对比文件名称：US2009083977A1_Description_20260426_1753
目标专利名称：磁力控制的聚合物纳米复合材料和用于施加和固化此材料的方法以及用于RF应用的纳米磁性复合物（CN102067248B）
本次调用的模型名称：deepseek-reasoner
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 包括基板和被所述基板支撑的至少一个部件，所述基板包括含纳米颗粒的聚合物，所述含纳米颗粒的聚合物形成具有预定电磁特性的纳米复合材料。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | [0013] 图1d 展示了通过模板印刷向半导体衬底表面供应聚合物浆料。<br><br>[0025] 聚合物浆料8被施加在模板9顶部，该模板位于具有通孔3的半导体衬底1的一部分上方，并通过刮板10最终被分配到模板9的开口12中，每个开口设置在通孔3上方（图3a）。<br><br>[0027] 通过所述工艺，可以无空隙地填充贯通通孔或盲孔。此外，该工艺既适用于介电聚合物浆料，也适用于导电聚合物浆料。对于后者，在导体颗粒中添加了磁性颗粒。 | 对比文件公开了在半导体衬底（基板）上填充通孔，填充材料是含有磁性纳米颗粒的聚合物浆料。然而，对比文件中的“基板”是半导体衬底（如硅），其本身并非由含纳米颗粒的聚合物构成。含纳米颗粒的聚合物是作为填充物设置在基板的通孔内，用于形成电连接（互连），而不是作为基板的材料。对比文件未公开所述基板本身包括含纳米颗粒的聚合物，也未公开该包含纳米颗粒的聚合物形成具有“预定电磁特性”（如为RF应用设计的特定介电常数、磁导率）的纳米复合材料。对比文件的聚合物浆料是功能性的填充材料，目标专利中基板本身即为功能材料。 |
| **技术特征B：** 所述预定电磁特性包括感兴趣的射频下的介电常数、磁导率和耗散因数。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | [0014] 根据填充通孔3的要求，使用聚合物介电浆料或聚合物导体浆料作为聚合物浆料8。<br><br>[0023] 在另一个实施例中，聚合物浆料8的掩埋过程受到一个影响聚合物浆料8的磁场的支持。为此，聚合物浆料8包含磁性材料颗粒（未示出）。<br><br>[0026] 然后，通过合适的磁性设备（未示出）感应一个磁场，如图3b中的磁力线16所示。磁场的定向方式使得作用于磁性颗粒的力吸引这些颗粒，从而将聚合物浆料8拉入通孔3中。 | 对比文件虽然提到了聚合物浆料可以是介电性或导电性的，但完全没有提及或定义任何关于“感兴趣的射频下的介电常数、磁导率和耗散因数”的预定电磁特性。对比文件关注的是填充工艺（如利用磁场导流、加热固化）和互连的形成，而非为特定射频应用（如天线基板）设计具有特定介电和磁损耗特性的复合材料。对于射频特性，对比文件未作任何披露。 |
| **技术特征C：** 所述基板被配置为是挠性的并还包括设置在所述纳米复合材料的至少一个表面上的天线结构。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | [0001] 本方法总体涉及半导体制造领域，更具体地，涉及用导电或非导电材料填充半导体衬底中的盲孔或通孔。<br><br>[0010] 图1a展示了具有有源区2的半导体衬底1，其中有源区2中形成有集成电路。该半导体衬底示例性地具有两个高深宽比的通孔3，形成为贯通通孔并延伸穿过整个半导体衬底1。 | 对比文件中公开的基板是刚性半导体衬底（如硅晶圆），不具有挠性。对比文件的目的是形成硅通孔（TSV）互连，完全没有提及任何形式的天线结构，更未提及将天线结构设置在纳米复合材料的表面上。对比文件的技术背景和解决方案均与挠性基板或天线无关。 |
| **技术特征D：** 所述纳米复合材料具有在1.2和4之间的相对电容率。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | [0014] 该聚合物浆料8的材料及其粘度例如适应于半导体衬底1的环境或性能及其几何特征。<br><br>[0023] 磁性颗粒的尺寸和重量百分比取决于不同因素，例如磁场强度、通孔3的深宽比、聚合物浆料8的粘度、通孔3内表面6材料的润湿性等。 | 对比文件虽然公开了聚合物浆料（可视为纳米复合材料）的组成和工艺参数，但完全没有提及该复合材料的相对电容率（介电常数）的任何具体数值或范围。对比文件中公开的内容无法引导本领域技术人员毫无疑义地确定其介电常数落在1.2至4之间。 |
| **技术特征E：** 其中所述纳米颗粒具有铁磁或超顺磁特性中的一种。<br><br>**公开性判断：** 《直接公开》 | [0023] 合适的磁性材料是例如铁磁性金属，如铁、钴或镍，或铁磁性材料如磁铁矿以及其他这些材料的化合物。 | 对比文件明确公开了纳米颗粒为铁磁性材料，例如铁、钴、镍和磁铁矿。这直接覆盖了技术特征E中“铁磁”特性的一种。虽然对比文件未明确提及“超顺磁”，但公开了铁磁特性，因此本技术特征被直接公开。 |
| **技术特征F：** 其中所述纳米颗粒显示出至少部分地依赖于所述纳米颗粒的尺寸的铁磁性或超顺磁性的一种。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | [0023] 合适的磁性材料是例如铁磁性金属，如铁、钴或镍，或铁磁性材料如磁铁矿以及其他这些材料的化合物。<br><br>[0024] 磁性颗粒的尺寸和重量百分比取决于不同因素，例如磁场强度、通孔3的深宽比、聚合物浆料8的粘度、通孔3内表面6材料的润湿性等。 | 对比文件虽公开了磁性颗粒具有铁磁性，并提到尺寸是一个考虑因素，但完全没有披露纳米颗粒的磁特性（铁磁或超顺磁）依赖于其尺寸这一物理原理。对比文件未提及“超顺磁”特性，也未将尺寸与具体磁性类型（单畴/多畴）联系起来。目标专利中明确指出了纳米颗粒尺寸决定其是铁磁还是超顺磁，这是对比文件所没有教导的。 |
| **技术特征G：** 其中所述纳米颗粒由金属、金属合金和含金属的氧化物中的至少一种构成。<br><br>**公开性判断：** 《直接公开》 | [0023] 合适的磁性材料是例如铁磁性金属，如铁、钴或镍，或铁磁性材料如磁铁矿以及其他这些材料的化合物。 | 对比文件明确公开了纳米颗粒可以是金属（如铁、钴、镍），以及含金属的氧化物（如磁铁矿）。虽然未明确提及“金属合金”，但已公开了金属和含金属的氧化物，因此“至少一种”被直接公开。 |
| **技术特征H：** 其中所述纳米颗粒由Fe、Co、Ni、FePt和Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>中的至少一种构成。<br><br>**公开性判断：** 《直接公开》 | [0023] 合适的磁性材料是例如铁磁性金属，如铁(Fe)、钴(Co)或镍(Ni)，或铁磁性材料如磁铁矿(Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>)以及其他这些材料的化合物。 | 对比文件明确列举了Fe、Co、Ni和Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>作为磁性颗粒的材料。虽然未包含FePt，但已公开了所述列表中的多种材料，直接公开了“至少一种”的技术方案。 |
| **技术特征I：** 其中所述聚合物由非极性聚合物构成。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | [0011] 在一个实施例中，该介电层由聚酰亚胺形成，聚酰亚胺通常是用于半导体材料钝化的成本效益高的材料。<br><br>[0032] 半导体衬底1的上表面5及其通孔3内部表面被钝化层15覆盖，该钝化层例如为聚酰亚胺。 | 对比文件提及的聚合物材料（如聚酰亚胺）通常被视为极性聚合物。对比文件未披露或暗示聚合物基质应选择“非极性聚合物”，也没有给出任何关于聚合物极性选择以优化高频特性的教导或启示。 |
| **技术特征J：** 其中所述聚合物由热固聚合物构成。<br><br>**公开性判断：** 《隐含公开》 | [0017] 用聚合物浆料8填充通孔3需要干燥和固化工艺，该工艺可以通过在相对低的温度下加热半导体衬底1来进行。例如，约120°C至220°C的温度范围足以固化聚合物基质。 | 对比文件描述的聚合物浆料通过加热进行“固化”，固化温度在120-220°C。这是典型的热固性聚合物的固化行为（在加热下发生不可逆的交联反应）。本领域技术人员可以合理推断，该聚合物基质为热固性聚合物，因为热塑性聚合物在此温度范围内通常表现为熔化或软化，而非“固化”。因此，技术特征J被隐含公开。 |
| **技术特征K：** 其中所述聚合物由热塑性聚合物构成。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | [0017] 用聚合物浆料8填充通孔3需要干燥和固化工艺，该工艺可以通过在相对低的温度下加热半导体衬底1来进行。例如，约120°C至220°C的温度范围足以固化聚合物基质。 | 对比文件明确描述了通过加热使聚合物基质“固化”的工艺，这与热固性聚合物的典型工艺相符。对比文件没有提及可熔融加工、反复成型的热塑性聚合物。将对比文件中的聚合物解释为热塑性聚合物与本领域技术人员的常规理解相悖。 |
| **技术特征L：** 其中所述聚合物由聚苯乙烯、间规聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、环烯烃共聚合物、聚异丁烯、聚异戊二烯和含氟聚合物中的至少一种构成。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | [0011] 在一个实施例中，该介电层由聚酰亚胺形成，聚酰亚胺通常是用于半导体材料钝化的成本效益高的材料。 | 对比文件提及的聚合物是聚酰亚胺，并未列出或暗示目标专利中列出的任何具体聚合物类型（如聚苯乙烯、聚乙烯等）。对比文件没有给出选择这些特定低介电损耗聚合物的任何教导。 |
| **技术特征M：** 其中所述聚合物由弹性体构成。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | 全文未提及。 | 对比文件通篇未提及任何具有弹性体特性的聚合物，也未暗示聚合物基质的挠性或可伸展性。 |
| **技术特征N：** 其中所述基板包含空隙。<br><br>**公开性判断：** 《直接公开》 | [0010] 该半导体衬底示例性地具有两个高深宽比的通孔3，形成为贯通通孔并延伸穿过整个半导体衬底1。<br><br>[0022] 图2a至2e通过真空工艺填充盲孔30（图2a）。 | 对比文件中的半导体衬底（基板）明确包含需要被填充的通孔（through via）和盲孔（blind via），这些孔洞即为空隙。因此，技术特征N被直接公开。 |
| **技术特征O：** 其中所述纳米颗粒具有100nm或更小的直径。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | [0014] 在实施例中，聚合物导体浆料由包含导体粉末（未示出）的聚合物基质形成，该导体粉末的重量百分比在约70至90%范围内，而粉末颗粒的最大尺寸小于约300nm。 | 对比文件提到填充通孔的导体粉末颗粒“最大尺寸小于约300nm”，但此尺寸是针对导体粉末（如银粉），而非磁性颗粒。对于磁性颗粒，对比文件仅提及“尺寸和重量百分比取决于不同因素”，未给出具体尺寸范围或上限。因此，对比文件未公开磁性纳米颗粒具有100nm或更小的直径这一特征。 |
| **技术特征P：** 其中所述纳米颗粒由含金属的核和表面活性剂构成。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | [0023] 为此，聚合物浆料8包含磁性材料颗粒（未示出）。<br><br>[0024] 磁性颗粒的尺寸和重量百分比取决于不同因素，例如磁场强度、通孔3的深宽比、聚合物浆料8的粘度、通孔3内表面6材料的润湿性等。 | 对比文件虽然公开了磁性颗粒，但完全没有提及这些颗粒由“含金属的核和表面活性剂”构成。对比文件未涉及表面活性剂的使用，也未描述磁性颗粒的核-壳结构。 |
| **技术特征Q：** 其中所述纳米颗粒包括被选择为降低所述纳米颗粒在被固化之前的所述基质中的活动性的表面活性剂。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | 全文未提及。 | 对比文件完全没有提到表面活性剂，更没有提到表面活性剂具有“降低纳米颗粒在基质中活动性”的功能或目的。 |
| **技术特征R：** 其中所述纳米颗粒在所述基板的体积内显示出均匀的浓度。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | [0026] 图3b展示了通过磁力线16感应的磁场。磁场的定向方式使得作用于磁性颗粒的力吸引这些颗粒，从而将聚合物浆料8拉入通孔3中。 | 对比文件的工艺是利用磁场将磁性颗粒（连同聚合物浆料）拉入通孔，其目标是实现通孔的无空隙填充。然而，对比文件没有描述或暗示磁性纳米颗粒在最终固化的基板（或填充区域）的体积内具有均匀的浓度分布。相反，目标专利中提到通过磁场导流可能形成浓度梯度。 |
| **技术特征S：** 其中所述纳米颗粒在所述基板的体积内显示出浓度梯度。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | [0029] 在另一个实施例中，在填充通孔3之后，将磁性颗粒从聚合物浆料8中分离出来，以去除这些颗粒并避免颗粒日后对集成电路的任何影响。 | 对比文件描述了一种将磁性颗粒从聚合物浆料中分离（demixing）的实施例，但该步骤的目的是为了去除颗粒，而非有意形成并固定一个浓度梯度。对比文件没有公开或暗示在基板内存在预定的、非均匀的纳米颗粒浓度梯度。 |
| **技术特征T：** 其中所述感兴趣的射频为10<sup>9</sup>Hz或更大。<br><br>**公开性判断：** 未公开 | 全文未提及。 | 对比文件的技术背景和实施例均涉及半导体互连（TSV），未提及任何射频（RF）应用，更未限定感兴趣的射频频率为1GHz或更大。目标专利中定义的频率范围与其RF应用场景（如天线）紧密相关，这在对比文件中完全没有涉及。 |
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