**对比文件名称**：US5856891A_Description_20260218_1800
**目标专利名称**：具有改进的电源噪声抑制的可变增益放大器CN108352836B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek
根据目标专利说明书及权利要求，结合对比文件US5856891A的内容，现对技术特征的公开性进行逐一分析如下：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括第一栅极、第一源极、以及第一漏极的第一场效应晶体管FET，<br>**《直接公开》** | “...transistor Q11...”（参见附图及说明书，互补晶体管电路22包括晶体管Q11） | 对比文件公开了互补晶体管电路22，其中包含晶体管Q11。在半导体领域，双极型晶体管（BJT）的基极、发射极、集电极分别对应于FET的栅极、源极、漏极的功能。因此，晶体管Q11作为第一晶体管，其具有基极（对应栅极）、发射极（对应源极）和集电极（对应漏极），该特征被直接公开。 |
| **技术特征B**：其中所述第一栅极被配置成接收第一差分信号的正分量，<br>**《未直接公开》** | “The base of transistor Q7 is connected to the positive voltage supplied from bias circuit 12 on voltage bus 28...”（说明书第8栏第58-60行）<br>“...the voltage on bus 28 is equal to the voltage at the emitter of transistor Q11.”（说明书第9栏第1-2行） | 对比文件中，晶体管Q11（对应于第一FET）的基极（栅极）连接到电压总线28，该总线上提供的是来自偏置电路12的低噪声正电压（I1·R1），这是一个固定的偏置电压，用于设置输出电平。目标专利中，第一栅极接收的是“第一差分信号的正分量”，这是一个需要被放大的时变信号。两者作用不同：对比文件中的电压是静态偏置，而目标专利中是动态输入信号。因此，该特征未被直接公开。本领域技术人员也无法从对比文件公开的固定偏置电压毫无疑义地或通过合理推理得出其用作差分输入信号的正分量。 |
| **技术特征C**：并且其中所述第一源极和所述第一漏极耦合在第一电压轨与第二电压轨之间<br>**《直接公开》** | “...provides bias currents to the respective MR head connected between terminals 32 and 34.”（说明书第4栏第65行-第5栏第1行）<br>“Resistors R5 and R6 are preferably selected to have values significantly greater than the resistance of RMR...”（说明书第9栏第15-17行）<br>（结合附图可知，晶体管Q11的发射极（源极）通过R5连接到终端32，其集电极（漏极）连接到正电源抑制电路18，并最终连接到正电源VCC；构成了在第一电压轨（VCC）与第二电压轨（终端32/接地参考点）之间的耦合路径） | 对比文件中，晶体管Q11的发射极（源极）通过电阻R5连接到MR头的一端（终端32），其集电极（漏极）通过电源抑制电路18连接到正电源VCC。MR头另一端（终端34）通过电阻R6连接到负电源VEE。整个回路（VCC -> Q11 -> R5 -> RMR -> R6 -> Q12 -> VEE）构成了在第一电压轨（VCC）与第二电压轨（VEE/接地参考）之间的电流路径。因此，Q11的源极和漏极耦合在第一电压轨（VCC）与第二电压轨（终端32/接地参考）之间，该特征被直接公开。 |
| **技术特征D**：包括第二栅极、第二源极、以及第二漏极的第二FET，<br>**《直接公开》** | “...transistor Q12...”（参见附图及说明书，互补晶体管电路22包括晶体管Q12） | 对比文件公开了互补晶体管电路22，其中包含与Q11配对的晶体管Q12。晶体管Q12作为第二晶体管，其具有基极（对应栅极）、发射极（对应源极）和集电极（对应漏极），该特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：其中所述第二栅极被配置成接收所述第一差分信号的负分量<br>**《未直接公开》** | “...the base of transistor Q8 is connected to the negative voltage supplied from bias circuit 12 on voltage bus 30.”（说明书第8栏第60-62行）<br>“...the voltage on bus 30 and the voltage at the emitter of transistor Q12 are equal.”（说明书第9栏第2-3行） | 对比文件中，晶体管Q12（对应于第二FET）的基极（栅极）连接到电压总线30，该总线上提供的是来自偏置电路12的低噪声负电压（-I2·R2），这是一个固定的偏置电压。目标专利中，第二栅极接收的是“第一差分信号的负分量”，这是一个需要被放大的时变信号。两者作用不同。因此，该特征未被直接公开。本领域技术人员也无法从对比文件公开的固定偏置电压毫无疑义地或通过合理推理得出其用作差分输入信号的负分量。 |
| **技术特征F**：，并且其中所述第二源极和所述第二漏极耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间<br>**《直接公开》** | （结合附图可知，晶体管Q12的发射极（源极）通过R6连接到终端34，其集电极（漏极）连接到负电源抑制电路20，并最终连接到负电源VEE；构成了在第一电压轨（VCC/通过整个回路）与第二电压轨（VEE/接地参考）之间的耦合路径） | 与特征C同理，晶体管Q12的发射极（源极）通过电阻R6连接到MR头的另一端（终端34），其集电极（漏极）通过电源抑制电路20连接到负电源VEE。Q12是串联在从VCC经Q11、RMR到VEE回路中的一部分。因此，Q12的源极和漏极也耦合在第一电压轨（VCC）与第二电压轨（VEE/接地参考）之间，该特征被直接公开。 |
| **技术特征G**：直接耦合在第三电压轨与所述第一FET的所述第一源极之间的第一电容器<br>**《未直接公开》** | “The capacitive coupling between transistor Q11 and the positive power supply VCC is near zero at all frequencies, because the voltage across the base-collector capacitance of transistor Q11 is maintained at zero.”（说明书第10栏第5-8行） | 对比文件提及了晶体管Q11的基极-集电极电容（寄生电容）上的电压被维持为零，以实现高电源抑制比。但这描述的是晶体管内部寄生电容的特性，而非一个外部“直接耦合”在某个电压轨与FET源极之间的分立“电容器”。目标专利中的第一电容器是外部连接的有意为之的元件，用于将电源噪声耦合到FET源极以实现噪声抵消。两者在结构、位置和作用上均不相同。因此，该特征未被直接公开，对比文件也未提供任何可合理推断出此结构的内容。 |
| **技术特征H**：以及直接耦合在所述第三电压轨与所述第二FET的所述第二源极之间的第二电容器<br>**《未直接公开》** | “The capacitive coupling between transistor Q12 and the negative power supply VCC is near zero at all frequencies, because the voltage across the base-collector capacitance of transistor Q12 is maintained at zero.”（说明书第10栏第24-27行） | 同理于特征G，对比文件提及的是晶体管Q12的内部寄生电容，而非一个外部“直接耦合”在某个电压轨与FET源极之间的分立“第二电容器”。目标专利中的第二电容器是外部元件。因此，该特征未被直接公开，对比文件也未提供任何可合理推断出此结构的内容。 |
| **技术特征I**：，其中所述第一电压轨处的第一电源电压和所述第三电压轨处的第二电源电压两者都是基于第四电压轨来生成的。<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件公开了正电源VCC和负电源VEE，但没有提及存在一个“第三电压轨”，更没有说明第一电源电压（VCC）和第三电压轨的第二电源电压都基于一个共同的“第四电压轨”生成。目标专利的此特征描述了特定的电源生成架构（例如图5中的Vdd和Vreg均基于Vcc生成）。对比文件中完全没有涉及此内容。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第一差分信号的所述正分量和所述负分量是基于所述第一电压轨处的所述第一电源电压的。<br>**《未直接公开》** | “The positive output voltage of the complementary transistor circuit 22 is equal to the positive voltage supplied on voltage bus 28 (I1·R1)... Similarly, the negative output voltage of the complementary transistor circuit 22 is equal to the negative voltage supplied on voltage bus 30 (--I2·R2)...”（说明书第9栏第4-8行） | 对比文件中，施加到晶体管Q11和Q12基极（对应栅极）的电压是来自偏置电路的固定偏置电压（总线28和30上的电压），这些电压是基于电流源I1/I2和电阻R1/R2生成的，而非基于电源电压轨VCC或VEE。这与目标专利中差分信号分量“基于所述第一电压轨处的所述第一电源电压”不同。目标专利强调的是信号分量包含电源噪声以实现抵消，而对比文件的偏置电压是低噪声的。因此，该特征未被直接公开，作用也不同。 |
| **技术特征K**：其特征在于，进一步包括前级电路，所述前级电路配置成基于输入信号来生成所述第一差分信号的所述正分量和所述负分量。<br>**《直接公开》** | “Positive channel select circuit 14... Negative channel select circuit 16...”（说明书第6栏第12行，第7栏第1行）<br>“...in response to a channel select signal 15...”（说明书第6栏第31行）<br>“...in response to a channel select signal 17...”（说明书第7栏第19行） | 对比文件中的“positive channel select circuit 14”和“negative channel select circuit 16”构成了一个前级电路。它们接收通道选择信号（15， 17）作为输入信号，并基于这些输入信号生成电流，这些电流被提供给互补晶体管电路22（Q11， Q12），从而影响输出到MR头的偏置电流。虽然输出是偏置电流而非直接的电压信号，但其正负分量（通过Q11和Q12的电流）是基于输入的选择信号生成的，功能上相当于一个基于输入信号生成差分分量（电流形式）的前级电路。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第一电压轨处的所述第一电源电压包括比所述第三电压轨处的所述第二电源电压大的电源噪声。<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件没有提及或比较不同电压轨上的电源噪声大小。其电源抑制电路（18， 20）的目的是使电路不受电源波动影响，而非利用不同噪声水平的电源进行噪声抵消。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，进一步包括：耦合在所述第三电压轨与所述第二电压轨之间的分压器，其中所述分压器被配置成生成偏置电压，其中所述第一电容器和所述第二电容器分别包括基于所述偏置电压的第一电容和第二电容。<br>**《直接公开》** | “This is accomplished by voltage dividing resistors R1 and R2 connected between the bases of transistors Q1 and Q2, with ground connected between resistors R1 and R2...”（说明书第6栏第4-7行） | 对比文件明确公开了由电阻R1和R2组成的分压器，该分压器连接在晶体管Q1和Q2的基极之间（即，连接在正负电压环境之间，相当于第三电压轨与第二电压轨之间），并且中间接地。该分压器用于生成施加到晶体管Q1和Q2基极的偏置电压（I1·R1 和 -I2·R2）。虽然这些偏置电压施加到的是Q1和Q2（偏置电路的一部分），而不是直接用于改变电容器的电容，但“包括分压器以生成偏置电压”这一结构特征已被直接公开。目标专利权利要求M中并未限定该偏置电压必须用于控制电容器的电容，仅描述了分压器生成偏置电压以及电容器电容“基于”该偏置电压，后者可理解为电容器在某个工作点上具有的电容值会受到其两端电压（包括可能的偏置电压）的影响。因此，分压器结构特征被直接公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述第一电容器和第二电容器分别包括第一可变电容器和第二可变电容器。<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未提及任何可变电容器。其描述的电容是晶体管内部的寄生电容。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第一电容器包括配置成选择性地耦合在所述第三电压轨与所述第一FET的所述第一源极之间的第一组电容路径，所述第二电容器包括配置成选择性地耦合在所述第三电压轨与所述第二FET的所述第二源极之间的第二组电容路径。<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未提及任何由可选电容路径组成的可变电容器组。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，进一步包括耦合在所述第一FET的所述第一源极与所述第二FET的所述第二源极之间的电阻器。<br>**《直接公开》** | “...resistors R5 and R6 flanking RMR in series”（说明书第9栏第14-15行）<br>（结合附图，电阻R5和R6分别连接在晶体管Q11的发射极与终端32、晶体管Q12的发射极与终端34之间，而终端32和34之间连接着MR头RMR。从电路拓扑看，R5的一端接Q11源极，另一端通过RMR接R6，R6另一端接Q12源极。因此，R5和RMR、R6的串联组合，等效于一个耦合在Q11源极与Q12源极之间的电阻网络，其中RMR是核心电阻。虽然目标专利是单个电阻器，而对比文件是R5、R6、RMR的组合，但本领域技术人员可以理解，在差分对的两个源极之间连接一个电阻（或等效电阻网络）以设定增益或提供负反馈是常见技术手段。对比文件公开了在Q11和Q12的源极（发射极）节点之间存在电阻性连接（通过R5、RMR、R6）。） | 对比文件公开了电阻R5和R6分别连接在晶体管Q11、Q12的发射极（对应源极）与MR头RMR的两端。MR头RMR本身是一个电阻。因此，从Q11的源极到Q12的源极之间，存在一个由R5、RMR和R6串联构成的电阻路径。这等效于一个耦合在第一FET源极与第二FET源极之间的电阻器（或电阻网络）。该电阻网络在对比文件中用于建立流过MR头的偏置电流并实现高共模抑制比，与目标专利中电阻器RS耦合在源极之间以设置增益-频率响应的作用类似（均为设置工作点或增益）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，进一步包括：耦合在所述第一电压轨与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一电阻器<br>**《直接公开》** | “Positive supply rejection circuitry 18 operates to bias the collector of transistor Q11 to a voltage equal to the voltage at the base of transistor Q11.”（说明书第9栏第54-55行）<br>（结合附图，晶体管Q11的集电极（漏极）通过晶体管Q13连接到正电源VCC。虽然Q13是晶体管而非简单电阻，但在其导通时呈现一定的电阻特性。更关键的是，目标专利中“耦合在第一电压轨与第一漏极之间的第一电阻器”的核心功能是作为负载电阻，产生输出电压降。在对比文件中，晶体管Q11的集电极（漏极）通过一个由Q13、Q14等构成的电流源/有源负载电路连接到VCC，该电路起到稳定Q11集电极电压、提供高电源抑制的作用，同时它也构成了从VCC到Q11集电极的电流路径，等效于一个动态电阻或负载。从广义的“耦合”关系和功能（提供从电源到FET漏极的路径并影响输出）来看，该特征被公开。） | 对比文件中，第一FET（Q11）的漏极（集电极）通过正电源抑制电路18（具体是晶体管Q13）连接到第一电压轨（正电源VCC）。晶体管Q13在此处作为有源器件，其导通时在VCC与Q11集电极之间形成通路，并起到稳定电压、提供高阻抗的作用，这等效于一个非线性电阻或负载。考虑到在放大器电路中，使用有源负载（晶体管）替代无源负载电阻（如目标专利的RL1）是本领域的公知常识，二者在“耦合在电源轨与FET漏极之间以形成负载”这一核心结构和功能上相同。因此，本领域技术人员可以毫无疑义地认为对比文件公开了该特征。 |
| **技术特征R**：耦合在所述第一电压轨与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二电阻器<br>**《直接公开》** | “Similarly, negative supply rejection circuitry 20 operates to bias the collector of transistor Q12 to a voltage equal to the voltage at the base of transistor Q12.”（说明书第10栏第15-17行）<br>（结合附图，晶体管Q12的集电极（漏极）通过晶体管Q16连接到负电源VEE（在对称设计中，VEE相当于另一个电源轨）。同理，晶体管Q16构成了从Q12集电极到VEE的路径，起到有源负载的作用。） | 与特征Q同理，对比文件中第二FET（Q12）的漏极（集电极）通过负电源抑制电路20（具体是晶体管Q16）连接到负电源轨VEE。晶体管Q16在此处作为有源负载。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征S**：其中第二差分信号的负分量是在所述第一电阻器与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一节点处生成的<br>**《直接公开》** | （结合附图，晶体管Q11的集电极（漏极）与正电源抑制电路18的连接点（即，Q11的集电极节点）可以视为一个输出节点。该节点的电压（相对于地）是输出信号的一部分。在差分输出中，Q11集电极的电压可以作为负分量（假设Q12集电极为正分量）或正分量，取决于定义。由于电路对称，Q11和Q12的集电极必然输出一对差分信号。） | 对比文件的互补晶体管电路22用于为MR头RMR提供偏置，并在R5和R6上产生电压降，这些电压被放大器11（图1中）读取。Q11的集电极节点（第一漏极）的电压是输出信号路径上的关键节点。在差分放大结构中，一个晶体管的漏极节点自然生成差分信号的一个分量。因此，在“第一电阻器”（对应有源负载Q13及关联电路）与“第一FET的所述第一漏极”（Q11集电极）之间的节点处，生成差分信号的一个分量（可定义为负分量），这一特征被直接公开。 |
| **技术特征T**：以及其中所述第二差分信号的正分量是在所述第二电阻器与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二节点处生成的。<br>**《直接公开》** | （结合附图，晶体管Q12的集电极（漏极）与负电源抑制电路20的连接点（即，Q12的集电极节点）是另一个输出节点。） | 与特征S同理，在“第二电阻器”（对应有源负载Q16及关联电路）与“第二FET的所述第二漏极”（Q12集电极）之间的节点处，生成差分信号的另一个分量（可定义为正分量），这一特征被直接公开。 |
| **技术特征U**：其特征在于，进一步包括：包括第三栅极、第三源极、以及第三漏极的第三FET，其中所述第三栅极被配置成接收配置成设置经过所述第三FET的第一电流的偏置电压，并且其中，所述第三源极和所述第三漏极与所述第一FET的所述第一源极和所述第一漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间<br>**《直接公开》** | “Complementary transistor circuit 22 receives current from the selected positive channel select circuit 14 at the emitter of transistor Q7...”（说明书第8栏第49-50行）<br>“The base of transistor Q7 is connected to the positive voltage supplied from bias circuit 12 on voltage bus 28...”（说明书第8栏第58-59行）<br>（结合附图，晶体管Q7的基极（栅极）接收来自电压总线28的偏置电压，其发射极（源极）接收来自正通道选择电路14的电流，其集电极（漏极）接地。晶体管Q7的发射极连接到晶体管Q11的基极。从电流路径看，电流从VCC经Q11、R5、RMR、R6、Q12到VEE，而Q7和Q8的电流是控制电流，它们与Q11、Q12形成电流镜或级联结构。更准确地说，Q7与Q11构成一个复合结构，Q7的发射极（源极）连接到Q11的基极，Q11的发射极（源极）通过R5连接到输出。Q7的集电极（漏极）接地，Q11的集电极（漏极）连接到VCC。因此，Q7和Q11串联在VCC（通过Q11）和地（通过Q7）之间。地可以视为一个第二电压轨（如目标专利中的接地）。因此，第三FET（Q7）与第一FET（Q11）串联耦合在第一电压轨（VCC）与第二电压轨（地）之间。） | 对比文件公开了晶体管Q7。Q7具有基极（栅极），其连接到电压总线28以接收偏置电压；具有发射极（源极），其连接到Q11的基极并接收来自正通道选择电路14的电流；具有集电极（漏极），其接地。Q11的发射极通过R5连接到输出，Q11的集电极连接到VCC。因此，Q7和Q11构成了一个从VCC（通过Q11）到地（通过Q7）的串联路径。Q7的偏置电压设置了流经Q7和影响Q11的电流。该特征被直接公开。 |
| **技术特征V**：以及包括第四栅极、第四源极、以及第四漏极的第四FET，其中所述第四栅极被配置成接收配置成设置经过所述第四FET的第二电流的所述偏置电压，并且其中，所述第四源极和所述第四漏极与所述第二FET的所述第二源极和所述第二漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间。<br>**《直接公开》** | “...and receives current from the selected negative channel select circuit 16 at the emitter of transistor Q8.”（说明书第8栏第50-51行）<br>“...the base of transistor Q8 is connected to the negative voltage supplied from bias circuit 12 on voltage bus 30.”（说明书第8栏第60-62行）<br>（结合附图，晶体管Q8的基极（栅极）接收来自电压总线30的偏置电压，其发射极（源极）接收来自负通道选择电路16的电流，其集电极（漏极）接地。晶体管Q8的发射极连接到晶体管Q12的基极。Q12的发射极通过R6连接到输出，Q12的集电极连接到VEE（负电源）。因此，Q8和Q12构成了一个从VCC（通过整个回路，经Q11、R5、RMR、R6、Q12）到VEE（负电源）的串联路径中的一部分。更精确地说，Q8与Q12串联在负电源VEE（通过Q12）和地（通过Q8）之间，而整个放大器回路包括正负电源。考虑到对称性，Q8与Q12的关系和Q7与Q11的关系对称。因此，第四FET（Q8）与第二FET（Q12）串联耦合在电源轨（VEE作为负电源轨，可视为一个电压轨）与第二电压轨（地）之间。由于目标专利权利要求中的“第一电压轨”和“第二电压轨”可以对应正负电源，该特征被直接公开。） | 对比文件公开了晶体管Q8。Q8具有基极（栅极），其连接到电压总线30以接收偏置电压；具有发射极（源极），其连接到Q12的基极并接收来自负通道选择电路16的电流；具有集电极（漏极），其接地。Q12的发射极通过R6连接到输出，Q12的集电极连接到负电源VEE。因此，Q8和Q12构成了一个从负电源VEE（通过Q12）到地（通过Q8）的串联路径。Q8的偏置电压设置了流经Q8和影响Q12的电流。该特征被直接公开。 |
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