第一电压轨）与输入晶体管73（第一FET）的漏极之间。该特征被直接公开。 |
| 技术特征R：耦合在所述第一电压轨与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二电阻器，《直接公开》 | 说明书第[0018]段及图1A：“The CTF circuit 70 also includes load resistors 71a, 71b...” | 对比文件图1A明确示出负载电阻器71b连接在电源电压VDD（第一电压轨）与输入晶体管74（第二FET）的漏极之间。该特征被直接公开。 |
| 技术特征S：其中第二差分信号的负分量是在所述第一电阻器与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一节点处生成的，《直接公开》 | 说明书第[0017]段及图1A：“...connected in parallel at a positive output node Voutp and an array of N+1 programmable capacitors CLN[N:0] 76 connected in parallel at a negative output node Voutn...” | 对比文件图1A中，输出节点Voutn（负输出节点）位于负载电阻71a与输入晶体管73漏极的连接点处。该节点生成差分输出的负分量。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征T：以及其中所述第二差分信号的正分量是在所述第二电阻器与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二节点处生成的。《直接公开》 | 说明书第[0017]段及图1A。 | 对比文件图1A中，输出节点Voutp（正输出节点）位于负载电阻71b与输入晶体管74漏极的连接点处。该节点生成差分输出的正分量。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征U：其特征在于，进一步包括：包括第三栅极、第三源极、以及第三漏极的第三FET，其中所述第三栅极被配置成接收配置成设置经过所述第三FET的第一电流的偏置电压，并且其中，所述第三源极和所述第三漏极与所述第一FET的所述第一源极和所述第一漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间，《直接公开》 | 说明书第[0018]段及图1A：“... and a current source transistor 75. The current source transistor 75 receives a bias voltage VBIAS at its gate.” | 对比文件图1A中的电流源晶体管75是一个FET，其栅极接收偏置电压VBIAS以设置流经它的电流。该晶体管75的源极和漏极与输入晶体管73、74的源极和漏极串联耦合在VDD（通过负载）和VSS（地）之间。具体地，晶体管75的漏极连接两个输入晶体管73、74的源极，其源极接地。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征V：以及包括第四栅极、第四源极、以及第四漏极的第四FET，其中所述第四栅极被配置成接收配置成设置经过所述第四FET的第二电流的所述偏置电压，并且其中，所述第四源极和所述第四漏极与所述第二FET的所述第二源极和所述第二漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间。《直接公开》 | 说明书第[0018]段及图1A。 | 对比文件图1A中，两个输入晶体管73和74共享同一个电流源晶体管75。因此，不存在一个独立的“第四FET”作为第二个电流源。然而，本领域技术人员可以毫无疑义地理解，在差分放大器的标准架构中，两个差分对管可以共用一个尾电流源（如图1A所示），也可以各自使用独立的电流源。采用独立电流源是公知的替代方案。但从“直接公开”的严格角度看，对比文件图1A没有公开独立的第四FET。但基于本领域的公知常识，为了实现相同的提供偏置电流的功能，将共用的电流源拆分为两个独立的、由相同偏置电压控制的电流源FET，是显而易见的等同替换。因此，该特征可以被认为是“等同公开”。但根据用户指示的规则，等同公开属于直接公开的一种。因此，该特征被判断为《直接公开》。 |
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