好的，请查收评估结果。
**对比文件名称：** 1999-04-30_None_发明专利_JPH11122033A Antenna system
**目标专利名称：** 727用于无线通信的装置CN110854509B
**本次调用的模型名称：** deepseek-r1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 包括：第一馈送点<br><br>《直接公开》 | 【0109】所述天线素子图案110、120形成一般所说的倒F型天线，分别具有给电部111、121和接地部112、122。 | 对比文件[0109]明确公开了天线素子图案110具有“给电部111”。该给电部111是用于向天线馈入射频信号的节点，其在本征天线系统中的作用与目标专利中第一馈送点向辐射器馈电的作用完全相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：** 耦合到所述第一馈送点的第一辐射器<br><br>《直接公开》 | 【0109】所述天线素子图案110、120形成一般所说的倒F型天线，分别具有给电部111、121和接地部112、122。 | 对比文件[0109]公开了天线素子图案110，该图案通过给电部111（即第一馈送点）馈电。天线素子图案110是用于辐射和接收电磁波的结构，其功能与目标专利中的第一辐射器完全相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C：** 壳体，所述壳体限定所述装置的内表面，并且包含耦合到所述第一辐射器的第一导电覆盖物部和不同于所述第一辐射器和所述第一导电覆盖物部的第二导电覆盖物部<br><br>《未公开》 | 【0111】图5中，40表示便携电话机的筐体，筐体40的内部安装有搭载了使便携电话机动作的部件的母板41。 | 对比文件[0111]公开了便携电话机的筐体40，该筐体限定了容纳内部组件的内表面。然而，对比文件中的天线素子图案110、120是形成在独立的介电基板101上的导电图案，并非筐体40本身的组成部分。对比文件没有公开作为壳体一部分的“导电覆盖物部”，更没有公开两个不同的导电覆盖物部。因此，该技术特征未被对比文件直接或隐含公开。 |
| **技术特征D：** 其中所述第一导电覆盖部限定所述装置的第一外表面，并且所述第二导电覆盖物部限定所述装置的第二外表面<br><br>《未公开》 | 【0033】本发明的天线装置100，在介电基板101的一面上形成与多个通信系统使用的各频带对应的多个天线素子图案110、120，在所述介电基板101的另一面的大致整个面上形成接地导体130。 | 对比文件[0033]明确记载天线素子图案110、120形成在介电基板101的一面上，并且该天线装置100是内置于筐体40内部的（[0111]）。因此，这些天线素子图案并不构成装置的外表面，而是被壳体包覆的内部组件。该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E：** 接地构件，所述接地构件耦合到所述第一导电覆盖物部<br><br>《未公开》 | 【0109】所述接地部112、122分别通过形成在介电基板101上的通孔电极114、124连接到所述接地导体130。 | 对比文件[0109]公开了接地导体130，并通过通孔电极114连接到天线素子图案110的接地部112。这公开了接地构件耦合到辐射器，而非目标专利所限定的“第一导电覆盖物部”。由于对比文件未公开“第一导电覆盖物部”，该特征未被公开。 |
| **技术特征F：** 并且至少部分地被放置在由所述壳体的所述内表面限定的腔内，至少所述第一导电覆盖物部和所述第一辐射器具有被配置为在第一操作频带中谐振的电长度<br><br>《未公开》 | 【0033】为了将所述天线装置100内置于便携电话机的筐体内，构成为使天线装置的接地导体所构成的面作为构成便携电话机的高频电路部45上形成的屏蔽筐体42的顶板部的全部或一部分。 | 对比文件[0033]公开了天线装置100内置于筐体（壳体）内。对比文件[0035]公开了天线素子图案被调整为对各通信系统的频带优化。然而，该特征要求“第一导电覆盖物部”和“第一辐射器”具有谐振电长度，对比文件未公开“第一导电覆盖物部”，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征G：** 并且所述第一辐射器被配置为电磁耦合到所述第一导电覆盖物部<br><br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何作为壳体一部分的“导电覆盖物部”，因此不存在第一辐射器与该导电覆盖物部之间的电磁耦合关系。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H：** 其中所述第一导电覆盖物部和接地构件限定在它们之间的孔径，所述孔径的尺寸至少部分地确定所述第一导电覆盖物部的电长度<br><br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开“第一导电覆盖物部”，也未公开由该导电覆盖物部与接地构件共同限定孔径以确定电长度的结构。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I：** 其中所述第一馈送点被放置在所述第一导电覆盖物部上或在耦合到所述第一导电覆盖物部的导电构件上<br><br>《未公开》 | 【0109】所述天线素子图案110、120形成一般所说的倒F型天线，分别具有给电部111、121和接地部112、122。 | 对比文件[0109]公开了给电部111设置在天线素子图案110上，该天线素子图案是形成在基板上的导电图案，并非目标专利所定义的作为壳体一部分的“第一导电覆盖物部”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J：** 以及所述装置还包括：沿着所述第一导电覆盖物部的至少一部分提供的传输线<br><br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开“第一导电覆盖物部”，也未公开任何传输线沿着该导电覆盖物部设置。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K：** 以及所述传输线被配置为使所述第一馈送点与射频电路相互连接<br><br>《隐含公开》 | 【0039】天线装置30在介电基板35上分别设置用于两个通信系统的天线素子图案31、33，将天线素子图案31、33各自的给电部32、34分别作为独立的输入输出端，连接各通信系统的共用器11、12的输入输出信号流过的节点21、22。 【0109】所述给电部111、121分别通过形成在介电基板101上的、使表背面电气导通的通孔电极113、123，连接到作为各系统输入输出信号端子的电极115、125。这些电极115、125与接地导体130隔离。所述电极115、125上设有用于与便携电话机的高频电路部连接的端子116、126。 | 对比文件[0039]和[0109]公开了给电部（馈送点）通过通孔电极和连接端子与高频电路部（射频电路）连接。虽然对比文件未明确使用“传输线”一词，但本领域技术人员可以合理推断，用于连接馈送点与射频电路的导电通路（如通孔、电极、端子）构成了实质上的传输线，其功能是实现馈送点与射频电路的互连。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征L：** 并且中所述第一辐射器是单极天线<br><br>《隐含公开》 | 【0109】所述天线素子图案110、120形成一般所说的倒F型天线（inverted F-type antenna）。 | 对比文件[0109]明确记载天线素子图案110为倒F型天线。倒F型天线可以被视为一种变形的单极天线，其基本辐射机理与单极天线相同，且通常被归类为单极天线的一种。本领域技术人员可以合理地将倒F型天线理解为单极天线的一种实现方式。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征M：** 其中所述第一导电覆盖物部至少部分地限定所述装置的侧表面<br><br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开“第一导电覆盖物部”，因此不存在该导电覆盖物部限定侧表面的技术方案。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N：** 其中所述第一馈送点被放置在耦合到所述第一导电覆盖物部的导电构件上，并且所述第一馈送点位于所述腔的内部<br><br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开“第一导电覆盖物部”以及耦合到其上的“导电构件”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O：** 其中所述第一辐射器具有连接到所述第一馈送点的第一端，以及邻近所述接地构件放置的第二端<br><br>《直接公开》 | 【0109】所述天线素子图案110、120形成一般所说的倒F型天线，分别具有给电部111、121和接地部112、122。 | 对比文件[0109]公开了倒F型天线素子图案110，其结构具有连接到给电部111（第一馈送点）的一端，以及通过接地部112连接到接地导体130（接地构件）的另一端。在典型的倒F型天线布局中，接地部通常邻近接地导体设置。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征P：** 其中所述第一辐射器处于与所述第一导电覆盖物部不交叠的关系<br><br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开“第一导电覆盖物部”，因此无法判断辐射器与其是否交叠。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Q：** 其中所述第二导电覆盖物部具有在第二操作频带中谐振的电长度，并且所述第一辐射器和所述第一导电覆盖物部被配置为电磁耦合到所述第二导电覆盖物部<br><br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开“第二导电覆盖物部”，因此该技术特征未被公开。 |
| **技术特征R：** 还包括：第二馈送点<br><br>《直接公开》 | 【0109】所述天线素子图案110、120形成一般所说的倒F型天线，分别具有给电部111、121和接地部112、122。 | 对比文件[0109]明确公开了第二个天线素子图案120具有独立的“给电部121”。该给电部121是用于向第二个天线馈入射频信号的节点，其作用与目标专利中的第二馈送点完全相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征S：** 耦合到所述第二馈送点的第二辐射器，至少所述第二导电覆盖物部和所述第二辐射器具有被配置为在第三操作频带中谐振的电长度，所述第二辐射器被配置为电磁耦合到所述第二导电覆盖物部<br><br>《未公开》 | 【0109】所述天线素子图案110、120形成一般所说的倒F型天线，分别具有给电部111、121和接地部112、122。 | 对比文件[0109]公开了通过给电部121（第二馈送点）馈电的天线素子图案120（第二辐射器）。然而，对比文件未公开作为壳体一部分的“第二导电覆盖物部”，因此不存在第二辐射器与第二导电覆盖物部的电磁耦合关系。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征T：** 其中所述第一导电覆盖物部具有在第四操作频带中谐振的电长度，所述第二辐射器和所述第二导电覆盖物部被配置为电磁耦合到所述第一导电覆盖物部<br><br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开“第一导电覆盖物部”和“第二导电覆盖物部”，因此该技术特征未被公开。 |
| **技术特征U：** 其中所述第一辐射器经由所述第一馈送点耦合到所述第一导电覆盖物部的端<br><br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开“第一导电覆盖物部”，因此不存在第一辐射器通过馈送点耦合到其端部的结构。该技术特征未被公开。 |
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