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对比文件列表
1985-04-30_US4514750A_发明授权_US4514750A Integrated circuit package having interconnected leads adjacent the package ends_+++H_g_i_m+++.docx
2026-03-10 16:04
2007-06-21_JP2007158464A_发明专利_JP2007158464A Piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_M_j+++.docx
2026-03-10 16:04
2008-09-18_JP2008219123A_发明专利_JP2008219123A Temperature compensation piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_j+++.docx
2026-03-10 16:04
2011-09-29_US2011234047A_发明申请_US20110234047A1 PIEZOELECTRIC DEVICE_+++A_B_G_I_J_c_d_h+++.docx
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2012-08-16_US2012209558A_发明申请_US20120209558A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_M_e_f_k_l+++.docx
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2012-08-23_WO2012112621A_发明申请_WO2012112621A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2013-12-11_CN103444075A_发明公开_CN103444075A 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2013-12-25_EP2676364A_发明公开_EP2676364A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2014-04-24_JP2014510455A_发明专利_JP2014510455A Wireless chip set using a non-temperature compensated crystal reference unit_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2016-02-02_US9252782B_发明授权_US09252782B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2016-07-07_US2016197617A_发明申请_US20160197617A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_J_L_M_e_f_i_k+++.docx
2026-03-10 16:04
2016-10-06_KR101663203B_发明授权_KR101663203B1 온도 비보상형 크리스탈 레퍼런스를 갖는 무선 칩셋_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2019-03-26_US10243569B_发明授权_US10243569B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_K_L_M_e+++.docx
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2019-12-24_CN106208966B_发明授权_CN106208966B 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2020-01-01_EP2676364B_发明授权_EP2676364B1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2020-04-01_EP3629474A_发明公开_EP3629474A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
EP3629474A1_Description_20260223_1514_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
EP3629474A1_Description_20260304_2030_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
2026-03-10 16:04
JP2010124022A_Description_20260223_1514_+++G_K_i+++.docx
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2007-06-21_JP2007158464A_发明专利_JP2007158464A Piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_M_j+++.docx

**对比文件名称**:2007-06-21_JP2007158464A_发明专利_JP2007158464A Piezoelectric oscillator

**目标专利名称**:具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集CN106208966B

**本次调用的模型名称**:专利创造性评估模型

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
**特征A**:其包括:封装内的温度测量装置,所述封装的至少一部分为热传导的,所述温度测量装置经配置以测量所述封装的温度。<br>**判断**:《直接公开》在说明书第[2]段中描述了:“この集積回路素子37にはその回路形成面に、圧電振動素子12の環境温度状態を検知するための感温素子、...が設けられており”。(该集成电路元件37在其电路形成面上设有用于检测压电振动元件12的环境温度状态的感温元件...)对比文件明确公开了在封装(由第一封装体1和第二封装体11组成)内部设置有“感温素子”(温度传感元件),该元件用于检测温度。该封装包含陶瓷材料(第1基板2、第2基板5等),陶瓷材料是热传导的。温度传感元件的作用是检测封装内(具体是压电振动元件12周围)的温度,以便进行温度补偿。这与特征A中“封装内的温度测量装置测量封装温度”的作用相同。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案,特征A被直接公开。
**特征B**:所述封装内的时钟源,所述时钟源热耦合到所述封装且经受大体上与所述封装相同的温度。<br>**判断**:《直接公开》在说明书第[2]段中描述了:“圧電振動素子12”(压电振动元件12)作为振荡源。同时描述了:“集積回路素子37から発した熱の大部分を、熱伝導率が比較的高い熱硬化性ペースト39を介して圧電振動素子12へ短時間で伝導する”(将集成电路元件37产生的大部分热量,通过热传导率较高的热硬化性膏体39在短时间内传导至压电振动元件12)。并且,压电振动元件12和集成电路37都被容纳在由陶瓷等构成的封装体内。对比文件公开了“圧電振動素子12”(压电振动元件),其作为产生振荡信号的源,相当于时钟源。该压电振动元件12位于封装(第一封装体1)内。通过高热导率的热硬化膏体39,热量可以在封装内部快速传导,旨在使压电振动元件12的温度与感温元件(位于集成电路37内)感知的温度快速一致,这意味着时钟源(压电振动元件)与封装材料(陶瓷)是热耦合的,并且旨在经受与封装大体相同的温度环境。其作用是为了使温度测量更准确以进行补偿,与目标专利中时钟源热耦合以使其温度与测量温度一致的作用本质相同。因此,特征B被直接公开。
**特征C**:所述封装外部的控制器,所述控制器经配置以接收来自所述温度测量装置的温度测量结果。<br>**判断**:《未公开》对比文件未描述位于封装外部的控制器。说明书第[2]段描述:“この集積回路素子37にはその回路形成面に、圧電振動素子12の環境温度状態を検知するための感温素子、...温度補償回路...発振回路等が設けられており”。(该集成电路元件37在其电路形成面上设有用于检测压电振动元件12的环境温度状态的感温元件、...温度补偿电路...振荡电路等)对比文件中,温度传感元件(感温素子)、温度补偿电路、振荡电路均集成在“集積回路素子37”(集成电路元件37)内部,而该集成电路元件37被容纳在封装(第二空间部20)内。因此,处理温度测量结果并进行补偿的“控制器”(即温度补偿电路)位于封装内部,而非如特征C所限定的“封装外部”。对比文件没有公开任何位于封装外部的、用于接收温度测量结果的控制器。
**特征D**:所述控制器经配置以基于所述温度测量结果估计所述时钟源的频率误差。<br>**判断**:《未公开》说明书第[2]段描述了:“検知した温度データに基づいて圧電振動素子12の周波数特性を温度変化に応じて補償する温度補償回路”(基于检测到的温度数据,对压电振动元件12的频率特性根据温度变化进行补偿的温度补偿电路)。对比文件公开了温度补偿电路基于检测到的温度数据对频率特性进行补偿。这意味着该电路必然知晓或“估计”了由于温度变化导致的频率偏差(即频率误差),才能进行补偿。**然而**,执行该估计功能的“温度补偿电路”如特征C的分析所述,是集成在封装内部的集成电路37的一部分,而不是“封装外部的控制器”。由于特征D明确限定了动作主体是“所述控制器”(即封装外部的控制器),而该外部控制器未被对比文件公开,因此特征D的完整技术方案未被公开。
**特征E**:以及信号产生器,其耦合到所述时钟源以接收来自所述时钟源的非补偿信号且耦合到所述控制器以接收所述频率误差。<br>**判断**:《未公开》对比文件描述了“発振回路”(振荡电路)产生输出信号。但该振荡电路与温度补偿电路、感温元件一起集成在集成电路37内部。信号通路在内部完成。对比文件中的“発振回路”(振荡电路)可以视为信号产生器,它产生的信号是基于温度补偿电路调整后的信号,并非直接接收“非补偿信号”。更重要的是,该振荡电路集成在封装内部,并未被描述为耦合到一个位于封装外部的、接收频率误差的控制器。因此,特征E中“耦合到所述控制器以接收所述频率误差”这一关键连接关系未被对比文件公开。
**特征F**:所述信号产生器经配置以基于所述非补偿信号和所述频率误差产生第一参考信号和第二参考信号。<br>**判断**:《未公开》对比文件未描述信号产生器基于非补偿信号和频率误差产生两个参考信号。对比文件中的振荡电路产生一个输出信号(例如用作时钟信号),用于外部设备。没有提及接收一个“非补偿信号”和一个独立的“频率误差”输入,并基于这两者产生两个不同的参考信号。该特征限定了特定的信号产生架构,在对比文件中没有相应的公开。
**特征G**:其中所述封装包括陶瓷材料且所述时钟源包括晶体。<br>**判断**:《直接公开》说明书第[2]段描述了:“第1の基板2、...セラミックス材料から成る”(第1基板2由陶瓷材料构成),“第2の基板5、...セラミックス材料から成る”(第2基板5由陶瓷材料构成)。同时描述了“圧電振動素子12”并举例其材料为“水晶”(晶体/石英)。对比文件明确公开了封装体(第1、第2基板及框壁)由陶瓷材料构成。同时,作为时钟源的“压电振动元件12”明确使用了水晶(晶体)。因此,特征G的两个限定“封装包括陶瓷材料”和“时钟源包括晶体”均被直接公开。
**特征H**:其中所述封装和所述控制器实现在电子板上。<br>**判断**:《未公开》说明书第[2]段提到外部连接用电极端子9用于连接到“マザーボード(実装基板)”(主板/安装基板),即电子板。但这仅公开了封装安装在电子板上。特征H要求“封装和所述控制器实现在电子板上”。如前所述,对比文件中的“控制器”(即温度补偿功能部件)集成在封装内部的集成电路37中,并未作为一个独立的、位于封装外部的部件“实现在电子板上”。因此,该特征的整体技术方案未被公开。
**特征I**:其中所述封装经配置以将所述时钟源容纳于所述封装的上部空腔中且将所述温度测量装置容纳于所述封装的下部空腔中。<br>**判断**:《直接公开》说明书第[2]段描述了:“第1の空間部10”(第一空间部10)内装有“圧電振動素子12”(压电振动元件12);“第2の空間部20”(第二空间部20)内装有“集積回路素子37”(集成电路元件37),该集成电路元件包含“感温素子”(温度传感元件)。并且,图1显示第一空间部10(上部)和第二空间部20(下部)是上下堆叠的结构。对比文件明确公开了封装具有上下两个空腔:上部空腔(第一空间部10)容纳作为时钟源的压电振动元件12;下部空腔(第二空间部20)容纳集成电路元件37,该元件包含温度传感元件(温度测量装置)。这完全对应于特征I的描述。因此,特征I被直接公开。
**特征J**:其中所述温度测量装置包括热敏电阻。<br>**判断**:《隐含公开》对比文件将温度测量装置描述为“感温素子”(温度传感元件),未明确指定其具体类型。在电子技术领域,用于检测温度的“感温素子”常见类型包括热敏电阻、热电偶、集成电路温度传感器等。本领域技术人员在阅读对比文件时,为了实现其检测温度以进行补偿的功能,完全有可能且合理地从公知的温度传感元件中选择热敏电阻作为“感温素子”的一种具体实施方式。根据隐含公开的宽松判断标准,可以认为对比文件隐含公开了温度测量装置可以包括热敏电阻。
**特征K**:其中所述封装按H构型而配置。<br>**判断**:《未公开》对比文件未提及封装的构型为“H构型”。目标专利说明书[0060]段提到“封装500可为陶瓷封装,其中陶瓷封装可为双C或H构型”。“H构型”是一种特定的封装结构形状。对比文件虽然描述了上下双腔结构,但并未将其描述或暗示为“H构型”。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地或合理地推断出该封装是H构型。因此,该特征未被公开。
**特征L**:其中所述封装包括与电路卡组合件热隔离的基底层。<br>**判断**:《未公开》对比文件未提及封装的任何部分(如基底层)与电路卡组合件(即安装它的主板)之间进行热隔离。特征L限定了封装具有一个与外部电路板热隔离的基底层,这是为了确保温度测量的准确性,避免外部热干扰。对比文件完全没有描述或暗示这种热隔离设计。因此,该特征未被公开。
**特征M**:其集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元以及固定位置数据单元中的至少一者中。<br>**判断**:《直接公开》说明书第[2]段开头即指出:“本発明は、**携帯用通信機器等の電子機器**に用いられる圧電発振器に関するものであり”。(本发明涉及一种用于**便携式通信设备等电子设备**的压电振荡器。)对比文件明确指出了其压电振荡器用于“便携式通信设备等电子设备”。虽然列举不如目标专利详细,但“便携式通信设备”明确涵盖了目标专利中列举的“移动电话”、“手持式个人通信系统(PCS)单元”等。本领域技术人员能够毫无疑义地理解该振荡器可应用于此类设备中。因此,特征M被直接公开。

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