对比文件名称：US9035700B2_Description_20260218_1811
目标专利名称：具有改进的电源噪声抑制的可变增益放大器CN108352836B
模型名称：DeepSeek最新版模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括第一栅极、第一源极、以及第一漏极的第一场效应晶体管FET，《直接公开》 | 第[0079]段：The variable gain amplifier 100a shown in FIG. 8 includes the transistors 110p and 110n... The transistor 110p serving as an amplifying element... | 对比文件图8及相应文字说明公开了包括晶体管110p的放大器，该晶体管具有栅极、源极和漏极端子。在本领域，MOSFET（如对比文件所述）是FET的一种具体类型，因此对比文件直接公开了“包括第一栅极、第一源极、以及第一漏极的第一场效应晶体管FET”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：其中所述第一栅极被配置成接收第一差分信号的正分量，《直接公开》 | 第[0079]段：...input terminals 170p and 170n... The transistor 110p serving as an amplifying element receives a differential input signal serving as one of signals respectively input to a differential pair... | 对比文件明确其放大器为差分输入（differential input signal），晶体管110p接收差分对中的一个信号。在差分对中，输入到晶体管110p的信号即为差分信号的正分量。因此，对比文件直接公开了第一栅极被配置为接收第一差分信号的正分量。 |
| **技术特征C**：并且其中所述第一源极和所述第一漏极耦合在第一电压轨与第二电压轨之间，《直接公开》 | 第[0079]段：...the source terminal of the transistor 110p and the reference electric-potential (ground). ...the drain terminal of the transistor 110p and the power supply terminal 190p. | 对比文件说明晶体管110p的源极通过源阻抗部分130p连接到参考电位（地，即第二电压轨），漏极通过漏阻抗部分140p连接到电源终端190p（即第一电压轨）。因此，晶体管110p的源极和漏极耦合在第一电压轨（电源）与第二电压轨（地）之间。该特征被直接公开。 |
| **技术特征D**：包括第二栅极、第二源极、以及第二漏极的第二FET，《直接公开》 | 第[0079]段：The variable gain amplifier 100a shown in FIG. 8 includes the transistors 110p and 110n... The transistor 110n serving as an amplifying element... | 对比文件图8及相应文字说明公开了包括晶体管110n（作为差分对的另一晶体管）的放大器。因此，对比文件直接公开了“包括第二栅极、第二源极、以及第二漏极的第二FET”这一技术特征。 |
| **技术特征E**：其中所述第二栅极被配置成接收所述第一差分信号的负分量，《直接公开》 | 第[0079]段：...input terminals 170p and 170n... The transistor 110n serving as an amplifying element receives a differential input signal serving as one of signals respectively input to a differential pair, the other of which is an input signal to be input to the gate terminal of the transistor 110p. | 对比文件说明晶体管110n接收差分对中的另一个信号。结合晶体管110p接收一个信号，可以明确晶体管110n的栅极被配置为接收所述差分信号的负分量。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征F**：，并且其中所述第二源极和所述第二漏极耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间，《直接公开》 | 第[0079]段：...the source terminal of the transistor 110n and the reference electric-potential (ground). ...the drain terminal of the transistor 110n and the power supply terminal 190n. | 对比文件说明晶体管110n的源极通过源阻抗部分130n连接到参考电位（地），漏极通过漏阻抗部分140n连接到电源终端190n（或190p，通常为同一电源轨）。因此，晶体管110n的源极和漏极同样耦合在第一电压轨（电源）与第二电压轨（地）之间。该特征被直接公开。 |
| **技术特征G**：直接耦合在第三电压轨与所述第一FET的所述第一源极之间的第一电容器，《未被公开》 | 第[0079]段：The source impedance section 130p includes a resistor 131p and a variable capacitor 135p and to be connected between the source terminal of the transistor 110p and the reference electric-potential (ground). | 对比文件中，可变电容器135p的一端连接至晶体管110p的源极，但另一端连接至参考电位（地），即第二电压轨，而非目标专利中定义的“第三电压轨”。目标专利的第三电压轨可以是第一电压轨或另一个独立的电压轨，用于耦合噪声。对比文件的连接方式和目的（设置源极阻抗以控制频率特性）与目标专利（将特定电压轨的噪声耦合到源极以进行噪声抑制）不同。因此，该特征未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征H**：以及直接耦合在所述第三电压轨与所述第二FET的所述第二源极之间的第二电容器，《未被公开》 | 第[0079]段：The source impedance section 130n includes a resistor 131n and a variable capacitor 135n and to be connected between the source terminal of the transistor 110n and the reference electric-potential (ground). | 同理，可变电容器135n连接在晶体管110n的源极与地（第二电压轨）之间，而非目标专利的“第三电压轨”。连接关系和功能目的均不同。因此，该特征未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征I**：，其中所述第一电压轨处的第一电源电压和所述第三电压轨处的第二电源电压两者都是基于第四电压轨来生成的。《未被公开》 | 无相关内容。 | 对比文件全文仅提及电源终端（190p, 190n）和参考电位（地），未描述存在基于另一个第四电压轨生成的第一和第三电压轨，也未公开任何电压轨之间的生成关系。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第一差分信号的所述正分量和所述负分量是基于所述第一电压轨处的所述第一电源电压的。《未被公开》 | 无相关内容。 | 对比文件描述了输入差分信号由输入终端170p/170n提供，但未明确说明这些差分信号的生成是否基于、如何基于电源终端190p/190n处的电源电压。目标专利中此特征是为了与前级电路配合实现噪声抵消。对比文件未公开此特定关联。因此，该特征未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，进一步包括前级电路，所述前级电路配置成基于输入信号来生成所述第一差分信号的所述正分量和所述负分量。《未被公开》 | 无相关内容。 | 对比文件中的输入信号直接由外部输入终端170p/170n提供，说明书未记载或暗示存在一个专门用于基于另一输入信号来生成所述差分信号的“前级电路”。因此，该特征未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第一电压轨处的所述第一电源电压包括比所述第三电压轨处的所述第二电源电压大的电源噪声。《未被公开》 | 无相关内容。 | 对比文件全文未涉及对不同电压轨上的电源噪声进行比较或描述。该特征是关于噪声抑制方案的特定前提条件，对比文件中完全没有提及。因此，该特征未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，进一步包括：耦合在所述第三电压轨与所述第二电压轨之间的分压器，其中所述分压器被配置成生成偏置电压，其中所述第一电容器和所述第二电容器分别包括基于所述偏置电压的第一电容和第二电容。《未被公开》 | 无相关内容。 | 对比文件中未描述任何耦合在电源轨（或第三电压轨）与地之间的分压器结构，也未提及通过分压器生成的偏置电压来控制电容器的电容值。其可变电容器的控制由频率特性控制器160根据增益参数实现。因此，该特征未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述第一电容器和第二电容器分别包括第一可变电容器和第二可变电容器。《直接公开》 | 第[0079]段：The source impedance section 130p includes a resistor 131p and a **variable capacitor** 135p... The source impedance section 130n includes a resistor 131n and a **variable capacitor** 135n... | 对比文件明确记载源阻抗部分130p和130n中分别包含可变电容器（variable capacitor）135p和135n。因此，“第一电容器和第二电容器分别包括第一可变电容器和第二可变电容器”这一特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第一电容器包括配置成选择性地耦合在所述第三电压轨与所述第一FET的所述第一源极之间的第一组电容路径，所述第二电容器包括配置成选择性地耦合在所述第三电压轨与所述第二FET的所述第二源极之间的第二组电容路径。《直接公开》 | 第[0060]段及图5：...the variable capacitor 135 includes parallel-connected plural pairs each consisting of, e.g., a switch and a capacitor, which are series-connected. FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a circuit configuration of the variable capacitor of the source impedance section. | 对比文件图5及其说明明确公开了可变电容器135（对应于135p/135n）由多个并联的、各自由开关和电容器串联组成的路径构成，通过控制开关可以实现电容路径的选择性耦合。虽然对比文件中这些路径耦合在源极与地之间，但“选择性耦合的电容路径组”这一电容器实现结构已被直接公开。该特征属于结构特征，其连接目标（第三电压轨）的不同不影响该结构本身的公开性。 |
| **技术特征P**：其特征在于，进一步包括耦合在所述第一FET的所述第一源极与所述第二FET的所述第二源极之间的电阻器。《直接公开》 | 第[0080]段及图9：In the variable gain amplifier 100b... a source impedance section 130pn is connected between the source terminals of the transistors 110p and 110n... The source impedance section 130pn includes a resistor 131pn... | 对比文件图9及相应描述公开了在差分对晶体管110p和110n的源极之间连接有源阻抗部分130pn，其中包含电阻器131pn。这直接公开了“耦合在所述第一FET的所述第一源极与所述第二FET的所述第二源极之间的电阻器”这一技术特征。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，进一步包括：耦合在所述第一电压轨与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一电阻器《直接公开》 | 第[0079]段及图8：The drain impedance section 140p includes a resistor 141p and to be connected between the drain terminal of the transistor 110p and the power supply terminal 190p. | 对比文件图8及相应文字明确说明漏阻抗部分140p包括电阻器141p，并连接在晶体管110p的漏极和电源终端190p（第一电压轨）之间。这直接公开了“耦合在所述第一电压轨与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一电阻器”。 |
| **技术特征R**：耦合在所述第一电压轨与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二电阻器《直接公开》 | 第[0079]段及图8：The drain impedance section 140n includes a resistor 141n and to be connected between the drain terminal of the transistor 110n and the power supply terminal 190n. | 同理，对比文件图8及相应文字明确说明漏阻抗部分140n包括电阻器141n，并连接在晶体管110n的漏极和电源终端190n（第一电压轨）之间。这直接公开了“耦合在所述第一电压轨与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二电阻器”。 |
| **技术特征S**：其中第二差分信号的负分量是在所述第一电阻器与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一节点处生成的《直接公开》 | 第[0079]段及图8：...output terminals 180p and 180n... Then, the transistor 110n amplifies the received signal and outputs the amplified differential input signal to the output terminal 180n. | 对比文件图8显示，输出终端180n连接在电阻器141n和晶体管110n的漏极之间。在差分放大器中，从该节点输出的信号即为输出差分信号的一个分量。结合上下文，晶体管110n处理的是差分输入信号的一个分量（如负分量），其输出通常对应输出差分信号的另一个分量（如负分量）。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定，在电阻器141n与晶体管110n漏极之间的节点（输出终端180n）生成了输出差分信号的一个分量（对应于目标专利的第二差分信号的负分量）。该特征被直接公开。 |
| **技术特征T**：以及其中所述第二差分信号的正分量是在所述第二电阻器与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二节点处生成的。《直接公开》 | 第[0079]段及图8：...output terminals 180p and 180n... | 同理，对比文件图8显示，输出终端180p连接在电阻器141p和晶体管110p的漏极之间。晶体管110p处理差分输入信号的正分量，其输出节点（输出终端180p）生成输出差分信号的正分量。因此，“第二差分信号的正分量是在所述第二电阻器与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二节点处生成的”这一特征被直接公开。 |
| **技术特征U**：其特征在于，进一步包括：包括第三栅极、第三源极、以及第三漏极的第三FET，其中所述第三栅极被配置成接收配置成设置经过所述第三FET的第一电流的偏置电压，并且其中，所述第三源极和所述第三漏极与所述第一FET的所述第一源极和所述第一漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间《未被公开》 | 第[0080]段及图9：A current source ISp is connected to the source terminal of the transistor 110p. | 对比文件图9展示了另一种配置，其中晶体管110p的源极连接有电流源ISp。然而，对比文件并未明确公开该电流源ISp是由一个FET（第三FET）实现的，也未公开该FET的栅极接收用于设置电流的偏置电压。图9中使用的是理想电流源符号。虽然在本领域实践中，电流源常用FET实现，但对比文件说明书文字和附图均未揭示这一具体实现细节。因此，该特征未被直接公开。基于对比文件公开的理想电流源符号，本领域技术人员也无法必然地、毫无疑义地推理出其一定由FET构成并具有所述连接关系，故亦未被隐含公开。 |
| **技术特征V**：以及包括第四栅极、第四源极、以及第四漏极的第四FET，其中所述第四栅极被配置成接收配置成设置经过所述第四FET的第二电流的所述偏置电压，并且其中，所述第四源极和所述第四漏极与所述第二FET的所述第二源极和所述第二漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间。《未被公开》 | 第[0080]段及图9：A current source ISn is connected to the source terminal of the transistor 110n. | 同理，对比文件图9中晶体管110n的源极连接有电流源ISn，但未公开其由第四FET实现及具体的偏置电压接收和串联耦合关系。因此，该特征未被直接公开，也未被隐含公开。 |
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