对比文件的名称：2013-05-23_WO2013074542A_发明申请_WO2013074542A1 DEVICES, SYSTEMS AND METHODS FOR ELECTROMAGNETIC ENERGY COLLECTION
目标专利的名称：994用于检测光子的装置和方法CN105765732B
本次调用的模型名称：GPT-4
以下特征比对表格中，对于对比文件原文引用均翻译为中文，并标注段落标号；公开性判断结果明确标注于第一栏。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：半导体（直接公开） | [0006] “该装置包括邻近第一层的第二层。第二层包括半导体材料。” | 对比文件明确公开装置包括半导体层（第二层），与目标专利的“包括半导体”实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：不对称电极布置，该不对称电极布置包括第一电极、与跨越所述半导体的一部分的所述第一电极分离的第二电极、以及与至少所述第一电极相关联的至少一个表面等离子体激元生成器（未公开） | [0044] “第一层203可以包括图案化的纳米/微米金属纳米结构……第二层205可以包括连续的金属膜。” [0046] “吸收的光在等离子体衰变时产生热电子。” | 对比文件公开了第一层（顶部导电层）和第二层（底部导电层），但两者为垂直堆叠（第二层在半导体下方），并非目标专利中第一电极和第二电极在半导体表面横向分离且“跨越半导体一部分”的布置。因此未公开本特征。 |
| 技术特征C：其中所述表面等离子体激元生成器包括与连续的导电材料组合的光耦合器（隐含公开） | [0062] “图4示意性示出了具有交叉条结构的光收集装置。图4的装置包括顶部导体层501、底部导体层502……图4的装置可以包括顶部导体层501中的开口（或孔）。这些开口可以确定等离子体共振状态的波长，从而确定该波长处的光吸收。” | 对比文件公开了顶部导体层（连续的导电材料）中具有开口阵列，该开口阵列起到将入射光耦合到表面等离子体共振的作用，相当于光耦合器。虽然未明确使用“光耦合器”，但本领域技术人员可合理推断其具有光耦合功能，且导电材料连续，因此隐含公开。 |
| 技术特征D：所述第一电极从与所述半导体不接触的第一区域延伸到与所述半导体接触的第二区域（未公开） | [0044] “第一层203可以包括图案化的纳米/微米金属纳米结构……第一层和第二层之间的界面可以包括肖特基势垒。” [0069] “半导体302的保形涂层沉积在柱的顶部和侧面。” | 对比文件中第一电极（顶部导电层）与半导体层直接接触形成肖特基接触，或被半导体涂层完全包裹，整个第一电极均与半导体接触，不存在与半导体不接触的区域。因此未公开。 |
| 技术特征E：其中在所述第一区域处的所述第一电极与所述光耦合器相关联（未公开） | 基于特征D未公开，无对应引用。 | 由于对比文件未公开第一区域，故不存在第一区域处第一电极与光耦合器关联的特征。 |
| 技术特征F：其中与所述第二区域相比（未公开） | 基于特征D未公开，无对应引用。 | 该特征为不完整从句，需结合后续特征。因对比文件未公开第一区域和第二区域的区分，无法判断。 |
| 技术特征G：所述第一区域进一步远离于所述第二电极（未公开） | 基于特征D未公开，无对应引用。 | 对比文件未公开第一区域，故不存在第一区域相对于第二电极的距离关系。 |
| 技术特征H：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为在至少与线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极（未公开） | [0051] “顶部导体层101和底部导体层102的组合响应导致对来自顶部导体层101方向的入射光的共振电响应。” | 对比文件未提及在特定方向给予动量成分，也未定义通过第一电极、半导体和第二电极的线。其通过局域表面等离子体共振吸收光，无需额外动量匹配。因此未公开。 |
| 技术特征I：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为优选地在与所述线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极（未公开） | 同特征H，无对应引用。 | 对比文件未公开优选方向给予动量，与特征H类似，未公开。 |
| 技术特征J：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为生成表面等离子体激元并且将所生成的表面等离子体激元传送给所述半导体（未公开） | [0046] “吸收的光在等离子体衰变时产生热电子，这些电子可以隧穿或越过肖特基接触。” | 对比文件中表面等离子体激元（局域）在顶部导电层产生后衰减为热电子，热电子传输到半导体，而非将表面等离子体激元本身传送给半导体。目标专利中表面等离子体激元沿表面传播到半导体区域，两者不同。因此未公开。 |
| 技术特征K：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：在沿着线的方向中提供在至少数微米上的连续等离子体，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极（未公开） | 无对应引用。 | 对比文件未公开连续等离子体在数微米上传播，其等离子体是局域的。 |
| 技术特征L：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的等离子体（未公开） | 基于特征D未公开，无对应引用。 | 对比文件未公开不接触半导体的区域，也无连续等离子体从不接触区域到接触区域的描述。 |
| 技术特征M：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的金属（未公开） | 基于特征D未公开，无对应引用。 | 对比文件中第一电极整体接触半导体，无连续金属从不接触区域延伸到接触区域的特征。 |
| 技术特征N：其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性至少在平行于线的方向中，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极（未公开） | [0062] “开口的间距可以为约1 nm至5000 nm……开口的宽度可以为……” | 对比文件公开了顶部导电层具有周期性的开口结构，但未限定周期性的方向与通过第一电极、半导体和第二电极的线之间的关系。在对比文件的垂直结构中，该线方向（垂直）与周期结构方向（水平）垂直，因此周期性不在平行于线的方向。本领域技术人员无法直接或合理推断得出该特征。 |
| 技术特征O：其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性平行于线，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极（未公开） | 同特征N，无对应引用。 | 对比文件未公开周期性平行于线，理由同特征N。 |
| 技术特征P：其中所述周期结构是周期光栅（未公开） | 无对应引用。 | 对比文件未公开周期光栅，其开口阵列或柱子阵列并非光栅结构。 |
| 技术特征Q：其中所述表面等离子体激元生成器包括导电材料，该导电材料包括表面，其中所述表面是连续的并且包括周期轮廓调制（未公开） | 无对应引用。 | 对比文件中顶部导电层或为分离柱子，或为具有通孔的连续层，但通孔并非表面轮廓调制（表面起伏），未公开连续表面上的周期轮廓调制。 |
| 技术特征R：其中所述第一电极与表面等离子体激元生成器相关联，但是所述第二电极与表面等离子体激元生成器不相关联（直接公开） | [0044] “第一层203可以包括图案化的纳米/微米金属纳米结构……第二层205可以包括连续的金属膜。” | 对比文件明确公开第一层（第一电极）包含图案化纳米结构（产生表面等离子体激元），第二层（第二电极）为连续金属膜，不包含产生表面等离子体激元的纳米结构。因此第一电极与表面等离子体激元生成器关联，第二电极不关联，直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述第一电极与用于选择性地耦合第一频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联，以及所述第二电极与用于选择性地耦合与所述第一频率不同的第二频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联（未公开） | 无对应引用。 | 对比文件未公开第二电极与表面等离子体激元生成器关联，也未公开不同频率的选择性耦合。 |
| 技术特征T：其中所述不对称电极布置包括多个第一电极，每个第一电极与用于选择性地耦合特定频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联（未公开） | [0050] “图2a和2b的装置包括顶部导体层101、底部导体层102……” [0066] “多个传感器可以配置成阵列，使得每个传感器产生特定于其位置和该位置处入射光强度和波长的唯一信号。” | 对比文件公开了多个顶部导电结构（如柱），但未公开每个与不同频率的光子耦合（通常设计为相同尺寸以吸收相同频率）。虽然提到传感器阵列可有不同波长特异性，但那属于不同装置，并非同一装置内多个第一电极各有不同频率选择性。因此未公开。 |
| 技术特征U：其中所述第二电极是通过所述半导体与所述多个第一电极分离的公共电极（直接公开） | [0050] “图2a和2b的装置包括顶部导体层101、底部导体层102、设置在顶部导体层101和底部导体层102之间的半导体层103。” 结合图2a，多个顶部导体结构共享底部导体层。 | 对比文件明确公开底部导体层（第二电极）是公共的，通过半导体层与多个顶部导电结构（第一电极）分离，因此直接公开。 |
| 技术特征V：其中所述表面等离子体激元生成器包括第一部分和第二部分，所述第一部分提供周期光栅以及所述第二部分不提供周期光栅（未公开） | 无对应引用。 | 对比文件未公开表面等离子体激元生成器的第一部分和第二部分之分，也未公开周期光栅。 |
| 技术特征W：其中所述第二部分是平的（未公开） | 基于特征V未公开，无对应引用。 | 对比文件未公开平的第二部分。 |
| 技术特征X：其中所述第二部分邻近于所述半导体的部分，以及所述第一部分不邻近于所述半导体的部分（未公开） | 基于特征V未公开，无对应引用。 | 对比文件未公开第一部分和第二部分，也无邻近关系。 |
| 技术特征Y：被配置为窄带光检测器（直接公开） | [0005] “窄波长吸收器可以被调谐为具有单个或多个吸收带。” [0050] “能量收集装置可以是传感器。” | 对比文件明确公开了窄波长吸收器，且装置可用作传感器（检测器），因此直接公开。 |
| 技术特征Z：被配置为分析物传感器，其中至少所述半导体被暴露以用于分析物吸附（直接公开） | [0074] “参照图9，示出了用于实时、无标记检测生物分子传感的装置。” [0040] “第二层的部分通过第一层的一个或多个开口暴露。” | 对比文件公开了生物/化学传感器，其中半导体层通过开口暴露，可接触分析物（如溶液中的靶分子），因此直接公开。 |
根据以上比对，对比文件直接公开了技术特征A、R、U、Y、Z，隐含公开了技术特征C。其他技术特征未被公开。
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