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对比文件列表
1985-04-30_US4514750A_发明授权_US4514750A Integrated circuit package having interconnected leads adjacent the package ends_+++H_g_i_m+++.docx
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2003-10-07_US6630872B_发明授权_US06630872B1 Digital indirectly compensated crystal oscillator_+++A_B_D_J_c_e_f_g_h_l_m+++.docx
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2007-06-21_JP2007158464A_发明专利_JP2007158464A Piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_M_j+++.docx
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2008-08-21_US2008197755A_发明申请_US20080197755A1 SURFACE-MOUNT TYPE CRYSTAL UNIT_+++A_B_C_D_G_H_J+++.docx
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2008-09-04_JP2008205671A_发明专利_JP2008205671A Semiconductor device, voltage controlled oscillator, and method of manufacturing voltage controlled oscillator_+++G_h_m+++.docx
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2008-09-04_JP2008205938A_发明专利_JP2008205938A Crystal oscillator for surface mounting_+++A_B_G_J_c_d_e_h+++.docx
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2008-09-18_JP2008219123A_发明专利_JP2008219123A Temperature compensation piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_j+++.docx
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2008-09-30_KR100861087B_发明授权_KR100861087B1 멀티칩을 이용한 온도 보상형 수정 발진기 및 제조방법_+++A_B_g_m+++.docx
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2011-09-29_US2011234047A_发明申请_US20110234047A1 PIEZOELECTRIC DEVICE_+++A_B_G_I_J_c_d_h+++.docx
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2012-08-16_US2012209558A_发明申请_US20120209558A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_M_e_f_k_l+++.docx
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2012-08-23_WO2012112621A_发明申请_WO2012112621A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2013-12-11_CN103444075A_发明公开_CN103444075A 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2013-12-25_EP2676364A_发明公开_EP2676364A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2014-04-24_JP2014510455A_发明专利_JP2014510455A Wireless chip set using a non-temperature compensated crystal reference unit_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2016-02-02_US9252782B_发明授权_US09252782B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2016-07-07_US2016197617A_发明申请_US20160197617A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_J_L_M_e_f_i_k+++.docx
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2016-10-06_KR101663203B_发明授权_KR101663203B1 온도 비보상형 크리스탈 레퍼런스를 갖는 무선 칩셋_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2019-03-26_US10243569B_发明授权_US10243569B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_K_L_M_e+++.docx
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2019-12-24_CN106208966B_发明授权_CN106208966B 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2020-01-01_EP2676364B_发明授权_EP2676364B1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2020-04-01_EP3629474A_发明公开_EP3629474A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
EP3629474A1_Description_20260223_1514_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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EP3629474A1_Description_20260304_2030_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
JP2010124022A_Description_20260223_1514_+++G_K_i+++.docx
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2008-09-30_KR100861087B_发明授权_KR100861087B1 멀티칩을 이용한 온도 보상형 수정 발진기 및 제조방법_+++A_B_g_m+++.docx

对比文件名称:2008-09-30_KR100861087B_发明授权_KR100861087B1 멀티칩을 이용한 온도 보상형 수정 발진기 및 제조방법 (使用多芯片的温度补偿型晶体振荡器及其制造方法)

目标专利名称:具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集 CN106208966B

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**特征A**:其包括:封装内的温度测量装置,所述封装的至少一部分为热传导的,所述温度测量装置经配置以测量所述封装的温度。<br>**判断结果:直接公开**[38] "온도 센서(221)는 주변 온도를 측정하며..." (温度传感器(221)测量周围温度...)<br>[29] "패키지(210)의 일 면에는 수납 공간이 형성된다." (在封装(210)的一面形成有容纳空间。)对比文件明确公开了封装(210)内设置有温度传感器(221)[38]。封装作为容纳各电子元件的结构,其材料(如陶瓷)通常具有一定的热传导性,以确保内部元件(包括温度传感器)能够感知外部环境温度。对比文件虽未明示“热传导的”,但温度传感器用于测量温度必然要求其与环境(包括封装)有热交换,这隐含了封装需具备将外部温度传导至内部传感器的能力。该温度传感器用于测量封装内的温度,其作用是为温度补偿提供依据,与目标专利中温度测量装置用于测量封装温度以便后续估计频率误差的作用实质相同。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了封装内用于测量封装温度的温度测量装置。
**特征B**:所述封装内的时钟源,所述时钟源热耦合到所述封装且经受大体上与所述封装相同的温度。<br>**判断结果:直接公开**[28] "멀티칩을 이용한 온도 보상형 수정 발진기(200)는 패키지(210), ... 수정 진동자(270)를 포함한다." (使用多芯片的温度补偿型晶体振荡器(200)包括封装(210)...晶体谐振器(270)。)<br>[33] "수정 진동자(270)는 솔더링 패드(240)를 통하여 패키지(210)의 상부면 상에 장착된다." (晶体谐振器(270)通过焊接垫(240)安装在封装(210)的上表面上。)对比文件明确公开了晶体谐振器(270)作为时钟源,并且该晶体谐振器安装在封装(210)上[28,33]。当晶体谐振器通过焊接垫等物理方式安装在封装上时,二者之间必然存在热耦合,使得晶体谐振器经受的温度与封装(及其内部温度传感器)的温度大体相同。该时钟源(晶体谐振器)在对比文件中是产生振荡频率的核心元件,其温度变化是补偿的对象,这与目标专利中时钟源(晶体)的作用(提供频率基准,其频率受温度影响)相同。因此,该特征被直接公开。
**特征C**:所述封装外部的控制器,所述控制器经配置以接收来自所述温度测量装置的温度测量结果。<br>**判断结果:未公开**[35] "디지털 온도 제어 수정 발진기 IC(220)는 온도 센서(221) 및 온도 보상 회로(225), ...를 포함하며, 온도 보상 회로(225)는 아날로그/디지털 컨버터(222), 메모리(223), 디지털/아날로그 컨버터(224)로 구성된다." (数字温度控制晶体振荡器IC(220)包括温度传感器(221)和温度补偿电路(225)...温度补偿电路(225)由模/数转换器(222)、存储器(223)、数/模转换器(224)构成。)<br>[38] "온도 보상 회로(225)는 온도 센서(221)에서 측정된 값을 아날로그/디지털 컨버터(222)를 통하여 디지털 도메인으로 변환한 다음, 메모리(223)에 저장된 온도 계수를 디지털/아날로그 컨버터(224)를 통하여 아날로그 전압으로 변환하여 온도 보상 전압을 출력한다." (温度补偿电路(225)将通过温度传感器(221)测量的值通过模/数转换器(222)转换为数字域后,通过数/模转换器(224)将存储在存储器(223)中的温度系数转换为模拟电压,从而输出温度补偿电压。)对比文件中,温度传感器(221)以及处理其测量值以产生补偿电压的整个电路(包括ADC、存储器、DAC等)均被集成在“数字温度控制晶体振荡器IC(DTCXO IC)(220)”内部[35]。该IC与VCXO IC、晶体谐振器等共同位于同一个封装(210)内[30]。温度测量结果(无论是模拟值还是经ADC转换后的数字值)的处理和利用均在封装内部的IC中完成,用于直接生成补偿电压。对比文件没有公开一个位于所述封装**外部**的、专门用于**接收**来自温度测量装置的**温度测量结果**的控制器。目标专利的控制器位于封装外部,接收温度测量结果并进行频率误差估计,这与对比文件内部集成的补偿电路在位置和功能划分上存在根本区别。因此,该特征未被直接或隐含公开。
**特征D**:所述控制器经配置以基于所述温度测量结果估计所述时钟源的频率误差。<br>**判断结果:未公开**[38] "온도 보상 회로(225)는 온도 센서(221)에서 측정된 값...을...온도 보상 전압을 출력한다." (温度补偿电路(225)基于温度传感器(221)测量的值...输出温度补偿电压。)<br>[39] "주파수 조정회로(231)는 온도 보상 회로(225)로부터 온도 보상 전압을 입력 받아 정전기 용량 변화가 발생되어, 수정 진동자(270)의 주파수를 조정한다." (频率调整电路(231)从温度补偿电路(225)输入温度补偿电压,产生静电容量变化,从而调整晶体谐振器(270)的频率。)对比文件中,基于温度测量结果所执行的操作是直接生成一个“温度补偿电压”[38]。该补偿电压被输入到VCXO IC的频率调整电路,以调整晶体谐振器的频率[39]。整个过程的目的是直接进行温度补偿以稳定输出频率,而不是首先“估计”时钟源的“频率误差”。频率误差估计是一个计算或推导步骤,其结果(频率误差值)可以被提供给其他系统模块使用。而对比文件是将温度测量值通过查表(温度系数)和转换直接映射为补偿电压,是一个闭环的补偿动作,并未分离出一个明确的“频率误差估计”步骤,也未将该估计值输出。因此,该特征未被公开。
**特征E**:以及信号产生器,其耦合到所述时钟源以接收来自所述时钟源的非补偿信号且耦合到所述控制器以接收所述频率误差。<br>**判断结果:未公开**[36] "전압 제어 수정 발진기 IC(230)는 주파수 조정회로(231) 및 발진부(237)를 포함하며, 발진부(237)는 오실 레이터(OSC)(233)와 출력 버퍼(235)로 구성된다." (电压控制晶体振荡器IC(230)包括频率调整电路(231)和振荡部(237),振荡部(237)由振荡器(OSC)(233)和输出缓冲器(235)构成。)<br>[39] "주파수 조정회로(231)는 온도 보상 회로(225)로부터 온도 보상 전압을 입력 받아..." (频率调整电路(231)从温度补偿电路(225)输入温度补偿电压...)首先,对比文件的系统中,时钟源(晶体谐振器)是振荡回路的一部分,其输出的是经过VCXO IC内部电路(包含振荡器233)处理后的、已经**被温度补偿电压调整过的信号**,而非目标专利所定义的“非补偿信号”。其次,信号产生器(可对应于对比文件的VCXO IC及其振荡部237)接收的是来自内部温度补偿电路(225)的“补偿电压”,而非来自外部控制器的“频率误差”。目标专利中信号产生器接收“非补偿信号”和“频率误差”这两个输入,基于二者产生参考信号。这与对比文件中信号产生器接收已补偿的基准并直接输出(或分频输出)补偿后信号的结构和信号流不同。因此,该特征未被公开。
**特征F**:所述信号产生器经配置以基于所述非补偿信号和所述频率误差产生第一参考信号和第二参考信号。<br>**判断结果:未公开**[40] "발진부(237)는 오실레이터(233)와 출력 버퍼(235)로 구성되어, 주파수 조정 회로의 용량에 따라 공진점이 이동하여 출력 주파수를 발생시키게 된다." (振荡部(237)由振荡器(233)和输出缓冲器(235)构成,根据频率调整电路的容量,谐振点移动,从而产生输出频率。)<br>[53] "출력 버퍼(335)에서 출력된 주파수는 분주 IC(340)의 입력단으로 입력되어, 분주 IC(340)를 거쳐 다수의 주파수로 분주되어 출력된다." (从输出缓冲器(335)输出的频率输入到分频IC(340)的输入端,经过分频IC(340)被分频成多个频率输出。)对比文件中的信号产生器(VCXO IC)基于温度补偿电压(而非频率误差)和晶体谐振器产生一个输出频率[40]。在某些实施例中,该输出频率可进一步被分频IC(340)分频,从而得到多个频率输出[53]。然而,这些输出的频率信号都是基于**同一个已经内部补偿过的振荡信号**产生的。目标专利要求信号产生器基于“非补偿信号”和“频率误差”来产生两个参考信号,这隐含了一种利用原始频率误差信息对非补偿基准进行处理以生成不同参考信号的架构。对比文件并未公开接收“非补偿信号”和“频率误差”这两个独立输入来产生两个参考信号的技术方案。因此,该特征未被公开。
**特征G**:其中所述封装包括陶瓷材料且所述时钟源包括晶体。<br>**判断结果:隐含公开**[28] "멀티칩을 이용한 온도 보상형 수정 발진기(200)는 패키지(210), ... 수정 진동자(270)를 포함한다." (使用多芯片的温度补偿型晶体振荡器(200)包括封装(210)...晶体谐振器(270)。)对比文件明确公开了“수정 진동자(270)”,即晶体谐振器(crystal resonator)[28],这公开了“时钟源包括晶体”。关于封装材料,对比文件虽未明确声明封装(210)由陶瓷制成,但在电子器件封装领域,特别是对于晶体振荡器这类对稳定性和密封性要求较高的器件,使用陶瓷材料作为封装是极为常见和常规的技术选择。本领域技术人员阅读对比文件时,能够毫无疑义地推断其封装可以采用陶瓷材料。因此,该特征被隐含公开。
**特征H**:其中所述封装和所述控制器实现在电子板上。<br>**判断结果:隐含公开**[6] "디지털 온도 제어 수정 발진기(100)는 패키지(10), IC(20), ... 로 구성되며..." (数字温度控制晶体振荡器(100)由封装(10), IC(20)...构成...)<br>(结合本领域公知常识)对比文件公开了包含封装和内部IC的完整振荡器模块。这样的电子模块(组件)在最终应用中,必然需要被安装(例如,通过表面贴装技术SMT)在诸如印刷电路板(PCB)等“电子板”上以实现电气连接和功能。这是电子元器件应用的必然方式和公知常识。因此,“封装...实现在电子板上”可以被本领域技术人员合理推断。然而,关于“控制器实现在电子板上”,对比文件中的“控制器”功能由封装内部的DTCXO IC完成,该IC是封装的一部分,而非独立于封装外部的控制器。目标专利的“控制器”是封装外部的独立部件。因此,虽然封装实现在电子板上是隐含的,但“控制器”实现在电子板上这一限定,由于对比文件的控制器在封装内,不能被直接或隐含地推导出。综合来看,该技术特征作为一个整体(封装和控制器均实现在电子板上)未被公开。
**特征I**:其中所述封装经配置以将所述时钟源容纳于所述封装的上部空腔中且将所述温度测量装置容纳于所述封装的下部空腔中。<br>**判断结果:未公开**[45] "패키지(310)의 일 면에는 수납 공간이 형성된다. 본 실시예의 경우, 패키지의 하부면에 사각형태의 수납 공간이 형성된다." (在封装(310)的一面形成有容纳空间。在本实施例中,在封装的下表面形成有四边形形状的容纳空间。)<br>[49] "수정 진동자(370) 및 회로 부품(380)은 패키지의 타면 즉, 상부면 상에 장착된다." (晶体谐振器(370)和电路部件(380)安装在封装的反面即上表面上。)对比文件的一个实施例(图5a-5d)描述了封装(310)在**下表面**形成容纳空间,用于容纳IC等,而晶体谐振器(370)安装在封装的**上表面**[45,49]。这公开了时钟源(晶体)和温度测量装置(在DTCXO IC内)分别位于封装的不同侧面(上表面和下表面),但并未明确描述封装具有“上部空腔”和“下部空腔”的特定结构。更重要的是,该实施例中时钟源(晶体)是安装在封装**外部**的上表面,而非容纳于一个“上部空腔”中。目标专利说明书图5明确描述了晶体和温度测量装置分别容纳于封装内部的上、下腔室中。对比文件的结构与此不同。因此,该特征未被公开。
**特征J**:其中所述温度测量装置包括热敏电阻。<br>**判断结果:未公开**[35] "디지털 온도 제어 수정 발진기 IC(220)는 온도 센서(221)..." (数字温度控制晶体振荡器IC(220)包括温度传感器(221)...)对比文件仅泛泛提及“温度传感器(221)”,并未具体公开该温度传感器的类型。温度传感器可以是热敏电阻,也可以是热电偶、集成电路温度传感器(如带隙基准温度传感器)等多种类型。本领域技术人员不能毫无疑义地确定其必然是热敏电阻。因此,该特征未被直接公开。虽然热敏电阻是一种常见的温度传感器,但对比文件没有提供任何具体信息使其能够被确定为热敏电阻,因此也不能认为是隐含公开。
**特征K**:其中所述封装按H构型而配置。<br>**判断结果:未公开**无相关内容。对比文件全文未提及封装的构型为“H构型”。目标专利说明书第[0060]段提及“封装可为陶瓷封装,其中陶瓷封装可为双C或H构型”。这是一个具体的结构限定。对比文件没有描述或暗示此类具体构型。因此,该特征未被公开。
**特征L**:其中所述封装包括与电路卡组合件热隔离的基底层。<br>**判断结果:未公开**无相关内容。对比文件未提及封装的任何“基底层”,更未提及该基底层与电路卡组合件之间存在“热隔离”关系。目标专利说明书第[0060]段描述了该特征,目的是使温度测量更准确。对比文件没有公开或暗示这一特定结构特征。因此,该特征未被公开。
**特征M**:其集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元以及固定位置数据单元中的至少一者中。<br>**判断结果:隐含公开**[2] "온도 보상형 수정 발진기(TCXO: Temperature Compensated Crystal Oscillator)는 휴대폰 등 통신장비에 사용되는 부품으로서..." (温度补偿型晶体振荡器是用于手机等通信设备的部件...)<br>[8] "현재 네트워크 시장이 고속화되면서 통신 속도를 급격하게 올리고 있는 실정으로, 고주파수 온도 보상형 수정 발진기 및 다양한 주파수원을 요구하고 있다." (当前网络市场高速化,通信速度急剧提升,需要高频温度补偿型晶体振荡器及各种频率源。)对比文件明确指出了其发明的温度补偿型晶体振荡器是用于“휴대폰 등 통신장비”(手机等通信设备)的部件[2]。移动电话(휴대폰)明确包含在目标专利列举的设备列表中。此外,对比文件提到该振荡器用于需要高速通信和高频率源的市场环境[8],这涵盖了多种现代电子设备。虽然目标专利列举的设备范围更广,但作为本领域技术人员,在知晓对比文件的振荡器用于通信设备(如手机)的基础上,能够合理推断此类通用时钟源组件同样可以集成到其他需要精确时钟的电子设备中,例如导航装置、计算机、便携式数据单元等。因此,该特征被隐含公开。

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