对比文件名称：2012-03-22_US2012068049A_发明申请_US20120068049A1 PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND IMAGE SENSOR
目标专利名称：994用于检测光子的装置和方法CN105765732B
模型名称：gpt-4-turbo
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：半导体。《未公开》 | [0023]：“The supporting substrate 2 is required only to have an insulating characteristic and hold the light receiving portion 1, and is made of silicon or glass, for example.” | 对比文件中的支撑基板2仅用于绝缘和支撑，由硅或玻璃制成，但并非用于光电转换的半导体。目标专利的半导体（如石墨烯）具有低光子吸收和高电子移动性，用于直接参与光电转换。对比文件未公开此特征。 |
| 技术特征B：不对称电极布置，该不对称电极布置包括第一电极、与跨越所述半导体的一部分的所述第一电极分离的第二电极、以及与至少所述第一电极相关联的至少一个表面等离子体激元生成器。《未公开》 | [0023]-[0025]：光接收部分1为金属，电压检测部分4用于测量电位，支撑基板2作为参考点。 | 对比文件虽有金属光接收部分（可视为第一电极）和电压检测部分（连接参考点），但未明确第二电极，且未公开半导体部分。目标专利要求第一电极和第二电极跨越半导体，对比文件无半导体，故未公开。 |
| 技术特征C：其中所述表面等离子体激元生成器包括与连续的导电材料组合的光耦合器。《直接公开》 | [0024]：“the light receiving portion 1 is provided with a slot-shaped slit (nanoslit) 3”；[0036]：“a portion of perpendicular incident light is converted, by the slit 3, into a cylindrical wave having a component of φ=90° (which is parallel to the front surface of the light receiving portion 1)”。 | 对比文件中的狭缝3起到将入射光耦合为表面等离子体的作用，相当于光耦合器；光接收部分1为连续的金属导电材料。两者组合构成表面等离子体激元生成器，与目标专利特征一致，本领域技术人员能毫无疑义确定。 |
| 技术特征D：所述第一电极从与所述半导体不接触的第一区域延伸到与所述半导体接触的第二区域。《未公开》 | 对比文件未公开半导体，且光接收部分1无区域划分。 | 目标专利基于半导体接触定义第一电极的第一区域和第二区域，对比文件无半导体也无对应区域，故未公开。 |
| 技术特征E：其中在所述第一区域处的所述第一电极与所述光耦合器相关联。《未公开》 | 对比文件未公开第一区域概念。 | 目标专利中第一区域不接触半导体且与光耦合器关联，对比文件无此结构，故未公开。 |
| 技术特征F：其中与所述第二区域相比，《未公开》 | 对比文件未公开任何区域比较。 | 特征F为不完整表述，结合特征G，对比文件无对应内容，故未公开。 |
| 技术特征G：所述第一区域进一步远离于所述第二电极。《未公开》 | 对比文件未公开第一区域与第二电极的相对位置。 | 目标专利明确第一区域远离第二电极，对比文件无此位置关系，故未公开。 |
| 技术特征H：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为在至少与线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极。《未公开》 | [0036]：“a portion of perpendicular incident light is converted, by the slit 3, into a cylindrical wave having a component of φ=90° (which is parallel to the front surface of the light receiving portion 1)”。 | 对比文件通过狭缝产生平行于表面的波矢分量，但未公开“线通过半导体部分”这一要素，因对比文件无半导体，故未公开。 |
| 技术特征I：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为优选地在与所述线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极。《未公开》 | 同特征H，对比文件无“优选地”表述及半导体部分。 | 对比文件未公开优选方向及半导体，故未公开。 |
| 技术特征J：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为生成表面等离子体激元并且将所生成的表面等离子体激元传送给所述半导体。《未公开》 | [0036]：表面等离子体沿金属表面传播。 | 对比文件生成的表面等离子体沿光接收部分1的金属表面传播，未传送给半导体，且无半导体，故未公开。 |
| 技术特征K：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：在沿着线的方向中提供在至少数微米上的连续等离子体，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极。《未公开》 | 对比文件未明确传播距离为至少数微米，且未公开半导体部分。 | 目标专利要求连续等离子体范围数微米，对比文件虽可传播微米级但未明确限定，且无半导体，故未公开。 |
| 技术特征L：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的等离子体。《未公开》 | 对比文件无接触/不接触半导体区域的概念。 | 目标专利基于半导体接触定义区域，对比文件无半导体，故未公开。 |
| 技术特征M：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的金属。《未公开》 | 对比文件光接收部分1为连续金属，但无区域划分。 | 目标专利要求连续的金属从不接触半导体区域延伸到接触区域，对比文件无半导体也无此结构，故未公开。 |
| 技术特征N：其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性至少在平行于线的方向中，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极。《未公开》 | [0052]：“a plurality of slot-shaped slits 6 periodically provided therein in parallel at a predetermined pitch”。 | 对比文件第四实施例有周期性狭缝，但未公开周期性方向平行于“通过第一电极、半导体的部分和第二电极的线”，且无半导体，故未公开。 |
| 技术特征O：其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性平行于线，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极。《未公开》 | 同特征N，对比文件未明确周期性平行于线且无半导体。 | 未公开。 |
| 技术特征P：其中所述周期结构是周期光栅。《直接公开》 | [0049]：“the reflection slits 5 can be considered to be a Bragg diffraction grating”。 | 对比文件明确将反射狭缝5视为布拉格衍射光栅，即周期光栅，本领域技术人员能毫无疑义确定，直接公开。 |
| 技术特征Q：其中所述表面等离子体激元生成器包括导电材料，该导电材料包括表面，其中所述表面是连续的并且包括周期轮廓调制。《未公开》 | 对比文件光接收部分1具有狭缝3，表面不连续。 | 对比文件因有狭缝导致表面不连续，未公开连续表面上的周期轮廓调制，故未公开。 |
| 技术特征R：其中所述第一电极与表面等离子体激元生成器相关联，但是所述第二电极与表面等离子体激元生成器不相关联。《直接公开》 | [0024]：光接收部分1设有狭缝3；[0025]：电压检测部分4测量光接收部分1与支撑基板2之间的电压。 | 对比文件第一电极（光接收部分1）具有狭缝（表面等离子体激元生成器），第二电极（支撑基板2或参考点）无狭缝，直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述第一电极与用于选择性地耦合第一频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联，以及所述第二电极与用于选择性地耦合与所述第一频率不同的第二频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联。《未公开》 | [0062]：三种类型像素分别用于检测不同波长λ1、λ2、λ3。 | 对比文件第七实施例中每个像素（第一电极）只有一种波长的生成器，第二电极无生成器，未公开第一电极和第二电极分别耦合不同频率的配置，故未公开。 |
| 技术特征T：其中所述不对称电极布置包括多个第一电极，每个第一电极与用于选择性地耦合特定频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联。《隐含公开》 | [0062]：“The photoelectric conversion device array includes three types of pixels for different wavelengths to be detected, namely, pixels 8 for a wavelength λ1 to be detected, pixels 9 for a wavelength λ2 to be detected, and pixels 10 for a wavelength λ3 to be detected.” | 对比文件阵列中每个像素包含光接收部分（第一电极）和狭缝（生成器），且不同像素的狭缝宽度不同以选择不同波长。本领域技术人员可合理推断该阵列中多个第一电极各自关联不同频率的生成器，构成不对称电极布置，隐含公开。 |
| 技术特征U：其中所述第二电极是通过所述半导体与所述多个第一电极分离的公共电极。《隐含公开》 | [0062]：像素阵列共享支撑基板；[0025]：电压检测部分4以支撑基板2为参考点。 | 对比文件中支撑基板2可作为公共参考点（即第二电极），与多个第一电极分离。虽未明确提及半导体，但本领域技术人员可推理该公共电极结构，隐含公开。 |
| 技术特征V：其中所述表面等离子体激元生成器包括第一部分和第二部分，所述第一部分提供周期光栅以及所述第二部分不提供周期光栅。《未公开》 | 对比文件未公开第一部分和第二部分的结构区分。 | 目标专利要求生成器有光栅部分和非光栅部分，对比文件无此划分，故未公开。 |
| 技术特征W：其中所述第二部分是平的。《未公开》 | 对比文件未公开第二部分结构。 | 目标专利第二部分为平面，对比文件无对应，故未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二部分邻近于所述半导体的部分，以及所述第一部分不邻近于所述半导体的部分。《未公开》 | 对比文件无半导体及邻近关系。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：被配置为窄带光检测器。《直接公开》 | [0063]：“by varying the shape (particularly, the width) of the slit 3 in each photoelectric conversion device constituting a pixel, it is possible to perform resolution (selection) of a wavelength to be detected.” | 对比文件通过改变狭缝宽度选择特定波长进行检测，即窄带光检测功能，直接公开。 |
| 技术特征Z：被配置为分析物传感器，其中至少所述半导体被暴露以用于分析物吸附。《未公开》 | 对比文件未提及分析物传感器或吸附。 | 目标专利分析物传感器需要半导体暴露用于吸附，对比文件无半导体也无此应用，故未公开。 |
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