**对比文件名称**：2007-11-08_US2007258628A_发明申请_US20070258628A1 Ultrasonic fingerprint scanning utilizing a plane wave
**目标专利名称**：CN105264545B 具有涂布的压电层的超声波接收器
**本次调用的模型名称**：DeepSeek最新版本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。**《直接公开》** | [0032] The invention may be embodied as a fingerprint scanner 10. Such a scanner 10 may have an ultrasonic wave detector 13... Pulse waves may be generated... The reflected wave pulses may be detected by a detector. | 对比文件明确公开了超声波检测器（detector）13用于接收从手指反射回来的超声波脉冲。其作用与本特征相同，都是用于检测超声波能量。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“超声波接收器，用于检测超声波能量”这一技术方案。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。**《隐含公开》** | [0038] An array that might be used in a prior art device for the discrete element transmitter/receiver could be used in the invention as a detector . In such an embodiment, the emitter capability of such a transducer would not be used. Additionally, a receive-only array... are suitable for use in the invention as a detector 13. | 对比文件公开了检测器13可以采用阵列形式（array）。虽然未明确提及“像素电路”及“衬底”，但本领域技术人员公知，用于指纹成像的超声波检测器阵列通常由多个独立的传感单元（即像素）构成，每个传感单元包含相应的信号读取电路（即像素电路），并且这些电路需要制作在某种支撑基板（即衬底）上。因此，本领域技术人员通过合理推断，能够得出检测器阵列必然包含安置在衬底上的像素电路阵列这一技术方案。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。**《未公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开任何关于制造超声波接收器（检测器）的方法，特别是未提及通过“将含有聚合物的溶液涂布到阵列上”这一工艺步骤。对比文件中仅提及压电膜（piezoelectric film）22可能通过溅射（sputtered）或其它方式附着（otherwise attached）。因此，本特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。**《未公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件仅一般性地描述了检测器13可以是阵列，但完全没有公开该阵列中每个像素电路的具体结构，尤其没有公开包含“薄膜晶体管（TFT）元件”和“像素输入电极”的技术特征。因此，本特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。**《未公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件未涉及任何关于使用聚合物材料或使其结晶以形成压电层的工艺。因此，本特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。**《未公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开任何关于对压电材料进行“成极（极化）”的工艺步骤，也未提及通过施加电场来使压电层与像素输入电极电接触。因此，本特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。**《未公开》** | [0032] ...first electrode 28 and a second electrode 31. | 对比文件公开了在压电膜（piezoelectric film）22两侧设置有第一电极28和第二电极31，用于施加电压以激励压电膜产生超声波（发射器功能）。虽然电极在结构上位于压电膜上，但其作用与目标专利中“接收器偏置电极”的作用不同：对比文件的电极用于主动产生超声波（发射），而目标专利的电极用于在接收超声波时控制信号传递至TFT元件。因此，二者功能不同，不能视为公开了相同的技术特征。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。**《未公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开像素输入电极，更未公开其由导电薄膜形成。因此，本特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。**《未公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开任何涂布工艺，也未提及使用助粘剂。因此，本特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。**《未公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开任何具体的涂布工艺方法。因此，本特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。**《未公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件未提及所使用的压电材料的具体类型是否为铁电聚合物。因此，本特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。**《未公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开任何关于聚合物结晶的工艺条件，如居里温度、熔点或焙烤。因此，本特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。**《未公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开任何成极工艺，也未提及在工艺中施加导电材料以短路像素电路端子。因此，本特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。**《未公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开任何导电橡胶或导电墨水的使用。因此，本特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。**《未公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件虽然提到了电极28、31可以是金属化电极（metallic electrode），但未公开其具体构成材料或分层结构。因此，本特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。**《未公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开电极的具体厚度参数。因此，本特征未被对比文件公开。 |
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