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对比文件的名称：2001-11-06_US6311387B_发明授权_US06311387B1 Method of manufacturing inductor
目标专利的名称：953磁力控制的聚合物纳米复合材料和用于施加和固化此材料的方法以及用于RF应用的纳米磁性复合物CN102067248B
本次调用的模型名称：qwen-max
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基板和被所述基板支撑的至少一个部件，所述基板包括含纳米颗粒的聚合物，所述含纳米颗粒的聚合物形成具有预定电磁特性的纳米复合材料（未公开） | “一种制造电感器的方法，包括以下步骤：将线圈容纳在模腔中...进行第一次注射成型，将熔融的磁性芯片成型材料注入模腔...在磁性芯片中嵌入导体线圈...”（摘要及说明书第3栏第5-15行） | 对比文件公开了通过注射成型方法制造一种嵌入式电感器，其中树脂基体（如PPS）中含有磁性粉末（如Ni-Cu-Zn铁氧体），用于形成磁性芯片并支撑线圈。然而，对比文件中的填料是传统的微米级或更大尺寸的磁性粉末，而非目标专利明确限定的“纳米颗粒”。目标专利通过使用纳米颗粒来实现流动控制、感应加热以及独特的电磁特性，这与对比文件中使用传统磁性粉末仅用于提高磁导率的技术构思和实现的效果完全不同。因此，对比文件未公开“含纳米颗粒的聚合物”这一核心特征，且其形成的复合材料并不具备目标专利中所述的由纳米颗粒带来的预定特性。 |
| 技术特征B：所述预定电磁特性包括感兴趣的射频下的介电常数、磁导率和耗散因数（未公开） | “...使用Ni-Cu-Zn铁氧体作为软磁材料...”（说明书第3栏第60-65行） | 对比文件仅提到了通过添加铁氧体粉末使树脂材料具有磁性（磁导率），但完全没有提及任何关于“介电常数”和“耗散因数”的具体数值、控制方法或其在射频下的性能要求。目标专利明确将这些参数作为纳米复合材料需要达到的预定电磁特性，是进行天线等RF部件设计的关键。对比文件不涉及此方面。 |
| 技术特征C：所述基板被配置为是挠性的并还包括设置在所述纳米复合材料的至少一个表面上的天线结构（未公开） | 全文未提及 | 对比文件全文涉及的是通过注射成型制造刚性电感器（chip inductor），其最终产品是独立的、刚性的电子元件。文中完全没有提到基板具有“挠性”，也没有提到在基板表面设置“天线结构”。目标专利中基板的挠性是为了适应柔性天线或可穿戴设备等应用，与对比文件中制造刚性电感器的目的和应用领域完全不同。 |
| 技术特征D：所述纳米复合材料具有在1.2和4之间的相对电容率（未公开） | 全文未提及 | 对比文件全文没有公开任何关于其成型材料的相对电容率（介电常数）的数值，更未提及将其控制在1.2到4之间的范围内。 |
| 技术特征E：其中所述纳米颗粒具有铁磁或超顺磁特性中的一种（未公开） | “...Ni-Cu-Zn铁氧体作为软磁材料...”（说明书第3栏第60-65行） | 对比文件中的磁性填料是铁氧体，属于铁磁性材料。但是，目标专利明确指出，颗粒的磁特性（铁磁或超顺磁）严格依赖于其尺寸（例如，Co颗粒小于10nm为超顺磁，大于10nm为铁磁）。对比文件使用的是传统微米级铁氧体粉末，不具备这种由于尺寸减小到纳米尺度而产生的超顺磁特性。因此，对比文件未公开基于纳米颗粒尺寸效应的“超顺磁特性”这一选择。 |
| 技术特征F：其中所述纳米颗粒显示出至少部分地依赖于所述纳米颗粒的尺寸的铁磁性或超顺磁性的一种（未公开） | 全文未提及 | 对比文件没有讨论或揭示其磁性填料的磁性类型（铁磁或超顺磁）与其颗粒尺寸之间的任何依赖关系。目标专利明确利用纳米颗粒的尺寸来调控其磁特性（铁磁或超顺磁），这是本发明的关键点之一。 |
| 技术特征G：其中所述纳米颗粒由金属、金属合金和含金属的氧化物中的至少一种构成（未公开） | “...Ni-Cu-Zn铁氧体...”（说明书第3栏第60-65行） | 对比文件中的磁性填料是Ni-Cu-Zn铁氧体，这属于“含金属的氧化物”。虽然材料的化学成分与目标专利中列举的材料类型部分重叠，但在本特征中，前提是“纳米颗粒”。对比文件使用的是传统粒径的磁性粉末，并非“纳米颗粒”。因此，在目标专利明确限定为“纳米颗粒”的基础上，对比文件公开的微米级粉末不构成对该技术特征的直接或隐含公开。 |
| 技术特征H：其中所述纳米颗粒由Fe、Co、Ni、FePt和Fe3O4中的至少一种构成（未公开） | “...Ni-Cu-Zn铁氧体...”（说明书第3栏第60-65行） | 对比文件公开的磁性填料为Ni-Cu-Zn铁氧体，这是一种复合铁氧体。虽然其成分中包含Fe和Ni元素，但它不是目标专利中明确列举的Fe、Co、Ni、FePt或Fe3O4这些纯物质或特定合金/氧化物。此外，同样由于对比文件未使用“纳米颗粒”，因此不构成对该特征的公开。 |
| 技术特征I：其中所述聚合物由非极性聚合物构成（未公开） | “...PPS（聚苯硫醚）树脂...”（说明书第3栏第60-65行） | 对比文件公开的聚合物是聚苯硫醚（PPS），这是一种极性聚合物（分子链中含有极性的硫醚键）。目标专利明确限定聚合物由非极性聚合物（如聚苯乙烯、聚乙烯等）构成，是为了获得低的介电常数和耗散因数。对比文件使用的PPS在材料属性上与目标专利限定的非极性聚合物不同。 |
| 技术特征J：其中所述聚合物由热固聚合物构成（未公开） | “...PPS（聚苯硫醚）树脂...”（说明书第3栏第60-65行） | 对比文件公开的聚合物是聚苯硫醚（PPS），这是一种典型的热塑性聚合物。目标专利限定聚合物由热固聚合物构成，旨在利用其在固化后形成三维网络结构，具有更好的耐热性和尺寸稳定性。对比文件未公开任何热固性聚合物作为基体材料。 |
| 技术特征K：其中所述聚合物由热塑性聚合物构成（直接公开） | “...在作为绝缘弹性材料的PPS（聚苯硫醚）树脂中...”（说明书第3栏第60-65行） | 对比文件明确公开了使用PPS（聚苯硫醚）树脂作为成型材料。PPS是一种公知的热塑性聚合物。在对比文件中，PPS作为基体材料用于固定磁性粉末并支撑线圈，其作用与目标专利中聚合物作为复合材料基体的作用类似。因此，本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件公开了“聚合物由热塑性聚合物构成”这一技术特征。 |
| 技术特征L：其中所述聚合物由聚苯乙烯、间规聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、环烯烃共聚合物、聚异丁烯、聚异戊二烯和含氟聚合物中的至少一种构成（未公开） | “...PPS（聚苯硫醚）树脂...”（说明书第3栏第60-65行） | 对比文件公开的聚合物是PPS（聚苯硫醚），并不在目标专利所列举的聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、环烯烃共聚合物、聚异丁烯、聚异戊二烯或含氟聚合物等具体材料列表中。 |
| 技术特征M：其中所述聚合物由弹性体构成（未公开） | “...绝缘弹性材料...PPS树脂...”（说明书第3栏第60-65行） | 对比文件中虽然使用了“弹性材料”一词，但其明确界定PPS树脂是作为“绝缘弹性材料”。PPS本身并非弹性体，它是一种刚性工程塑料。该表述主要是为了说明其绝缘和可塑（moldable）的特性，而非指其具有橡胶般的弹性。目标专利中的“弹性体”通常指具有高弹性形变能力的高分子材料，与PPS的特性不符。 |
| 技术特征N：其中所述基板包含空隙（未公开） | 全文未提及 | 对比文件全文未提及在其制造的磁性芯片或任何基板中包含空隙（如发泡结构）。目标专利中的空隙是为了降低介电常数而有意引入的。 |
| 技术特征O：其中所述纳米颗粒具有100nm或更小的直径（未公开） | 全文未提及 | 对比文件全文未提及其所使用的磁性粉末的颗粒尺寸，更没有公开其尺寸在100nm或更小的纳米级别。传统用于电感器的铁氧体粉末颗粒尺寸通常在微米级别。 |
| 技术特征P：其中所述纳米颗粒由含金属的核和表面活性剂构成（未公开） | 全文未提及 | 对比文件全文未公开其磁性粉末具有核/表面活性剂的结构，也未提及使用任何表面活性剂。目标专利中的这种核-壳结构是实现纳米颗粒在聚合物中均匀分散和稳定存在的关键。 |
| 技术特征Q：其中所述纳米颗粒包括被选择为降低所述纳米颗粒在被固化之前的所述基质中的活动性的表面活性剂（未公开） | 全文未提及 | 对比文件全文未提及使用任何表面活性剂，更未提到表面活性剂用于降低颗粒在基质中的活动性。目标专利中的此特征是为了防止纳米颗粒在固化前发生团聚或迁移。 |
| 技术特征R：其中所述纳米颗粒在所述基板的体积内显示出均匀的浓度（未公开） | “...将Ni-Cu-Zn铁氧体...在PPS树脂中捏合并形成颗粒...进行注射成型...”（说明书第3栏第60-65行及第4栏第10-20行） | 对比文件通过捏合和注射成型工艺，理论上可以使磁性粉末在树脂中达到宏观上的均匀分布。然而，该特征的前提是“纳米颗粒”。对比文件使用的是传统尺寸的磁性粉末，而非纳米颗粒。纳米颗粒因其极高的表面能和强团聚倾向，要实现均匀分散比微米颗粒困难得多，需要依赖表面活性剂等特殊技术。对比文件未公开针对纳米颗粒的分散技术，因此不能认为其公开了纳米颗粒在基板内具有均匀浓度。 |
| 技术特征S：其中所述纳米颗粒在所述基板的体积内显示出浓度梯度（未公开） | 全文未提及 | 对比文件全文未提及在其制造的磁性芯片内部存在任何成分的浓度梯度。目标专利中的浓度梯度是通过外部磁场引导纳米颗粒移动实现的，这与对比文件的制造方法完全不同。 |
| 技术特征T：其中所述感兴趣的射频为10^9 Hz或更大（未公开） | 全文未提及 | 对比文件全文涉及的是用于抑制微处理器等元件产生噪声的电感器，其工作频率范围通常远低于1GHz，且文中未提及任何关于射频（RF）应用的频率范围。 |
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